JPH0142492B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0142492B2 JPH0142492B2 JP56208468A JP20846881A JPH0142492B2 JP H0142492 B2 JPH0142492 B2 JP H0142492B2 JP 56208468 A JP56208468 A JP 56208468A JP 20846881 A JP20846881 A JP 20846881A JP H0142492 B2 JPH0142492 B2 JP H0142492B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transfer
- photoelectric conversion
- mask
- wafer
- optical system
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 67
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 36
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 25
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 18
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 30
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 101100269850 Caenorhabditis elegans mask-1 gene Proteins 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7069—Alignment mark illumination, e.g. darkfield, dual focus
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、半導体製造工程で使用する転写装置
に関するものである。
に関するものである。
［従来の技術］
半導体集積回路等を製造のための転写工程で
は、マスクのパターンをウエハーに転写する前
に、マスクとウエハーを正確に整合することが要
求される。
は、マスクのパターンをウエハーに転写する前
に、マスクとウエハーを正確に整合することが要
求される。
マスクとウエハーを整合するための方法として
は、例えば第１図ａに示すアライメントマーク１
をマスクに設け、第１図ｂに示すアライメントマ
ーク２をウエハーに設けると共に、アライメント
マーク１，２を第１図ｃに示すように、つまりア
ライメントマーク１の間にアライメントマーク２
が等間隔で位置するようにマスクとウエハーを相
対移動して、マスクとウエハーを整合する方法が
知られている。
は、例えば第１図ａに示すアライメントマーク１
をマスクに設け、第１図ｂに示すアライメントマ
ーク２をウエハーに設けると共に、アライメント
マーク１，２を第１図ｃに示すように、つまりア
ライメントマーク１の間にアライメントマーク２
が等間隔で位置するようにマスクとウエハーを相
対移動して、マスクとウエハーを整合する方法が
知られている。
［発明が解決しようとしている問題点］
しかしながら、従来のこのような方法では、転
写倍率や転写歪み等による転写誤差を補正するこ
とが困難である。
写倍率や転写歪み等による転写誤差を補正するこ
とが困難である。
本発明はこのような事情に鑑みなされたもの
で、本発明の目的は、転写光学系を有する転写装
置において、転写倍率を迅速に調整し、マスクの
パターンのとウエハーへの正確な転写を可能にす
る転写装置を提供することにある。
で、本発明の目的は、転写光学系を有する転写装
置において、転写倍率を迅速に調整し、マスクの
パターンのとウエハーへの正確な転写を可能にす
る転写装置を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、転写光学系を有す
る転写装置において、転写歪みを迅速に調整し、
マスクのパターンのウエハーへの正確な転写を可
能にする転写装置を提供することにある。
る転写装置において、転写歪みを迅速に調整し、
マスクのパターンのウエハーへの正確な転写を可
能にする転写装置を提供することにある。
［問題点を解決するための手段］
上述の目的を達成するための第１発明の要旨
は、転写光学系を有する転写装置において、マス
クとウエハーの間に介在する前記転写光学系を通
過した光を光電変換する光電変換手段と、該光電
変換手段の光電変換出力から求めた前記マスク側
の複数のマークと前記ウエハー側の複数のマーク
のそれぞれの整合ずれを所定の演算式を用いて求
める演算処理手段と、該演算処理手段の演算処理
結果に基づいて前記転写光学系の転写倍率を調整
する調整手段とを有することを特徴とする転写装
置である。
は、転写光学系を有する転写装置において、マス
クとウエハーの間に介在する前記転写光学系を通
過した光を光電変換する光電変換手段と、該光電
変換手段の光電変換出力から求めた前記マスク側
の複数のマークと前記ウエハー側の複数のマーク
のそれぞれの整合ずれを所定の演算式を用いて求
める演算処理手段と、該演算処理手段の演算処理
結果に基づいて前記転写光学系の転写倍率を調整
する調整手段とを有することを特徴とする転写装
置である。
また、第２発明の要旨は、転写光学系を有する
転写装置において、マスクとウエハーの間に介在
する前記転写光学系を通過した光を光電変換する
光電変換手段と、該光電変換手段の光電変換出力
から求めた前記マスク側の複数のマークと前記ウ
エハー側の複数のマークのそれぞれの整合ずれを
所定の演算式を用いて求める演算処理手段と、該
演算処理手段の演算処理結果に基づいて前記転写
光学系を移動することにより転写歪みを調整する
調整手段とを有することを特徴とする転写装置で
ある。
転写装置において、マスクとウエハーの間に介在
する前記転写光学系を通過した光を光電変換する
光電変換手段と、該光電変換手段の光電変換出力
から求めた前記マスク側の複数のマークと前記ウ
エハー側の複数のマークのそれぞれの整合ずれを
所定の演算式を用いて求める演算処理手段と、該
演算処理手段の演算処理結果に基づいて前記転写
光学系を移動することにより転写歪みを調整する
調整手段とを有することを特徴とする転写装置で
ある。
［実施例］
以下に、本発明を第２図以下に示す実施例に基
づいて詳細に説明する。
づいて詳細に説明する。
第２図は本発明に係る転写装置の光学的な構成
図であり、レーザ光源１０から発せられるレーザ
光ｌの光路に沿つて、順次にコンデンサレンズ１
１、光源を走査するためのポリゴン鏡１２、ｆ・
θ特性レンズ１３、ハーフミラー１４、対物レン
ズ１５、複数個所に正確なアライメントマーク１
を有する標準マスク１６、転写光学系１７、複数
個所に正確なアライメントマーク２を有する標準
ウエハー１８が配列されている。また、マスク１
６等からの反射光の一部はハーフミラー１４で側
方に反射され、この反射光の光路に沿つてコンデ
ンサレンズ１９、光電変換素子２０が配置され、
光電変換素子２０の出力により所定の演算式に基
づいて測定量を演算し制御信号を出力する演算処
理回路２１を介して、転写光学系１７の倍率調整
を実施する調整手段としての調整駆動機構２２に
接続されている。標準マスク１６と標準ウエハー
１８は、調整に際して転写装置に取り付けられる
ものであり、実際の転写時には他のマスク、ウエ
ハーに変換される。
図であり、レーザ光源１０から発せられるレーザ
光ｌの光路に沿つて、順次にコンデンサレンズ１
１、光源を走査するためのポリゴン鏡１２、ｆ・
θ特性レンズ１３、ハーフミラー１４、対物レン
ズ１５、複数個所に正確なアライメントマーク１
を有する標準マスク１６、転写光学系１７、複数
個所に正確なアライメントマーク２を有する標準
ウエハー１８が配列されている。また、マスク１
６等からの反射光の一部はハーフミラー１４で側
方に反射され、この反射光の光路に沿つてコンデ
ンサレンズ１９、光電変換素子２０が配置され、
光電変換素子２０の出力により所定の演算式に基
づいて測定量を演算し制御信号を出力する演算処
理回路２１を介して、転写光学系１７の倍率調整
を実施する調整手段としての調整駆動機構２２に
接続されている。標準マスク１６と標準ウエハー
１８は、調整に際して転写装置に取り付けられる
ものであり、実際の転写時には他のマスク、ウエ
ハーに変換される。
レーザ光源１０から発せられたレーザ光ｌはポ
リゴン鏡１２によつて走査され、ハーフミラー１
４を通過し標準マスク１６等に向かう。標準マス
ク１６のアライメントマーク１と標準ウエハー１
８のアライメントマーク２とは転写光学系１７を
介してレーザ光ｌによつて走査され、アライメン
トマーク１，２を走査したレーザ光ｌは再びハー
フミラー１４に達し、ここで一部は光電変換素子
２０の方向に反射される。このとき、標準マスク
１６のアライメントマーク１と標準ウエハー１８
のアライメントマーク２とは、例えば第３図ａに
示すように位置している。即ち、標準マスク１６
のアライメントマーク１ａ，１ｂの間に標準ウエ
ハー１８のアライメントマーク２ａが存在し、ア
ライメントマーク１ｃ，１ｄの間にアライメント
マーク２ｂが位置している。そして、レーザ光ｌ
は左から右に方向Ａに沿つて走査される。そし
て、光電変換素子２０は第３図ａのＡ上のレーザ
光ｌがアライメントマーク１，２と交差する個所
でパルス状の出力を検出し、第３図ｂに示すよう
な出力電圧波形が得られる。W1、W2、…、W5
はパルス信号の間隔であり、この時間々隔W1、
W2、…、W5を測定することにより整合ずれが求
められる。即ち、第３図ａのｘ方向のずれをΔx、
ｙ方向のずれをΔyとすると、 Δx＝（W1−W2＋W4−W5）／４ …(1) Δy＝（−W1＋W2＋W4−W5）／４ …(2) となる。整合された状態では、W1＝W2＝W4＝
W5であるから、Δx、Δyは共に零となる。
リゴン鏡１２によつて走査され、ハーフミラー１
４を通過し標準マスク１６等に向かう。標準マス
ク１６のアライメントマーク１と標準ウエハー１
８のアライメントマーク２とは転写光学系１７を
介してレーザ光ｌによつて走査され、アライメン
トマーク１，２を走査したレーザ光ｌは再びハー
フミラー１４に達し、ここで一部は光電変換素子
２０の方向に反射される。このとき、標準マスク
１６のアライメントマーク１と標準ウエハー１８
のアライメントマーク２とは、例えば第３図ａに
示すように位置している。即ち、標準マスク１６
のアライメントマーク１ａ，１ｂの間に標準ウエ
ハー１８のアライメントマーク２ａが存在し、ア
ライメントマーク１ｃ，１ｄの間にアライメント
マーク２ｂが位置している。そして、レーザ光ｌ
は左から右に方向Ａに沿つて走査される。そし
て、光電変換素子２０は第３図ａのＡ上のレーザ
光ｌがアライメントマーク１，２と交差する個所
でパルス状の出力を検出し、第３図ｂに示すよう
な出力電圧波形が得られる。W1、W2、…、W5
はパルス信号の間隔であり、この時間々隔W1、
W2、…、W5を測定することにより整合ずれが求
められる。即ち、第３図ａのｘ方向のずれをΔx、
ｙ方向のずれをΔyとすると、 Δx＝（W1−W2＋W4−W5）／４ …(1) Δy＝（−W1＋W2＋W4−W5）／４ …(2) となる。整合された状態では、W1＝W2＝W4＝
W5であるから、Δx、Δyは共に零となる。
第４図に示すような標準マスク１６、標準ウエ
ハー１８におけるｘ方向に距離Ｃだけ離れた２個
所のアライメントマーク１，２をそれぞれ測定
し、整合ずれ量を(1)、(2)式で求め、その量のR1
を（ΔXR1、ΔYR1）、L1を（ΔXL1、ΔYL1）と
すると、ｘ方向に関する倍率Mxは次式で与えら
れる。
ハー１８におけるｘ方向に距離Ｃだけ離れた２個
所のアライメントマーク１，２をそれぞれ測定
し、整合ずれ量を(1)、(2)式で求め、その量のR1
を（ΔXR1、ΔYR1）、L1を（ΔXL1、ΔYL1）と
すると、ｘ方向に関する倍率Mxは次式で与えら
れる。
Mx＝（１／Ｃ）・｛（Ｃ＋ΔXL1−ΔXR1）2＋（ΔYL1−
ΔYR1）2｝1/2…(3) また、ｙ方向に距離Ｄだけ離れた２個所のアラ
イメントマーク１，２を測定し、整合ずれ量R2
を（ΔXR2、ΔYR2）、L2を（ΔXL2、ΔYL2）と
すると、ｙ方向に関する倍率Myは次式となる。
ΔYR1）2｝1/2…(3) また、ｙ方向に距離Ｄだけ離れた２個所のアラ
イメントマーク１，２を測定し、整合ずれ量R2
を（ΔXR2、ΔYR2）、L2を（ΔXL2、ΔYL2）と
すると、ｙ方向に関する倍率Myは次式となる。
My＝（１／Ｄ）・｛（ΔXL1−ΔXL2）2＋（Ｄ＋ΔYL1−
ΔYL2）2｝1/2…(4) これらの演算は演算処理回路２１で行われ、(3)
式、(4)式で求めた倍率Mx、Myに基づいて調整
駆動機構２２により、転写光学系１７の倍率を自
動調整する。かくすることにより、倍率に伴う転
写誤差をなくすことが可能となるが、現実にはこ
れらの操作を数回試みて、確認をとりながら調整
を実施することが好適である。
ΔYL2）2｝1/2…(4) これらの演算は演算処理回路２１で行われ、(3)
式、(4)式で求めた倍率Mx、Myに基づいて調整
駆動機構２２により、転写光学系１７の倍率を自
動調整する。かくすることにより、倍率に伴う転
写誤差をなくすことが可能となるが、現実にはこ
れらの操作を数回試みて、確認をとりながら調整
を実施することが好適である。
次に第２の実施例を説明すると、第５図は転写
光学系として反射投影型を用いた転写装置の光学
的な構造図であり、第２図と同一の符号は同一の
部材を示している。標準マスク１６とウエハー１
８とはキヤリツジ３０により連結されており、こ
れらの間には転写光学系１７が介在されている。
この転写光学系１７は台形ミラー３１、凹面ミラ
ー３２、凸面ミラー３３から成り、転写歪を調整
する調整手段としての調整駆動機構３４により標
準マスク１６、標準ウエハー１８の面と平行に回
転し得るようになつている。台形ミラー３１の反
射面３１ａ，３１ｂに対向して凹面ミラー３２が
配置され、更に台形ミラー３１と凹面ミラー３２
との間には凸面ミラー３３が凹面ミラー３２側を
見るように配置されている。ｆ・θ特性レンズ１
３とハーフミラー１４との間には分割プリズム３
５が挿入され、レーザ光ｌを２分割してｘ方向に
距離Ｃだけ離れた２個所において、同時にアライ
メントマーク１，２の測定を行う。対物レンズ１
５、コンデンサレンズ１９、光電変換素子２０は
２系列設けられ、光電変換素子２０，２０の出力
は演算処理回路２１に送られ、更に演算処理回路
２１の出力は調整駆動機構３４及びキヤリツジ３
０を矢印Ｂ方向に移動するキヤリツジ駆動機構３
６に送信されている。
光学系として反射投影型を用いた転写装置の光学
的な構造図であり、第２図と同一の符号は同一の
部材を示している。標準マスク１６とウエハー１
８とはキヤリツジ３０により連結されており、こ
れらの間には転写光学系１７が介在されている。
この転写光学系１７は台形ミラー３１、凹面ミラ
ー３２、凸面ミラー３３から成り、転写歪を調整
する調整手段としての調整駆動機構３４により標
準マスク１６、標準ウエハー１８の面と平行に回
転し得るようになつている。台形ミラー３１の反
射面３１ａ，３１ｂに対向して凹面ミラー３２が
配置され、更に台形ミラー３１と凹面ミラー３２
との間には凸面ミラー３３が凹面ミラー３２側を
見るように配置されている。ｆ・θ特性レンズ１
３とハーフミラー１４との間には分割プリズム３
５が挿入され、レーザ光ｌを２分割してｘ方向に
距離Ｃだけ離れた２個所において、同時にアライ
メントマーク１，２の測定を行う。対物レンズ１
５、コンデンサレンズ１９、光電変換素子２０は
２系列設けられ、光電変換素子２０，２０の出力
は演算処理回路２１に送られ、更に演算処理回路
２１の出力は調整駆動機構３４及びキヤリツジ３
０を矢印Ｂ方向に移動するキヤリツジ駆動機構３
６に送信されている。
従つて、レーザ光源１０から発しポリゴン鏡１
２によつて走査され、分割プリズム３５で分割さ
れたレーザ光ｌのそれぞれは、ハーフミラー１
４、対物レンズ１５、標準マスク１６を経由して
台形ミラー３１の一方の反射面３１ａに入射して
凹面ミラー３２、凸面ミラー３３、凹面ミラー３
２、台形ミラー３１の他の反射面３１ｂと反射を
繰り返しながら進行し、標準ウエハー１８に到達
する。そして、標準マスク１６と標準ウエハー１
８のアライメントマーク１，２の情報を含んだレ
ーザ光ｌは元の光路を戻り、ハーフミラー１４に
より光電変換素子２０に送出される。この光路は
前述したように２系列存在し、２個の光電変換素
子２０，２０の出力が同時に演算処理回路２１に
入力することになる。
２によつて走査され、分割プリズム３５で分割さ
れたレーザ光ｌのそれぞれは、ハーフミラー１
４、対物レンズ１５、標準マスク１６を経由して
台形ミラー３１の一方の反射面３１ａに入射して
凹面ミラー３２、凸面ミラー３３、凹面ミラー３
２、台形ミラー３１の他の反射面３１ｂと反射を
繰り返しながら進行し、標準ウエハー１８に到達
する。そして、標準マスク１６と標準ウエハー１
８のアライメントマーク１，２の情報を含んだレ
ーザ光ｌは元の光路を戻り、ハーフミラー１４に
より光電変換素子２０に送出される。この光路は
前述したように２系列存在し、２個の光電変換素
子２０，２０の出力が同時に演算処理回路２１に
入力することになる。
第６図の例では転写光学系１７の水平面内の軸
x′、軸y′とキヤリツジ３０の走査方向Ｂである軸
ｙと軸ｘの関係を示している。この場合に転写光
学系１７の軸x′、軸y′と走査軸ｘ、ｙとのなす角
θによる像面歪が発生している。第６図におい
て、10mmおきに描かれている矢印３７は転写歪み
の方向と大きさを示している。このとき、第７図
ａに示すようなＬ字のパターン３８は、転写光学
系１７の像として、第７図ｂに示すようにウエハ
ー上で左右に像反転をし、なおかつｙ軸方向に2θ
だけ傾くことになる。
x′、軸y′とキヤリツジ３０の走査方向Ｂである軸
ｙと軸ｘの関係を示している。この場合に転写光
学系１７の軸x′、軸y′と走査軸ｘ、ｙとのなす角
θによる像面歪が発生している。第６図におい
て、10mmおきに描かれている矢印３７は転写歪み
の方向と大きさを示している。このとき、第７図
ａに示すようなＬ字のパターン３８は、転写光学
系１７の像として、第７図ｂに示すようにウエハ
ー上で左右に像反転をし、なおかつｙ軸方向に2θ
だけ傾くことになる。
ｘ方向の２組のアライメントマーク１，２が２
個の対物レンズ１５の光軸に位置するようにする
と、光電変換素子２０，２０と演算処理回路２１
とによつて整合状態が検出され、左側の整合ずれ
量ΔXL1、ΔYL1、右側のずれ量ΔXR1、ΔYR1が
求められる。続いて、演算処理回路２１の指令に
よりキヤリツジ駆動機構３６を介してキヤリツジ
３０を矢印Ｂ方向に距離Ｄだけ移動し、別のアラ
イメントマーク１，２の整合状態を測定し、同様
にそのずれ量ΔXL2、ΔYL2、ΔXR2、ΔYR2を得
る。ここで、標準マスク１６、標準ウエハー１８
のｘ方向に距離Ｃだけ離れたアライメントマーク
１，２の上下間のずれ角θyは近似的に次式で表
される。
個の対物レンズ１５の光軸に位置するようにする
と、光電変換素子２０，２０と演算処理回路２１
とによつて整合状態が検出され、左側の整合ずれ
量ΔXL1、ΔYL1、右側のずれ量ΔXR1、ΔYR1が
求められる。続いて、演算処理回路２１の指令に
よりキヤリツジ駆動機構３６を介してキヤリツジ
３０を矢印Ｂ方向に距離Ｄだけ移動し、別のアラ
イメントマーク１，２の整合状態を測定し、同様
にそのずれ量ΔXL2、ΔYL2、ΔXR2、ΔYR2を得
る。ここで、標準マスク１６、標準ウエハー１８
のｘ方向に距離Ｃだけ離れたアライメントマーク
１，２の上下間のずれ角θyは近似的に次式で表
される。
θy＝（１／2D）・（ΔXR1＋ΔXL1−ΔYR2−ΔYL2）…(
6) これらの計算は演算処理回路２１でなされ、こ
のずれ角を減少するように調整駆動機構３４を介
して転写光学系１７を回動し、転写歪み誤差を解
消することができる。この駆動すべき角度は θ＝（θy−θx）／２ …(7) であり、θxはミスアライメントで光軸と走査軸
が水平面内で平行になつていない成分である。
6) これらの計算は演算処理回路２１でなされ、こ
のずれ角を減少するように調整駆動機構３４を介
して転写光学系１７を回動し、転写歪み誤差を解
消することができる。この駆動すべき角度は θ＝（θy−θx）／２ …(7) であり、θxはミスアライメントで光軸と走査軸
が水平面内で平行になつていない成分である。
［発明の効果］
以上説明したように本発明に係る転写装置は、
マスク側の複数のマークとウエハー側の複数のマ
ークの整合ずれを所定の演算式で処理し、この処
理結果に基づいて転写光学系の転写倍率を調整、
又は転写光学系を移動して転写歪みを調整するよ
うにしているので、転写倍率誤差や転写歪み誤差
がある場合にもマスクとウエハーを正確に整合で
き、その整合動作を迅速に行うことができる。
マスク側の複数のマークとウエハー側の複数のマ
ークの整合ずれを所定の演算式で処理し、この処
理結果に基づいて転写光学系の転写倍率を調整、
又は転写光学系を移動して転写歪みを調整するよ
うにしているので、転写倍率誤差や転写歪み誤差
がある場合にもマスクとウエハーを正確に整合で
き、その整合動作を迅速に行うことができる。
図面第１図ａ，ｂ，ｃはマスクとウエハーの整
合状態を説明するための説明図、第２図以下は本
発明に係る転写装置の実施例を示し、第２図及び
第５図は光学的構成図、第３図はアライメントマ
ークに対する光電変換素子の出力特性図、第４図
はマスクとウエハーのアライメントマークの整合
状態を示す平面図、第６図及び第７図は転写歪の
説明図である。 符号１，２はアライメントマーク、Ａはレーザ
走査方向、１０はレーザ光源、１１はコンデンサ
レンズ、１２はポリゴン鏡、１３はｆ・θレン
ズ、１４はハーフミラー、１６は標準マスク、１
７は転写光学系、１８は標準ウエハー、２０は光
電変換素子、２１は演算処理回路、２２，３４，
３６は駆動機構、３０はキヤリツジ、３１は台形
ミラー、３２は凹面ミラー、３３は凸面ミラー、
３５は分割プリズムである。
合状態を説明するための説明図、第２図以下は本
発明に係る転写装置の実施例を示し、第２図及び
第５図は光学的構成図、第３図はアライメントマ
ークに対する光電変換素子の出力特性図、第４図
はマスクとウエハーのアライメントマークの整合
状態を示す平面図、第６図及び第７図は転写歪の
説明図である。 符号１，２はアライメントマーク、Ａはレーザ
走査方向、１０はレーザ光源、１１はコンデンサ
レンズ、１２はポリゴン鏡、１３はｆ・θレン
ズ、１４はハーフミラー、１６は標準マスク、１
７は転写光学系、１８は標準ウエハー、２０は光
電変換素子、２１は演算処理回路、２２，３４，
３６は駆動機構、３０はキヤリツジ、３１は台形
ミラー、３２は凹面ミラー、３３は凸面ミラー、
３５は分割プリズムである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 転写光学系を有する転写装置において、マス
クとウエハーの間に介在する前記転写光学系を通
過した光を光電変換する光電変換手段と、該光電
変換手段の光電変換出力から求めた前記マスク側
の複数のマークと前記ウエハー側の複数のマーク
のそれぞれの整合ずれを所定の演算式を用いて求
める演算処理手段と、該演算処理手段の演算処理
結果に基づいて前記転写光学系の転写倍率を調整
する調整手段とを有することを特徴とする転写装
置。 ２ 転写光学系を有する転写装置において、マス
クとウエハーの間に介在する前記転写光学系を通
過した光を光電変換する光電変換手段と、該光電
変換手段の光電変換出力から求めた前記マスク側
の複数のマークと前記ウエハー側の複数のマーク
のそれぞれの整合ずれを所定の演算式を用いて求
める演算処理手段と、該演算処理手段の演算処理
結果に基づいて前記転写光学系を移動することに
より転写歪みを調整する調整手段とを有すること
を特徴とする転写装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56208468A JPS58108745A (ja) | 1981-12-23 | 1981-12-23 | 転写装置 |
| US06/450,349 US4538914A (en) | 1981-12-23 | 1982-12-16 | Transfer apparatus for compensating for a transfer error |
| GB08236420A GB2124397B (en) | 1981-12-23 | 1982-12-22 | Optical projection |
| DE3247560A DE3247560C2 (de) | 1981-12-23 | 1982-12-22 | Verfahren zur Einstellung einer Abtastungsbelichtungsvorrichtung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56208468A JPS58108745A (ja) | 1981-12-23 | 1981-12-23 | 転写装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2209592A Division JPH03101215A (ja) | 1990-08-07 | 1990-08-07 | 転写誤差調整方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58108745A JPS58108745A (ja) | 1983-06-28 |
| JPH0142492B2 true JPH0142492B2 (ja) | 1989-09-13 |
Family
ID=16556675
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56208468A Granted JPS58108745A (ja) | 1981-12-23 | 1981-12-23 | 転写装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4538914A (ja) |
| JP (1) | JPS58108745A (ja) |
| DE (1) | DE3247560C2 (ja) |
| GB (1) | GB2124397B (ja) |
Families Citing this family (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59144127A (ja) * | 1983-02-07 | 1984-08-18 | Canon Inc | 像調整された光学装置 |
| JPS60140826A (ja) * | 1983-12-28 | 1985-07-25 | Canon Inc | 露光装置 |
| JPS60163110A (ja) * | 1984-02-06 | 1985-08-26 | Canon Inc | 位置合わせ装置 |
| US4811055A (en) * | 1984-02-27 | 1989-03-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Projection exposure apparatus |
| JPS618922A (ja) * | 1984-06-25 | 1986-01-16 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 投影光学装置 |
| JPS6147633A (ja) * | 1984-08-13 | 1986-03-08 | Canon Inc | 投影露光装置及びこの装置における位置合わせ方法 |
| JPS6155710A (ja) * | 1984-08-27 | 1986-03-20 | Sharp Corp | アライメント方法 |
| JPS61117551A (ja) * | 1984-11-13 | 1986-06-04 | Ushio Inc | 露光装置 |
| JPS61222128A (ja) * | 1985-03-27 | 1986-10-02 | Fujitsu Ltd | 投影露光方法 |
| JPS6218715A (ja) * | 1985-07-18 | 1987-01-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 反射型投影露光機 |
| JPH0627904B2 (ja) * | 1986-02-06 | 1994-04-13 | 旭光学工業株式会社 | レーザービームの走査光学系 |
| JPS62232924A (ja) * | 1986-04-03 | 1987-10-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 反射型投影露光機のアライメント光学装置 |
| JPH0787175B2 (ja) * | 1986-09-19 | 1995-09-20 | キヤノン株式会社 | 露光方法 |
| JPS63128713A (ja) * | 1986-11-19 | 1988-06-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 走査型露光装置のデイスト−シヨン補正方法 |
| US4772123A (en) * | 1986-11-24 | 1988-09-20 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories | Alignment of optical components |
| US4999277A (en) * | 1988-02-22 | 1991-03-12 | Trw Inc. | Production of precision patterns on curved surfaces |
| DE3910048A1 (de) * | 1989-03-28 | 1990-08-30 | Heidelberg Instr Gmbh Laser Un | Verfahren zur herstellung oder inspektion von mikrostrukturen auf grossflaechigen substraten |
| EP0420574A3 (en) * | 1989-09-26 | 1992-04-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Alignment system |
| KR940000910B1 (ko) * | 1991-04-12 | 1994-02-04 | 금성일렉트론 주식회사 | 반도체 칩의 얼라인먼트 방법 및 레이저 리페이어용 타겟이 형성된 반도체 칩 |
| US5206515A (en) * | 1991-08-29 | 1993-04-27 | Elliott David J | Deep ultraviolet photolithography and microfabrication |
| US5317338A (en) * | 1991-10-29 | 1994-05-31 | International Business Machines Corporation | Visual measurement technique and test pattern for aperture offsets in photoplotters |
| JP3210145B2 (ja) | 1993-07-14 | 2001-09-17 | キヤノン株式会社 | 走査型露光装置及び該装置を用いてデバイスを製造する方法 |
| JP3101473B2 (ja) * | 1993-11-05 | 2000-10-23 | キヤノン株式会社 | 露光方法及び該露光方法を用いるデバイス製造方法 |
| JP2653356B2 (ja) * | 1996-01-29 | 1997-09-17 | 株式会社日立製作所 | 投影露光方法 |
| US7791727B2 (en) | 2004-08-16 | 2010-09-07 | Asml Netherlands B.V. | Method and apparatus for angular-resolved spectroscopic lithography characterization |
| US20080144036A1 (en) | 2006-12-19 | 2008-06-19 | Asml Netherlands B.V. | Method of measurement, an inspection apparatus and a lithographic apparatus |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4922587A (ja) * | 1972-06-26 | 1974-02-28 | ||
| JPS53132270A (en) * | 1977-04-20 | 1978-11-17 | Thomson Csf | Optical device for projecting pattern |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4011011A (en) * | 1973-03-09 | 1977-03-08 | The Perkin-Elmer Corporation | Optical projection apparatus |
| FR2270616B1 (ja) * | 1974-05-10 | 1978-06-02 | Commissariat Energie Atomique | |
| US3989385A (en) * | 1974-09-16 | 1976-11-02 | International Business Machines Corporation | Part locating, mask alignment and mask alignment verification system |
| DE2633297A1 (de) * | 1976-07-23 | 1978-01-26 | Siemens Ag | Verfahren zur automatischen justierung |
| JPS5839463Y2 (ja) * | 1976-12-14 | 1983-09-06 | 富士通株式会社 | 転写装置 |
| JPS5952535B2 (ja) * | 1977-01-21 | 1984-12-20 | キヤノン株式会社 | 光学装置 |
| US4123150A (en) * | 1977-04-21 | 1978-10-31 | United Technologies Corporation | Stable resonators for radial flow lasers |
| JPS54114182A (en) * | 1978-02-27 | 1979-09-06 | Canon Inc | Alingment device |
| DE2905636C2 (de) * | 1979-02-14 | 1985-06-20 | Censor Patent- Und Versuchs-Anstalt, Vaduz | Verfahren zum Kopieren von Masken auf ein Werkstück |
| JPS55149929A (en) * | 1979-05-10 | 1980-11-21 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Positioning method of projected image in projection enlarger |
| US4232969A (en) * | 1979-05-30 | 1980-11-11 | International Business Machines Corporation | Projection optical system for aligning an image on a surface |
| JPS55162227A (en) * | 1979-06-04 | 1980-12-17 | Hitachi Ltd | Microprojection exposure device |
| DD144690A1 (de) * | 1979-07-02 | 1980-10-29 | Rainer Dastis | Einrichtung zur kompensation der chromatischen laengsabweichung eines projektionsobjektives |
| US4348750A (en) * | 1979-08-06 | 1982-09-07 | Schwind David R | Energy control device |
| FR2472209A1 (fr) * | 1979-12-18 | 1981-06-26 | Thomson Csf | Systeme optique d'alignement automatique de deux motifs comportant des reperes s'alignement du type reseaux, notamment en photo-repetition directe sur silicium |
| US4316668A (en) * | 1980-11-03 | 1982-02-23 | Xerox Corporation | Image reduction servo system |
-
1981
- 1981-12-23 JP JP56208468A patent/JPS58108745A/ja active Granted
-
1982
- 1982-12-16 US US06/450,349 patent/US4538914A/en not_active Expired - Lifetime
- 1982-12-22 DE DE3247560A patent/DE3247560C2/de not_active Expired - Lifetime
- 1982-12-22 GB GB08236420A patent/GB2124397B/en not_active Expired
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4922587A (ja) * | 1972-06-26 | 1974-02-28 | ||
| JPS53132270A (en) * | 1977-04-20 | 1978-11-17 | Thomson Csf | Optical device for projecting pattern |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2124397B (en) | 1986-06-11 |
| DE3247560A1 (de) | 1983-06-30 |
| US4538914A (en) | 1985-09-03 |
| JPS58108745A (ja) | 1983-06-28 |
| DE3247560C2 (de) | 1996-06-27 |
| GB2124397A (en) | 1984-02-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0142492B2 (ja) | ||
| JP3109852B2 (ja) | 投影露光装置 | |
| JP3181050B2 (ja) | 投影露光方法およびその装置 | |
| WO2017167258A1 (zh) | 一种投影曝光装置及方法 | |
| JPH0122977B2 (ja) | ||
| JPH06232027A (ja) | 投影露光装置 | |
| JP3451606B2 (ja) | 投影露光装置 | |
| JP2567811B2 (ja) | 走査型露光装置 | |
| JPH0519298B2 (ja) | ||
| JP2868548B2 (ja) | アライメント装置 | |
| JPH01194322A (ja) | 半導体焼付装置 | |
| JP2587292B2 (ja) | 投影露光装置 | |
| JPH08162393A (ja) | 位置合わせ装置 | |
| JP2567811C (ja) | ||
| JP2621179B2 (ja) | アライメント方法 | |
| JP2829649B2 (ja) | アライメント装置 | |
| JP2000106345A (ja) | 露光装置及びその露光装置により製造されたデバイス、並びに露光方法及びその露光方法を用いたデバイス製造方法 | |
| JPH01286420A (ja) | ステージ位置制御装置 | |
| JPH0430175B2 (ja) | ||
| JPH0547635A (ja) | 投影露光装置 | |
| JPH06151277A (ja) | 露光装置 | |
| JPH0346219A (ja) | 露光装置 | |
| JPS62235732A (ja) | 露光装置 | |
| JPS61108133A (ja) | 位置合せ装置の光走査光学系オフセツト補正方法 | |
| JP2000150369A (ja) | 露光装置及びその露光装置により製造されたデバイス、並びに露光方法及びその露光方法を用いたデバイス製造方法 |