JPS6362859B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6362859B2 JPS6362859B2 JP8317679A JP8317679A JPS6362859B2 JP S6362859 B2 JPS6362859 B2 JP S6362859B2 JP 8317679 A JP8317679 A JP 8317679A JP 8317679 A JP8317679 A JP 8317679A JP S6362859 B2 JPS6362859 B2 JP S6362859B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vane
- cathode
- magnetron
- strap
- straps
- Prior art date
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- Expired
Links
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 8
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 6
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J23/00—Details of transit-time tubes of the types covered by group H01J25/00
- H01J23/16—Circuit elements, having distributed capacitance and inductance, structurally associated with the tube and interacting with the discharge
- H01J23/18—Resonators
- H01J23/22—Connections between resonators, e.g. strapping for connecting resonators of a magnetron
Landscapes
- Microwave Tubes (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は空胴共振器から陰極部への高周波勢
力の結合を低減したマグネトロンに関する。
力の結合を低減したマグネトロンに関する。
一般に多分割形マグネトロンの空胴共振器の構
造上の進歩、第1図に示すような所謂ダブルサイ
ドストラツプ共振器に至つて一段落し、これは現
在最も広くマグネトロンに用いられている。その
理由は構造が単純で組立も容易であり、性能的に
もモード分離や共振器の小形化のうえで極めて優
れた特性をもつているためである。尚、図中、1
が陽極円筒、2はベイン、3,4,5,6はスト
ラツプである。
造上の進歩、第1図に示すような所謂ダブルサイ
ドストラツプ共振器に至つて一段落し、これは現
在最も広くマグネトロンに用いられている。その
理由は構造が単純で組立も容易であり、性能的に
もモード分離や共振器の小形化のうえで極めて優
れた特性をもつているためである。尚、図中、1
が陽極円筒、2はベイン、3,4,5,6はスト
ラツプである。
しかしながら第1図に示すような構造の空共振
器は、例えば第2図に示すような構造のマグネト
ロンに用いられた場合、下記のような不具合を生
ずることがある。即ち、作用空間7からみた陰極
ステム8側或いはエンドスペース9,10等のイ
ンピーダンスの組み合わせによつては、基本発振
波勢力が強く、陰極ステム8に結合し、空胴共振
器のみかけのQの低下、発振効率の低下、陰極逆
衝撃の増大による陰極11の過熱、負荷安定度の
劣化、スペクトラムの劣化、第3図(第2図の本
体を用いたマグネトロン)に示すチヨークコイル
17,18の入力側の出力もれによる過熱等の大
きな障害を発生する。尚、第2図中、12,13
はポールピース、14は出力部、15,16は陰
極支持体であり、第3図中、19,20は磁石、
21はラジエータ、22はヨーク、23は貫通形
コンデンサ、24はシールドボツクスである。
器は、例えば第2図に示すような構造のマグネト
ロンに用いられた場合、下記のような不具合を生
ずることがある。即ち、作用空間7からみた陰極
ステム8側或いはエンドスペース9,10等のイ
ンピーダンスの組み合わせによつては、基本発振
波勢力が強く、陰極ステム8に結合し、空胴共振
器のみかけのQの低下、発振効率の低下、陰極逆
衝撃の増大による陰極11の過熱、負荷安定度の
劣化、スペクトラムの劣化、第3図(第2図の本
体を用いたマグネトロン)に示すチヨークコイル
17,18の入力側の出力もれによる過熱等の大
きな障害を発生する。尚、第2図中、12,13
はポールピース、14は出力部、15,16は陰
極支持体であり、第3図中、19,20は磁石、
21はラジエータ、22はヨーク、23は貫通形
コンデンサ、24はシールドボツクスである。
ところで従来はエンドスペース9,10や陰極
支持体15,16のインピーダンスを調整して、
陰極部励振力が存在してもそれがマグネトロンの
動作等に大きな障害を与えないように工夫してき
た。しかしながら上記の不都合解決には、それぞ
れに対する最良の構造が異なつていて、矛盾を生
ずる場合が多く、最終的には第3図に示すチヨー
クコイル17,18、貫通形コンデンサ23によ
り形成されるロウパスフイルタの構成が大きく制
約を受け、フイルタの性能向上等が非常に困難と
なる場合が多い。
支持体15,16のインピーダンスを調整して、
陰極部励振力が存在してもそれがマグネトロンの
動作等に大きな障害を与えないように工夫してき
た。しかしながら上記の不都合解決には、それぞ
れに対する最良の構造が異なつていて、矛盾を生
ずる場合が多く、最終的には第3図に示すチヨー
クコイル17,18、貫通形コンデンサ23によ
り形成されるロウパスフイルタの構成が大きく制
約を受け、フイルタの性能向上等が非常に困難と
なる場合が多い。
このような点を改善するには、陰極部励振力そ
のものを低下させるのが最良である。そしてB型
πモード振動を利用するマグネトロンにおいて、
偶数個の同一形状の陽極空胴に誘起された或る方
向の高周波電界は足し合わせると完全に相殺され
る。従つて出力部14の影響が無視できれば、基
本的には陰極部を励振しない筈である。そして、
作用空間7及び作用空間7近傍のエンドスペース
9,10の高周波電界の分布を実測してもると、
出力部14の影響は比較的小さく、ストラツプ
3,4,5,6による歪の発生が大きいことが判
つた。又、陰極部励振に対するストラツプの影響
について言及した文献即ち、マイクロウエーブマ
グネトロン(G.B.Collins)や米国特許明細書
(第3543082号)もある。従つて陰極部励振力はス
トラツプによつて高周波電界に歪が発生し、この
ため相殺したあと残る正味分としての起電力が残
ることに根源があると考え得る根拠が充分にあ
る。
のものを低下させるのが最良である。そしてB型
πモード振動を利用するマグネトロンにおいて、
偶数個の同一形状の陽極空胴に誘起された或る方
向の高周波電界は足し合わせると完全に相殺され
る。従つて出力部14の影響が無視できれば、基
本的には陰極部を励振しない筈である。そして、
作用空間7及び作用空間7近傍のエンドスペース
9,10の高周波電界の分布を実測してもると、
出力部14の影響は比較的小さく、ストラツプ
3,4,5,6による歪の発生が大きいことが判
つた。又、陰極部励振に対するストラツプの影響
について言及した文献即ち、マイクロウエーブマ
グネトロン(G.B.Collins)や米国特許明細書
(第3543082号)もある。従つて陰極部励振力はス
トラツプによつて高周波電界に歪が発生し、この
ため相殺したあと残る正味分としての起電力が残
ることに根源があると考え得る根拠が充分にあ
る。
この発明は上記事情に鑑みてなされたもので、
陰極部励振力を低下させ、もつて上記従来の不都
合を改善したマグネトロンを提供することを目的
とする。
陰極部励振力を低下させ、もつて上記従来の不都
合を改善したマグネトロンを提供することを目的
とする。
以下、図面を参照してこの発明の一実施例を詳
細に説明する。発明者の実験によれば、第1図〜
第3図の如きマグネトロンにおいて、エンドスペ
ース9,10の、作用空間7近傍における陰極軸
方向の高周波電界EZの分布は第4図a〜cに示
すようになる。即ち、aは第1図を直線状に展開
したもので、Pは回転角を表わす。この例は8分
割空胴共振器の分布を示している。作用空間7近
傍の位置R1においてベイン2の上端部2a、下
端部2b(いずれも第2図参照)に近接する部位
でのEZは、第4図b,cに示すようになる。例
えばこのEZを考えた場合、図示されている瞬間
のEZを足し合わせると負の成分が相殺したあと
残る正味分として残る。従つて大きな陰極励振力
が発生すると考えられる。そして第4図のbに示
すEZとcに示すEZは、傍熱形陰極の場合は、陰
極部励振においてほぼ足し合わされるかたちにな
る。又、第2図に示すような直熱形陰極の場合
は、もう少し話が複雑になつて陰極端子間のイン
ピーダンスを考慮に入れねばならない。
細に説明する。発明者の実験によれば、第1図〜
第3図の如きマグネトロンにおいて、エンドスペ
ース9,10の、作用空間7近傍における陰極軸
方向の高周波電界EZの分布は第4図a〜cに示
すようになる。即ち、aは第1図を直線状に展開
したもので、Pは回転角を表わす。この例は8分
割空胴共振器の分布を示している。作用空間7近
傍の位置R1においてベイン2の上端部2a、下
端部2b(いずれも第2図参照)に近接する部位
でのEZは、第4図b,cに示すようになる。例
えばこのEZを考えた場合、図示されている瞬間
のEZを足し合わせると負の成分が相殺したあと
残る正味分として残る。従つて大きな陰極励振力
が発生すると考えられる。そして第4図のbに示
すEZとcに示すEZは、傍熱形陰極の場合は、陰
極部励振においてほぼ足し合わされるかたちにな
る。又、第2図に示すような直熱形陰極の場合
は、もう少し話が複雑になつて陰極端子間のイン
ピーダンスを考慮に入れねばならない。
そこで、この発明のマグネトロンの主要部は第
5図及び第6図に示すように構成され、陰極円筒
25の内側には陰極26を取囲むように複数例え
ば8個のベイン27が放射状に配設固着されてい
る。このベイン27は第6図a,bに示す2種の
溝28,29を有しており、1つおきに配列さ
れ、各溝28,29に位置するように内側ストラ
ツプ30と外側ストラツプ31が配設され、ベイ
ン27に1つおきに固着されている。この場合、
両ストラツプ30,31は第5図から明らかなよ
うに略8角形の環状にして、 G1G2 l1≦l2 を満足するように配設されている。但し、G1は
内側ストラツプ30がベイン27と固着されてい
るベイン位置において、この内側ストラツプ30
と外側ストラツプ31との対向間隙寸法である。
又、G2は、外側ストラツプ31がベイン27と
固着されているベイン位置において、内側ストラ
ツプ30の内側面とベイン溝29の内側面との対
向間隙寸法である。更にl1は、前記G1の中央とベ
イン27遊端面との距離であり、l1はG2の中央と
ベイン遊端面との距離である。
5図及び第6図に示すように構成され、陰極円筒
25の内側には陰極26を取囲むように複数例え
ば8個のベイン27が放射状に配設固着されてい
る。このベイン27は第6図a,bに示す2種の
溝28,29を有しており、1つおきに配列さ
れ、各溝28,29に位置するように内側ストラ
ツプ30と外側ストラツプ31が配設され、ベイ
ン27に1つおきに固着されている。この場合、
両ストラツプ30,31は第5図から明らかなよ
うに略8角形の環状にして、 G1G2 l1≦l2 を満足するように配設されている。但し、G1は
内側ストラツプ30がベイン27と固着されてい
るベイン位置において、この内側ストラツプ30
と外側ストラツプ31との対向間隙寸法である。
又、G2は、外側ストラツプ31がベイン27と
固着されているベイン位置において、内側ストラ
ツプ30の内側面とベイン溝29の内側面との対
向間隙寸法である。更にl1は、前記G1の中央とベ
イン27遊端面との距離であり、l1はG2の中央と
ベイン遊端面との距離である。
尚、この発明のマグネトロンは上記以外は従来
例と同様構成ゆえ、詳細な説明を省略する。又、
第7図a,b,cはそれぞれ従来例の第4図a,
b,cに対応するもので、展開図、高周波電界分
布図である。
例と同様構成ゆえ、詳細な説明を省略する。又、
第7図a,b,cはそれぞれ従来例の第4図a,
b,cに対応するもので、展開図、高周波電界分
布図である。
この発明のマグネトロンは上記説明及び図示の
ように構成されているので、エンドスペース9,
10における高周波電界の分布は第7図b,cの
ようになり、正負のアンバランスを完全に解消す
ることは難しいが、従来例(第4図参照)に比べ
遥かに改善される。その結果、陰極ステム部に基
本発振波勢力が結合して発生する種々の障害が除
去される。即ち、従来見られ空胴共振器のみかけ
のQの低下、発振効率の低下、陰極逆衝撃の増大
による陰極の過熱、負荷安定度の劣化、スペクト
ラムの劣化、チヨークコイル17,18の過熱に
よる入力側への出力洩れが防止される。
ように構成されているので、エンドスペース9,
10における高周波電界の分布は第7図b,cの
ようになり、正負のアンバランスを完全に解消す
ることは難しいが、従来例(第4図参照)に比べ
遥かに改善される。その結果、陰極ステム部に基
本発振波勢力が結合して発生する種々の障害が除
去される。即ち、従来見られ空胴共振器のみかけ
のQの低下、発振効率の低下、陰極逆衝撃の増大
による陰極の過熱、負荷安定度の劣化、スペクト
ラムの劣化、チヨークコイル17,18の過熱に
よる入力側への出力洩れが防止される。
以上説明したようにこの発明によれば、実用的
価値大なるマグネトロンを提供することができ
る。
価値大なるマグネトロンを提供することができ
る。
第1図は従来から一般に用いられているマグネ
トロンの陽極(空胴共振器)を切断して示す斜視
図、第2図は第1図の陽極を使用した従来のマグ
ネトロン本体を示す断面図、第3図は第2図のマ
グネトロン本体を用いた従来のマグネトロンを示
す断面図、第4図a〜cは第1図の陽極の展開
図、エンドスペースの作用空間近傍におる陰極軸
方向の高周波電界分布図、第5図はこの発明の一
実施例に係るマグネトロンの要部(陽極)を示す
平面図、第6図a,bは第5図の一部を示す軸方
向断面図、第7図a〜cは第5図に示した陽極の
展開図、エンドスペースの作用空間近傍における
陰極軸方向の高周波電界分布図である。 25……陽極円筒、26……陰極、27……ベ
イン、28,29……溝、30……内側ストラツ
プ、31……外側ストラツプ。
トロンの陽極(空胴共振器)を切断して示す斜視
図、第2図は第1図の陽極を使用した従来のマグ
ネトロン本体を示す断面図、第3図は第2図のマ
グネトロン本体を用いた従来のマグネトロンを示
す断面図、第4図a〜cは第1図の陽極の展開
図、エンドスペースの作用空間近傍におる陰極軸
方向の高周波電界分布図、第5図はこの発明の一
実施例に係るマグネトロンの要部(陽極)を示す
平面図、第6図a,bは第5図の一部を示す軸方
向断面図、第7図a〜cは第5図に示した陽極の
展開図、エンドスペースの作用空間近傍における
陰極軸方向の高周波電界分布図である。 25……陽極円筒、26……陰極、27……ベ
イン、28,29……溝、30……内側ストラツ
プ、31……外側ストラツプ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 陽極円筒の内側に複数のベインを放射状に配
設し、該ベインに設けた溝に環状の内側ストラツ
プと外側ストラツプを配設してベインを1つおき
に連結してなるマグネトロンにおいて、前記内側
ストラツプが前記ベインに固着された箇所で該内
側ストラツプと前記外側ストラツプとの対向間隙
寸法をG1とし、外側ストラツプがベインに固着
された箇所で内側ストラツプの内側面と前記溝の
内側面との対向間隙寸法をG2とし、更に上記G1
の中央とベイン遊端面との距離をl1とし、上記G2
の中央とベイン遊端面との距離をl2とすれば、 G1G2 l1<l2 に設定したことを特徴とするマグネトロン。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8317679A JPS567333A (en) | 1979-06-30 | 1979-06-30 | Magnetron |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8317679A JPS567333A (en) | 1979-06-30 | 1979-06-30 | Magnetron |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS567333A JPS567333A (en) | 1981-01-26 |
JPS6362859B2 true JPS6362859B2 (ja) | 1988-12-05 |
Family
ID=13794971
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8317679A Granted JPS567333A (en) | 1979-06-30 | 1979-06-30 | Magnetron |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS567333A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0276748U (ja) * | 1988-08-29 | 1990-06-12 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61196445U (ja) * | 1985-04-30 | 1986-12-08 | ||
JPH0230036A (ja) * | 1988-02-03 | 1990-01-31 | Sanyo Electric Co Ltd | マグネトロン |
-
1979
- 1979-06-30 JP JP8317679A patent/JPS567333A/ja active Granted
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0276748U (ja) * | 1988-08-29 | 1990-06-12 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS567333A (en) | 1981-01-26 |
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