JPH0332849B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0332849B2 JPH0332849B2 JP58235675A JP23567583A JPH0332849B2 JP H0332849 B2 JPH0332849 B2 JP H0332849B2 JP 58235675 A JP58235675 A JP 58235675A JP 23567583 A JP23567583 A JP 23567583A JP H0332849 B2 JPH0332849 B2 JP H0332849B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vane
- tip
- vanes
- magnetron
- frequency electric
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
Links
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 10
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 8
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 6
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000010420 art technique Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J23/00—Details of transit-time tubes of the types covered by group H01J25/00
- H01J23/16—Circuit elements, having distributed capacitance and inductance, structurally associated with the tube and interacting with the discharge
- H01J23/18—Resonators
- H01J23/20—Cavity resonators; Adjustment or tuning thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J25/00—Transit-time tubes, e.g. klystrons, travelling-wave tubes, magnetrons
- H01J25/50—Magnetrons, i.e. tubes with a magnet system producing an H-field crossing the E-field
- H01J25/52—Magnetrons, i.e. tubes with a magnet system producing an H-field crossing the E-field with an electron space having a shape that does not prevent any electron from moving completely around the cathode or guide electrode
- H01J25/58—Magnetrons, i.e. tubes with a magnet system producing an H-field crossing the E-field with an electron space having a shape that does not prevent any electron from moving completely around the cathode or guide electrode having a number of resonators; having a composite resonator, e.g. a helix
- H01J25/587—Multi-cavity magnetrons
Landscapes
- Microwave Tubes (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(イ) 産業上の利用分野
本発明はマグネトロンに関し、特にその陽極構
体に係る。
体に係る。
(ロ) 従来技術
第１図Ａ及びＢに、マグネトロンの陽極構体の
従来例を示す。１は陽極筒体、２は該陽極筒体の
内壁に放射状に配設された板状ベイン、３，３′
は夫々が該ベインの上下端部に配設され、各ベイ
ン２を交互に電気的に結合する一対のストラツプ
リング、４はベイン２の各々の先端部に近接して
立設された陰極構体、５は各ベイン２の先端部と
陰極構体４との間に形成された作用空間、６は陰
極構体４から放射された電子群である。
従来例を示す。１は陽極筒体、２は該陽極筒体の
内壁に放射状に配設された板状ベイン、３，３′
は夫々が該ベインの上下端部に配設され、各ベイ
ン２を交互に電気的に結合する一対のストラツプ
リング、４はベイン２の各々の先端部に近接して
立設された陰極構体、５は各ベイン２の先端部と
陰極構体４との間に形成された作用空間、６は陰
極構体４から放射された電子群である。
斯る構成において、作用空間５には、陰極構体
４の軸方向と平行に、一様な直流磁界が与えられ
ており、また、陰極構体４と各ベイン２との間に
は、直流もしくは低周波数の高電圧が印加されて
いる。一方、隣り合うベイン２は空胴共振器を形
成し、斯る空胴共振器に生じる高周波電界は各ベ
イン２の先端部に集中し、その一部は作用空間５
に漏洩する。そして、陰極構体４から放射された
電子群６が陰極構体４を中心に作用空間５内を回
転し、これら電子群６と高周波電界との間で相互
作用が生じ、その結果、マイクロ波が発振する。
４の軸方向と平行に、一様な直流磁界が与えられ
ており、また、陰極構体４と各ベイン２との間に
は、直流もしくは低周波数の高電圧が印加されて
いる。一方、隣り合うベイン２は空胴共振器を形
成し、斯る空胴共振器に生じる高周波電界は各ベ
イン２の先端部に集中し、その一部は作用空間５
に漏洩する。そして、陰極構体４から放射された
電子群６が陰極構体４を中心に作用空間５内を回
転し、これら電子群６と高周波電界との間で相互
作用が生じ、その結果、マイクロ波が発振する。
ここで、作用空間５に漏洩する高周波電界が少
ない程上記相互作用時間が長くなり、マグネトロ
ンの発振効率は向上する。
ない程上記相互作用時間が長くなり、マグネトロ
ンの発振効率は向上する。
そこで、斯る点に鑑みてなされた先行技術が特
開昭54−161264号公報に開示されている。斯る技
術によれば、中央部のカソードと、上記カソード
をとり囲み放射状に配置された複数個の板状陽極
ベインと、上記ベインの外端部が固着されている
陽極円筒とを有するマグネトロンにおいて、上記
ベインは先端部から外端部までの間の途中に、隣
り合うベイン先端部の対向間隔にくらべて同等も
しくは小さい間隔で対向する突出部を有し、従つ
て漏洩高周波電界を低減し、直流入力電力から空
胴共振器に発するマイクロ波電力への変換効率を
改善できるものである。
開昭54−161264号公報に開示されている。斯る技
術によれば、中央部のカソードと、上記カソード
をとり囲み放射状に配置された複数個の板状陽極
ベインと、上記ベインの外端部が固着されている
陽極円筒とを有するマグネトロンにおいて、上記
ベインは先端部から外端部までの間の途中に、隣
り合うベイン先端部の対向間隔にくらべて同等も
しくは小さい間隔で対向する突出部を有し、従つ
て漏洩高周波電界を低減し、直流入力電力から空
胴共振器に発するマイクロ波電力への変換効率を
改善できるものである。
一方、ベインの先端部における高周波電界の分
布密度はベインの先端角部が最大であり、これは
高周波電界を単に低減した場合も同様である。従
つて、電子群と高周波電界との間での相互作用が
乱れ、その結果、不所望な高調波が放射されてし
まう。
布密度はベインの先端角部が最大であり、これは
高周波電界を単に低減した場合も同様である。従
つて、電子群と高周波電界との間での相互作用が
乱れ、その結果、不所望な高調波が放射されてし
まう。
しかし乍ら、上記公報に開示された技術におい
て、高調波の放射レベルを抑制する技術は開示さ
れていない。
て、高調波の放射レベルを抑制する技術は開示さ
れていない。
(ハ) 発明の目的
本発明の目的は、発振効率および基本波放射レ
ベルの低下を招くことなく、不所望な高調波の放
射レベルを抑制することにある。
ベルの低下を招くことなく、不所望な高調波の放
射レベルを抑制することにある。
(ニ) 発明の構成
本発明は、陽極筒体と、該陽極筒体の内壁に放
射状に配設された複数の板状ベインと、該ベイン
の各々の先端部に近接して立設された陰極構体と
を具備するマグネトロンにおいて、上記各ベイン
の先端角部には面取りが施こされており、隣り合
うベインの先端部の対向間隔はベイン先端部の幅
の1.3〜2.3倍以下としたことを特徴とするマグネ
トロンである。
射状に配設された複数の板状ベインと、該ベイン
の各々の先端部に近接して立設された陰極構体と
を具備するマグネトロンにおいて、上記各ベイン
の先端角部には面取りが施こされており、隣り合
うベインの先端部の対向間隔はベイン先端部の幅
の1.3〜2.3倍以下としたことを特徴とするマグネ
トロンである。
(ホ) 実施例
第２図Ａ乃至Ｃは本発明の実施例を示す。な
お、第１図と同一部分には同一符号を付して説明
を省略する。本発明の特徴はベイン２の形状であ
つて、ベインの先端角部２ｂに面取りが施こされ
ている。従つて、ベイン先端部２ａの近傍に集中
する高周波電界の分布密度は平均化される。
お、第１図と同一部分には同一符号を付して説明
を省略する。本発明の特徴はベイン２の形状であ
つて、ベインの先端角部２ｂに面取りが施こされ
ている。従つて、ベイン先端部２ａの近傍に集中
する高周波電界の分布密度は平均化される。
而して、斯る構造におけるマグネトロンの発振
特性を第３図Ａ乃至Ｃに示す。各図はベイン先端
部２ａの幅ａと隣り合うベイン２の先端部２ａの
対向間隔ｂとの比ｂ／ａをパラメータとしたもの
である。
特性を第３図Ａ乃至Ｃに示す。各図はベイン先端
部２ａの幅ａと隣り合うベイン２の先端部２ａの
対向間隔ｂとの比ｂ／ａをパラメータとしたもの
である。
なお、斯る各発振特性は、第２図Ａに示すよう
な８枚のベイン２のものではなく、12枚のベイン
２を有するマグネトロンにおける測定結果であ
る。
な８枚のベイン２のものではなく、12枚のベイン
２を有するマグネトロンにおける測定結果であ
る。
同図Ａは定格値放射に必要な作用空間５での磁
力の変化特性を示し、ｂ／ａの増加に伴なつて小
さくなる。これはｂ／ａを大きくすることによつ
て磁石の小型化が可能であることを示す。同図Ｂ
は発振効率の特性を示し、ｂ／ａが2.3以上にな
ると、従来例の発振効率に比して１％以上劣化す
る。同図Ｃは第２乃至第５高調波の放射レベル相
対値の特性を示し、従来例に比して第２乃至第５
高調波の放射レベルは何れも抑制されている。な
お、斯る放射レベル相対値はｂ／ａが1.9以上に
なると再び上昇しているのは、ベイン２に集中す
る高周波電界の分布密度がベインの先端部２ａに
集中するからである。
力の変化特性を示し、ｂ／ａの増加に伴なつて小
さくなる。これはｂ／ａを大きくすることによつ
て磁石の小型化が可能であることを示す。同図Ｂ
は発振効率の特性を示し、ｂ／ａが2.3以上にな
ると、従来例の発振効率に比して１％以上劣化す
る。同図Ｃは第２乃至第５高調波の放射レベル相
対値の特性を示し、従来例に比して第２乃至第５
高調波の放射レベルは何れも抑制されている。な
お、斯る放射レベル相対値はｂ／ａが1.9以上に
なると再び上昇しているのは、ベイン２に集中す
る高周波電界の分布密度がベインの先端部２ａに
集中するからである。
なお、第３図Ａ乃至Ｃにおいてｂ／ａ＝0.7の
時が、第１図に示した従来例の特性を示すもので
ある。
時が、第１図に示した従来例の特性を示すもので
ある。
従つて、これら各特性に鑑み、ベイン先端部２
ａの幅ａと隣り合うベイン２の先端部２ａの対向
間隔ｂとの比ｂ／ａは2.3以下が好ましく、1.3〜
2.3がより好適である。更には1.5〜2.0が好まし
い。
ａの幅ａと隣り合うベイン２の先端部２ａの対向
間隔ｂとの比ｂ／ａは2.3以下が好ましく、1.3〜
2.3がより好適である。更には1.5〜2.0が好まし
い。
(ヘ) 発明の効果
本発明によれば、ベイン先端部近傍に集中する
高周波電界の分布密度を最適化することができる
ので、発振効率および基本波放射レベルの低下を
招くことなく、不所望な高調波の放射レベルを抑
制することが可能となる。
高周波電界の分布密度を最適化することができる
ので、発振効率および基本波放射レベルの低下を
招くことなく、不所望な高調波の放射レベルを抑
制することが可能となる。
第１図ＡおよびＢは従来例を示す上面図および
部分断面図、第２図Ａ乃至Ｃは本発明の実施例を
示す上面図、部分断面図および要部拡大上面図、
第３図Ａ乃至Ｃは測定結果を示す特性曲線図であ
る。 １……陽極筒体、２……ベイン、４……陰極構
体。
部分断面図、第２図Ａ乃至Ｃは本発明の実施例を
示す上面図、部分断面図および要部拡大上面図、
第３図Ａ乃至Ｃは測定結果を示す特性曲線図であ
る。 １……陽極筒体、２……ベイン、４……陰極構
体。
Claims (1)
- １ 陽極筒体と、該陽極筒体の内壁に放射状に配
設された複数の板状ベインと、該ベインの各々の
先端部に近接して立設された陰極構体とを具備す
るマグネトロンにおいて、上記各ベインの先端角
部には面取りが施されており、隣り合うベインの
先端部の対向間隔はベイン先端部の幅の1.3〜2.3
倍としたことを特徴とするマグネトロン。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58235675A JPS60127638A (ja) | 1983-12-13 | 1983-12-13 | マグネトロン |
| US06/673,115 US4644225A (en) | 1983-12-13 | 1984-11-19 | Magnetron |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58235675A JPS60127638A (ja) | 1983-12-13 | 1983-12-13 | マグネトロン |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60127638A JPS60127638A (ja) | 1985-07-08 |
| JPH0332849B2 true JPH0332849B2 (ja) | 1991-05-15 |
Family
ID=16989534
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58235675A Granted JPS60127638A (ja) | 1983-12-13 | 1983-12-13 | マグネトロン |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4644225A (ja) |
| JP (1) | JPS60127638A (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06101304B2 (ja) * | 1986-03-26 | 1994-12-12 | 株式会社日立製作所 | マグネトロン |
| JP2594262B2 (ja) * | 1986-10-16 | 1997-03-26 | 松下電器産業株式会社 | マグネトロン |
| US5422542A (en) * | 1993-02-09 | 1995-06-06 | Litton Systems, Inc. | Low power pulsed anode magnetron for improving spectrum quality |
| US5483123A (en) * | 1993-04-30 | 1996-01-09 | Litton Systems, Inc. | High impedance anode structure for injection locked magnetron |
| US5680012A (en) * | 1993-04-30 | 1997-10-21 | Litton Systems, Inc. | Magnetron with tapered anode vane tips |
| US6373194B1 (en) * | 2000-06-01 | 2002-04-16 | Raytheon Company | Optical magnetron for high efficiency production of optical radiation |
| JP4197299B2 (ja) | 2004-01-09 | 2008-12-17 | パナソニック株式会社 | マグネトロン |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54161264A (en) * | 1978-06-12 | 1979-12-20 | Toshiba Corp | Magnetron |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4056756A (en) * | 1975-04-25 | 1977-11-01 | Raytheon Company | Anode assembly for electron discharge devices |
| JPS51132076A (en) * | 1975-05-13 | 1976-11-16 | Toshiba Corp | Magnetron |
| US4109179A (en) * | 1977-01-03 | 1978-08-22 | Raytheon Company | Microwave tube assembly |
| JPS57202042A (en) * | 1981-06-04 | 1982-12-10 | Toshiba Corp | Magnetron |
| SU1088087A1 (ru) * | 1983-01-17 | 1984-04-23 | Предприятие П/Я А-1067 | Магнетрон |
-
1983
- 1983-12-13 JP JP58235675A patent/JPS60127638A/ja active Granted
-
1984
- 1984-11-19 US US06/673,115 patent/US4644225A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54161264A (en) * | 1978-06-12 | 1979-12-20 | Toshiba Corp | Magnetron |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60127638A (ja) | 1985-07-08 |
| US4644225A (en) | 1987-02-17 |
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