JPS62202443A - マグネトロン - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はマグネトロンに関するものであり、さらに詳細
に言えば陽極円筒内で発生するマイクロ波エネルギの導
出構造の改良に関する。

従来の技術 従来のマクネトロンのマイクロ波エネルギ導出構造例を
第４図〜第７図に示す。まず第４図、第５図を参照して
構造説明をする。第５図は第４図のＡ　−Ａ’断面図で
ある。図において、１は陽極円筒、２は陽極円筒内に所
定の間隔で配設されたベイン群である。ベイン２の陽極
円筒管軸方向に対する上下面にはベイン群と１個おきに
接続された一対のストラップリング３，４が配設されて
おり、このストラップリングにより安定なπモード動作
を実現している。相隣りあう２つのベインと陽極円筒内
壁で囲まれた小空胴５，６．７は夫々共振器であり、こ
の共振器で発振したマイクロ波エネルギをとりだすもの
として導出線８が小空胴の１つに設けられている。この
導出線８は一端がベインにろう付接合されており、小空
胴を形成する陽極円筒壁に設けられた結合孔９を貫通し
て他端が出力アンテナ部１０まで延在した構成である。

このような構造では、前述のようにベインの上下面に一
対のストラップリングを配するが故にベインの上下各面
はストラップリングを配設する為の所定の加工が施され
ている。そして一対のストラップリングは一方が正電位
の時他方は負電位となっている。このようなストラップ
リングの配役構成では、ベインの先端面が相対向する２
つのベイン（第４図に示される２つのベインが相当する
）を考えた時、各ベイン先端の電位に電位差を生じる。

このことは、相対向する２つのベイン先端間に電界が生
じることを意味する。従って一般に陽極円筒の中心部に
は陰極部が配設されることから、この陰極部にマイクロ
波エネルギが結合され陰極側からマイクロ波エネルギが
漏洩することになる。

この為陰極側には電波漏洩抑止性能を十分に高めたフィ
ルタ対策が不可欠であった。

この課題を解決するだめの方策としてストラップリング
をベイン上下方向の略中央部に配する構造が考えられて
いる。このような構造の従来例を第６図、第７図に示す
。図中、第４図、第５図と同一相当部材は同一番号で示
す。第７図は第６図のＢ−Ｂ’線断面図である。第４図
、第５図と異なる点は、ストラップリング１１．１２が
ベイン２の陽極円周１の管軸方向に対して略中央部に配
設され、各ベインと１個おきに接続された構成となって
いる。このような構造においてはベインの上下各面はフ
ラゾ１−な構成でよくかつ１つのベインに接続されるス
トラップリングは１種類である。

この構成において前述と同様に相対向する２つのベイン
先端の電位を測定した結果はぼ等電位であった。従って
相対向する２つのベイン間の電位差は無視できるレベル
であるため陰極部にマイクロ波エネルギが結合される絶
対量は、第４図、第５図構成と比較してはるかに少ない
。この為、陰極側の電波漏洩抑止対策機構の低コスト化
、簡略化が促進できる。

発明が解決しようとする問題点 ところで、以上に示した２つのストラップリング配設方
式において、マイクロ波エネルギ導出線８ば、その一端
をベインにろう付接合させる構成であるため小空胴６内
を交差する磁界のうち導出線８が接合されたベイン導出
線８とがつくる領域内の磁界変化による電流および導出
線８が接合きれたベインの電位変化によってマイクロ波
エネルギを導出する構成となっている。

この為、磁界変化による電流を大きくとるにはおのずと
限界がありマクネトロン出力効率を高効率にすることが
困難であった。

問題点を解決するだめの手段 上記問題点を解決するために本発明は、一対のストラッ
プリングをベインの陽極用向管軸方向における略中央部
に配設し、陽極円筒壁面に近い方のストラップリングに
マイクロ波エネルギ導出線を接合させた構成としている
。

作　　　用 上記構成をとることにより、導出線はストラップリング
を介して２つのベインと接合することになり出力効率を
高効率化きせる作用がある。

実施例 以下本発明を添付図面を参照して説明する。

第１図は本発明の一実施例を示すマグネトロンの構成図
、第２図は、第１図の要部断面図である。

図において１３は陽極円筒、１４は陽極円筒内に設けら
れたベイン群、１５．１６は一対のストラップリングで
ありベイン１４の陽極用向管軸方向における略中央部の
所定位置に配設されるとともにベインと１個おきに接続
されている。１７はマイクロ波エネルギ導出線であり一
端が陽極円筒壁面に近い方のストラップリング１６に接
続されており、陽極円筒壁面に設けられた結合孔１８を
貫通しアンテナ側管１９内を延在して他端に出力アンテ
ナ部２０が設けられている。２１．２２は陽極円筒の両
端に設けられたポールピース、２３は陽極円筒の一端を
封止するエンドキャップ、２４は陰極部（図示していな
い）の支持体を兼ね陽極円筒他端を封止するカソード支
持キャップである。

導出線１７は、ベインｔ　４　ｂ　、　１４　ｃ　オヨ
ヒ陽極円筒壁面とで囲まれる小空胴２５の略中央部を直
線的に延在配設されて一端がストラップリング１６にろ
う付接合されている。

上記構成をとることにより、導出線１７はストラップリ
ング１６ｆ：介して２つのベイン１４ｂ。

１４ｄと接続烙れており、両ベインの電位変化と、導出
線１７、ストラップリング１６、ベイン１４ｂ。

陽極円周内壁とがつくる領域内の磁界変化と、導出線１
７、ストラップリング１６、ベイン１４Ｃ１陽極円筒内
壁とがつくる領域内の磁界変化の一部およびストラップ
リング１６、ベイン１４Ｃ１陽極円筒内壁、ベイン１４
ｄとがつくる領域内の磁界変化がストラップリング１６
によりストラップリング貫通孔２６を介し導出線１７に
結合きれた磁界変化分を合算した磁界変化による電流に
よりマイクロ波エネＩレギを導出するものであり高効率
な高力特性が得られる。

第３図は本発明の他の実施例を示すマグネトロンの要部
断面図である。

第２図との相異点は、ストラップリング１６の貫通孔２
６が設けられたベイン１４　ｃ側に片寄った位置でマイ
クロ波エネルギ導出線２７がストラップリング１６にろ
う付接合された構成にある。

この構成によれば磁界変化により生じる電流総組に対し
て最も大きなウェイトを占める導出線２７、でき領域内
の磁界変化量の増大分が他の領域での減少分よりも大き
くで＠電流思量の増大すなわち効率をより高めることが
できる。

発明の効果 以上、本発明の構成によれば以下の効果を奏する。

（１）マイクロ波エネルギ導出線をベイン中央部に配設
した陽極円筒壁面に近い方のストラップリングに直接接
続させた構成をとることにより出力効率を高効率にする
ことができる。

（２ストラップリングを陽極円面管軸方向におけるベイ
ン略中央部に配設することにより陰極部へのマイクロ波
エネルギ結合度を十分に低下させることができ陰極側か
らの不要輻射抑止機構を簡略化でき低コスト化がはかれ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示すマグネトロンの断面図
、第２図は同要部断面図、第３図は本発明の他の実施例
を示すマグネトロンの要部断面図、第４図〜第７図は従
来例を示すマグネトロンの断面図である。 １．１３−・・・・・陽極円部、２，１４，１４ａ　、
１４ｂ。 １４ｃ、１４ｃｌ−−ベイン、３，４，１１．１２，１
５゜１６・・・・・・ストラップリング、８，１７．２
７・・・・・・マイクロ波エネルギ導出線、９，１８・
・・・・・結合孔。 代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　ほか１名ｊ３
−　陽極円筒 ／４．−−−へ゛イン 第１図 １３２図 第３図 第４図 第５図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 陽極円筒と、前記陽極円筒の内面から円筒中心に向って
   突出した複数のベインと、前記複数のベインの前記陽極
   円周管軸方向の略中央に配されるとともに前記ベインと
   １個おきに接続される一対のストラップリングと、前記
   陽極円筒内面に近い前記ストラップリングと接続される
   とともに前記陽極円筒に配設された結合孔を貫通して延
   在するマイクロ波エネルギ導出線とを備えたマグネトロ
   ン。