JPH0693345B2 - マグネトロン - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はマグネトロンに関するものであり、さらに詳細
に言えば陽極円筒内で発生するマイクロ波エネルギの導
出構造の改良に関する。

従来の技術 従来のマグネトロンのマイクロ波エネルギ導出構造例を
第４図〜第７図に示す。まず第４図、第５図を参照して
構造説明をする。第５図は第４図のＡ−Ａ′断面図であ
る。図において、１は陽極円筒、２は陽極円筒内に所定
の間隔で配設されたベイン群である。ベイン２の陽極円
筒管軸方向に対する上下面にはベイン群と１個おきに接
続された一対のストラップリング3,4が配設されてお
り、このストラップリングにより安定なπモード動作を
実現している。相隣りあう２つのベインと陽極円筒内壁
で囲まれた小空胴5,6,7は夫々共振器であり、この共振
器で発振したマイクロ波エネルギをとりだすものとして
導出線８が小空胴の１つに設けられている。この導出線
８は一端がベインにろう付接合されており、小空胴を形
成する陽極円筒壁に設けられた結合孔９を貫通して他端
が出力アンテナ部10まで延在した構成である。

このような構造では、前述のようにベインの上下面に一
対のストラップリングを配するが故にベインの上下各面
はストラップリングを配設する為の所定の加工が施され
ている。そして一対のストラップリングは一方が正電位
の時他方は負電位となっている。このようなストラップ
リングの配設構成では、ベインの先端面が相対向する２
つのベイン（第４図に示される２つのベインが相当す
る）を考えた時、各ベイン先端の電位に電位差を生じ
る。このことは、相対向する２つのベイン先端間に電界
が生じることを意味する。従って一般に陽極円筒の中心
部には陰極部が配設されることから、この陰極部にマイ
クロ波エネルギが結合され陰極側からマイクロ波エネル
ギが漏洩することになる。この為陰極側には電波漏洩抑
止性能を十分に高めたフィルタ対策が不可欠であった。

この課題を解決するための方策としてストラップリング
をベイン上下方向の略中央部に配する構造が考えられて
いる。このような構造の従来例を第６図、第７図に示
す。図中、第４図、第５図と同一相当部材は同一番号で
示す。第７図は第６図のＢ−Ｂ′線断面図である。第４
図、第５図と異なる点は、ストラップリング11,12がベ
イン２の陽極円筒１の管軸方向に対して略中央部に配設
され、各ベインと１個おきに接続された構成となってい
る。このような構造においてはベインの上下各面はフラ
ットな構成でよくかつ１つのベインに接続されるストラ
ップリングは１種類である。この構成において前述と同
様に相対向する２つのベイン先端の電位を測定した結果
ほぼ等電位であった。従って相対向する２つのベイン間
の電位差は無視できるレベルであるための陰極部にマイ
クロ波エネルギが結合される絶対量は、第４図、第５図
構成と比較してはるかに少ない。この為、陰極側の電波
漏洩抑止対策機構の低コスト化、簡略化が促進できる。

発明が解決しようとする問題点 ところで、以上に示した２つのストラップリング配設方
式において、マイクロ波エネルギ導出線８は、その一端
をベインにろう付接合させる構成であるため小空胴６内
を交差する磁界のうち導出線８が接合されたベイン導出
線８とがつくる領域内の磁界変化による電流および導出
線８が接合されたベインの電位変化によってマイクロ波
エネルギを導出する構成となっている。

この為、磁界変化による電流を大きくとるにはおのずと
限界がありマグネトロン出力効率を高効率にすることが
困難であった。

問題点を解決するための手段 上記問題点を解決するために本発明は、一対のストラッ
プリングをベインの陽極円筒管軸方向における略中央部
に配設し、このストラップリングにマイクロ波導出手段
の一端を接続させた構成としている。

作用 上記構成をとることにより、導出手段はストラップリン
グを介して２つのベインと接合することになり出力効率
を高効率化させる作用がある。

実施例 以下本発明を添付図面を参照して説明する。

第１図は本発明の一実施例を示すマグネトロンの構成
図、第２図は、第１図の要部断面図である。

図において13は陽極円筒、14は陽極円筒内に設けられた
ベイン群、15,16は一対のストラップリングでありベイ
ン14の陽極円筒管軸方向における略中央部の所定位置に
配設されるとともにベインと１個おきに接続されてい
る。17はマイクロ波エネルギ導出線（導出手段）であり
一端が陽極円筒壁面に近い方のストラップリング16に接
続されており、陽極円筒壁面に設けられた結合孔18を貫
通しアンテナ側管19内を延在して他端に出力アンテナ部
20が設けられている。21,22は陽極円筒の両端に設けら
れたポールピース、23は陽極円筒の一端を封止するエン
ドキャップ、24は陰極部（図示していない）の支持体を
兼ね陽極円筒他端を封止するカソード支持キャップであ
る。

導出線17は、ベイン14b,14cおよび陽極円筒壁面とで囲
まれる小空胴25の略中央部を直線的に延在配設されて一
端がストラップリング16にろう付接合されている。

上記構成をとることにより、導出線17はストラップリン
グ16を介して２つのベイン14b,14dと接続されており、
両ベインの電位変化と、導出線17、ストラップリング1
6、ベイン14b、陽極円筒内壁とがつくる領域内の磁界変
化と、導出線17、ストラップリング16、ベイン14c、陽
極円筒内壁とがつくる領域内の磁界変化の一部およびス
トラップリング16、ベイン14c、陽極円筒内壁、ベイン1
4dとがつくる領域内の磁界変化がストラップリング16に
よりストラップリング貫通孔26を介し導出線17に結合さ
れた磁界変化分を合算した磁界変化による電流によりマ
イクロ波エネルギを導出するものであり高効率な出力特
性が得られる。

第３図は本発明の他の実施例を示すマグネトロンの要部
断面図である。

第２図との相異点は、ストラップリング16の貫通孔26が
設けられたベイン14c側に片寄った位置でマイクロ波エ
ネルギ導出線27がストラップリング16にろう付接合され
た構成にある。

この構成によれば磁界変化により生じる電流総量に対し
て最も大きなウエイトを占める導出線27、ストラップリ
ング16、ベイン14b、陽極円筒内壁とがつくる領域を第
２図構成と比べて大きくでき領域内の磁界変化量の増大
分が他の領域での減少分よりも大きくでき電流総量の増
大すなわち効率をより高めることができる。

発明の効果 以上、本発明の構成によれば以下の効果を奏する。

（１）マイクロ波エネルギ導出線をベイン中央部に配設
したストラップリングに直接接続させた構成をとること
により出力効率を高効率にすることができる。

（２）ストラップリングを陽極円筒管軸方向におけるベ
イン略中央に配設することにより陰極部へのマイクロ波
エネルギ結合度を十分に低下させることができ陰極側か
らの不要輻射抑止機構を簡略化でき低コスト化がはかれ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示すマグネトロンの断面
図、第２図は同要部断面図、第３図は本発明の他の実施
例を示すマグネトロンの要部断面図、第４図〜第７図は
従来例を示すマグネトロンの断面図である。 1,13……陽極円筒、2,14,14a,14b,14c,14d……ベイン、
3,4,11,12,15,16……ストラップリング、8,17,27……マ
イクロ波エネルギ導出線（導出手段）、9,18……結合
孔。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】陽極円筒と、前記陽極円筒の内壁面から円
   筒中央に向って突出した複数ベインと、前記複数のベイ
   ンの前記陽極円筒管軸方向の略中央部に配されるととも
   に前記ベインと１個おきに接続される一対のストラップ
   リングと、前記ストラップリングに一端が接続されると
   ともに前記陽極円筒に配設された結合孔を貫通して延在
   するマイクロ波エネルギ導出手段とを備えたマグネトロ
   ン。