JPS60127638A - マグネトロン - Google Patents

マグネトロン

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JPS60127638A
JPS60127638A JP58235675A JP23567583A JPS60127638A JP S60127638 A JPS60127638 A JP S60127638A JP 58235675 A JP58235675 A JP 58235675A JP 23567583 A JP23567583 A JP 23567583A JP S60127638 A JPS60127638 A JP S60127638A
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JP
Japan
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vanes
tip
vane
magnetron
tip section
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Application number
JP58235675A
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English (en)
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JPH0332849B2 (ja
Inventor
Masayuki Aiga
正幸 相賀
Tetsuji Hashiguchi
哲二 橋口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sanyo Electric Co Ltd
Sanyo Denki Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
Sanyo Denki Co Ltd
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Publication date
Application filed by Sanyo Electric Co Ltd, Sanyo Denki Co Ltd filed Critical Sanyo Electric Co Ltd
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Priority to US06/673,115 priority patent/US4644225A/en
Publication of JPS60127638A publication Critical patent/JPS60127638A/ja
Publication of JPH0332849B2 publication Critical patent/JPH0332849B2/ja
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J23/00Details of transit-time tubes of the types covered by group H01J25/00
    • H01J23/16Circuit elements, having distributed capacitance and inductance, structurally associated with the tube and interacting with the discharge
    • H01J23/18Resonators
    • H01J23/20Cavity resonators; Adjustment or tuning thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J25/00Transit-time tubes, e.g. klystrons, travelling-wave tubes, magnetrons
    • H01J25/50Magnetrons, i.e. tubes with a magnet system producing an H-field crossing the E-field
    • H01J25/52Magnetrons, i.e. tubes with a magnet system producing an H-field crossing the E-field with an electron space having a shape that does not prevent any electron from moving completely around the cathode or guide electrode
    • H01J25/58Magnetrons, i.e. tubes with a magnet system producing an H-field crossing the E-field with an electron space having a shape that does not prevent any electron from moving completely around the cathode or guide electrode having a number of resonators; having a composite resonator, e.g. a helix
    • H01J25/587Multi-cavity magnetrons

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  • Microwave Tubes (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (イ)産業上の利用分野 本発明はマグネトロンに関し、特にその陽極構体に係る
−)従来技術 第1図A及びBに、マグネトロンの陽極構体の従来例を
示す。中は陽極筒体、(2)は該陽極筒体の内壁に放q
中状に配設された板状ベイン、13N、’(lは夫々が
該ベインの上下端部に配設され、各ベイン(2)を交互
に電気的に結合する一対のストラップリング、(4)は
ベイン(2)の各々の先端部に近接して立設された陰極
構体、15)け各ベイン(21の先端部と陰極構体(4
;との間に形成された作用空間、(6;は1イλ極構体
141からWq″gされた電子群である。
斯る構成において、作用空間1511Cは、1会極イ黄
体(4;の軸方向と平行に、一様な直流磁界が与えられ
ており、また、陰極構体(4)と各ベイン121との間
には、直流もしくは低周波数の高電圧が印加されている
。一方、隣り合うベイン(2)は空胴共振器全形成し、
斯る空胴共振器に生じる高周波電界は各ベイン(2;の
先端部に集中し、その一部は作用空間(51に漏洩する
。そして、陰極構体(4)から放射された電子群(61
が陰極構体141を中心に作用空間(51内全回転し、
これら電子群(61と高周波電界とのqで相互作用が生
じ、その結果、マイクロ教が発振する。
ここで、作用空間15)に、漏洩する高周波電界が少な
い程−ヒ記相互作用時間が長くなり、マグネトロンの発
振効率は向上する。
そこで、斯る点に鑑みてなされた先行技術が特開昭り4
−161264号公報に開示されている。
斯る技術によれば、中央部のカソードと、上記カソード
をとり囲み放射状に配置された複数個の板状陽極ベイン
と、上記ベインの外端部が固着されている陽極円筒とを
有するマグネトロンにおいて、上記ベインは先端部から
外端部までの間の途中に、隣り合うベイン先端部の対向
間隔にくらべて同等もしくは小さい間隔で対向する突出
部を有し、従って漏洩高周波電界を低減し、直流入方電
ヵがら空胴共振器に発するマイクロ波電力への変換効率
を改善できろものである。
一方、ベインの先端部における高@波電界の分布密度は
ベインの先端角部が最大であり、これは高周波電界を単
に低減した場合も同様である。従って、電子群と高周波
電界との間での相互作用が乱れ、その結果、不所望な高
調波が放射されてしまう。
しかし乍ら、上記公報に開示された技術において、高調
波の放qtレベルを抑1M1する技術は開示されていな
い。
(−1発明の目的 本発明の目的は、発振効率および基本波放射レベルの低
下全招くことなく、不所望な高調波の放itレベルを抑
:1iljすることにある。
(増 発明の構成 本発明は、陽r@筒体と、該陽極筒体の内壁に放114
状に電設された複薮の板状ベインと、該ベインの各々の
先端部に近接して立設された陰極構体とを具備するマグ
ネトロンにお(^て、上記各ベインの先端角部には面取
りがIiこされており、隣り合うベインの先端部の対向
間隔はベイン先端部の幅の2.6倍以下としたこと全特
徴とするマグネトロンである。
(ホ)実施例 第2図A乃至Cは本発明の実施f(i+Jを示す。なお
、第1図と同一部分には同一符号を付して説明を省略す
る。本発明の特徴はベイン(2)の形状であって、ベイ
ンの先端角部(2b)に面取りが症こされている。従っ
て、ベイン先端部(2a)の近傍に集中する高周波電界
の分布密度は平均化される。
而して、斯る構造におけるマグネトロンの発振特性を第
6図A乃至Cに示す。各図はベイン先端部(2a)の幅
aと隣り合うベイン(2)の先端部(7a)の対向間隔
すとの比b / a fパラメータとしたものである。
同一人は定格値放射に必要な作用空間(5)での磁力の
変化特性を示し、b / aの増加に伴なって小さくな
る。これはb / aを大きくすることによって磁石の
小型化が可能であることを示す。同図Bは発振効率の特
性を示し、b/aが2.3以上になると、従来例の発振
効率に比して195以上劣化する。同図Cは第2乃至第
5高調波の放射レベル相対値の特性を示し、従来例に比
して第2乃至第5高調波の放射レベルは何れも抑制され
ている。なお、斯る放射レベル相対値はb/aが19以
上になると再び上列・シているのは、ベイン12+VC
集中する高@坂電界の分布密度がベインの先端部(2a
)に集中するからである。
なお、第6図A乃至Cにおいてt) / a = Q、
 7の時が、第1図に示した従来例の特性を示すもので
ある。
従って、これら各特性[F’み、ベイン先端部(2a)
の幅aと隣り合うベイン12;の先端部(2aJの対向
間隔すとの比b/aは26以下が好ましく、1.3〜2
.5がより好適である。炉には1.5〜2.0が好まし
い。
(へ)発明の効果 本発明によれば、ベイン先端部近傍に集中する高@波電
界の分布密度を最適化することができるので、発振効率
および基本波放射レベルの低下を招くことなく、不所望
な高調波の放射レベルを抑制することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
・g ’1図AおよびBは従来例を示す上面図および部
分断面図、第2図A乃至Cは本発明の実施例を示す上面
図、部分断面図および要部拡大上面図、第3図A乃至C
は測定結果を示す特性曲線図である。 ・ +11・・・陽極筒体、121・・・ベイン、(4)・
・・陰極構体。 第1図 第2図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 11+ 陽極同体と、咳陽極筒体の内壁に放射状に配設
    されたw数の板状ペインと、該ベインの各々の先端部に
    近接して立設された陰極構体とを具備するマグネトロン
    において、上記各ベインの先端、角部には面取りが怖こ
    されており、隣り合うベインの先端部の対向間隔はベイ
    ン先端部の幅の23倍以下としたことを特徴とするマグ
    ネトロン。
JP58235675A 1983-12-13 1983-12-13 マグネトロン Granted JPS60127638A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58235675A JPS60127638A (ja) 1983-12-13 1983-12-13 マグネトロン
US06/673,115 US4644225A (en) 1983-12-13 1984-11-19 Magnetron

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58235675A JPS60127638A (ja) 1983-12-13 1983-12-13 マグネトロン

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS60127638A true JPS60127638A (ja) 1985-07-08
JPH0332849B2 JPH0332849B2 (ja) 1991-05-15

Family

ID=16989534

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58235675A Granted JPS60127638A (ja) 1983-12-13 1983-12-13 マグネトロン

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US (1) US4644225A (ja)
JP (1) JPS60127638A (ja)

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Also Published As

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US4644225A (en) 1987-02-17
JPH0332849B2 (ja) 1991-05-15

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