JPS60127638A - マグネトロン - Google Patents
マグネトロンInfo
- Publication number
- JPS60127638A JPS60127638A JP58235675A JP23567583A JPS60127638A JP S60127638 A JPS60127638 A JP S60127638A JP 58235675 A JP58235675 A JP 58235675A JP 23567583 A JP23567583 A JP 23567583A JP S60127638 A JPS60127638 A JP S60127638A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vanes
- tip
- vane
- magnetron
- tip section
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J23/00—Details of transit-time tubes of the types covered by group H01J25/00
- H01J23/16—Circuit elements, having distributed capacitance and inductance, structurally associated with the tube and interacting with the discharge
- H01J23/18—Resonators
- H01J23/20—Cavity resonators; Adjustment or tuning thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J25/00—Transit-time tubes, e.g. klystrons, travelling-wave tubes, magnetrons
- H01J25/50—Magnetrons, i.e. tubes with a magnet system producing an H-field crossing the E-field
- H01J25/52—Magnetrons, i.e. tubes with a magnet system producing an H-field crossing the E-field with an electron space having a shape that does not prevent any electron from moving completely around the cathode or guide electrode
- H01J25/58—Magnetrons, i.e. tubes with a magnet system producing an H-field crossing the E-field with an electron space having a shape that does not prevent any electron from moving completely around the cathode or guide electrode having a number of resonators; having a composite resonator, e.g. a helix
- H01J25/587—Multi-cavity magnetrons
Landscapes
- Microwave Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(イ)産業上の利用分野
本発明はマグネトロンに関し、特にその陽極構体に係る
。
。
−)従来技術
第1図A及びBに、マグネトロンの陽極構体の従来例を
示す。中は陽極筒体、(2)は該陽極筒体の内壁に放q
中状に配設された板状ベイン、13N、’(lは夫々が
該ベインの上下端部に配設され、各ベイン(2)を交互
に電気的に結合する一対のストラップリング、(4)は
ベイン(2)の各々の先端部に近接して立設された陰極
構体、15)け各ベイン(21の先端部と陰極構体(4
;との間に形成された作用空間、(6;は1イλ極構体
141からWq″gされた電子群である。
示す。中は陽極筒体、(2)は該陽極筒体の内壁に放q
中状に配設された板状ベイン、13N、’(lは夫々が
該ベインの上下端部に配設され、各ベイン(2)を交互
に電気的に結合する一対のストラップリング、(4)は
ベイン(2)の各々の先端部に近接して立設された陰極
構体、15)け各ベイン(21の先端部と陰極構体(4
;との間に形成された作用空間、(6;は1イλ極構体
141からWq″gされた電子群である。
斯る構成において、作用空間1511Cは、1会極イ黄
体(4;の軸方向と平行に、一様な直流磁界が与えられ
ており、また、陰極構体(4)と各ベイン121との間
には、直流もしくは低周波数の高電圧が印加されている
。一方、隣り合うベイン(2)は空胴共振器全形成し、
斯る空胴共振器に生じる高周波電界は各ベイン(2;の
先端部に集中し、その一部は作用空間(51に漏洩する
。そして、陰極構体(4)から放射された電子群(61
が陰極構体141を中心に作用空間(51内全回転し、
これら電子群(61と高周波電界とのqで相互作用が生
じ、その結果、マイクロ教が発振する。
体(4;の軸方向と平行に、一様な直流磁界が与えられ
ており、また、陰極構体(4)と各ベイン121との間
には、直流もしくは低周波数の高電圧が印加されている
。一方、隣り合うベイン(2)は空胴共振器全形成し、
斯る空胴共振器に生じる高周波電界は各ベイン(2;の
先端部に集中し、その一部は作用空間(51に漏洩する
。そして、陰極構体(4)から放射された電子群(61
が陰極構体141を中心に作用空間(51内全回転し、
これら電子群(61と高周波電界とのqで相互作用が生
じ、その結果、マイクロ教が発振する。
ここで、作用空間15)に、漏洩する高周波電界が少な
い程−ヒ記相互作用時間が長くなり、マグネトロンの発
振効率は向上する。
い程−ヒ記相互作用時間が長くなり、マグネトロンの発
振効率は向上する。
そこで、斯る点に鑑みてなされた先行技術が特開昭り4
−161264号公報に開示されている。
−161264号公報に開示されている。
斯る技術によれば、中央部のカソードと、上記カソード
をとり囲み放射状に配置された複数個の板状陽極ベイン
と、上記ベインの外端部が固着されている陽極円筒とを
有するマグネトロンにおいて、上記ベインは先端部から
外端部までの間の途中に、隣り合うベイン先端部の対向
間隔にくらべて同等もしくは小さい間隔で対向する突出
部を有し、従って漏洩高周波電界を低減し、直流入方電
ヵがら空胴共振器に発するマイクロ波電力への変換効率
を改善できろものである。
をとり囲み放射状に配置された複数個の板状陽極ベイン
と、上記ベインの外端部が固着されている陽極円筒とを
有するマグネトロンにおいて、上記ベインは先端部から
外端部までの間の途中に、隣り合うベイン先端部の対向
間隔にくらべて同等もしくは小さい間隔で対向する突出
部を有し、従って漏洩高周波電界を低減し、直流入方電
ヵがら空胴共振器に発するマイクロ波電力への変換効率
を改善できろものである。
一方、ベインの先端部における高@波電界の分布密度は
ベインの先端角部が最大であり、これは高周波電界を単
に低減した場合も同様である。従って、電子群と高周波
電界との間での相互作用が乱れ、その結果、不所望な高
調波が放射されてしまう。
ベインの先端角部が最大であり、これは高周波電界を単
に低減した場合も同様である。従って、電子群と高周波
電界との間での相互作用が乱れ、その結果、不所望な高
調波が放射されてしまう。
しかし乍ら、上記公報に開示された技術において、高調
波の放qtレベルを抑1M1する技術は開示されていな
い。
波の放qtレベルを抑1M1する技術は開示されていな
い。
(−1発明の目的
本発明の目的は、発振効率および基本波放射レベルの低
下全招くことなく、不所望な高調波の放itレベルを抑
:1iljすることにある。
下全招くことなく、不所望な高調波の放itレベルを抑
:1iljすることにある。
(増 発明の構成
本発明は、陽r@筒体と、該陽極筒体の内壁に放114
状に電設された複薮の板状ベインと、該ベインの各々の
先端部に近接して立設された陰極構体とを具備するマグ
ネトロンにお(^て、上記各ベインの先端角部には面取
りがIiこされており、隣り合うベインの先端部の対向
間隔はベイン先端部の幅の2.6倍以下としたこと全特
徴とするマグネトロンである。
状に電設された複薮の板状ベインと、該ベインの各々の
先端部に近接して立設された陰極構体とを具備するマグ
ネトロンにお(^て、上記各ベインの先端角部には面取
りがIiこされており、隣り合うベインの先端部の対向
間隔はベイン先端部の幅の2.6倍以下としたこと全特
徴とするマグネトロンである。
(ホ)実施例
第2図A乃至Cは本発明の実施f(i+Jを示す。なお
、第1図と同一部分には同一符号を付して説明を省略す
る。本発明の特徴はベイン(2)の形状であって、ベイ
ンの先端角部(2b)に面取りが症こされている。従っ
て、ベイン先端部(2a)の近傍に集中する高周波電界
の分布密度は平均化される。
、第1図と同一部分には同一符号を付して説明を省略す
る。本発明の特徴はベイン(2)の形状であって、ベイ
ンの先端角部(2b)に面取りが症こされている。従っ
て、ベイン先端部(2a)の近傍に集中する高周波電界
の分布密度は平均化される。
而して、斯る構造におけるマグネトロンの発振特性を第
6図A乃至Cに示す。各図はベイン先端部(2a)の幅
aと隣り合うベイン(2)の先端部(7a)の対向間隔
すとの比b / a fパラメータとしたものである。
6図A乃至Cに示す。各図はベイン先端部(2a)の幅
aと隣り合うベイン(2)の先端部(7a)の対向間隔
すとの比b / a fパラメータとしたものである。
同一人は定格値放射に必要な作用空間(5)での磁力の
変化特性を示し、b / aの増加に伴なって小さくな
る。これはb / aを大きくすることによって磁石の
小型化が可能であることを示す。同図Bは発振効率の特
性を示し、b/aが2.3以上になると、従来例の発振
効率に比して195以上劣化する。同図Cは第2乃至第
5高調波の放射レベル相対値の特性を示し、従来例に比
して第2乃至第5高調波の放射レベルは何れも抑制され
ている。なお、斯る放射レベル相対値はb/aが19以
上になると再び上列・シているのは、ベイン12+VC
集中する高@坂電界の分布密度がベインの先端部(2a
)に集中するからである。
変化特性を示し、b / aの増加に伴なって小さくな
る。これはb / aを大きくすることによって磁石の
小型化が可能であることを示す。同図Bは発振効率の特
性を示し、b/aが2.3以上になると、従来例の発振
効率に比して195以上劣化する。同図Cは第2乃至第
5高調波の放射レベル相対値の特性を示し、従来例に比
して第2乃至第5高調波の放射レベルは何れも抑制され
ている。なお、斯る放射レベル相対値はb/aが19以
上になると再び上列・シているのは、ベイン12+VC
集中する高@坂電界の分布密度がベインの先端部(2a
)に集中するからである。
なお、第6図A乃至Cにおいてt) / a = Q、
7の時が、第1図に示した従来例の特性を示すもので
ある。
7の時が、第1図に示した従来例の特性を示すもので
ある。
従って、これら各特性[F’み、ベイン先端部(2a)
の幅aと隣り合うベイン12;の先端部(2aJの対向
間隔すとの比b/aは26以下が好ましく、1.3〜2
.5がより好適である。炉には1.5〜2.0が好まし
い。
の幅aと隣り合うベイン12;の先端部(2aJの対向
間隔すとの比b/aは26以下が好ましく、1.3〜2
.5がより好適である。炉には1.5〜2.0が好まし
い。
(へ)発明の効果
本発明によれば、ベイン先端部近傍に集中する高@波電
界の分布密度を最適化することができるので、発振効率
および基本波放射レベルの低下を招くことなく、不所望
な高調波の放射レベルを抑制することが可能となる。
界の分布密度を最適化することができるので、発振効率
および基本波放射レベルの低下を招くことなく、不所望
な高調波の放射レベルを抑制することが可能となる。
・g ’1図AおよびBは従来例を示す上面図および部
分断面図、第2図A乃至Cは本発明の実施例を示す上面
図、部分断面図および要部拡大上面図、第3図A乃至C
は測定結果を示す特性曲線図である。 ・ +11・・・陽極筒体、121・・・ベイン、(4)・
・・陰極構体。 第1図 第2図
分断面図、第2図A乃至Cは本発明の実施例を示す上面
図、部分断面図および要部拡大上面図、第3図A乃至C
は測定結果を示す特性曲線図である。 ・ +11・・・陽極筒体、121・・・ベイン、(4)・
・・陰極構体。 第1図 第2図
Claims (1)
- 11+ 陽極同体と、咳陽極筒体の内壁に放射状に配設
されたw数の板状ペインと、該ベインの各々の先端部に
近接して立設された陰極構体とを具備するマグネトロン
において、上記各ベインの先端、角部には面取りが怖こ
されており、隣り合うベインの先端部の対向間隔はベイ
ン先端部の幅の23倍以下としたことを特徴とするマグ
ネトロン。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58235675A JPS60127638A (ja) | 1983-12-13 | 1983-12-13 | マグネトロン |
US06/673,115 US4644225A (en) | 1983-12-13 | 1984-11-19 | Magnetron |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58235675A JPS60127638A (ja) | 1983-12-13 | 1983-12-13 | マグネトロン |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60127638A true JPS60127638A (ja) | 1985-07-08 |
JPH0332849B2 JPH0332849B2 (ja) | 1991-05-15 |
Family
ID=16989534
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58235675A Granted JPS60127638A (ja) | 1983-12-13 | 1983-12-13 | マグネトロン |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4644225A (ja) |
JP (1) | JPS60127638A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1553615A2 (en) | 2004-01-09 | 2005-07-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetron |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06101304B2 (ja) * | 1986-03-26 | 1994-12-12 | 株式会社日立製作所 | マグネトロン |
JP2594262B2 (ja) * | 1986-10-16 | 1997-03-26 | 松下電器産業株式会社 | マグネトロン |
US5422542A (en) * | 1993-02-09 | 1995-06-06 | Litton Systems, Inc. | Low power pulsed anode magnetron for improving spectrum quality |
US5680012A (en) * | 1993-04-30 | 1997-10-21 | Litton Systems, Inc. | Magnetron with tapered anode vane tips |
US5483123A (en) * | 1993-04-30 | 1996-01-09 | Litton Systems, Inc. | High impedance anode structure for injection locked magnetron |
US6373194B1 (en) * | 2000-06-01 | 2002-04-16 | Raytheon Company | Optical magnetron for high efficiency production of optical radiation |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS54161264A (en) * | 1978-06-12 | 1979-12-20 | Toshiba Corp | Magnetron |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4056756A (en) * | 1975-04-25 | 1977-11-01 | Raytheon Company | Anode assembly for electron discharge devices |
JPS51132076A (en) * | 1975-05-13 | 1976-11-16 | Toshiba Corp | Magnetron |
US4109179A (en) * | 1977-01-03 | 1978-08-22 | Raytheon Company | Microwave tube assembly |
JPS57202042A (en) * | 1981-06-04 | 1982-12-10 | Toshiba Corp | Magnetron |
SU1088087A1 (ru) * | 1983-01-17 | 1984-04-23 | Предприятие П/Я А-1067 | Магнетрон |
-
1983
- 1983-12-13 JP JP58235675A patent/JPS60127638A/ja active Granted
-
1984
- 1984-11-19 US US06/673,115 patent/US4644225A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS54161264A (en) * | 1978-06-12 | 1979-12-20 | Toshiba Corp | Magnetron |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1553615A2 (en) | 2004-01-09 | 2005-07-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetron |
US7548026B2 (en) | 2004-01-09 | 2009-06-16 | Panasonic Corporation | Magnetron |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4644225A (en) | 1987-02-17 |
JPH0332849B2 (ja) | 1991-05-15 |
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