JPH02276135A - 電子レンジ用マグネトロン - Google Patents
電子レンジ用マグネトロンInfo
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- JPH02276135A JPH02276135A JP9830789A JP9830789A JPH02276135A JP H02276135 A JPH02276135 A JP H02276135A JP 9830789 A JP9830789 A JP 9830789A JP 9830789 A JP9830789 A JP 9830789A JP H02276135 A JPH02276135 A JP H02276135A
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Landscapes
- Microwave Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
この発明は電子レンジ用マグネトロンに係り、特にその
陰極の改良に関する。
陰極の改良に関する。
(従来の技術)
一般に従来から使用されている電子レンジ用マグネトロ
ンは、第5図に示すように構成され、図中の符号6は厚
さ2mmの銅製の陽極円筒である。
ンは、第5図に示すように構成され、図中の符号6は厚
さ2mmの銅製の陽極円筒である。
二の陽極円筒6の内側には板厚2mmの複数のベイン2
が放射状に配設され、これらベイン2は大小2種の銅又
は調合金製のストラップリング7〜10により1つおき
に連結されている。
が放射状に配設され、これらベイン2は大小2種の銅又
は調合金製のストラップリング7〜10により1つおき
に連結されている。
このストラップリング7〜10は、陽極円筒6、ベイン
2、及びストラップリング7〜10により形成される空
胴共振器102に発生するマイクロ波の共振モードをい
わゆるπモードに限定する機能を有している。
2、及びストラップリング7〜10により形成される空
胴共振器102に発生するマイクロ波の共振モードをい
わゆるπモードに限定する機能を有している。
更に、陽極円筒6の軸心に沿って、表面が炭化された直
径0.5mmのトリウム−タングステン線よりなり包絡
面外径3.9mmの螺旋状直熱形陰極1が配設されてい
る。従って、この陰極]の周囲をベイン2が放射状に取
囲んでいる訳で、10枚の相隣り合うベイン2の中心線
同士がなす角度は36度である。そして、ベイン2の端
面2aの配列により形成される面と、陰極1の包絡外径
面との間に作用空間101が形成されている。
径0.5mmのトリウム−タングステン線よりなり包絡
面外径3.9mmの螺旋状直熱形陰極1が配設されてい
る。従って、この陰極]の周囲をベイン2が放射状に取
囲んでいる訳で、10枚の相隣り合うベイン2の中心線
同士がなす角度は36度である。そして、ベイン2の端
面2aの配列により形成される面と、陰極1の包絡外径
面との間に作用空間101が形成されている。
陰極1の両端はそれぞれモリブデン製のエンドシールド
3.4に固着されているが、このエンドシールド3.4
は作用空間101中の電子が管軸方向に漏洩するのを防
止するためのものであり、それぞれモリブデン製にして
加熱電流の通路を兼ねる陰極支持棒14.13に支持さ
れている。尚、5はモリブデン製のエンドチップである
。
3.4に固着されているが、このエンドシールド3.4
は作用空間101中の電子が管軸方向に漏洩するのを防
止するためのものであり、それぞれモリブデン製にして
加熱電流の通路を兼ねる陰極支持棒14.13に支持さ
れている。尚、5はモリブデン製のエンドチップである
。
又、陽極円筒6の両端には、ポールピース11.12が
固着されており、このポールピース11.12は作用空
間101になるべく均一な磁界を形成するための鉄製の
磁極で、表面に銅メツキが施されている。このポールピ
ース11.12に接して、それぞれ厚さ0.4mmの鉄
板の絞り部品である筒状金属容器15.18が、陽極円
筒6の両端にティグ溶接により気密接合されている。そ
して、金属容器15にはセラミックス製の陰極ステム1
6が銀ろう付けにより気密接合され、この陰極ステム1
6には陰極支持棒14.13が支持され銀ろう付けによ
り気密接合されている。
固着されており、このポールピース11.12は作用空
間101になるべく均一な磁界を形成するための鉄製の
磁極で、表面に銅メツキが施されている。このポールピ
ース11.12に接して、それぞれ厚さ0.4mmの鉄
板の絞り部品である筒状金属容器15.18が、陽極円
筒6の両端にティグ溶接により気密接合されている。そ
して、金属容器15にはセラミックス製の陰極ステム1
6が銀ろう付けにより気密接合され、この陰極ステム1
6には陰極支持棒14.13が支持され銀ろう付けによ
り気密接合されている。
一方、金属容器18の内側には、厚さ0.3mmのニッ
ケル鉄合金板より絞り加工で形成されたチョーク部品1
9、厚さ0.3mmの鉄板より絞り加工で形成されたチ
ョーク部品20.21が配設され、これらの組合わせに
より第2高調波(4900MHz)抑制用のλ/4形チ
ョーク103、第4高調波(9800M Hz )抑制
用のλ/4形チョーク105、第5高調波(12,25
GHz)抑制用のλ/4形チョーク106を構成してい
る。
ケル鉄合金板より絞り加工で形成されたチョーク部品1
9、厚さ0.3mmの鉄板より絞り加工で形成されたチ
ョーク部品20.21が配設され、これらの組合わせに
より第2高調波(4900MHz)抑制用のλ/4形チ
ョーク103、第4高調波(9800M Hz )抑制
用のλ/4形チョーク105、第5高調波(12,25
GHz)抑制用のλ/4形チョーク106を構成してい
る。
更に、チョーク部品19にはセラミックス製の円筒状出
力窓22が気密接合され、この出力窓22には厚さ0.
3mmの鉄板より絞り加工で形成されたリング状部品2
3が銀ろう付けにより気密接合されている。このリング
状部品23の内側には、銅製の排気管24が気密に接合
されている。
力窓22が気密接合され、この出力窓22には厚さ0.
3mmの鉄板より絞り加工で形成されたリング状部品2
3が銀ろう付けにより気密接合されている。このリング
状部品23の内側には、銅製の排気管24が気密に接合
されている。
そして、ベイン2の1つからアンテナリード17が導出
され、先端は排気管24に固着されている。この場合、
製造時に排気管24はアンテナリード17を挾持する形
で排気後、気密にチップオフされる。これにより第3高
調波(7350MHz)抑制用のλ/4形チョーク10
4が構成されている。更に、リング状部品23の外周に
ば、ステンレス製の薄板よりなる瑞相25が圧入されて
いる。
され、先端は排気管24に固着されている。この場合、
製造時に排気管24はアンテナリード17を挾持する形
で排気後、気密にチップオフされる。これにより第3高
調波(7350MHz)抑制用のλ/4形チョーク10
4が構成されている。更に、リング状部品23の外周に
ば、ステンレス製の薄板よりなる瑞相25が圧入されて
いる。
又、各金属容器15.18の外側には、フェライト製の
環状磁石26.27が嵌合され、いずれも管軸方向且つ
同一方向に着磁されている。更に、陽極円筒6の外周に
は、複数のアルミニウム製放熱板31が嵌着されている
。
環状磁石26.27が嵌合され、いずれも管軸方向且つ
同一方向に着磁されている。更に、陽極円筒6の外周に
は、複数のアルミニウム製放熱板31が嵌着されている
。
これら陽極円筒6、放熱板31、磁石26.27を取囲
むように、枠状にして厚さ1.4mmの継鉄板からなる
ヨーク28.29が配設され、このヨーク28に接する
ように金属製のフィルターボックス35.36が設けら
れている。このフィルターボックス35.36は、陰極
ステム16等からのスプリアス成分が空間に輻射される
のを防止している。このフィルターボックス35.36
は陰極ステム16を覆っているが、この陰極ステム16
には陰極支持棒14.13に電気的に通じる入力端子3
2a、32bが取付けられ、各入力端子32a、32b
にはそれぞれチョークコイル33が接続されている。各
チョークコイル33は貫通型コンデンサ34に接続され
、この貫通型コンデンサ34はフィルターボックス35
に支持されている。
むように、枠状にして厚さ1.4mmの継鉄板からなる
ヨーク28.29が配設され、このヨーク28に接する
ように金属製のフィルターボックス35.36が設けら
れている。このフィルターボックス35.36は、陰極
ステム16等からのスプリアス成分が空間に輻射される
のを防止している。このフィルターボックス35.36
は陰極ステム16を覆っているが、この陰極ステム16
には陰極支持棒14.13に電気的に通じる入力端子3
2a、32bが取付けられ、各入力端子32a、32b
にはそれぞれチョークコイル33が接続されている。各
チョークコイル33は貫通型コンデンサ34に接続され
、この貫通型コンデンサ34はフィルターボックス35
に支持されている。
尚、チョークコイル33と貫通型コンデンサ34とは、
陰極ステム16或いは入力端子32a、32bより外部
に漏洩するスプリアス成分を抑制するためのローパス・
フィルターを構成している。
陰極ステム16或いは入力端子32a、32bより外部
に漏洩するスプリアス成分を抑制するためのローパス・
フィルターを構成している。
次に、上記の電子レンジ用マグネトロンが、どのように
動作するのかについて説明する。
動作するのかについて説明する。
先ず、第6図に電子レンジにおけるマグネトロンの駆動
回路を示す。第6図の符号は第5図に対応しているが、
図中のMはマグネトロン、1はマグネトロンの陰極、6
は陽極である。33.33はマグネトロンに設けられた
チョークコイル、34は同貫通型コンデンサである。T
は高圧リケージトランス、Tpは1次側端子、Tsは2
次側高圧端子、Tfはフィラメント端子、Cはコンデン
サ、Dは整流器である。ここで、TとCとDとは半波整
流倍電圧回路を構成する。
回路を示す。第6図の符号は第5図に対応しているが、
図中のMはマグネトロン、1はマグネトロンの陰極、6
は陽極である。33.33はマグネトロンに設けられた
チョークコイル、34は同貫通型コンデンサである。T
は高圧リケージトランス、Tpは1次側端子、Tsは2
次側高圧端子、Tfはフィラメント端子、Cはコンデン
サ、Dは整流器である。ここで、TとCとDとは半波整
流倍電圧回路を構成する。
さて、フィラメント端子TfにはAC3,3■の電圧が
発生し、マグネトロンMの陰極1にACIOAの電流を
流し、陰極1を1650〜1700℃に加熱して熱電子
の発生を可能ならしめる。尚、マグネトロンMは陽極を
接地し、陰極側を負の高電圧に浮かせて動作させる。こ
の時のマグネトロンMの陽極電流波形は、第7図に示す
ようになる。
発生し、マグネトロンMの陰極1にACIOAの電流を
流し、陰極1を1650〜1700℃に加熱して熱電子
の発生を可能ならしめる。尚、マグネトロンMは陽極を
接地し、陰極側を負の高電圧に浮かせて動作させる。こ
の時のマグネトロンMの陽極電流波形は、第7図に示す
ようになる。
即ち、陽極電流i、は0から1 ha迄の範囲を周期的
に(例えば50Hzで)変化する。第8図に、電子レン
ジへのマグネトロンの実装状態を示す。
に(例えば50Hzで)変化する。第8図に、電子レン
ジへのマグネトロンの実装状態を示す。
図中のMはマグネトロン、Maはマグネトロンの出力ア
ンテナ、Pは電源、Sは金属性のスタラl(は金属性の
食品加熱箱、Qは被加熱食品である。
ンテナ、Pは電源、Sは金属性のスタラl(は金属性の
食品加熱箱、Qは被加熱食品である。
そして、食品加熱箱に内にマイクロ波の定在波が立って
被加熱食品Qに加熱むらが発生するのを防ぐため、定在
波のパターンを時間的に変化させるべく、食品加熱箱I
(内で金属性のスタラーSを回転させる。このため、マ
グネトロンMより見た負荷インピーダンスが時間的に変
動することになる。
被加熱食品Qに加熱むらが発生するのを防ぐため、定在
波のパターンを時間的に変化させるべく、食品加熱箱I
(内で金属性のスタラーSを回転させる。このため、マ
グネトロンMより見た負荷インピーダンスが時間的に変
動することになる。
さて、マグネトロンMは、発振時の陽極電流i、によっ
て発振周波数が変化しくブッシング)、又、負荷インピ
ーダンスによっても発振周波数が変化する(ブリング)
。更に、周波数によって負荷インピーダンスが変化する
。
て発振周波数が変化しくブッシング)、又、負荷インピ
ーダンスによっても発振周波数が変化する(ブリング)
。更に、周波数によって負荷インピーダンスが変化する
。
今、成る陽極電流ibにおける発振周波数をfとする。
又、負荷インピーダンスを2とする。
F、 F2が成る関数を表イ〕すとすると、下記連立
方程式が成立する。
方程式が成立する。
Z−Fl(f)・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・(イ)f””F2 (lb 、Z
)・・・・・・・・・・・・・・・・・・(ロ)成る陽
極電流i、に対して(イ)と(ロ)を満足するfの解は
1つある場合もあるし、複数個の場合もある。更に、ス
タラーSが回転しているため、Flそのものが刻々と変
化し、発振の可能性のあるfは、より複雑な様相を示す
。
・・・・・・・・・(イ)f””F2 (lb 、Z
)・・・・・・・・・・・・・・・・・・(ロ)成る陽
極電流i、に対して(イ)と(ロ)を満足するfの解は
1つある場合もあるし、複数個の場合もある。更に、ス
タラーSが回転しているため、Flそのものが刻々と変
化し、発振の可能性のあるfは、より複雑な様相を示す
。
電子レンジ用マグネトロンは、このような複雑な条件の
もとで動作するが、次に管内部の動作の詳細について説
明する。
もとで動作するが、次に管内部の動作の詳細について説
明する。
即ち、第9図において、作用空間101には、管軸方向
(2方向)に磁界Hzが形成されてい夕。
(2方向)に磁界Hzが形成されてい夕。
又、磁界Hzに比べ大きさは小さいが、径方向(「方向
)の磁界Hrも分布している。磁界の発生源は、磁石2
6.27である。作用空間101の近傍では、磁気回路
が回転対称であるため、回転方向の(θ方向)の磁界は
発生しない。
)の磁界Hrも分布している。磁界の発生源は、磁石2
6.27である。作用空間101の近傍では、磁気回路
が回転対称であるため、回転方向の(θ方向)の磁界は
発生しない。
磁界Hzは、作用空間101内で概ね一様に分布してい
る。磁界Hzの平均値は、電子レンジ用マグネトロンに
おいて、通常、15oo〜1700ガウスに設定される
。陽極電圧は尖頭値で4000V前後に選ばれることが
多く、ベイン2の端面2aと陰極1との間にかかる陽極
電圧で発生したr方向電界と磁界Hzの作用で、陰極1
より放出された熱電子は作用空間101を周回し、空胴
共振器102に発生した微弱な2450MHz帯の大き
なマイクロ波エネルギーを発生せしめる。
る。磁界Hzの平均値は、電子レンジ用マグネトロンに
おいて、通常、15oo〜1700ガウスに設定される
。陽極電圧は尖頭値で4000V前後に選ばれることが
多く、ベイン2の端面2aと陰極1との間にかかる陽極
電圧で発生したr方向電界と磁界Hzの作用で、陰極1
より放出された熱電子は作用空間101を周回し、空胴
共振器102に発生した微弱な2450MHz帯の大き
なマイクロ波エネルギーを発生せしめる。
概略の発振周波数は空胴共振器102のπモード共振周
波数により決定されるが、正確には前述のように連立方
程式(イ)、(ロ)により決定される。この時、エンド
シールド3.4がないと、電子同士の反発力で磁界に沿
って発振に寄与しない電子がポールピース11.12等
に流れ込み、正常な動作を行わなくなる。エンドシール
ド3.4は陰極1と同電位であるため、電子の作用空間
101からの漏洩に対してバリアの働きをする。
波数により決定されるが、正確には前述のように連立方
程式(イ)、(ロ)により決定される。この時、エンド
シールド3.4がないと、電子同士の反発力で磁界に沿
って発振に寄与しない電子がポールピース11.12等
に流れ込み、正常な動作を行わなくなる。エンドシール
ド3.4は陰極1と同電位であるため、電子の作用空間
101からの漏洩に対してバリアの働きをする。
空胴共振器102に発生したマイクロ波は、アンテナリ
ード17を伝わって排気管24等に達し、電子レンジの
食品加熱箱に内に放射される。マイクロ波に変換されな
かった電子のエネルギーは、電子がベイン2の端面2a
に達した時、熱エネルギーに変換される。この熱は、放
熱板31により放出される。アンテナリード17には、
2450MHz帯以外にその高調波も乗り、これらが管
外ひいては電子レンジ外に放出されると、電波法等の規
制対象となる。
ード17を伝わって排気管24等に達し、電子レンジの
食品加熱箱に内に放射される。マイクロ波に変換されな
かった電子のエネルギーは、電子がベイン2の端面2a
に達した時、熱エネルギーに変換される。この熱は、放
熱板31により放出される。アンテナリード17には、
2450MHz帯以外にその高調波も乗り、これらが管
外ひいては電子レンジ外に放出されると、電波法等の規
制対象となる。
このため、例えば第5図の場合、前述のように多次高調
波に対し、高インピーダンスとなるλ/4形チョークを
設けて高調波の管外への輻射を抑制している。入力ステ
ム側へはU水波、その高調波、各帯域のラインノイズ等
が漏洩してくるため、抑止のための前述のフィルタを設
けている。
波に対し、高インピーダンスとなるλ/4形チョークを
設けて高調波の管外への輻射を抑制している。入力ステ
ム側へはU水波、その高調波、各帯域のラインノイズ等
が漏洩してくるため、抑止のための前述のフィルタを設
けている。
(発明が解決しようとする課題)
ところで第5図に示すマグネトロンの作用空間101に
おける発振状態は、可成り安定となっているが、不要電
子放出に起因する各種ラインノイズの発生原因が充分に
除去されていると言えない。発振状態を安定なものにす
るには、作用空間101の静電磁界分布設計及び陰極よ
りの熱電子分布設計を精妙に調整せねばならない。発振
状態の安定化のみに着目して設計を行なうと、多くの場
合、負荷安定度の低下等の副作用を招き、この方向の設
計には限界がある。
おける発振状態は、可成り安定となっているが、不要電
子放出に起因する各種ラインノイズの発生原因が充分に
除去されていると言えない。発振状態を安定なものにす
るには、作用空間101の静電磁界分布設計及び陰極よ
りの熱電子分布設計を精妙に調整せねばならない。発振
状態の安定化のみに着目して設計を行なうと、多くの場
合、負荷安定度の低下等の副作用を招き、この方向の設
計には限界がある。
この発明は、不要電子放出を抑制してラインノイズを低
減した電子レンジ用マグネトロンを提供することを目「
白とする。
減した電子レンジ用マグネトロンを提供することを目「
白とする。
[発明の構成]
(課題を解決するための手段)
この発明は、陰極の一部の表面にモリブデン膜又はモリ
ブデンと他の金属との合金膜が被覆されてなる電子レン
ジ用マグネトロンである。
ブデンと他の金属との合金膜が被覆されてなる電子レン
ジ用マグネトロンである。
(作用)
この発明によれば、モリブデン膜又はモリブデンと他の
金属との合金膜が被覆された陰極の一部からの電子放出
が抑制され、その結果、発振基本波に比べて比較的低い
周波数帯のラインノイズを低減することが出来る。
金属との合金膜が被覆された陰極の一部からの電子放出
が抑制され、その結果、発振基本波に比べて比較的低い
周波数帯のラインノイズを低減することが出来る。
さて、電子レンジ用マグネトロンにおける1缶調波の発
生の様子やラインノイズの発生は、作用空間内の静電磁
界の分布と関係がある。
生の様子やラインノイズの発生は、作用空間内の静電磁
界の分布と関係がある。
先ず、この発明の技術に関係の深いVHF〜UHFのラ
インノイズの発生について述べる。
インノイズの発生について述べる。
ラインノイズに限らず、電子レンジ用マグネトロンより
発生するスプリアスは、幾つかの原因が重なって引き起
こされていると考えられる。特に、電子レンジ用マグネ
トロンは、前述のように使用中の動作点の変動が激しい
ので、発生の状況は多岐に亘る。
発生するスプリアスは、幾つかの原因が重なって引き起
こされていると考えられる。特に、電子レンジ用マグネ
トロンは、前述のように使用中の動作点の変動が激しい
ので、発生の状況は多岐に亘る。
ラインノイズ発生の一因と考えられているものに、イオ
ン弛緩発振がある。これは、陰極近傍の電位の谷におい
て、陰極近傍で発生したイオンが周期的に離合集散を繰
り返すもので、数MHz以下の帯域のノイズに関係して
いる。作用空間101のマイクロ波電界が小さくなる負
荷条件では、マグネトロンへのダイナミック人力インピ
ーダンスが大きくなるため、イオン弛緩がトリガとなる
この帯域の振動発生は抑制される傾向がある。
ン弛緩発振がある。これは、陰極近傍の電位の谷におい
て、陰極近傍で発生したイオンが周期的に離合集散を繰
り返すもので、数MHz以下の帯域のノイズに関係して
いる。作用空間101のマイクロ波電界が小さくなる負
荷条件では、マグネトロンへのダイナミック人力インピ
ーダンスが大きくなるため、イオン弛緩がトリガとなる
この帯域の振動発生は抑制される傾向がある。
又、陰極1の動作温度を低目にして陰極1の電子放出能
力を下げたり、陰極1の螺旋状のピッチを大きくしたり
して、電位の谷が形成され難くすると、やはりこの帯域
のラインノイズ・ルベルは低減される。
力を下げたり、陰極1の螺旋状のピッチを大きくしたり
して、電位の谷が形成され難くすると、やはりこの帯域
のラインノイズ・ルベルは低減される。
ラインノイズ発生の別の一因と考えられているものに、
イオンプラズマ発振がある。これは前述のイオン弛緩に
伴って引き起こされると考えられ、数10MHzの帯域
のノイズに関係している。因みに、数MHz以下の帯域
のラインノイズ・レベルが高くなる負荷インピーダンス
の領域と、数10MHzの帯域のラインノイズ・レベル
が高くなる負荷インピーダンスの領域は一部重なること
が多い。
イオンプラズマ発振がある。これは前述のイオン弛緩に
伴って引き起こされると考えられ、数10MHzの帯域
のノイズに関係している。因みに、数MHz以下の帯域
のラインノイズ・レベルが高くなる負荷インピーダンス
の領域と、数10MHzの帯域のラインノイズ・レベル
が高くなる負荷インピーダンスの領域は一部重なること
が多い。
イオンプラズマ発振も、陰極温度を下げ電位の谷が形成
され難くすると、発生が抑制される傾向がある。更に、
ラインノイズの発生の一因と考えられるものに、陰極1
の周囲を周回する電子雲の誘導によるものがある。これ
は例えば、電子雲の千切れ雲が陰極1と陽極円筒6の間
を往復する成分を持ちながら、作用空間101を周回す
るような場合で、ノイズ周波数は電子雲の作用空間周回
周期と連結した動きをとる。
され難くすると、発生が抑制される傾向がある。更に、
ラインノイズの発生の一因と考えられるものに、陰極1
の周囲を周回する電子雲の誘導によるものがある。これ
は例えば、電子雲の千切れ雲が陰極1と陽極円筒6の間
を往復する成分を持ちながら、作用空間101を周回す
るような場合で、ノイズ周波数は電子雲の作用空間周回
周期と連結した動きをとる。
ところで、上述の3つの現象は、相当唐突な荷電粒子の
動きを伴っており、ノイズの基本振動周波数以外に多数
の高調波成分を有している。
動きを伴っており、ノイズの基本振動周波数以外に多数
の高調波成分を有している。
注目すべきは、マグネトロンのラインノイズには上述の
現象に加えて、マグネトロンの2重或いは多重発振現象
に起因するものが観測されることである。これは例えば
、電気学会雑誌の第67巻第2冊第703号に“磁電管
の雑音について”と題して述べられているもので、ν、
だけ周波数が異なる2つの発振ν、ν′が同時に起こる
ことがあり、差の周波数ショー1ν一ν′ 1が検出器
にヘテロダイン検波されてノイズとして現われることが
あると紹介されている。
現象に加えて、マグネトロンの2重或いは多重発振現象
に起因するものが観測されることである。これは例えば
、電気学会雑誌の第67巻第2冊第703号に“磁電管
の雑音について”と題して述べられているもので、ν、
だけ周波数が異なる2つの発振ν、ν′が同時に起こる
ことがあり、差の周波数ショー1ν一ν′ 1が検出器
にヘテロダイン検波されてノイズとして現われることが
あると紹介されている。
その後の研究によれば、上述のような場合、ヘテロダイ
ン検波の過程で差の周波数成分が発生するばかりでなく
、マグネトロンの内部でも差の周波数成分が発生してい
ることが判った。電子レンジで動作時の数10〜120
M Hz帯のラインノイズは、上述の2重発振の現象
を抑えれば、可成り低減出来ることが明らかとなった。
ン検波の過程で差の周波数成分が発生するばかりでなく
、マグネトロンの内部でも差の周波数成分が発生してい
ることが判った。電子レンジで動作時の数10〜120
M Hz帯のラインノイズは、上述の2重発振の現象
を抑えれば、可成り低減出来ることが明らかとなった。
前述のように、電子レンジにおけるマグネトロンの動作
周波数を決定する方程式は、複数の解を持つような場合
が発生し昌<、加えて解の間の周波数差の値が数10〜
120MHzにあることが多い。このため、この帯域の
ラインノイズの大きな原因となっている。
周波数を決定する方程式は、複数の解を持つような場合
が発生し昌<、加えて解の間の周波数差の値が数10〜
120MHzにあることが多い。このため、この帯域の
ラインノイズの大きな原因となっている。
2重発振のモデルと、それにより差の周波数のラインノ
イズが発生する機構は、下記のように考えられる。
イズが発生する機構は、下記のように考えられる。
第9図〜第11図に、作用空間101に磁界を形成する
幾つかのポールピースのタイプと、それらが作る磁界分
布を示す。電子雲が作用空間101を周回するスピード
は、磁界の管軸方向成分Hzに反比例し、静電界の半径
方向成分Erに比例する。
幾つかのポールピースのタイプと、それらが作る磁界分
布を示す。電子雲が作用空間101を周回するスピード
は、磁界の管軸方向成分Hzに反比例し、静電界の半径
方向成分Erに比例する。
タイプ■のポールピースIIA、12Aの場合、ベイン
2の端面2aの近傍を周回するマイクロ波との結合が強
い電子雲は、エンドシールド3.4に近い作用空間10
1においては、中央部(z = 0 )に比べより強い
磁界の作用を受けるため、中央部(z = 0 )の周
回電子雲と周回スピードのずれを生じがちとなる。
2の端面2aの近傍を周回するマイクロ波との結合が強
い電子雲は、エンドシールド3.4に近い作用空間10
1においては、中央部(z = 0 )に比べより強い
磁界の作用を受けるため、中央部(z = 0 )の周
回電子雲と周回スピードのずれを生じがちとなる。
このため、例えば成る動作瞬間においてマグネトロンが
2470MHzと2440 M Hzの発振N波数解を
持ったとすると、エンドシールド3.4近傍の電子雲は
中央部(z = 0 )の電子雲に比べ若干遅いスピー
ドで周回して、空胴共振器102(環状に作用空間10
1を取巻いている)上を周回する2 440 M Hz
のマイクロ波と同期し、中央部(z = 0 )の電子
雲は2470 M Hzのマイクロ波と同期して周回す
るケースが考え6れる。
2470MHzと2440 M Hzの発振N波数解を
持ったとすると、エンドシールド3.4近傍の電子雲は
中央部(z = 0 )の電子雲に比べ若干遅いスピー
ドで周回して、空胴共振器102(環状に作用空間10
1を取巻いている)上を周回する2 440 M Hz
のマイクロ波と同期し、中央部(z = 0 )の電子
雲は2470 M Hzのマイクロ波と同期して周回す
るケースが考え6れる。
2440 M Hzのマイクロ波と2470 M Hz
のマイクロ波は同一の空胴共振器上に発生するから、空
胴共振器に両者の和として発生するマイクロ波電界は、
両者の差の周波数30 M Hzで強くなったり弱くな
ったりする。陽極電流は、陽極電圧が同じでもマイクロ
波電界が強くなると、多く流れる。このため、上述の場
合、陽極電流は30M Hzで変調を受けることになり
、これが外部にラインノイズとして現われる。
のマイクロ波は同一の空胴共振器上に発生するから、空
胴共振器に両者の和として発生するマイクロ波電界は、
両者の差の周波数30 M Hzで強くなったり弱くな
ったりする。陽極電流は、陽極電圧が同じでもマイクロ
波電界が強くなると、多く流れる。このため、上述の場
合、陽極電流は30M Hzで変調を受けることになり
、これが外部にラインノイズとして現われる。
この種のラインノイズはマグネトロンの基本波の発振エ
ネルギーに関係しているため、イオン性等のラインノイ
ズに比べ勢力が大きい。
ネルギーに関係しているため、イオン性等のラインノイ
ズに比べ勢力が大きい。
タイプ■のような形状寸法のポールピース11B、12
Bにして、ベイン2の端面2aの近傍の磁界Hzを均一
にすれば、上述の二重発振等が抑えられ、複数発振が原
因のラインノイズを10dB以上低減することが出来た
。
Bにして、ベイン2の端面2aの近傍の磁界Hzを均一
にすれば、上述の二重発振等が抑えられ、複数発振が原
因のラインノイズを10dB以上低減することが出来た
。
(実施例)
以下、図面を参照して、この発明の一実施例を詳細に説
明する。
明する。
この発明による電子レンジ用マグネトロンの要部は、第
1図に示すように構成され、従来例(第5図)と同一箇
所には同一符号を付すことにする。
1図に示すように構成され、従来例(第5図)と同一箇
所には同一符号を付すことにする。
即ち、陽極円筒6の内側には複数のベイン2が放射状に
配設され、これら各ベイン2の端面2aに囲まれた陽極
円筒6の軸心に沿って、トリウム−タングステン線より
なる螺旋状直熱形陰極1が設けられている。そして、こ
の陰極1の一部例えば両エンドシールド3.4に近い部
分には、モリブデン(Mo)11137が被覆されてい
る。
配設され、これら各ベイン2の端面2aに囲まれた陽極
円筒6の軸心に沿って、トリウム−タングステン線より
なる螺旋状直熱形陰極1が設けられている。そして、こ
の陰極1の一部例えば両エンドシールド3.4に近い部
分には、モリブデン(Mo)11137が被覆されてい
る。
尚、ベイン2の陰極1に対向する端面2a近傍の作用空
間101における陰極軸方向の磁界成分は、好ましくは
その最大値と最小値の差がその平均値の10%以内にな
るように設定されている。
間101における陰極軸方向の磁界成分は、好ましくは
その最大値と最小値の差がその平均値の10%以内にな
るように設定されている。
次に、モリブデンWJ837の形成方法について述べる
。
。
高融点ろう材として、モリブデン粉とルテニウム粉を有
機バインダで練り合わせたものが市販されているが、こ
のルテニウム粉を全てモリブデン粉に置き換えたものを
、先ず準備する。通常、トリウム−タングステン線より
なる陰極1、モリブデン製のエンドシールド3、モリブ
デン製のエンドチップ5、モリブデン製の陰極支持棒1
3は、互いにモリブデン粉−ルテニウム粉のろう材によ
り接合されている。
機バインダで練り合わせたものが市販されているが、こ
のルテニウム粉を全てモリブデン粉に置き換えたものを
、先ず準備する。通常、トリウム−タングステン線より
なる陰極1、モリブデン製のエンドシールド3、モリブ
デン製のエンドチップ5、モリブデン製の陰極支持棒1
3は、互いにモリブデン粉−ルテニウム粉のろう材によ
り接合されている。
このろう材は、接合部に塗布乾燥後、還元性雰囲気中で
1950℃に高周波加熱して溶解する。
1950℃に高周波加熱して溶解する。
上述のモリブデン粉と有機バインダを練り合わせたもの
を、エンドシールド3側から1.5ターンだけ陰極1の
外周に塗布し乾燥させる。しかる後、還元性雰囲気(H
2等)中で2100℃に加熱して陰極1の表面に焼き付
ける。
を、エンドシールド3側から1.5ターンだけ陰極1の
外周に塗布し乾燥させる。しかる後、還元性雰囲気(H
2等)中で2100℃に加熱して陰極1の表面に焼き付
ける。
尚、焼付処理は、陰極1単体の時に行なっても良い。
続いて、炭化水素(ベンゼン等)を含んだ水素中で陰極
1の炭化処理を行なう。
1の炭化処理を行なう。
この発明の電子レンジ川マグネトロンは、上記以外は従
来例(第5図)と同様構成ゆえ、詳細な説明は省略する
。
来例(第5図)と同様構成ゆえ、詳細な説明は省略する
。
さて、第2図に30〜1000 M Hz帯のラインノ
イズ測定装置を示すが、図中のN−1は内部にマグネト
ロンを装着し、1gの水負荷を入れた供試電子レンジで
ある。N−ICはN−1の電源コード、N−2は電源コ
ンセント、N−3は電源コードN−ICに乗る電子レン
ジからのラインノイズをピックアブツブするためのフェ
ライトクランプ、N−4は電界強度測定計、N−41は
電界強度測定計N−4の入力端子、N−4Xは周波数端
子、N−4Yはラインノイズの出力端子である。
イズ測定装置を示すが、図中のN−1は内部にマグネト
ロンを装着し、1gの水負荷を入れた供試電子レンジで
ある。N−ICはN−1の電源コード、N−2は電源コ
ンセント、N−3は電源コードN−ICに乗る電子レン
ジからのラインノイズをピックアブツブするためのフェ
ライトクランプ、N−4は電界強度測定計、N−41は
電界強度測定計N−4の入力端子、N−4Xは周波数端
子、N−4Yはラインノイズの出力端子である。
又、N−5はレコーダである。
このような測定装置において、測定周波数点を掃引しな
がら電子レンジより漏洩するラインノイズを測定した結
果を、第3図及び第4図に示す。
がら電子レンジより漏洩するラインノイズを測定した結
果を、第3図及び第4図に示す。
第3図は第5図に示す従来のマグネトロンを装着した電
子レンジよりのラインノイズ測定例、第4図は第1図に
示すこの発明のマグネトロンを装着した電子レンジから
のラインノイズ測定例であり、第3図と第4図に使用し
た電子レンジは同一のものである。
子レンジよりのラインノイズ測定例、第4図は第1図に
示すこの発明のマグネトロンを装着した電子レンジから
のラインノイズ測定例であり、第3図と第4図に使用し
た電子レンジは同一のものである。
そして、第3図と第4図において、ラインノイズのスペ
クトラムは40 M Hz付近をピークとするグループ
NGA、NHAと、300 M Hz付近をピークとす
るグループNGB、NHBと、600 M Hz付近を
ピークとするグループNGC。
クトラムは40 M Hz付近をピークとするグループ
NGA、NHAと、300 M Hz付近をピークとす
るグループNGB、NHBと、600 M Hz付近を
ピークとするグループNGC。
NHCoとにそれぞれまとめることが出来る。
NGA、NHAは上述の複数発振やイオンプラズマ振動
を主因とするものであり、NGB。
を主因とするものであり、NGB。
NHBは作用空間内の電子の周回運動と電子がエンドシ
ールド4とベイン2の端面2aの間から管軸方向に漏洩
して行く運動の組み合わさった動きを原因としていると
推定されるものであり、NGC,NHCは作用空間のエ
ンドシールド3近傍における電子の周回運動を原因とし
ていると推定されるものである。
ールド4とベイン2の端面2aの間から管軸方向に漏洩
して行く運動の組み合わさった動きを原因としていると
推定されるものであり、NGC,NHCは作用空間のエ
ンドシールド3近傍における電子の周回運動を原因とし
ていると推定されるものである。
実験によれば、陰極軸を傾斜させると、NGB。
NHBのレベルは顕著に悪化する。又、電子放出を抑制
するモリブデン膜37がないと、エンドシールド3近°
傍の陰極より出た電子は、対向する部分に空胴共振器が
ないため、これらに対するマイクロ波電界の作用が弱く
、このため作用空間のエンドシールドに近い空間G部(
第9図)に滞留し、これが陰極周回を周回することによ
ってラインノイズNGCが発生すると推定される。スペ
クトラムの帯域が広いのは、空間G付近の静電磁界が一
様で−いためと考えられる。
するモリブデン膜37がないと、エンドシールド3近°
傍の陰極より出た電子は、対向する部分に空胴共振器が
ないため、これらに対するマイクロ波電界の作用が弱く
、このため作用空間のエンドシールドに近い空間G部(
第9図)に滞留し、これが陰極周回を周回することによ
ってラインノイズNGCが発生すると推定される。スペ
クトラムの帯域が広いのは、空間G付近の静電磁界が一
様で−いためと考えられる。
今、トリウムを含まないため熱電子抑制を行なうモリブ
デン膜37を設けると、このノイズ発生が抑制されるの
で、第4図に示すようにNHCはNGCに対し、レベル
が大巾に改善される。エンドシールド近傍の熱電子放出
をエンドチップ5のような部品を設けて抑制すると、十
分な電子放出を要する部位まで陰極温度を下げてしまう
ため、効率の低下や負荷安定度の低下を招き品<、電子
放出分布の十分な微調整に限界がある。
デン膜37を設けると、このノイズ発生が抑制されるの
で、第4図に示すようにNHCはNGCに対し、レベル
が大巾に改善される。エンドシールド近傍の熱電子放出
をエンドチップ5のような部品を設けて抑制すると、十
分な電子放出を要する部位まで陰極温度を下げてしまう
ため、効率の低下や負荷安定度の低下を招き品<、電子
放出分布の十分な微調整に限界がある。
以上説明したように、この発明は、陰極温度と独立に電
子放出分布を調整出来る技術を提供するものである。
子放出分布を調整出来る技術を提供するものである。
(変形例)
上記実施例では、陰極1の両エンドシールド3、4に近
い部分に、モリブデン膜37が被覆されていたが、エン
ドシールド3.4のどちらか一方に近い部分に被覆して
も良い。
い部分に、モリブデン膜37が被覆されていたが、エン
ドシールド3.4のどちらか一方に近い部分に被覆して
も良い。
又、モリブデン膜37は陰極1の主として外径部にのみ
被覆しても良い。
被覆しても良い。
又、上記実施例におけるモリブデン膜37の代わりにモ
リブデンと他の金属との合金膜が被覆されても良い。即
ち、若干1m (ffl量比でモリブデン粉の5%以下
)のルテニウム粉をモリブデン粉に混合させると、ルテ
ニウムとモリブデンの部分的な共晶によりフィラメント
コイルへのモリブデン微粒子の付着がより堅固なものと
なる。
リブデンと他の金属との合金膜が被覆されても良い。即
ち、若干1m (ffl量比でモリブデン粉の5%以下
)のルテニウム粉をモリブデン粉に混合させると、ルテ
ニウムとモリブデンの部分的な共晶によりフィラメント
コイルへのモリブデン微粒子の付着がより堅固なものと
なる。
更に、モリブデン膜やモリブデンと他の金属との合金膜
の代わりに、適度のモリブデン焼付層を被覆しても良い
。この場合、安定動作フィラメント電圧範囲や発振スタ
ート時間(コールドスタート)等を犠牲にすることなく
、陰極からの最適量の熱電子放出を得ることが可能であ
る。これにより前述の電位の谷の形成の抑制が期待出来
る。
の代わりに、適度のモリブデン焼付層を被覆しても良い
。この場合、安定動作フィラメント電圧範囲や発振スタ
ート時間(コールドスタート)等を犠牲にすることなく
、陰極からの最適量の熱電子放出を得ることが可能であ
る。これにより前述の電位の谷の形成の抑制が期待出来
る。
又、モリブデン粉は高融点であるため、陰極逆衝撃等に
充分耐える構成が可能である。更に、このようなライン
ノイズ低減施策は、第11図に示すような作用空間の磁
界分布の構成と組合わせたとき、もともとのラインノイ
ズレベルが低下しているので、尚−層効果を発揮するも
のである。
充分耐える構成が可能である。更に、このようなライン
ノイズ低減施策は、第11図に示すような作用空間の磁
界分布の構成と組合わせたとき、もともとのラインノイ
ズレベルが低下しているので、尚−層効果を発揮するも
のである。
前述の600〜700 M Hz帯は、Cl5PR等に
おいて放射ノイズの一層の規制が検討されている折から
、この発明は極めて有効であることが判る。
おいて放射ノイズの一層の規制が検討されている折から
、この発明は極めて有効であることが判る。
又、安定な発振状態にすることは基本波(2,45GH
z)の高次高調波抑制に対しても当然有利となる。
z)の高次高調波抑制に対しても当然有利となる。
[発明の効果]
この発明によれば、トリウム−タングステン線よりなる
螺旋状直熱形陰極の一部の表面にモリブデン膜又はモリ
ブデンと他の金属との合金膜が被覆されているので、そ
こからの電子放出が抑制され、その結果、発振基本波に
比べて比較的低い周波数帯のラインノイズを低減するこ
とが出来る。
螺旋状直熱形陰極の一部の表面にモリブデン膜又はモリ
ブデンと他の金属との合金膜が被覆されているので、そ
こからの電子放出が抑制され、その結果、発振基本波に
比べて比較的低い周波数帯のラインノイズを低減するこ
とが出来る。
第1図はこの発明の一実施例に係る電子レンジ用マグネ
トロンの要部を示す断面図、第2図はラインノイズを測
定する71111定装置を示す構成図、第3図及び第4
図はそれぞれ従来例及びこの発明の電子レンジ用マグネ
トロンにおけるラインノイズのハ1定結果を示す特性曲
線図、第5図は従来の電子レンジ用マグネトロンを示す
断面図、第6図は7に子レンジにおけるマグネトロンの
駆動回路を示す回路構成図、第7図はマグネトロンの陽
極電流波形を示す電流波形図、第8図はマグネトロンの
電子レンジへの実装状態を示す概略構成図、第9図はマ
グネトロンにおける管内部の動作を説明する断面図、第
10図及び第11図は従来のマグネトロンにおける磁極
のタイプとそれらが作る磁界分布を示す特性曲線図であ
る。 1・・・螺旋状直熱形陰極、2・・・ベイン、6・・・
陽極円筒、37・・・モリブデン膜。 第1図 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第 図 時間(1) 第 図 (タイプ1) 第10図 第9 r(mm) ブII(実IIA) : r=1.95mm、z=omm : r=4.5mm、z=orrm : r=1.95mm、)4.25mm: r=4.5
mm、z =4.25mm: r=1.95mm、z=
−425mmP : r= 4.5mm、z=−4,2
5mm第11図 r(mm)
トロンの要部を示す断面図、第2図はラインノイズを測
定する71111定装置を示す構成図、第3図及び第4
図はそれぞれ従来例及びこの発明の電子レンジ用マグネ
トロンにおけるラインノイズのハ1定結果を示す特性曲
線図、第5図は従来の電子レンジ用マグネトロンを示す
断面図、第6図は7に子レンジにおけるマグネトロンの
駆動回路を示す回路構成図、第7図はマグネトロンの陽
極電流波形を示す電流波形図、第8図はマグネトロンの
電子レンジへの実装状態を示す概略構成図、第9図はマ
グネトロンにおける管内部の動作を説明する断面図、第
10図及び第11図は従来のマグネトロンにおける磁極
のタイプとそれらが作る磁界分布を示す特性曲線図であ
る。 1・・・螺旋状直熱形陰極、2・・・ベイン、6・・・
陽極円筒、37・・・モリブデン膜。 第1図 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第 図 時間(1) 第 図 (タイプ1) 第10図 第9 r(mm) ブII(実IIA) : r=1.95mm、z=omm : r=4.5mm、z=orrm : r=1.95mm、)4.25mm: r=4.5
mm、z =4.25mm: r=1.95mm、z=
−425mmP : r= 4.5mm、z=−4,2
5mm第11図 r(mm)
Claims (1)
- 陽極円筒の内側に複数のベインが放射状に配設され、且
つ上記陽極円筒の軸心に沿ってトリウム−タングステン
線よりなる螺旋状直熱形陰極が設けられてなる電子レン
ジ用マグネトロンにおいて、上記陰極の一部の表面にモ
リブデン膜又はモリブデンと他の金属との合金膜が被覆
されてなることを特徴とする電子レンジ用マグネトロン
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9830789A JPH02276135A (ja) | 1989-04-18 | 1989-04-18 | 電子レンジ用マグネトロン |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9830789A JPH02276135A (ja) | 1989-04-18 | 1989-04-18 | 電子レンジ用マグネトロン |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02276135A true JPH02276135A (ja) | 1990-11-13 |
Family
ID=14216270
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9830789A Pending JPH02276135A (ja) | 1989-04-18 | 1989-04-18 | 電子レンジ用マグネトロン |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02276135A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007258133A (ja) * | 2006-03-27 | 2007-10-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マグネトロン |
JP2008027832A (ja) * | 2006-07-25 | 2008-02-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マグネトロン |
JP2008034277A (ja) * | 2006-07-31 | 2008-02-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マグネトロン |
-
1989
- 1989-04-18 JP JP9830789A patent/JPH02276135A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007258133A (ja) * | 2006-03-27 | 2007-10-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マグネトロン |
JP2008027832A (ja) * | 2006-07-25 | 2008-02-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マグネトロン |
JP2008034277A (ja) * | 2006-07-31 | 2008-02-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マグネトロン |
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