JPS5935497B2 - マグネトロン - Google Patents
マグネトロンInfo
- Publication number
- JPS5935497B2 JPS5935497B2 JP54023193A JP2319379A JPS5935497B2 JP S5935497 B2 JPS5935497 B2 JP S5935497B2 JP 54023193 A JP54023193 A JP 54023193A JP 2319379 A JP2319379 A JP 2319379A JP S5935497 B2 JPS5935497 B2 JP S5935497B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pole piece
- magnetron
- main pole
- bimetal
- electron
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J23/00—Details of transit-time tubes of the types covered by group H01J25/00
- H01J23/02—Electrodes; Magnetic control means; Screens
- H01J23/10—Magnet systems for directing or deflecting the discharge along a desired path, e.g. a spiral path
Landscapes
- Microwave Tubes (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はマグネトロンに関する。
一般にマグネトロンは、動作中の陽極損失による熱でも
つて励磁磁石の温度が上昇する。
つて励磁磁石の温度が上昇する。
このため磁石動作点が変動し、電子作用空間に印加され
る磁界の強さが減少するので、陽極電圧は低下すること
になる。ところで従来、マグネトロンの励磁用永久磁石
にはアルニコ磁石とフェライト磁石とが一般的に使用さ
れている。これらの磁石の可逆温度係数は、それぞれ約
−0.02%/℃、一0.2%/℃であり、従つてフェ
ライト磁石が磁気回路に組み込まれたマグネトロンは、
磁石温度上昇による陽極電圧の低下が顕著となる。この
ようなマグネトロンがリーケージトランスを有する電子
レンジ電源で駆動される場合、マグネトロンの磁石温度
が上昇すると、電源特性により陽極電流が増加し、入力
電力の低下等を引き起こすことになる。
る磁界の強さが減少するので、陽極電圧は低下すること
になる。ところで従来、マグネトロンの励磁用永久磁石
にはアルニコ磁石とフェライト磁石とが一般的に使用さ
れている。これらの磁石の可逆温度係数は、それぞれ約
−0.02%/℃、一0.2%/℃であり、従つてフェ
ライト磁石が磁気回路に組み込まれたマグネトロンは、
磁石温度上昇による陽極電圧の低下が顕著となる。この
ようなマグネトロンがリーケージトランスを有する電子
レンジ電源で駆動される場合、マグネトロンの磁石温度
が上昇すると、電源特性により陽極電流が増加し、入力
電力の低下等を引き起こすことになる。
このため、電流増加によるトランスの焼損や出力の低下
が生じることがある。又、陽極電圧が低くなると、マグ
ネトロンの発振効率も下がる。この発明は上記事情に鑑
みなされたもので、磁石の温度特性を相殺する、即ち電
子作用空間の磁界の強さを一定に保持しうるような手段
を磁気回路中に設けることによれ、磁石温度が上昇して
も陽極電圧をほぼ一定に保つことができるマグネトロン
を提供することを目的とする。
が生じることがある。又、陽極電圧が低くなると、マグ
ネトロンの発振効率も下がる。この発明は上記事情に鑑
みなされたもので、磁石の温度特性を相殺する、即ち電
子作用空間の磁界の強さを一定に保持しうるような手段
を磁気回路中に設けることによれ、磁石温度が上昇して
も陽極電圧をほぼ一定に保つことができるマグネトロン
を提供することを目的とする。
以下、図面を参照してこの発明の一実施例を詳細に説明
する。
する。
この発明のマグネトロンは第1図に示すように構成され
、上記従来の欠点を改善するために電子作用空間と永久
磁石との間の主ポールピースを含む磁気回路の磁気抵抗
を可変としている。即ち、陽極円筒1の内側には複数の
ベーン2が放射状に配設され、複数の環状ストラップ(
図示せず)によF)1つおきに連結されている。そして
、ベーン2の遊端間の電子作用空間には管軸に沿つて直
熱コイル状陰極3が配置されている。この陰極3の両端
はそれぞれモリブデンのエンドパット4、5に固着され
、各エンドパット4、5は、それぞれ管軸に沿つて延び
る棒状陰極支持体6,7に支持されている。前記陽極円
筒1の外周には複数の冷却フイン8が積層して固着され
、更に陽極円筒1の一端には主ポールピース9及び封着
体10が固着され、他端には主ポールピース11及び封
着体12が固着されて気密封止されている。この場合、
各主ポールピース9,11は中心軸近傍が電子作用空間
13側に突出した略漏斗状であるが、その中心には透孔
14,15が穿たれている。この透孔14,15内には
、それぞれ例えば磁性体リングからなる壌状の補助ポー
ルピース16,17が可動自在に配設され、複数の矩形
状のバイメタル18,19を介して前記主ポールピース
9,11に支持されている。この場合、バイメタル18
,19はそれぞれ2つの単体18a,18b及び19a
,19bからなb1電子作用空間13側の単体18b,
19bが低膨張金属、その反対側の単体18a,19b
が高膨張金属である。又、補助ポールピース16,17
の電子作用空間側端面の間隔は、主ポールピース9,1
1のそれと室温において同一に設定されている。一方、
前記各封着体10,12は管軸に沿つて突出し、前記陰
極支持体6,7を固定する陰極ステム20と出力部21
が突設されている。更に封着体10,12の各突出部の
周囲に位置するように例えばフエライトからなる環状の
永久磁石22,23が配設され、この永久磁石22,2
3、前記陽極円筒1、前記冷却フイン8を取囲むように
枠状の磁性体ヨーク24が配設されている。このヨーク
24には、前記陰極ステム20及びこれに接続された雑
音抑制用フイルタ(図示せず)を取囲むように、シール
ドボツクス25が取付けられている。又、ベーン2の1
つから棒状アンテナ導体26が導出され、前記主ポール
ピース11を貫通して前記出力部21内に位置している
。尚、磁気回路は永久磁石22,23、ヨーク24及び
主ポールピース9,11とから形成され、電子作用空間
13に磁界を与えている。さて、次に上記のようなマグ
ネトロンにおける補助ポールピース16,17及びバイ
メタル18,19の動作を説明する。
、上記従来の欠点を改善するために電子作用空間と永久
磁石との間の主ポールピースを含む磁気回路の磁気抵抗
を可変としている。即ち、陽極円筒1の内側には複数の
ベーン2が放射状に配設され、複数の環状ストラップ(
図示せず)によF)1つおきに連結されている。そして
、ベーン2の遊端間の電子作用空間には管軸に沿つて直
熱コイル状陰極3が配置されている。この陰極3の両端
はそれぞれモリブデンのエンドパット4、5に固着され
、各エンドパット4、5は、それぞれ管軸に沿つて延び
る棒状陰極支持体6,7に支持されている。前記陽極円
筒1の外周には複数の冷却フイン8が積層して固着され
、更に陽極円筒1の一端には主ポールピース9及び封着
体10が固着され、他端には主ポールピース11及び封
着体12が固着されて気密封止されている。この場合、
各主ポールピース9,11は中心軸近傍が電子作用空間
13側に突出した略漏斗状であるが、その中心には透孔
14,15が穿たれている。この透孔14,15内には
、それぞれ例えば磁性体リングからなる壌状の補助ポー
ルピース16,17が可動自在に配設され、複数の矩形
状のバイメタル18,19を介して前記主ポールピース
9,11に支持されている。この場合、バイメタル18
,19はそれぞれ2つの単体18a,18b及び19a
,19bからなb1電子作用空間13側の単体18b,
19bが低膨張金属、その反対側の単体18a,19b
が高膨張金属である。又、補助ポールピース16,17
の電子作用空間側端面の間隔は、主ポールピース9,1
1のそれと室温において同一に設定されている。一方、
前記各封着体10,12は管軸に沿つて突出し、前記陰
極支持体6,7を固定する陰極ステム20と出力部21
が突設されている。更に封着体10,12の各突出部の
周囲に位置するように例えばフエライトからなる環状の
永久磁石22,23が配設され、この永久磁石22,2
3、前記陽極円筒1、前記冷却フイン8を取囲むように
枠状の磁性体ヨーク24が配設されている。このヨーク
24には、前記陰極ステム20及びこれに接続された雑
音抑制用フイルタ(図示せず)を取囲むように、シール
ドボツクス25が取付けられている。又、ベーン2の1
つから棒状アンテナ導体26が導出され、前記主ポール
ピース11を貫通して前記出力部21内に位置している
。尚、磁気回路は永久磁石22,23、ヨーク24及び
主ポールピース9,11とから形成され、電子作用空間
13に磁界を与えている。さて、次に上記のようなマグ
ネトロンにおける補助ポールピース16,17及びバイ
メタル18,19の動作を説明する。
マグネトロンが発振すると陽極損失による熱が発生し、
この熱は陽極円筒1に固着された冷却フイン8によつて
放熱されるものの、一部の熱は主ポールピース9,11
、封着体10,12を介して永久磁石22,23に伝導
される。このため永久磁石22,23はその温度特性に
よつて起磁力が低下する。一方、主ポール・ピース9,
11を介してバイメタル18,19にも熱が伝導される
。
この熱は陽極円筒1に固着された冷却フイン8によつて
放熱されるものの、一部の熱は主ポールピース9,11
、封着体10,12を介して永久磁石22,23に伝導
される。このため永久磁石22,23はその温度特性に
よつて起磁力が低下する。一方、主ポール・ピース9,
11を介してバイメタル18,19にも熱が伝導される
。
この熱によつてバイメタル18,19は電子作用空間側
に彎曲し、その先端に固着された補助ポールピース16
,17も電子作用空間13側に移動する。従つて実質的
に磁極間隔が狭くなb1電子作用空間13の磁界が強く
なD1先きに述べた永久磁石22,23の起磁力の低下
を相殺する方向になる。又、バイメタル18,19の長
さ、厚さを適当に選定することで、高温安定時に卦ける
電子作用空間13での磁界の強さを常温に卦けるそれと
ほぼ等しくすることができる。従つて陽極電圧は常温の
ときと、高温で安定状態になつたときとをほぼ等しくす
ることができる。この発明のマグネトロンは上記説明及
び図示のように構成され、補助ポールピース16,17
を採用し、電子作用空間13と永久磁石22,23との
間の主ポールピース9,11を含む磁気回路の磁気抵抗
を可変としたので、磁石温度が上昇しても陽極電圧をほ
ぼ一定にすることができるのである。
に彎曲し、その先端に固着された補助ポールピース16
,17も電子作用空間13側に移動する。従つて実質的
に磁極間隔が狭くなb1電子作用空間13の磁界が強く
なD1先きに述べた永久磁石22,23の起磁力の低下
を相殺する方向になる。又、バイメタル18,19の長
さ、厚さを適当に選定することで、高温安定時に卦ける
電子作用空間13での磁界の強さを常温に卦けるそれと
ほぼ等しくすることができる。従つて陽極電圧は常温の
ときと、高温で安定状態になつたときとをほぼ等しくす
ることができる。この発明のマグネトロンは上記説明及
び図示のように構成され、補助ポールピース16,17
を採用し、電子作用空間13と永久磁石22,23との
間の主ポールピース9,11を含む磁気回路の磁気抵抗
を可変としたので、磁石温度が上昇しても陽極電圧をほ
ぼ一定にすることができるのである。
尚、上記実施例では補助ポールピース16,17及びバ
イメタル18,19は入力側、出力側にそれぞれ配設し
ているが、片側だけでも実用上充分な効果が得られる。
イメタル18,19は入力側、出力側にそれぞれ配設し
ているが、片側だけでも実用上充分な効果が得られる。
又、上記実施例に訃いては、バイメタルの形状は矩形で
あるが、第2図A,bに示すように複数の矩形単体を連
結したバイメタル27を用いてもよいし、第3図A,b
に示すように円板状にして中央に透孔28を有するバイ
メタル29を用いてもよい。
あるが、第2図A,bに示すように複数の矩形単体を連
結したバイメタル27を用いてもよいし、第3図A,b
に示すように円板状にして中央に透孔28を有するバイ
メタル29を用いてもよい。
そして第3図の場合、第4図に示すように主ポールピー
ス9と補助ポールピース16との間隔を或る程度広くと
b1長さaを高調波のn/4としたチヨーク構造にする
こともできる。更に第5図に示す如く主ポールピース9
と補助ポールピース16との対向面をそれぞれテーパー
状に形成してもよい。この場合は補助ポールピース16
が電子作用空間13側に移動したとき、或る所で主ポー
ルピース9と接触して、磁極間隔がそれ以上狭くならな
いという利点がある。又、上記実施例及び変形例のバイ
メタルの代bにトリメタルを使用してもよい。
ス9と補助ポールピース16との間隔を或る程度広くと
b1長さaを高調波のn/4としたチヨーク構造にする
こともできる。更に第5図に示す如く主ポールピース9
と補助ポールピース16との対向面をそれぞれテーパー
状に形成してもよい。この場合は補助ポールピース16
が電子作用空間13側に移動したとき、或る所で主ポー
ルピース9と接触して、磁極間隔がそれ以上狭くならな
いという利点がある。又、上記実施例及び変形例のバイ
メタルの代bにトリメタルを使用してもよい。
以上説明したようにこの発明によれば、実用的価値大な
るマグネトロンを提供することができる。
るマグネトロンを提供することができる。
第1図はこの発明の一実施例に係るマグネトロンを示す
断面図、第2図乃至第5図はこの発明で用いるバイメタ
ルと補正ポールピースの変形例を示す平面図、断面図で
ある。 1・・・陽極円筒、2・・・ベーン、3・・・陰極、9
,11・・・主ポールピース、16,17・・・補助ポ
ールピース、18,19・・・バイメタル、13・・・
電子作用空間、22,23・・・永久磁石。
断面図、第2図乃至第5図はこの発明で用いるバイメタ
ルと補正ポールピースの変形例を示す平面図、断面図で
ある。 1・・・陽極円筒、2・・・ベーン、3・・・陰極、9
,11・・・主ポールピース、16,17・・・補助ポ
ールピース、18,19・・・バイメタル、13・・・
電子作用空間、22,23・・・永久磁石。
Claims (1)
- 1 内側に複数のベインを放射状に配設した陽極円筒の
両端に、中心軸近傍が電子作用空間側に突出した略漏斗
状にして中心に透孔が穿たれている主ポールピースを固
着し、該主ポールピースの外側にフェライト永久磁石を
備えてなるマグネトロンにおいて、上記主ポールピース
の透孔内に補助ポールピースを軸方向に可動自在に配設
し、更に上記主ポールピースの電子作用空間と反対側に
バイメタルを設け、該バイメタルにより上記補助ポール
ピースを軸方向に移動させるように構成したことを特徴
とするマグネトロン。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP54023193A JPS5935497B2 (ja) | 1979-02-28 | 1979-02-28 | マグネトロン |
US06/123,949 US4338545A (en) | 1979-02-28 | 1980-02-25 | Magnetron unit with a magnetic field adjusting means |
GB8006446A GB2044990B (en) | 1979-02-28 | 1980-02-26 | Magnetron with thermally compensated magnetic system |
DE19803007590 DE3007590C2 (de) | 1979-02-28 | 1980-02-28 | Magnetroneinheit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP54023193A JPS5935497B2 (ja) | 1979-02-28 | 1979-02-28 | マグネトロン |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS55115241A JPS55115241A (en) | 1980-09-05 |
JPS5935497B2 true JPS5935497B2 (ja) | 1984-08-29 |
Family
ID=12103821
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP54023193A Expired JPS5935497B2 (ja) | 1979-02-28 | 1979-02-28 | マグネトロン |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4338545A (ja) |
JP (1) | JPS5935497B2 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4395657A (en) * | 1979-12-21 | 1983-07-26 | Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha | Magnetron unit with a magnetic field compensating means |
US4794304A (en) * | 1985-12-27 | 1988-12-27 | Matsushita Electronics Corporation | Magnetron with cooling fin structure |
EP0263491B1 (en) * | 1986-10-06 | 1993-08-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetron for microwave oven |
US5422542A (en) * | 1993-02-09 | 1995-06-06 | Litton Systems, Inc. | Low power pulsed anode magnetron for improving spectrum quality |
JP4006980B2 (ja) * | 2001-11-09 | 2007-11-14 | 松下電器産業株式会社 | マグネトロン装置 |
KR100651905B1 (ko) * | 2005-03-29 | 2006-12-01 | 엘지전자 주식회사 | 마그네트론 |
EP2096660A3 (en) * | 2008-02-28 | 2010-04-14 | Panasonic Corporation | Magnetron |
GB201005412D0 (en) * | 2010-03-31 | 2010-05-19 | E2V Tech Uk Ltd | Magnetron |
KR20170062185A (ko) * | 2015-11-27 | 2017-06-07 | 한국전기연구원 | 고출력 마그네트론에서의 자기장 형성 장치 |
KR102082506B1 (ko) * | 2018-02-09 | 2020-02-27 | 엘지전자 주식회사 | 고조파 차폐 성능이 개선된 마그네트론 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB227424A (en) * | 1924-01-08 | 1925-08-06 | Vickers Electrical Co Ltd | Improvements relating to metallic compound strips |
US1672189A (en) * | 1927-06-20 | 1928-06-05 | Ac Spark Plug Co | Thermostatic control for speedometers |
GB504435A (en) * | 1937-08-04 | 1939-04-25 | Fides Gmbh | Improvements in or relating to permanent magnets and processes for the production thereof |
US2449090A (en) * | 1943-02-11 | 1948-09-14 | Raytheon Mfg Co | Temperature compensated magnetron |
US2429295A (en) * | 1943-03-13 | 1947-10-21 | Westinghouse Electric Corp | Tuning means for magnetrons |
US2452078A (en) * | 1944-05-24 | 1948-10-26 | Raytheon Mfg Co | Thermally tunable electron discharge device |
US2806178A (en) * | 1953-08-20 | 1957-09-10 | Litton Industries Inc | Tunable magnetrons |
US2957100A (en) * | 1957-08-27 | 1960-10-18 | Philips Corp | Magnetron cathode structure |
GB901828A (en) * | 1958-02-10 | 1962-07-25 | Fairey Co Ltd | Improvements relating to permanent magnet assemblies |
GB1074587A (en) * | 1963-04-16 | 1967-07-05 | Perkin Elmer Ltd | Improvements relating to magnet assemblies |
GB1292073A (en) * | 1970-04-02 | 1972-10-11 | Jury Afanasievich Melnikov | Shunt for magnetic systems using permanent magnets |
JPS5226739B2 (ja) * | 1974-03-26 | 1977-07-15 | ||
JPS5149670A (en) * | 1974-10-25 | 1976-04-30 | Sanyo Electric Co | Magunetoron |
JPS51126751A (en) * | 1975-04-25 | 1976-11-05 | Toshiba Corp | Magnetron |
JPS5357741A (en) * | 1976-11-04 | 1978-05-25 | Toshiba Corp | Magnetron |
US4223246A (en) * | 1977-07-01 | 1980-09-16 | Raytheon Company | Microwave tubes incorporating rare earth magnets |
-
1979
- 1979-02-28 JP JP54023193A patent/JPS5935497B2/ja not_active Expired
-
1980
- 1980-02-25 US US06/123,949 patent/US4338545A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4338545A (en) | 1982-07-06 |
JPS55115241A (en) | 1980-09-05 |
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