KR900002897B1 - 마그네트론 애노드 베인과 스트랩 결합구조 - Google Patents

Abstract

내용 없음.

Description

마그네트론 애노드 베인과 스트랩 결합구조

제 1 도는 베인과 스트랩이 결합된 종래 마그네트론의 정단면 구성도.

제 2 도는 상기 마그네트론의 평단면 구성도.

제 3 도 (a)(b)는 종래 스트랩의 또 다른 설치상태를 나타낸 베인의 정면도.

제 4 도 (a)(c)는 본 발명에 따라 스트랩의 결합상태를 나타낸 베일의 발췌 정면도.

제 5 도 (a)(b)는 본 발명에 따라 스트랩의 결합상태를 나타낸 마그네트론 평면 및 저면 개략도.

제 6 도는 본 발명에 따라 결합 설치된 스트랩의 설치상태 일부 발췌 사시도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

2 : 베인 21 : 삽입홈

3 : 상측 스트랩링 4 : 하측스트랩링

본 발명은 전자레인지용 마그네트론의 애노드베인과 스트랩의 결합구조에 관한 것으로, 특히 베인내에 더블 스트랩핑(Double-Strapping) 결합시 집중적으로 π모드를 발생시키는데 적합하도록 결합구조를 개선한 것이다.

전자레인지에 사용되는 마그네트론은 통상 도면 제1도에서와 같이, 열전자를 방출하는 필라멘트(5)와 자속을 집속시켜 주는 자극편(7) 및 방출된 열전자가 운동하는 작용공간(9), 전자의 운동에 의해 발생된 에너지를 받아주며 구조 자체에 의한 공진회로가 되는 애노드(1)과 베인(2') 그리고 공진모드를 단일화시켜 효율을 높여주는 1쌍의 스트랩핑(3')(4'), 전달된 에너지를 밖으로 출력시켜 주는 안테나(10)로서 몸체를 이루게 된다. 여기에서 L-C 공진회로를 이루는 애노드(1)내의 베인(Vane)과 스트랩링에서의 동작을 동작을 살펴보면, 마그네트론은 주로 π모드 진동을 이용하는데, 1쌍의 스트랩링을 사용하게 되어 더욱 안정된 π모드 공진을 얻을 수 있었다.

그런데, 종래에는 도면 제 2 도에서와 같이 서로 다른 직경체인 두개의 스트랩링(3')(4')을 이용하여 원호형으로 설치된 각 베인(2')의 홈내측과 외측에 삽입 설치하면서 π모드 진동시 등전위를 이루게 되는 한칸 건너 인접한 베인들을 묶어주므로서, 다른 모든 진행파의 발생을 억제하고 집중적으로 π모드를 발생시키게 되는 것이다.

그리고, 파장이 10cm이상이 되는 공진회로에서는 공진 주파수가 일정한 경우 정전용량이 크게 되면 모든 분리가 크게 일어나게 된다. 스트립링을 사용한 경우 내측 스트랩링(4')과 외측 스트랩링(3')사이의 정전용량 값과, 스트랩링(3')(4')고 베인(2') 사이의 정전 용량값이 전체 공진회로내의 정전용량 값에 더해지게 되므로 모든 분리가 더욱 크게 된다.

따라서, 상기와 같이 결합 설치된 더블스트랩링(3')(4')은 그 위치가 베인(2')의 끝부분에서 떨어진 외측스트랩링(3')을 아래위로 그 위치가 다르게 사용하고 있다. 또한, 상기 스트랩링(3')(4')은 π모드 진행파를 이루는 공진기들을 하나 걸러씩 등전위면을 형성시켜 주고 있다. 이때, 내.외측 스트랩링(3')(4')은 같은 작용을 하면서 전류의 변화가 가장 심한 베인끝부분에서의 거리의 차이가 있게 된다.

그러나, 상기 차에 의한 변화는 아래위의 스트랩을 번갈아 접합하여 극복하고 있다. 그런데, 상기와 같은 구성에 있어서는 내.외측 스트랩피의 제조 및 설치는 용이하나 그 효율 및 성능면에서는 상당히 떨어진다. 이것은, 전류의 변화가 가장 큰 베인(2)의 끝부분에서 외측 스트랩링(3')이 내측 스트랩링(4')보다 떨어져 있으므로, 내.외측 스트랩간의 전하량의 차이에 의해 정밀한 등전위 면을 형성시켜 줄 수가 없기 때문이다.

이러한 문제점을 보완하기 위한 방법으로 도면 제3도(a)(b)에서와 같이, 베인의 중앙부위 내측이나 선단부에 더블 스트랩을 상하 또는 나란하게 삽입 설치하도록 한 것이 있으나, 이는 그 구조상 제작 설치가 매우 어렵고 스트랩링이 열전자와 직접 충돌하게 되어 수명이 짧아지는 새로운 문제점이 있었다.

따라서, 본 발명은 상기와 같은 종래의 제반 문제점을 해결하기 위하여, 스트랩을 베인의 끝부분에 보내줌에 따라 그 성능 및 효율이 좋아져 아주 높은 출력을 내는 마그네트론에서도 안정된 모드의 출력을 낼 수 있음을 이용하여 스트랩을 베인의 홈내에 상하로 결합 설치한 것으로서, 이를 첨부된 도면을 따라 상세히 설명하면 다음과 같다.

즉, 애노드내에 원호형태로 고정 설치된 각각의 베인(2) 상,하측 설치홈(21)내에 1쌍의 스트랩링을 결합 설치함에 있어서, 도면 제4,5,6도에서와 같이 설치홈(21)을 베인(2)의 말단부측으로 인접형성하면서 그 내부에 1쌍의 스트랩링(3)(4)을 상하 위치로 설치하되 상기 스트랩링(3)(4)을 베인(2)의 설치홈(21) 내,외측벽에 각각 하나씩 걸러서 엇갈리게 접합시켜서 된 것이다. 그리고, 상측에 위치하는 스트랩링(3)도 하측 스트랩링(4)보다 직경을 상대적으로 약간 크게 해주면 용이하게 결합시킬 수 있다.

이상과 같이 구성된 본 발명은, 일반적으로 사용되고 있는 더블 스트랩핑(Double-Strapping)보다 더 안정된 모드의 동작을 하게 되는데, 이것은 상기 스트랩이 베인의 끝부분으로 더욱 가까이 인접 설치되어 있기 때문이다. 여기에서 안정된 모드를 취하게 되는 것을 우리가 취하고자 하는 π모드의 파장을 증가시켜서 모드의 분리를 더욱 크게 하면, 다른 모드들이 그와 반비례하여 나타날 수 있는 가능성을 배제하기 때문이다.

모드에서는 스트랩 캐패시턴스(Capacitance)가 그 시스템의 파장을 길게하여 주는데, 그 외의 모드들은 서로 개개의 스트랩 캐패시턴스(Capacitance)가 등위상이 아니어서 구의 내패시턴스에 큰 역할을 하지 못한다.

그래서, 스트랩핑의 정도(즉, 싱글 혹은 더불과, 베인 센터 또는 말단)는 변화하는 π모드 분리에 상당히 큰 역할을 하게 된다. 이렇게 하여 π모드만 분리되었을 경우 기본파이외의 발진은 어렵게 되는데, 이것은 기본파 출력이 상대적으로 증대됨을 의미한다. 즉, 마그네트론의 기본파 출력이 증대되는 것이므로 동일 입력에 대한 마그네트론의 효율이 증대됨과 동일한 의미를 갖는다.

상기와 같이 일반적으로 사용되는 더블 스트랩에서, 내측 스트랩의 위치에 상하 더블 형태로 위치하게 되므로서 더욱 안정된 π모드로 작용을 하게 되어 기본파출력 증대에 따른 마그네트론 효율이 증대되는 특출한 효과가 있는 것이다.

Claims (2)

1. 애노드내에 원호형태로 배열 형성된 다수개의 베인 상,하부 설치홈내에 각각 1쌍의 스트랩링을 결합 설치함에 있어서, 상기 상하부 설치홈(21)의 위치를 베인(2)의 말단부에 형성하고, 그 내부에 1쌍의 스트랩링(3)(4)을 상하 위치로 삽입 설치함과 동시, 상기 스트랩링(3)(4)을 설치홈(21) 내,외측벽에 각각 하나씩 엇갈리게 접합시킴을 특징으로 하는 마그네트론 애노드베인과 스트랩 결합 구조.
2. 제 1 항에 있어서, 상측 스트랩링(3)의 직경이 하측 스트랩링(4)보다 상대적으로 크게 형성됨을 특징으로 하는 마그네트론 애노드 베인과 스트랩 결합구조.

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