KR900009011B1 - 전자레인지용 마그네트론 - Google Patents

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Description

전자레인지용 마그네트론

제1도는 종래의 마그네트론의 상호작용 공간과 그 주변 공간에서의 개략적인 자속분포를 나타낸 도면.

제2도는 제1도에 나타낸 자속분포를 가지고 있는 마그네트론의 상호작용 공간에서의 자계강도의 분포를 나타낸 그래프.

제3도는 제1도에 나타낸 자속분포를 가지고 있는 마그네트론에서의 라인노이즈 특성을 나타낸 그래프.

제4도는 본 발명의 한 실시예와 관련되 마그네트론을 개략적으로 나타낸 종단면도.

제5도는 제4도에 나타낸 마그네트론의 일부를 확대하여서 나타낸 종단면도.

제6도는 제5도에 나타낸 마그네트론을 상호작용 공간과 그 주변 공간에서의 개략적인 자속분포를 나타낸 도면.

제7도는 제6도에 나타낸 자속분포를 가진 마그네트론의 상호작용 공간에서의 자계강도의 분포를 나타낸 그래프.

제8도는 제6도에 나타낸 자속분포를 가진 마그네트론에서의 라인노이즈 특성을 나타낸 그래프.

제9도 및 제10도는 본 발명의 다른 실시예와 관련된 마그네트론에서의 자계강도의 분포 및 라인노이즈 특성을 나타낸 그래프.

제11도 및 제12도는 비교예로서 자계강도의 분포 및 라인노이즈 특성을 나타낸 그래프.

제13도는 자계강도와 라인노이즈 레벨의 관계를 나타낸 비교특성도.

제14도는 본 발명의 변형실시예와 관련된 마그네트론을 개략적으로 나타낸 종단면도.

제15a도 및 제15b도는 제5도와 제14도에 나타낸 포올피스를 확대한 단면도.

제16도는 포올피스의 평탄면의 바깥지름(Dpo) 혹은 돌출부지름(Dg)의 애노우드 베인(23)의 내단(內端)과 접하는 포락선(包絡線)의 지름(Da)에 대한 각 치수비율과 라인노이즈 레벨의 관계를 나타낸 비교특성도.

제17도는 본 발명의 다른 실시예에 관한 마그네트론을 개략적으로 나타낸 종단면도.

제18도는 제17도에 나타낸 마그네트론에서의 자계강도의 차이와 부하안정도의 관계를 나타낸 특성도.

제19도는 종래 구조의 마그네트론과 제17도에 나타낸 마그네트론에서의 금속용기의 단축길이와 음극에 역충격되는 전자의 양의 관계를 나타낸 특성도.

제20도는 본 발명의 다른 변형예를 개략적으로 나타낸 마그네트론의 종단면도.

제21도는 본 발명의 또다른 변형예를 개략적으로 나타낸 마그네트론의 종단면도.

제22도는 종래의 마그네트론과 제21도에 나타낸 마그네트론에서의 제5고조파(高調波)의 불필요한 복사(輻射) 레벨을 나타낸 그래프.

제23도는 종래의 마그네트론과 본 발명의 마그네트론의 주파수에 대한 라인노이즈 레벨을 나타낸 그래프.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

22 : 애노우드 실린더 23 : 애노우드 베인

24 : 스트랩 링 25 : 필라멘트(캐소우드)

26, 27 : 엔드시일드 28 : 캐소우드 지지체

29, 30 : 포올피스(pole piece) 31 : 안테나 라이드

32, 33 : 금속 원통용기 34, 35 : 영구자석

36 : 요우크 38 : 세라믹원통

본 발명은 전자레인지용 마그네트론에 관한 것이며 특히 그 상호작용 공간에서의 자계분포를 개량해서 비교적 낮은 주파수의 라인노이즈 성분의 발생을 억제하도록 한 마그네트론에 관한 것이다.

일반적으로 마그네트론에 있어서는 상호작용 공간에 부여되는 자계분포가 마그네트론의 발진동작에 커다란 영향을 준다는 것은 잘 알려져 있다.

이상적인 상호작용 공간에서의 자계분포는 상호작용 공간의 전 영역에서 파이프의 축방향으로 완전히 평행하고 균일한 자속 밀도가 되도록 해야 한다.

그러나, 특히 전자레인지용 마그네트론에서는 전자를 방출하는 캐소우드가 파이프의 축위에 설치되며 캐소우드를 지지하는 지지체가 파이프의 축을 따라 뻗어나오므로 자속을 작용공간으로 도출시키는 포올피스에는 그 중앙에 소정의 안지름의 관통구멍을 형성해야하며 또한 영구자석은 가격이 저렴하며 또한 소형인 것을 파이프밖에 설치할 필요가 있다.

또한, 엔드시일드와 애노우드 베인 내단의 각부(角部) 사이에서 전자가 포올피스 쪽으로 튀어나오는 것을 방지하기 위하여 상호작용 공간의 단부(端部)에서는 자속을 파이프 축에 대하여 경사진 방향으로 발생시키는 것이 바람직하다고 하고 있다.

이와 같이 많은 제약으로 상호작용 공간의 전 영역에서는 파이프의 축과 완전히 평행하며 균등한 자계분포를 발생시킬 수 없다는 문제가 있다.

종래에는 일본 특개소 53-38966호 공보에, 작용공간의 캐소우드면에서 애노우드 베인의 내단면(內端面)에 걸쳐 자계강도가 균등하거나 또는 애노우드 베인쪽을 강하게 하여 발진의 안정도를 개선한 구조의 마그네트론이 제안되어 있다.

또한 일본 특개소 51-56172호나 일본 특개소 51-58859호 공보에 기술되어 있는 바와 같이 작용공간에서 자계분포가 좀더 평행해지도록 형상을 개선한 포올피스를 구비한 마그네트론이 제안되어 있다.

그러나, 이와 같은 마그네트론은 파이프안에 영구자석이 내장되어 그 자석면에 자석과 같은 지름의 포올피스가 접합되어 있는 구조를 하고 있다.

따라서, 파이프밖에 링 형상의 페라이트 영구자석이 설치되어 포올피스를 통해서 작용공간으로 자속이 인도되는 기본적인 구조의 마그네트론에는 구조상의 차이에서 그 제안을 그대로 직접 적용시킬 수 없다는 문제가 있다.

종래의 일반적인 전자레인지용 마그네트론은 작용공간 부근에 예를 들면 제1도에 나타낸 바와 같이 자속이 분포되어 있다.

캐소우드의 실질적인 원통형상의 전자방사면(K)에서 베인의 내단면(A)에 이르는 작용공간(S)의 축방향의 대략 중앙에서 자속(B)은 파이프의 축(Z)과 거의 평행하게 발생되고 있다.

이에 대하여 엔드시일드(26), (27)와 베인의 내단면과 대향하는 영역(Se)에서 자속(B)은 중심(Z=0)이 되는 파이프의 축(Z)에 대하여 경사진 방향으로 발생되고 있다.

종래의 마그네트론은, 작용공간(S)에서의 자계가 파이프의 축을 따른 방향 성분의 자계강도에 주목하여 그 강도의 분포를 조사해보니, 종래의 마그네트론은 제2도에 나타낸 바와 같은 분포를 하고 있었다.

제2도에서는 작용공간(S)의 중심부(Z=0)에서의 캐소우드면(K)에서 애노우드의 내단면(A)까지의 자계강도의 평균을 100%로 하고, 파이프의 축을 따른 중심부(Z=0)에서 각 점까지의 거리(Z=0, Z=±1㎜, Z=±2㎜, Z=±3㎜, Z=±4㎜, Z=±5㎜)를 변수로 할 경우 캐소우드면(K)과 애노우드의 내단면(A) 사이의 작용공간에서의 상대적인 자계강도를 나타내고 있다.

제2도에서 분명한 바와 같이 종래의 마그네트론은 작용공간의 반지름 방향의 중간영역 부분(P)에서는 거리(Z)를 변수로하는 곡선이 교차하여 거리(Z)에 관계없이 거의 동일하므로 작용공간안의 파이프 축을 따라 뻗는 중간영역 부분(P)에서 가장 균등한 자계강도의 분포가 발생하고 있는데, 애노우드의 내단면(A)과 그 근방에서는 축방향을 따라 자계강도에 커다란 차이를 발생시키고 있다.

애노우드 베인의 폭 즉, 축방향을 따른 내단면의 치수(La)는 일반적으로 9.5㎜인데, 이 범위에서의 애노우드의 내단면(A)과 그 근방의 축방향의 자계강도 차이는 약 22%나 된다.

이 마그네트론의 라인노이즈 즉, 캐소우드 지지체를 통해서 입력쪽으로 검출되는 30-400MHz인 주파수 성분의 라인노이즈는 제3도에 나타낸 바와 같이 특히 30-150MHz의 비교적 낮은 주파수 성분의 라인노이즈가 크며, 100MHz 영역의 성분(편의상 80-120MHz의 범위로 최대 레벨을 말함, 이하 동일)에 착안해보면 그 레벨은 약 42㏈㎶(데시벨 마이크로 볼트)에나 달하고 있다.

이와 같이 종래의 구조의 마그네트론에서는 비교적 낮은 주파수 성분의 라인노이즈가 강하게 생긴다는 문제가 있다.

이와 같이 높은 라인노이즈 레벨이 되는 이유는 다음과 같이 생각된다.

즉, 작용공간의 특히 애노우드 베인의 내단면 근방에서 축방향의 자계강도가 베인 중앙부와 양끝의 각 부에서와 커다란 차이가 있으므로 전자의 회전속도가 부분적으로 달라진다.

그러면 이 전자운(雲)이 애노우드 베인을 포함한 공진공동(共振空胴)으로 유기(誘起)하는 고주파 전계의 주파수는 자계강도에 따라서 작용공간의 영역에 따라 다르며, 그 다른 주파수 성분이 비교적 낮은 주파수의 라인노이즈 성분이 되어 입력쪽으로 누설된다. 이것은 혼변노적(混變調的)인 현상이라고 생각된다.

또한 이 라인노이즈 레벨은 마그네트론의 출력부와 부하의 결합이 강하면 높아지는 경향이 보인다.

또한 최근에는 마그네트론의 소형화, 특히 축방향의 높이를 단축시키는 것이 전자레인지 오븐을 소형화시키는데 크게 요망되고 있다.

마그네트론의 높이를 단축시키기 위하여 단순히 포올피스의 간격을 좁혀서 자석에서 발생되는 자속을 유효하게 애용하고자 하면 포올피스와 스트랩 링 사이에서 전자계적인 결합이 증가하여 결과적으로 전자의 음극역 충격이 늘어나 음극의 온도가 상승하여 극단적인 경우에는 마그네트론이 열폭주를 일으킬 우려가 있다.

한편, 포올피스와 스트랩 링 사이의 거리를 어느정도 확보하기 위하여 애노우드 베인의 축방향 길이를 단축시킨 경우에는 부하의 안정도가 저하된다는 문제가 있다.

예를 들면 베인의 축방향 길이를 9.5㎜에서 8.0㎜로 단축시키면 마그네트론의 부하안정도는 피이크값 1.3A로 열화된다는 것이 확인되었다.

또한, 음극도입부 즉 입력스템부를 단축하고자 하면 예를 들면 스템의 길이를 20.4㎜에서 10㎜로 하면 전자의 음극역 충격이 극단적으로 늘어나 음극온도가 상승하여 최악의 경우 일부가 용해되는 현상이 생긴다. 이 전자의 음극역 충격은 스템의 단축양에 비례하여 증가된다는 것이 판명되었다.

본 발명의 목적은 상호작용 공간에서 특히 애노우드 베인의 내단면 근방에서 축방향의 자계강도 분포를 개선하여 비교적 낮은 주파수 성분의 라인노이즈를 발생원에서 효과적으로 억제할 수 있는 전자레인지용 마그네트론을 제공하는데 있다.

본 발명의 다른 목적은 자기효율이 높으며 라인노이즈 등 불필요한 복사가 억제되며 소형으로 신뢰성이 높은 전자레인지용 마그네트론을 제공하는데 있다.

본 발명에 의하면 파이프의 축을 구비하여 개구부와 내면을 구비한 애노우드 실린더와, 이 파이프의 축을 따라 설치되어 그 표면에서 전자가 발생되는 캐소우드와, 캐소우드를 지지하며 캐소우드에 전류를 공급하기 위한 캐소우드를 지지하는 방법과, 캐소우드의 주위에 방사상으로 설치되어 그 내단이 일정한 간격을 두고 캐소우드로 향해 캐소우드와의 사이에 상호작용 공간을 규정하여 외단(外端)이 애노우드 실린더 내면에 고정되어 있는 복수의 애노우드 베인으로 그 내단이 소정의 직경인 포락선을 규정하는 복수의 애노우드 베인과, 애노우드 베인을 번갈아 접속시키는 적어도 한쌍의 스트랩 링과, 각각 애노우드 실린더의 개구부에 장착되는 플랜지부, 애노우드 베인과 근접하여 설치되어 소정의 바깥지름을 지닌 상호작용 공간에 자속을 공급하는 평탄한 디스크 형상부와 양자를 연결하는 연결부로 이루어지며, 이 접시형상의 형태로 서로 대향하여 설치되는 한쌍의 포올피스로, 소정의 바깥지름이 애노우드 베인의 내단에 접하는 포락선의 직경의 160%보다 크며 애노우드 베인의 내단과 접하는 파이프의 축을 따른 공간에 자계강도의 차이가 15%이내로 저지되는 자속을 공급하는 포올피스와, 포올피스와 개구부 각각에 봉해져서 포올피스가 설치된 애노우드 실린더안의 공간을 진공기밀 상태로 유지시키는 한쌍의 봉함부재와 봉함부재와 바깥주위에 각각 설치되어 한쌍의 포올피스 각각으로 공급되는 자속을 발생시키는 링 형상의 영구자석과, 이 한쌍의 영구자석을 자기적으로 연결시키는 요우크로 이루어진 마그네트론을 제공한다.

또한 본 발명에 의하면 파이프의 축을 구비하며 개구부와 내면을 구비한 애노우드 실린더와, 이 파이프의 축을 따라 설치되어 그 표면에서 전자가 발생되는 캐소우드와, 캐소우드를 지지하며 캐소우드에 전류를 공급하기 위한 캐소우드를 지지하는 방법과, 캐소우드 주위에 방사상으로 설치되어 그 내단이 일정한 간격을 두고 캐소우드로 향해 캐소우드와의 사이에 상호작용 공간을 규정하여 외단이 애노우드 실린더의 내면에 고정되어 있는 복수의 애노우드 베인으로 그 내단이 소정의 직경이 포락선을 규정하는 복수의 애노우드 베인과, 애노우드 베인을 번갈아 접속시키는 적어도 큰지름과 작은지름의 스트랩링과, 각각이 애노우드 실린더의 개구부를 장착되는 플랜지부, 애노우드 베인과 근접하여 설치되어 소정의 바깥지름을 지닌 상호작용 공간에 자속을 공급하는 평탄한 안쪽 디스크 형상부와 양자를 연결하는 연결부로 이루어지며, 안쪽 디스크 형상부는 애노우드 베인에 대향하는 면과 소정의 바깥지름으로 이 면위에 대략 원형상으로 형성되어 애노우드 베인을 향하여 튀어나온 돌출부를 구비하며 접시형상의 형태로 서로 대향하여 설치되는 한쌍의 포올피스로서 돌출부의 소정의 바깥지름이 애노우드 베인의 내단과 접하는 포락선의 직경의 150% 보다 크며 애노우드 베인의 내단과 접하는 파이프의 축을 따른 공간에 자계강도의 차이가 15% 이내로 억제된 자속을 공급하는 포올피스와, 포올피스의 개구부 각각에 봉해져 포올피스가 설치된 애노우드 실린더안의 공간을 진공기밀 상태로 유지하는 한쌍의 봉함부재와, 봉합부재의 바깥주위에 각각 설치되어 한쌍의 포올피스 각각으로 공급되는 자속을 발생시키는 링 형상의 영구자석과, 애노우드 베인중 하나에 접속되어 상호작용 공간에서 발생된 마이크로파를 도출시키는 안테나리이드와, 이 한쌍의 영구자석을 자기적으로 연결하는 요우크로 이루어진 마그네트론을 제공한다.

제4도와 제5도를 참조로 하면 본 발명의 한실시예와 관련이 있는 발진주파수가 2450MHz 영역, 출력이 600W 클라스의 10개의 베인을 구비한 마그네트론이 도시되어 있다.

잘알려져 있는 바와같이 마그네트론은 동으로 만들어진 애노우드 실린더(22)안에는 그 축을 따른 코일형상의 필라멘트 캐소우드(25)가 설치되고 그 내주면에는 방사상으로 설치된 10개의 애노우드 베인(23)의 한쪽끝이 고정되어 있다.

필라멘트 캐소우드(25)의 양끝에는 링 형상의 엔드시일드(26), (27)가 설치되고, 이 엔드시일드(26), (27)에 캐소우드 지지체(28)가 고정되어 필라멘트 캐소우드(25)가 애노우드 실린더(22)밖으로 뻗어나온 캐소우드 지지체(28)로 지지되는 동시에 캐소우드 지지체(28)에 전기적으로 접속된다.

방사상으로 설치된 애노우드 베인(23)은 애노우드 베인(23)의 잘라낸 부분에 설치되어있는 둥근고리형상의 스트랩링(24)으로 번갈아 전기적으로 접속되어 있다.

애노우드 실린더(22)의 개구부에는 철로 만든 포올피스(29), (30)와 두께가 얇은 철제원통용기(32), (33)가 끼워 맞추어져 원통용기(32), (33)는 애노우드 실린더(22)밖으로 돌출되는 당시에 포올피스(29), (30)는 애노우드 실린더(22)안으로 뻗어나있다.

제4도의 단면도에 나타낸 바와같이 애노우드 실린더(22)는 접시형상으로 그 평탄한 안쪽 디스크부(29a), (30a)에는 엔드 시일드(26), (27)를 설치하기 위한 구멍을 뚫고 그 바깥쪽 평탄한 플랜지부(29b'), (30b')는 애노우드 실린더(22)의 개구부에 끼워맞추어져 있다.

안쪽 디스크부(29a), (30a)와 플랜지부(29b'), (30b')는 플랜지부(29b'), (30b')에서 안쪽 디스크부(29a), (30a)로 뻗는 연결부(29c), (30c)로 연결되어 일체화되어있다.

철로 만든 포올피스(29), (30)의 안쪽 디스크부(29a), (30a)가 서로 대향하고 있는 자계가 부여되는 공간으로 필라멘트 캐소우드(25)와 애노우드 베인(23)의 내단 사이의 전계가 부여되는 공간에 작용공간(5)으로 규정되어 있다.

애노우드 베인(23)의 하나에는 출력안테나 리이드(31)의 한쪽끝이 접속되고, 이 안테나 리이드(31)는 철로 만든 포올피스(29)의 연결부(29c)에 형성된 구멍(29e)을 통해서 원통용기(32)안을 지나 원통용기(32)에 기밀 봉합되어있는 안테나 출력부인 세라믹 원통(38)안으로 뻗어나 있다.

애노우드 실린더(29), (30)의 플랜지부(29b'), (30b')위인 원통용기(32), (33)의 주위에는 자속을 발생하는 스트론튬계 페라이트로 만들어진 링 형상의 영구자석(34), (35)이 설치되어 있다.

이 영구자석(34), (35)은 애노우드 실린더(22)밖에 설치된 철제 요우크(36)로 서로 자기적으로 연결되어 있다.

본 발명의 마그네트론은, 작용공간(S)과 애노우드 베인(23)의 측면(23a)에 대향하는 포올피스(29), (30)의 평탄한 디스크부(29a), (30a)가 나중에 설명하는 바와같이 비교적 큰 직경으로 형성되어있다.

한 예로, 제4도와 제5도에 나타낸 바와같이 2450MHz 영역, 출력 600W용 마그네트론은 코일형상의 필라멘트(25)의 전자방사면(K)을 실질적으로 원통형상이라고 가정한 경우 코일형상의 필라멘트(25)의 바깥지름 치수(Dk)는 3.9㎜, 애노우드 베인의 내단면(A)를 연결하는 포락선의 안지름 치수(Da)는 9.08㎜, 베인의 폭(La)은 9.5㎜, 엔드시일드(26)의 바깥지름(De1)은, 7.2㎜, 엔드시일드(27)의 바깥지름(De2)은 8.2㎜, 양 엔드시일드의 간격(Le)은 10.4㎜, 포올피스 중앙의 관통구멍(29b), (30b)의 안지름(Dpi)은 9.4㎜, 평탄부(29a), (30a)의 바깥지름(Dpo)은 18㎜, 양 포올피스의 평탄한 디스크부의 대향간격(Lp)은 12.7㎜, 포올피스의 바깥직경(Dp)은 37.5㎜, 그 높이(h)는 7.0㎜, 두께는 1.6㎜, 링형상의 페라이트 영구자석(34), (35)의 안지름과 바깥지름은 각각 20㎜, 54㎜, 한쪽자석(34)의 두께 (W1)는 12.6㎜, 다른쪽자석(35)의 두께(W2)는 13.5㎜이다.

또한 철제금속용기(32), (33)의 두께는 0.5㎜로 양자석(34), (35)중 그 내면과의 사이에 0.5㎜ 정도 또는 그 이하의 간격을 통해서 각각 안으로 끼워져있다.

철제요우크(36)의 두께는 1.4㎜로 O형으로 조립되어 있다.

또한 동으로 만든 각 쌍의 스트랩링(24)은 큰지름쪽 스트랩링(24a)의 바깥지름이 17.8㎜, 작은지름쪽 스트랩링(24b)의 안지름이 12.9㎜이다.

이와같이 각 포올피스(29), (30) 중앙에 관통구멍의 직경(Dpi)은 10개의 베인 양쪽끝에 접하는 포락선의 안지름(Da)과 동등하거나 또는 약간(6.5% 이하로) 크게 설정되어있다.

그리고 포올피스(29), (30)의 평탄한 디스크부(29a), (30a)의 바깥지름(Dpo)은 애노우드 베인 내단면의 포락선 안지름(Da)의 약 2배로 정해져 있다. 따라서 포올피스(29), (30)의 평탄한 디스크부(29a), (30a)의 바깥지름(Dpo)은 지름이 큰 스트랩링(24a)의 바깥지름과 동등하거나 또는 그보다 약간 크게 정해져 있다.

애노우드 리이드(31)가 인출되는 쪽에서 큰지름의 스트랩링(24)이 접속되는 베인(23)에 접속되어있다.

이와같은 구조의 마그네트론은 그 상호작용공간(S) 부근에서 제6도에 나타낸 바와같은 자속분포를 지니고 있다.

즉, 포올피스(29)의 평탄한 디스크부(29a), (30a)의 바깥지름이 충분히 크므로 베인(23)의 끝이 설치된 공간영역에서 파이프축과 비교적 평행한 자속분포가 형성된다. 제4도와 제5도에 나타낸 마그네트론은 작용공간(S)에서 자계를 파이프 축을 따른 방향 성분의 자계강도에 주목하여 그 강도 분포를 조사해보면 이 마그네트론은 제7도에 나타낸 바와같은 분포를 하고 있다.

제7도에서는 작용공간(S)의 중심부(Z=O)에서의 캐소우드면(K)부터 애노우드의 내단면(A)까지의 자계강도의 평균을 100%라 하고, 파이프의 축을 따른 중심부(Z=O)부터 각 점까지의 거리(Z=O, Z=±1㎜, Z=±2㎜, Z=±3㎜, Z=±4㎜, Z=±5㎜)를 변수로 한 경우 캐소우드면(K)과 애노우드의 내단면(A) 사이의 작용공간에서의 상대적인 자계강도를 나타내고 있다.

이 축방향 자계강도의 분포는 호올소자를 검출기로 이용한 가우스 미터로 각 점의 파이프의 축방향과 평행한 자계성분의 강도를 측정하여 얻은 것이다.

제7도로 분명한 바와같이 넓은 평탄한 디스크부(29a), (30a)를 지닌 포올피스(29), (30)가 마그네트론에 편성되므로서 작용공간의 축방향 전역에서 가장 균등한 강도를 나타낸 점(P)이 애노우드 베인의 내단면(A) 근방에 생기는 것을 이해하게 된다.

또한 제7도에 나타낸 바와같이 캐소우드면(K)에서의 자계강도의 차이는 제2도와 비교하여 분명한 바와 같이 종래의 마그네트론에서의 자계강도의 차이보다도 커지는데, 베인의 내단면(A)에서의 자계강도의 차이는 종래의 마그네트론에서의 자계강도의 차이보다 작아 약 7%로 감소되어 있다.

이 실시예의 마그네트론에서는 그 입력쪽으로의 라인노이즈 누출이 제8도에 나타낸 바와같이 개선되었다는 것이 판명되었다.

즉, 이 실시예의 마그네트론에서는 100MHz 영역성분의 라인노이즈 레벨은 약 21㏈㎶로 제3도에 나타낸 종래의 마그네트론에서의 라인노이즈 레벨에 비해 반감되어 있으며 30-150MHz 범위의 라인노이즈 성분 전체가 대폭적으로 저하되었다.

이것은 애노우드 베인의 내단면(A) 또는 그 근방에서의 축방향 자계강도가 축방향을 따른 전영역에서 거의 균등하게 되어있으므로 전자운의 회전속도가 베인의 축방향 전역으로 대략 균일화되어 베인을 포함한 공진공동으로 유기되는 고주파 전계의 주파수차이가 거의 없어지고 또한 주파수차(差)성분이 세력이 작은 레벨로 되었다고 생각된다.

이와같이, 이 실시예의 마그네트론에서는 발생원 자체에서의 라인노이즈 레벨이 적게 억제되어있다. 제9도는 한쌍의 포올피스(29), (30)의 평탄한 디스크부(29a), (30a) 바깥지름치수(Dpo)를 16㎜로한 마그네트론에서의 자계강도분포를 나타내고 있다. 즉, 포올피스(29), (30)의 디스크부(29a), (30a) 바깥지름(Dpo)이 베인의 내단과 접하는 포락선 지름(Da)의 약 177%로 정해져있다.

마그네트론의 다른 각부의 치수, 형상은 제4도와 제5도를 참조로하여 설명한 값으로 정해져 있다.

이 실시예에 의하면 애노우드 베인의 내단면(A) 위치에서의 축방향의 자계강도의 차이는 약 11%이며, 제10도에 나타낸 바와같이 라인노이즈 레벨은 100MHz 영역성분에서 약 22㏈㎶이다.

포올피스(29), (30) 디스크부(29a), (30a)의 바깥지름(Dpo)이 베인의 내단과 접하는 포락선지름(Da)의 약 177%로 정해져 있는 마그네트론에서는, 마그네트론의 저주파 라인노이즈 성분이 발생원에서 충분히 억제된다는 것이 판명되었다.

마찬가지로, 포올피스(29), (30)의 디스크부(29a), (30a)의 바깥지름(Dpo)을 베인의 내단과 접하는 포락선의 지름(Da)의 약 155%인 14㎜로 한 마그네트론으로는 제11도에 나타낸 바와같은 자계강도분포를 얻었다.

제11도에 나타낸 바와같이 베인의 내단면의 위치에서 축방향 자계강도의 차이는 약 17%이며 제12도에 나타낸 바와같이 100MHz 영역의 라인노이즈 성분은 약 33㏈㎶이 되었다.

마찬가지로 포올피스(29), (30)의 디스크부(29a), (30a)의 바깥지름(Dpo)을 베인의 내단면의 지름(Da)의 약 132%인 12㎜로 한 마그네트론으로는 같은 실험으로 베인의 내단면 위치에서 그 축방향 자계강도의 차이가 약 22%가 되어 라인노이즈 레벨은 약 42㏈㎶에 달해 종래구조의 마그네트론에서의 특성과 대략 비슷하다는 것이 판명되었다.

이상과 같은 결과를 정리해보면, 제13도에 나타낸 바와같이 베인의 내단면 위치에서 축방향 자계강도의 차이(상대비율%의 차이)가 커질수록 비교적 낮은 주파수의 라인노이즈 성분, 예를들면 100MHz 영역의 성분은 큰 레벨이 된다는 것을 판명했다.

이로써 개선효과로 인정할만한 약 30㏈㎶ 이하의 라인노이즈 레벨은 베인의 내단면에서의 축방향 자계강도의 차이가 약 15% 이하인 범위의 구조에서 얻을 수 있다는 것이 증명되었다.

제14도에 나타낸 본 발명의 변형 실시예와 관련된 마그네트론으로는 포올피스(29), (30)의 디스크부(29a), (30a)의 대향면의 바깥둘레 가장자리 근방에 높이(h1), (h2)가 각각 0.5㎜인 원형의 돌출부(29d), (30d)가 형성되어 있다.

이 원형 돌출부(29d), (30d)의 직경(Dg)은 17㎜로 정해져 있다.

이와같은 구조의 마그네트론에서는, 베인의 내단면 위치에서 축방향 자계강도의 분포가 제7도에 나타낸 베인의 내단면 위치에서 축방향 자계강도의 분포보다 훨씬 개선되어 자계강도의 차이는 불과 3%로 제한된다는 것이 판명되었다.

그리고 이 마그네트론에서는 100MHz 영역의 라인노이즈 레벨이 약 17㏈㎶로 멈추어 라인노이즈 레벨이 대폭적으로 개선된다는 것이 판명되었다.

또한, 원형의 돌출부(29d), (30d)의 높이(h1), (h2)는 실용적으로는 0.3-0.7㎜ 범위가 적당하다. 포올피스(29), (30)의 디스크부(29a), (30a)의 대향면위에 형성되는 원형의 돌출부(29d), (30d)의 직경(Dg)을 다양하게 변화시키면 베인의 내단면 위치에서의 자계강도의 분포를 바꿀 수 있으며 따라서 라인노이즈 레벨도 변하는 것을 확인했다.

즉, 제15a도와 같이 거의 완전한 평탄한면뿐인 포올피스를 편성한 마그네트론과 제15b도와 같이 돌출부가 있는 포올피스를 편성한 마그네트론에 관한 비교데이터를 구해 제16도에 나타낸 것과같은 비교데이터를 얻었다.

제16도에서 세로축은 포올피스의 평탄한 면의 바깥지름(Dpo) 혹은 돌출부의 지름(Dg)이 애노우드 베인(23)의 내단과 접하는 포락선의 지름(Da)에 대한 비를 나타내며, 가로축은 100MHz 영역의 라인노이즈 성분레벨을 나타내고, 그래프 Ⅰ는 평탄한 면만을 지닌 포올피스를 편성한 마그네트론의 특성을 나타내며, 그래프 Ⅱ는 돌출부가 있는 포올피스를 편성한 마그네트론의 특성을 나타내고 있다.

제16도에 나타낸 그래프 Ⅰ로 분명한 바와같이 평탄한 면만을 지닌 포올피스를 편성한 마그네트론에서는, CISPR 규격을 기준으로 정한 라인노이즈 레벨 30㏈㎶ 이하로 라인노이즈 레벨을 억제하기 위해서 평탄한 면의 바깥지름(Dpo)과 베인의 내단이 접하는 포락선 지름(Da)의 비를 약 160% 이상으로 설정할 필요가 있다는 것이 판명되었다.

또한 제16도에 나타낸 그래프 Ⅱ로 분명한 바와같이 돌출부가 있는 포올피스를 편성한 마그네트론에서는 CISPR 규격을 기준으로 정한 라인노이즈 레벨 30㏈㎶ 이하로 라인노이즈 레벨을 억제하는데는 그 돌출부의 지름(Dg)을 베인의 내단과 접하는 포락선 지름(Da)의 약 150% 이상으로 설정하는 것이 바람직하다는 것이 판명되었다.

또한 전술한 데이터는 포올피스의 높이(h)나 영구자석의 안지름과 바깥지름의 치수, 높이 등을 약간 변경해도 거의 변화되지 않는다는 것이 판명되었다.

또한, 본 발명의 실시예의 마그네트론에 의하면 캐소우드 입력선로에 기재되는 쵸오크코일과 콘덴서의 조합으로 이루어진 필터회로를 특히 콘덴서 용량을 작은 것으로 할수 있게 된다.

즉, 종래에는 500p F 정도로 비교적 용량이 큰 콘덴서와 약 1μH의 인덕턴스를 이용하여 라인노이즈 성분이 외부로 누설되는 것을 억제시키고 있는데, 본 발명의 마그네트론은 이 저주파 라인노이즈 성분의 발생자체가 적으므로 예를들면 수십 p F 용량인 콘덴서로 대체시킬 수 있다.

지금까지 설명한 바와같이 전술한 마그네트론에 의하면 포올피스의 안쪽 디스크 형상부의 바깥지름이 애노우드 베인의 내단과 접하는 포락선 직경의 160%보다 크게 형성되어 상호작용공간의 애노우드 베인의 내단면 위치에서의 축방향 자계강도가 축방향의 전 영역에서 15% 이하로 대략 균일화 되어 있으므로 전자운으로 공진공동으로 유기되는 고주파 전계의 주파수가 베인의 축방향 전 영역에서 대략 균등화되고 또한 그 차(差)주파수 성분의 세력이 커져서 불필요한 라인노이즈 레벨이 억제된다.

따라서 불필요한 복사가 적은 전자레인지용 마그네트론을 얻을수 있다.

제17도를 참조로하여 본 발명의 마그네트론의 다른 실시예에 대하여 설명하기로 하겠다.

제17도에서 이미 설명한 다른 도면에 나타낸 부분 혹은 부품에 붙인 부호와 동일한 부호를 이용하고 상세한 설명은 생략하며, 또한 치수를 나타낸 부호는 제5도와 같은 부호를 이용하고 그 치수에 대한 설명은 생략하기로 하겠다. 제17도에 도시한 마그네트론은 제4도와 제5도에 나타낸 마그네트론과는 다르며 스트랩링(24)은 그 단면이 베인(23)의 측단면(23a)과 일치되지 않으며, 그 단면과 베인(23)의 측단면(23a) 사이에 간격 예를들면 0.3-0.7㎜(치수(hs))를 두고 베인(23)의 잘라낸 부분안에 설치되어 그 일부가 베인(23)안으로 넣어져있다.

또한, 입력쪽 금속용기(33)의 축방향길이(Se) 즉 스템(제4도 참조)은 종래의 마그네트론의 입력쪽 금속용기(33)의 축방향 길이(Se)즉 스템이 20.4㎜인데 대하여 충분히 짧게 11㎜로 정해져있다.

이 마그네트론은 2450MHz 영역, 출력 600W 용으로 코일형상의 필라멘트(25)의 전자방사면(K)을 실질적으로 원통형상이라 가정할때 코일형상의 필라멘트(25)의 바깥지름(Dk)은 3.9㎜, 애노우드 베인의 내단면(A)을 연결하는 포락선의 안지름(Da)은 9.06㎜, 베인의 폭(La)은 8.5㎜, 엔드시일드(26)의 바깥지름(Del)은 7.2㎜, 엔드시일드(27)의 바깥지름(De2)은 8.2㎜, 양 엔드시일드의 간격(Le)은 9.5㎜, 포올피스의 중앙관통구멍(29b), (30b)의 안지름(Dpi)은 9.4㎜, 그 평탄부(29a), (30a)의 바깥지름(Dpo)은 18㎜, 양 포올피스의 평탄한 디스크부의 대향간격(Lp)은 11.7㎜, 포올피스의 바깥직경(Dp)는 37.5㎜, 높이(h)는 7.0㎜, 두께는 1.6㎜.

링 형상의 페라이트 영구자석(34), (35)의 안지름과 바깥지름은 각각 20㎜, 54㎜, 한쪽자석(34)의 두께(W1)는 12.6㎜, 다른쪽 자석(35)의 두께(W2)는 9.0㎜이다. 또한 철제금속용기(32), (33)의 두께는 0.5㎜로 양 자석(34), (35)안에 그 내면과의 사이에 0.5㎜ 정도 또는 그 이하의 간격을 두고 각각 안으로 끼워져 있다. 철제 요우크(36)의 두께는 1.4㎜로 상자형태로 조립되어 있다. 그리고 동으로 만든 각 쌍의 스트랩링(24)은 지름이 큰쪽 스트랩링(24a)의 바깥지름이 17.8㎜, 지름이 작은쪽 스트랩링(24b)의 안지름이 12.9㎜이다.

이와같이 각 포올피스(29), (30) 중앙 관통구멍의 직경(Dpi)은 10개의 베인 내단과 접하는 포락선의 안지름(Da)과 동등하거나 또는 약간(6.5%이하) 크게 설정되어 있다. 그리고 포올피스(29), (30)의 평탄한 디스크부(29a), (30a)의 바깥지름(Dpo)은 애노우드 베인 내단면의 포락선 안지름(Da)의 약 2배로 정해져있다. 따라서, 포올피스(29), (30)의 평탄한 디스크부(29a), (30a)의 바깥지름(Dpo)은 지름이 큰쪽 스트랩링(24a)의 바깥지름과 동등하거나 또는 약간 큰 치수로 정해져있다. 애노우드 리이드(31)가 인출되는 쪽에서 지름이 큰 스트랩링(24)과 접속하는 베인(23)이 접속되어 있다.

다음의 표 1에 종래구조의 마그네트론과 제17도에 나타낸 본 발명의 실시예와 관련된 마그네트론의 각부의 치수를 비교하여 도시하고 있다.

[제 1 표]

(단위 ㎜)

제18도는 각각 베인의 폭(La)이 8.5㎜, 9.5㎜인 마그네트론에서 베인의 내단면에서 축방향 자계 강도의 차이에 대한 마그네트론의 부하안정도가 변하는 것을 나타내고 있다. 제18도로 분명한 바와같이 베인의 내단면에서 축방향 자계강도의 차이가 20%인 마그네트론은 베인의 높이(La)가 1㎜단축되면 부하안정도는 1.55A에서 1.32A로 열화되는데, 베인의 내단면에서 축방향 자계강도의 차이가 10% 즉 포올피스 평탄면의 바깥지름이 16㎜인 마그네트론에서는 La=8.5㎜일지라도 종래구조의 마그네트론과 같이 충분한 부하안정도를 얻을수 있다는 것이 증명되었다.

다음으로, 입력쪽에 설치된 금속용기(33)의 길이(Se) 즉 스템과 전자가 음극으로 역 충격되는 양의 관계에 대하여 실험하여 제19도에 나타낸 바와같은 데이터를 얻었다. 제19도의 그래프 Ⅲ으로 나타낸 바와같이 종래의 구조(hs=0㎜)인 마그네트론에서는 금속용기의 길이(Se) 즉 스템이 10㎜나 단축되면 전자가 음극으로 역 충격되는 양이 10%나 증가하며 음극온도가 상승하여 마그네트론의 수명이 열화된다는 것이 판명되었다.

이에 대하여 스트랩링(24)의 단면과 베인(23)의 측단면(23a)사이에 간격(hs)을 0.5㎜두고 베인(23)의 잘라낸 부분안에 스트랩링(24)이 설치되어 그 일부가 베인(23)안으로 넣어져있는 마그네트론에서는 제19도의 그래프(Ⅳ)로 나타낸 바와같이 전자가 음극으로 역 충격되는 양이 증가하지 않는다는 사실이 판명되었다.

출력 안테나리이드(31)가 접속되는 베인(23)의 단면쪽에만 잘라낸 부분이 설치되어 스트랩링(24)이 이 잘라낸 부분에 설치되어 있는 제20도에 나타낸 바와같이 본 발명의 변형 실시예와 관련된 마그네트론에서도 스트랩링(24)의 단면과 베인(23)의 측단면(23a)사이에 간격(hs)을 두고 베인(23)의 잘라낸 부분안에 스트랩링(24)이 설치되어 그 일부가 베인(23) 내부에 넣어진 경우에는 전술한 바와같은 효과를 얻을 수 있다는 것이 확인되었다.

마찬가지로 스트랩링(24)이 베인(23)의 입력 스템쪽에만 설치되어 있는 마그네트론에서도 스트랩링(24)의 단면과 베인(23)의 측단면(23a)사이에 간격(hs)을 두고있는 경우에는 전술한 바와같은 효과를 얻을 수 있다.

제21도에 나타낸 마그네트론의 실시예에서는, 이미 설명한 바와같이 포올피스(29), (30)의 디스크부(29a), (30a)가 충분한 크기를 하고 있으며 스트랩링(24)의 단면과 베인(23)의 측단면(23a)사이에 간격(hs)을 두고 넘으며 또한 출력쪽 금속용기(32) 안쪽에 불필요한 복사 억제용의

파장형 쵸오크원통(32a)이 설치되어 있다. 그리고 베인중 안테나리이드가 뻗어나있는쪽의 직경이 큰 스트랩링(24a)이 납땜으로 고정되어 있는 베인에 출력안테나 리이드(31)가 결합되어 있다.

이와같은 구조로 제22도의 예(c)에 나타낸 바와같이 출력안테나에서 복사되는 마이크로파에 포함되는 제5고조파등 고조파성분의 불필요한 복사레벨이 제22도(a)에 나타낸 불필요한 복사 레벨을 지닌 종래 구조의 마그네트론에 비해 약 20㏈개선되었다는것이 판명되었다. 여기서 제22도의 예(b)는 제21도에 나타낸 바와같은 쵸오크구조만을 지닌 종래의 마그네트론에서의 제5고조파등 고조파성분의 불필요한 복사레벨을 참고로 나타내고 있다.

이상과 같이 스트랩링(24)의 단면과 베인(23)의 측단면(23a)사이에 간격(hs)을 두고 베인(23) 내부에 넣어져 있는 마그네트론에서는, 포올 피스의 간격(Lp)을 약 1㎜ 단축시킬 수 있게되고 또한 자기효율이 향상되어 입력스템쪽 자석의 두께(W2)를 13.5㎜에서 9㎜로 단축할 수 있게 되었다. 그리고 입력쪽 금속용기의 길이도 단축할 수 있게 되어 마그네트론의 축방향 길이 즉 높이를 종래의 파이프보다 무려 15㎜나 단축할 수 있게 되었다.

제23도는 "V"로 나타낸 CISPR규격에 대한 "Ⅵ"으로 나타낸 종래의 마그네트론과 "Ⅶ"로 나타낸 본 발명의 마그네트론의 주파수에 대한 라인노이즈 레벨을 나타내고 있다. "Ⅵ"로 나타낸 종래의 마그네트론은 겨우 30M의 라인노이즈가 "V"로 나타낸 CISPR규격내의 라인 노이즈 레벨에 억제되어 있다.

이에 대하여 본 발명의 마그네트론은 "Ⅶ"로 나타낸 바와같이 종래의 것보다 낮은 주파수 영역에서 라인노이즈가 ㏈정도 감소되어 CISPR규격내의 라인 노이즈 레벨로 완전히 억제되어 있다.

이상과 같이 본 발명에 의하면 작용공간의 자계의 균일화와, 포올피스와 스트랩의 전자적 결합이 적어지므로 베인의 축방향 길이를 단축시켜도 부하안정도가 거의 열화되지 않으며 또한 입력스템의 길이를 단축시켜도 전자의 음극 역 충격이 증가하지 않는다. 그리고 특히 상호작용 공간에서의 정전(靜電)과 자계 분포가 개량되어 비교적 낮은 주파수의 라인노이즈 성분의 발생이 억제되어 소형이며 가벼운 신뢰성이 높은 전자레인지용 마그네트론을 얻을수 있다.

Claims (10)

1. 파이프의 축을 구비하며 개구부와 내면을 지닌 애노우드 실린더와, 이 파이프의 축을 따라 설치되어 그 표면에서 전자가 발생되는 캐소우드와, 캐소우드를 지지하며 캐소우드에 전류를 공급하기위한 캐소우드를 지지하는 방법과, 캐소우드 주위에 방사상으로 설치되어 그 내단이 일정한 간격을 두고 캐소우드를 향해 캐소우드와의 사이에 상호 작용공간을 규정하여 외단이 애노우드 실린더 내면에 고정되어있는 복수의 애노우드 베인으로서 그 내단이 소정직경의 포락선을 규정하는 복수의 애노우드 베인과, 애노우드 베인을 번갈아 접속시키는 적어도 큰 지름과 작은 지름의 스트랩링과, 각각이 애노우드 실린더의 개구부에 장착되는 플랜지부, 애노우드 베인에 근접하여 설치되어 소정의 바깥지름이 있는 상호작용 공간에 자속을 공급하는 평탄한 안쪽 디스크형상부와 양자를 연결하는 연결부로 이루어지며, 접시형상의 형태인 서로 대향하여 설치되는 한쌍의 포올피스로서, 그 안쪽 디스크형상부의 소정의 바깥지름이 애노우드 베인의 내단과 접하는 포락선 직경의 160%보다 크며, 애노우드 베인의 내단과 접하는 파이프축을 따른 공간에 자계강도의 차이가 15%이내로 제한된 자속을 공급하는 포올피스와, 포올피스의 개구부 각각에 봉함되어 포올피스가 설치된 애노우드 실린더안의 공간을 진공기밀상태로 유지하는 한쌍의 봉함부재와, 봉함부재의 바깥주위에 각각 설치되어 한쌍의 포올피스 각각에 공급되는 자속을 발생하는 링형상의 영구자석과, 애노우드 베인의 하나에 접속되어 상호 작용공간에서 발생된 마이크로파를 도출하는 안테나 리이드와, 이 한쌍의 영구자석을 자기적으로 연결하는 요우크로 이루어진 것을 특징으로 하는 마그네트론.
2. 제1항에 있어서, 애노우드 베인은 큰 지름과 작은 지름의 스트랩링이 그 안에 설치되는 잘라낸 부분을 지니고 있는 것을 특징으로 하는 마그네트론.
3. 제2항에 있어서, 애노우드 베인은 포올피스에 대향하는 단부를 구비하며, 큰 지름과 작은 지름의 스트랩링은 포올피스에 대향하는 단부를 구비하여 잘라낸 부분안에 설치된 스트랩링의 단부는 애노우드 베인의 단부와 일치되어 있는 것을 특징으로 하는 마그네트론.
4. 제2항에 있어서, 애노우드 베인은 포올피스에 대향하는 단부를 구비하며 큰 지름과 작은 지름의 스트랩링은 포올피스에 대향하는 단부를 구비하며, 스트랩링의 단부는 애노우드 베인의 단부사이에 소정의 간격을 두고 스트랩링이 베인 안에 넣어져 있는 것을 특징으로 하는 마그네트론.
5. 제1항에 있어서, 안테나 리이드가 뻗어난 쪽에 큰 지름의 스트랩링이 연결된 애노우드 베인에 안테나 리이드가 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 마그네트론.
6. 파이프의 축을 구비하며, 개구부와 내면을 구비한 애노우드 실린더와, 이 파이프 축을 따라 설치되어 그 표면에서 전자가 발생되는 캐소우드와, 캐소우드를 지지하며 캐소우드에 전류를 공급하기 위한 캐소우드를 지지하는 방법과, 캐소우드 주위에 방사상으로 설치되어 그 내단이 일정한 간격을 두고 캐소우드를 향하며 캐소우드와의 사이에 상호 작용 공간을 규정하여 외단이 애노우드 실린더의 내면에 고정되어 있는 복수의 애노우드 베인으로서, 그 내단이 소정직경의 포락성을 규정하는 복수의 애노우드 베인과, 애노오드 베인을 번갈아 접속시키는 적어도 큰 지름과 작은 지름의 스트랩링과, 각각이 애노우드 실린더의 개구부에 장착되는 플랜지부, 애노우드 베인에 근접하여 설치되어 소정의 바깥지름을 지닌 상호작용 공간에 자속을 공급하는 평탄한 안쪽 디스크형상부와 양자를 연결하는 연결부로 이루어지며, 안쪽 디스크 형상부는 애노우드 베인에 대향하는 면과 소정의 바깥지름으로 이 면위에 대략 원형으로 형성되어 애노우드 베인을 향하여 튀어나온 돌출부를 구비하며, 접시형상의 형태를 지닌 서로 대향하여 설치되는 한쌍의 포올피스로서, 돌출부의 소정의 바깥지름이 애노우드 베인의 내단과 접하는 포락선 직경의 150%보다 크며, 애노우드 베인의 내단과 접하는 파이프의 축을 따른 공간에 자계강도의 차이가 15%이내로 제한된 자속을 공급하는 포올피스와, 포올피스의 개구부 각각에 봉함되어 포올피스가 설치된 애노우드 실린더 안의 공간을 진공기밀 상태로 유지하는 한쌍의 봉함부재와, 봉함부재의 바깥주위에 각각 설치되어 한쌍의 포올피스 각각에 공급되는 자속을 발생하는 링 형상의 영구자석과, 애노우드 베인의 하나에 접속되어 상호작용 공간에서 발생된 마이크로를 도출하는 안테나 리이드와, 이 한쌍의 영구자석을 자기적으로 연결하는 요우크로 이루어진 것을 특징으로 하는 마그네트론.
7. 제6항에 있어서, 애노우드 베인은, 큰 지름과 작은 지름의 스트랩링이 그 안에 설치되는 잘라낸 부분을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 마그네트론.
8. 제7항에 있어서, 애노우드 베인은 포올피스에 대향하는 단부를 구비하며 큰 지름과 작은 지름의 스트랩링은 포올피스와 대향하는 단부를 구비하며, 잘라낸 부분안에 설치된 스트랩링의 단부는 애노우드 베인의 단부와 일치되어 있는 것을 특징으로 하는 마그네트론.
9. 제7항에 있어서, 애노우드 베인은 포올피스에 대향하는 단부를 구비하며 큰 지름과 작은 지름의 스트랩링은 포올피스에 대향하는 단부를 구비하며, 스트랩링의 단부는 애노우드 베인의 단부사이에 소정의 간격을 두고 스트랩링이 잘라낸 부분안에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 마그네트론.
10. 제6항에 있어서, 안테나 리이드가 뻗어나온 쪽에서 큰 지름의 스트랩링이 연결된 애노우드 베인에 안테나 리이드가 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 마그네트론.

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