JPS61126737A - マグネトロン - Google Patents
マグネトロンInfo
- Publication number
- JPS61126737A JPS61126737A JP24678384A JP24678384A JPS61126737A JP S61126737 A JPS61126737 A JP S61126737A JP 24678384 A JP24678384 A JP 24678384A JP 24678384 A JP24678384 A JP 24678384A JP S61126737 A JPS61126737 A JP S61126737A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vanes
- electric field
- frequency electric
- radiation level
- pointed ends
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J23/00—Details of transit-time tubes of the types covered by group H01J25/00
- H01J23/16—Circuit elements, having distributed capacitance and inductance, structurally associated with the tube and interacting with the discharge
- H01J23/18—Resonators
- H01J23/20—Cavity resonators; Adjustment or tuning thereof
Landscapes
- Microwave Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
産業上の利用分野
本発明はマグネトロンに関し、特にその陽極構体に係る
。 （ロ）従来の技術 ｊｇ４凶（４）及び申）に、従来のマグネトロンの陽極
構体を示す慣ｗｒ血囚及び縦断面図である。（１１に陽
ａｌｌ筒体１１２Ｊに該両極筒体の内壁に放射状に記載
された板状ベイン、１３３（ａ３に夫々が該べ、インの
上下咽部に配役され、各ベイン１２１を交互に電気的に
結合する一対のストラップリング、 １４Ｊ［ベイン１
２３の各々の先端部に近接して豆股され次嬢樵構俸、（
６）に各ベインは１の先１１１ｉｌｌｓと１ｔｊｉ＆構
体
。 （ロ）従来の技術 ｊｇ４凶（４）及び申）に、従来のマグネトロンの陽極
構体を示す慣ｗｒ血囚及び縦断面図である。（１１に陽
ａｌｌ筒体１１２Ｊに該両極筒体の内壁に放射状に記載
された板状ベイン、１３３（ａ３に夫々が該べ、インの
上下咽部に配役され、各ベイン１２１を交互に電気的に
結合する一対のストラップリング、 １４Ｊ［ベイン１
２３の各々の先端部に近接して豆股され次嬢樵構俸、（
６）に各ベインは１の先１１１ｉｌｌｓと１ｔｊｉ＆構
体
【引との間に形成された作用茄閾、（６）は嫉極檎体
区４】から放射されｔ電子群である。 斯る４１成にお−て１作用空間亀６】には、陽樵筒俸（
１１の上下に配され７ｔｃｌ！ｇ示しない磁石によって
廃樵構体１４］の軸方向と平行に、一様なＩＩ流磁界が
与えられており、ま比、陰極構体１４１と各ベイン（２
１との間には、Ｉｉ流もしくは低周波数の高電圧か印加
されている。一方、舞り台クベイン１２１に空胴共掘器
を形成し、斯る空胴共ａｍに生じる高周波電界に各ベイ
ン１１！１の先＋１１邪に巣申し、その−ｇは作用空間
ｔＵにｍｆ！Ｘする。そして、ド樵構体１４」から放射
された電子１’Ｆ１６１が陰樵構体（櫨］を中心に作用
窓間ｌｉＪ内を回転し、これら電子群ｆ６１と高周波°
−界との間で相互作用が生じ、その結末、マイクロ波が
発振する。 ところで、ｆ′ＦＰＩＪ′！Ｉ！同（６１に１ａする高
周波電界が少な一纏上記相互作用ＦＷ！同が民〈なり、
マグネトロンの発＠効軍に向上する・ そこで、斯る点に應みてなされた先行技術が特開昭５４
−１６１２６４号公報に囲示さｎている。 斯る技術によれば、中犬部のカソードと、上記カソード
ｔ（！−り囲み放射状に肥直さｎ丸被故１−の板状＃ｌ
Ｉ株ベインと、上記ベインの外端部が固層さｎて−る＃
ＩＩ樵円筒とｔ−有するマグネトロンにおいて、上記ベ
インは先端部から外端部１での間の途中に。 隣り台うベイン元ｍｇの対同間隔にくらべて同等もしく
は小さいに噛で対向する突出ｉｔ−有し、従って漏洩高
周波電界を低威し、直厖入力篭力から空胴共撮器に光す
るマイクａｉｌｌ電力への変換効軍を改畳できるもので
るる。 （ハ） 発明が解決し工すとする問題点−７Ｆ、ベイン
の元１４１部における高Ｎ波電界の分、亜密度にベイン
の元喘角８Ｂが重大であり、こｔ′Ｌに上述のようＶＣ
高周波電界を単に低諷しｔ場合も同様でるる、従って、
′嘔子評とＩ！！周波電界との同での相互作用が乱れ、
その給米、不所城なｉｌ調波が放射さｎてしｌう。 本発明の目的は、発逗効軍および基本波放射レベルの低
下を招くことなく、不ＩＮｍな高調波の放射レベルを抑
制することにある。 （ロ）問題点を解決する次めの手段 本発明に、Ｆｒ定方向に立設され次ｋｓｔｅｍ体と１該
隘ａ構体の周囲に先端部を近接せしめて放射状に記され
次複数の板状のベインと、該ベインの外端部が内壁に固
着され７ｅ陽樵筒体とを有するマグネトロンにおｉて、
上記ベインの先端Ｈに、上記所定方向と直交する断面が
凹面で形成されていることを特徴とする。 （ホ）作用 本発明によｎば、ベインの先端部に集中する高周＃Ｌ電
界の分布ｖ！ｉ度が平均化され、不所望な・高調波の放
射レベルが抑制される。 （へ）実施例 第１ｅ！ｇ（４）乃至（０）は本発明の一実施例を示す
横断面図、要部拡大断面口及び要ｇｇ＋視因である。な
お、本発明は第４凶に示すものと同−構反であり、同一
部分には同一番号を付して説明を省略する。 木実４例の特徴にベイン四の形状にある。卸ち、ベイン
四の先端部（２０ａ欺、隙樵構体１４３の豆改万同と直
交する断面が曲面に形成されている。この曲ＩＩＩぼ１
例えばベイン四の厚みのｎｔ−＊軍半径とするものでる
る、従って、本ｊｔ来Ｖｃ工れば、ベイ／元噛部（２０
ａ）Ｋ果中する高周波電界の分布口直α平均化さｎ１電
子評と高周友電界との間での相互作用が安定する。 第２Ｓは、ｊｇ２乃至第５高調波の放射レベル特性を示
す特性図である。同図に訃いて、実線は本発明実施例の
放射レベル特性を、筐＊Ｗ線は従来例のそｌｒＬを示す
・同ｅ！３から明らかなように、本発明実施例のマグネ
トロン＃：ＣＮ２乃至ｇｓ高調波のいずｎも従来例のマ
グネトロンに比してその放射レベルが抑制さｎている。 第３凶に、本発明の池の実施例を示す賛都弧大Ｉ＃ｒ囲
凶をボア０Ｍる実施例のベイン−は従来例Ｏベインと同
一形状のものの元咽血に千８柱形状部（３０ａ）ｔ−城
層し比ものでめり、冥買的に上述と同様の幼米ｔ−何す
る。１次、千円柱形状部（３０ａ）を瀘磁性体材料にて
形成すると、陽ａｆｌ停の上丁に記さｎた図示しない磁
石から供給される直流磁界に、広範囲に広がることなく
嘱極構体（引とベイン−との閏、即ち作用９ ｉｌｌ
ｔＵに果中する。従って、磁石の小型化ｔ−図ることが
できる。 （ト）発明の効果 本発明によれば、ベイン先＄１１部近傍に集中する高周
波電界の分布密度ｔ−最適化することができるので、発
振効軍および基本波放射レベルの低下を招くことなく、
不ｆｒｊｉ！！な高調波の放射レベル特開することか可
能となる。 ４ 内面の賃車な説明 ｇｌｅｇは本発明の一実施例金示し、同図（Ａは横ｆｒ
面凶、同図（Ｂ）に同図（４）の要部広大図、同図（０
３にベインの＠構図である。第２凶に一高調波の放射レ
ベルを示す特性図、第３ｅ！３は本発明の旭の実施例を
示す要部広大図、ｇ４図に従来例を示し、同図（ＡＪｒ
ｃ慣哨曲図、同内申）は縦断面図である。 ＩＨ−陽樵筒俸、１４３−−ａ＋僕体、−同一ベイン。 ２０Ｇ 第２図 １司−電子レン長ｉ”ｉＡｍ’を岬Ｊ弓ｍｌりＥオＬ身
（レベル比φ虹２ｎｄ ３ｒｄ ４ｔｈ
５ｔｈ石誦シｆ石
区４】から放射されｔ電子群である。 斯る４１成にお−て１作用空間亀６】には、陽樵筒俸（
１１の上下に配され７ｔｃｌ！ｇ示しない磁石によって
廃樵構体１４］の軸方向と平行に、一様なＩＩ流磁界が
与えられており、ま比、陰極構体１４１と各ベイン（２
１との間には、Ｉｉ流もしくは低周波数の高電圧か印加
されている。一方、舞り台クベイン１２１に空胴共掘器
を形成し、斯る空胴共ａｍに生じる高周波電界に各ベイ
ン１１！１の先＋１１邪に巣申し、その−ｇは作用空間
ｔＵにｍｆ！Ｘする。そして、ド樵構体１４」から放射
された電子１’Ｆ１６１が陰樵構体（櫨］を中心に作用
窓間ｌｉＪ内を回転し、これら電子群ｆ６１と高周波°
−界との間で相互作用が生じ、その結末、マイクロ波が
発振する。 ところで、ｆ′ＦＰＩＪ′！Ｉ！同（６１に１ａする高
周波電界が少な一纏上記相互作用ＦＷ！同が民〈なり、
マグネトロンの発＠効軍に向上する・ そこで、斯る点に應みてなされた先行技術が特開昭５４
−１６１２６４号公報に囲示さｎている。 斯る技術によれば、中犬部のカソードと、上記カソード
ｔ（！−り囲み放射状に肥直さｎ丸被故１−の板状＃ｌ
Ｉ株ベインと、上記ベインの外端部が固層さｎて−る＃
ＩＩ樵円筒とｔ−有するマグネトロンにおいて、上記ベ
インは先端部から外端部１での間の途中に。 隣り台うベイン元ｍｇの対同間隔にくらべて同等もしく
は小さいに噛で対向する突出ｉｔ−有し、従って漏洩高
周波電界を低威し、直厖入力篭力から空胴共撮器に光す
るマイクａｉｌｌ電力への変換効軍を改畳できるもので
るる。 （ハ） 発明が解決し工すとする問題点−７Ｆ、ベイン
の元１４１部における高Ｎ波電界の分、亜密度にベイン
の元喘角８Ｂが重大であり、こｔ′Ｌに上述のようＶＣ
高周波電界を単に低諷しｔ場合も同様でるる、従って、
′嘔子評とＩ！！周波電界との同での相互作用が乱れ、
その給米、不所城なｉｌ調波が放射さｎてしｌう。 本発明の目的は、発逗効軍および基本波放射レベルの低
下を招くことなく、不ＩＮｍな高調波の放射レベルを抑
制することにある。 （ロ）問題点を解決する次めの手段 本発明に、Ｆｒ定方向に立設され次ｋｓｔｅｍ体と１該
隘ａ構体の周囲に先端部を近接せしめて放射状に記され
次複数の板状のベインと、該ベインの外端部が内壁に固
着され７ｅ陽樵筒体とを有するマグネトロンにおｉて、
上記ベインの先端Ｈに、上記所定方向と直交する断面が
凹面で形成されていることを特徴とする。 （ホ）作用 本発明によｎば、ベインの先端部に集中する高周＃Ｌ電
界の分布ｖ！ｉ度が平均化され、不所望な・高調波の放
射レベルが抑制される。 （へ）実施例 第１ｅ！ｇ（４）乃至（０）は本発明の一実施例を示す
横断面図、要部拡大断面口及び要ｇｇ＋視因である。な
お、本発明は第４凶に示すものと同−構反であり、同一
部分には同一番号を付して説明を省略する。 木実４例の特徴にベイン四の形状にある。卸ち、ベイン
四の先端部（２０ａ欺、隙樵構体１４３の豆改万同と直
交する断面が曲面に形成されている。この曲ＩＩＩぼ１
例えばベイン四の厚みのｎｔ−＊軍半径とするものでる
る、従って、本ｊｔ来Ｖｃ工れば、ベイ／元噛部（２０
ａ）Ｋ果中する高周波電界の分布口直α平均化さｎ１電
子評と高周友電界との間での相互作用が安定する。 第２Ｓは、ｊｇ２乃至第５高調波の放射レベル特性を示
す特性図である。同図に訃いて、実線は本発明実施例の
放射レベル特性を、筐＊Ｗ線は従来例のそｌｒＬを示す
・同ｅ！３から明らかなように、本発明実施例のマグネ
トロン＃：ＣＮ２乃至ｇｓ高調波のいずｎも従来例のマ
グネトロンに比してその放射レベルが抑制さｎている。 第３凶に、本発明の池の実施例を示す賛都弧大Ｉ＃ｒ囲
凶をボア０Ｍる実施例のベイン−は従来例Ｏベインと同
一形状のものの元咽血に千８柱形状部（３０ａ）ｔ−城
層し比ものでめり、冥買的に上述と同様の幼米ｔ−何す
る。１次、千円柱形状部（３０ａ）を瀘磁性体材料にて
形成すると、陽ａｆｌ停の上丁に記さｎた図示しない磁
石から供給される直流磁界に、広範囲に広がることなく
嘱極構体（引とベイン−との閏、即ち作用９ ｉｌｌ
ｔＵに果中する。従って、磁石の小型化ｔ−図ることが
できる。 （ト）発明の効果 本発明によれば、ベイン先＄１１部近傍に集中する高周
波電界の分布密度ｔ−最適化することができるので、発
振効軍および基本波放射レベルの低下を招くことなく、
不ｆｒｊｉ！！な高調波の放射レベル特開することか可
能となる。 ４ 内面の賃車な説明 ｇｌｅｇは本発明の一実施例金示し、同図（Ａは横ｆｒ
面凶、同図（Ｂ）に同図（４）の要部広大図、同図（０
３にベインの＠構図である。第２凶に一高調波の放射レ
ベルを示す特性図、第３ｅ！３は本発明の旭の実施例を
示す要部広大図、ｇ４図に従来例を示し、同図（ＡＪｒ
ｃ慣哨曲図、同内申）は縦断面図である。 ＩＨ−陽樵筒俸、１４３−−ａ＋僕体、−同一ベイン。 ２０Ｇ 第２図 １司−電子レン長ｉ”ｉＡｍ’を岬Ｊ弓ｍｌりＥオＬ身
（レベル比φ虹２ｎｄ ３ｒｄ ４ｔｈ
５ｔｈ石誦シｆ石
Claims (1)
- （１）所定方向に立設された陰極構体と、該陰極構体の
周囲に先端部を近接せしめて放射状に配された複数の板
状のベインと、該ベインの外端部が内壁に固着された陽
極筒体とを有するマグネトロンにおいて、上記ベインの
先端部は、上記所定方向と直交する断面が曲面で形成さ
れていることを特徴とするマグネトロン。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24678384A JPS61126737A (ja) | 1984-11-21 | 1984-11-21 | マグネトロン |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24678384A JPS61126737A (ja) | 1984-11-21 | 1984-11-21 | マグネトロン |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61126737A true JPS61126737A (ja) | 1986-06-14 |
Family
ID=17153597
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24678384A Pending JPS61126737A (ja) | 1984-11-21 | 1984-11-21 | マグネトロン |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61126737A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2653267A1 (fr) * | 1989-10-17 | 1991-04-19 | Eev Ltd | Magnetron comportant une structure d'anode qui definit deux ensembles de cavites resonantes de volumes respectivement differents. |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57202042A (en) * | 1981-06-04 | 1982-12-10 | Toshiba Corp | Magnetron |
-
1984
- 1984-11-21 JP JP24678384A patent/JPS61126737A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57202042A (en) * | 1981-06-04 | 1982-12-10 | Toshiba Corp | Magnetron |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2653267A1 (fr) * | 1989-10-17 | 1991-04-19 | Eev Ltd | Magnetron comportant une structure d'anode qui definit deux ensembles de cavites resonantes de volumes respectivement differents. |
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