DE3247560C2 - Verfahren zur Einstellung einer Abtastungsbelichtungsvorrichtung - Google Patents
Verfahren zur Einstellung einer AbtastungsbelichtungsvorrichtungInfo
- Publication number
- DE3247560C2 DE3247560C2 DE3247560A DE3247560A DE3247560C2 DE 3247560 C2 DE3247560 C2 DE 3247560C2 DE 3247560 A DE3247560 A DE 3247560A DE 3247560 A DE3247560 A DE 3247560A DE 3247560 C2 DE3247560 C2 DE 3247560C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- alignment marks
- transmission system
- optical transmission
- mask
- marks
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 10
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 31
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 24
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 24
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 12
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7069—Alignment mark illumination, e.g. darkfield, dual focus
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Einstellung
einer Abtastungsbelichtungsvorrichtung.
Bei der Herstellung von Halbleitern wie integrierten
Schaltungen ist das Übertragen eines Maskenbildmusters
auf ein Halbleiterplättchen erforderlich; als Markierungen
für das Ausrichten einer Maske und eines Halbleiterplättchens
für die Übertragung werden Masken-Richtmarkierungen
1 gemäß der Darstellung in Fig. 1A der Zeichnung
sowie Halbleiterplättchen-Richtmarkierungen 2 gemäß
der Darstellung in Fig. 1B der Zeichnung verwendet. Die
Masken-Richtmarkierungen 1 und die Halbleiterplättchen-Richtmarkierungen
2 werden gemäß der Darstellung in Fig. 1C
ausgerichtet. Das heißt, diese Richtmarkierungen bzw. Ausrichtmarkierungen müssen
so ausgerichtet werden, daß die Halbleiterplättchen-Ausrichtmarkierungen
2 unter gleichen Abständen zwischen
den Ausrichtmarkierungen 1 liegen. Diese Überdeckung bzw.
Ausrichtung muß äußerst genau sein, damit Übertragungsverformungen
auf der ganzen Fläche des Halbleiterplättchens
verringert werden; daher ist die Einstellung der
Übertragungseinrichtung bzw. Abtastungsbelichtungsvorrichtung außerordentlich schwierig.
Wenn ferner eine Übertragungsverformung dem optischen
Projektionssystem bzw. Übertragungssystem für die Übertragung zuzuschreiben ist,
werden durch die Übertragungsverformung die Eigenschaften
der Produkte beeinträchtigt, so daß daher unbrauchbare
Produkte in großen Mengen hergestellt werden.
Aus der US-A-4 011 011 ist ein optisches Projektionsgerät zur
Verwendung bei der Belichtung von Halbleiterplättchen mit
Maskenbildmustern bekannt.
Bei diesem Gerät sind eine Lichtquelle und ein Abbildungssystem
relativ zu einem eine Maske und Halbleiterplättchen
tragenden Apparatetisch beweglich, wobei diese Relativbewegung
durch einen Bediener vorgenommen wird, der die gegenseitige
Ausrichtung von auf der Maske und dem Halbleiterplättchen
ausgebildeten Ausrichtmarkierungen durch ein Okular
beobachtet und entsprechend einstellt.
Bei einem derartigen Vorgehen bei der Einstellung einer
Abtastungsbelichtungsvorrichtung hängt die erzielte Ausrichtungsgenauigkeit
stark vom Erfahrungsgrad des Bedieners
ab. Zudem erfordert ein solches manuelles Einstellen der
Vorrichtung eine ziemlich lange Einstellzeit.
Es ist daher Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren
zur Einstellung einer Abtastungsbelichtungsvorrichtung zu
schaffen, mit dem bedienerunabhängig eine hohe Ausrichtungsgenauigkeit
schnell erzielt werden kann.
Diese Aufgabe wird durch das Verfahren zur Einstellung einer
Abtastungsbelichtungsvorrichtung gemäß Patentanspruch 1 gelöst.
Dadurch ist es möglich, schnell eine hohe Ausrichtungsgenauigkeit
zu erzielen, den Durchsatz im Fertigungsprozeß zu
erhöhen, und somit preiswertere Produkte herzustellen.
Die Erfindung ist nachstehend anhand eines Ausführungsbeispiels
unter Bezugnahme auf die Zeichnung näher erläutert.
Fig. 1A zeigt bekannte Richtmarkierungen, die auf einer
Maske ausgebildet sind.
Fig. 1B zeigt bekannte Richtmarkierungen, die auf einem
Halbleiterplättchen ausgebildet sind.
Fig. 1C zeigt die Richtmarkierungen bei deren Ausrichtung.
Fig. 2 zeigt ein bestimmtes Lageverhältnis zwischen
zwei Richtmarkierungen während eines Ausrichtvorgangs
sowie ein dementsprechendes elektrisches
Ausgangssignal.
Fig. 3 zeigt die Beziehungen zwischen Richtmarkierungen
bei der gegenseitigen Überdeckung einer Normal-Maske
und eines Normal-Halbleiterplättchens.
Fig. 4 ist eine schematische Darstellung, die als
Ausführungsbeispiel der Abtastungsbelichtungsvorrichtung
eine Kombination aus einem optischen System
und einem Kompensationssystem zeigt.
Fig. 5 veranschaulicht einen Übertragungsfehler.
Fig. 6A zeigt ein Bildmuster an einer Maske.
Fig. 6B zeigt eine Abbildung des Bildmusters, die einen
Übertragungsfehler enthält.
Es wird nun ein Ausführungsbeispiel der Abtastungsbelichtungsvorrichtung
beschrieben. Die Fig. 4 zeigt die optische
Anordnung der Abtastungsbelichtungsvorrichtung, bei der als
optisches Übertragungssystem ein Spiegelprojektionssystem
eingesetzt ist. Eine Normal-Maske 16 und ein Normal-Halbleiterplättchen
18 sind miteinander über einen Träger 30 verbunden,
wobei das optische Übertragungssystem zwischengesetzt
ist.
Die Normal-Maske 16 und das Normal-Halbleiterplättchen 18
werden zur Einstellung an der Übertragungseinrichtung
angebracht und zur tatsächlichen Übertragung durch eine
andere Maske bzw. ein anderes Halbleiterplättchen ersetzt.
Das optische Übertragungssystem 17 weist einen Trapezoidspiegel
31, einen Konkavspiegel 32 und einen Konvexspiegel
33 auf und ist parallel zu den Flächen der Normal-Maske
16 und des Normal-Halbleiterplättchens 18 mittels
eines Spiegelstellmechanismus 34 drehbar. Der Konkavspiegel
32 ist Spiegelflächen 31a und 31b des Trapezoidspiegels
31 gegenübergesetzt, während der Konvexspiegel
33 so zwischen den Trapezoidspiegel 31 und den Konkavspiegel
36 gesetzt ist, daß er zu dem Konkavspiegel
32 hin gewandt ist. Das von einer Laserlichtquelle 10 abgegebene
Laserlicht l tritt durch eine Sammellinse 11 hindurch und wird mittels eines Polygonalspiegels
12 abgelenkt, wonach zwischen eine f-Θ-Linse 13 und einen
Halbspiegel 14 ein Teilungsprisma 35 für das Zweiteilen
des Laserlichts l eingesetzt ist, wodurch Messungen an
den Ausrichtmarkierungen 1 und 2 gleichzeitig an zwei voneinander
um eine Strecke C in Abstand stehenden Stellen
herbeigeführt werden. Ein Objektiv 15, eine Sammellinse
19 und ein fotoelektrisches Wandlerelement 20 sind paarweise
vorgesehen, wobei die Ausgangssignale der beiden
fotoelektrischen Wandlerelemente 20 einer Verarbeitungsschaltung
bzw. Rechenschaltung 21 zugeführt werden, deren Ausgangssignal dem
Spiegelstellmechanismus bzw. Spiegelkippmechanismus 34
sowie einem Trägerstellmechanismus 36 zum Bewegen des
Trägers 30 in der Richtung eines Pfeils B zugeführt wird.
Folglich trifft ein Lichtstrahlenbündel des durch das
Teilungsprisma 35 aufgeteilten Laserlichts l über den
Halbspiegel 14, das Objektiv 15 und die Normal-Maske
16 auf die eine Spiegelfläche 31a des Trapezoidspiegels
31, wonach es unter aufeinanderfolgendem Reflektieren
durch den Konkavspiegel 32, den Konkavspiegel 33, den
Konkavspiegel 32 und die andere Spiegelfläche 31b des
Trapezoidspiegels 31 zu dem Normal-Halbleiterplättchen
18 gelangt. Das Laserlicht l, das die Information bezüglich
der Ausrichtmarkierungen 1 und 2 der Normal-Maske 16
und des Normal-Halbleiterplättchens 18 enthält, kehrt
längs seines ursprünglichen Lichtwegs zurück und wird
mittels des Halbspiegels 14 dem fotoelektrischen Wandlerelement
20 zugeführt. Dieser Lichtweg liegt gemäß den
vorangehenden Ausführungen paarweise bzw. doppelt vor,
so daß daher an die Rechenschaltung 21
gleichzeitig die Ausgangssignale von zwei fotoelektrischen
Wandlerelementen 20 angelegt werden.
Das von der Laserlichtquelle 10 abgegebene Laserlicht
l wird von dem Polygonalspiegel 12 abgelenkt, tritt durch
den Halbspiegel 14 hindurch und gelangt zu der Normal-Maske
16 usw. Mit dem Laserlicht l werden die Ausrichtmarkierungen
1 der Normal-Maske 16 und über das optische
Übertragungssystem 17 die Ausrichtmarkierungen
2 des Normal-Halbleiterplättchens 18 abgetastet
bzw. überstrichen, wonach das Licht wieder den Halbspiegel
14 erreicht, an dem ein Teil des Lichts zu dem fotoelektrischen
Wandlerelement 20 hin reflektiert wird.
Dabei werden die Ausrichtmarkierungen 1 der Normal-Maske
16 und die Ausrichtmarkierungen 2 des Normal-Halbleiterplättchens
18 miteinander gemäß der Darstellung in Fig. 2(a)
überlagert. Zwischen Ausrichtmarkierungen 1a und 1b
der Normal-Maske 16 liegen Ausrichtmarkierungen 2a des Normal-Halbleiterplättchens
18, während zwischen Ausrichtmarkierungen
1c und 1d Ausrichtmarkierungen 2b liegen; das
Laserlicht l überstreicht die Ausrichtmarkierungen von links
nach rechts in einer Abtastrichtung A. Das fotoelektrische
Wandlerelement 20 gibt an den Stellen, an denen
das Laserlicht l nach Fig. 2(a) die Richtmarkierungen
1 und 2 schneidet bzw. überstreicht, impulsartige Ausgangssignale
ab, so daß eine Ausgangsspannungs-Kurvenform
gemäß der Darstellung in der Fig. 2(b) erzielt wird.
W₁, W₂, . . . , W₅ sind Zeitabstände zwischen Impulssignalen,
durch deren Messung eine Ausrichtungs-Abweichung
ermittelt werden kann. Falls nämlich nach Fig. 2(a) eine
Abweichung in der x-Richtung gleich Δx ist, und eine
Abweichung in der y-Richtung gleich Δy ist, so gilt
Δx = (W₁ - W₂ + W₄ - W₅)/4 (1)
Δy = (-W₁ + W₂ + W₄ - W₅)/4 (2)
Im ausgerichteten Zustand gilt W₁ = W₂ = W₄ = W₅, so
daß daher beide Abweichungen Δx und Δy gleich 0 sind.
Die Fig. 5 zeigt die Zusammenhänge zwischen Achsen x′
und y′ des optischen Übertragungssystems 17 in der Horizontalebene
und der Abtast- bzw. Bewegungsrichtung B
des Trägers 30, nämlich einer Achse y sowie einer Achse
x. In diesem Fall entsteht als Ergebnis der Bildumkehrung
durch das optische Übertragungssystem 17 sowie einer dabei
hervorgerufenen Bildebenenverzeichnung zwischen den Achsen
x′ und y′ des optischen Übertragungssystems 17 und
den Abtastungs-Achsen x und y ein Winkel bzw. Fehlerdrehwinkel von 2Θ. In
Abständen von 10 mm in Fig. 5 gezeigte Pfeile 37 geben
die Richtung und die Größe der Übertragungsverformung
an. Dabei wird ein L-förmiges Muster 38 gemäß der Darstellung
in Fig. 6A als Bild des optischen Übertragungssystems
17 auf dem Halbleiterplättchen unter Vertauschung
von links und rechts umgekehrt gemäß der Darstellung
in der Fig. 6B abgebildet, wobei ferner die Achse y um
2Θ geneigt ist.
Falls die Anordnung so getroffen ist, daß gemäß der Darstellung in Fig. 3 zwei Sätze
von Ausrichtmarkierungen 1 und 2 in der x-Richtung auf den
optischen Achsen der beiden Objektive 15 angeordnet sind,
wird der Ausrichtungszustand mittels der fotoelektrischen
Wandlerelemente 20 und der Rechenschaltung
21 erfaßt, wobei die Größen ΔxL₁ und ΔyL₁ der linksseitigen
Ausrichtungsabweichung und die Größen ΔxR₁ und
ΔyR₁ der rechtsseitigen Ausrichtungsabweichung ermittelt
werden können. Darauffolgend wird durch einen Befehl
der Rechenschaltung 21 über den Trägerstellmechanismus
36 der Träger 30 um die Strecke D in der
Richtung x′ gemäß dem Pfeil B versetzt und der Ausrichtungszustand
anderer Ausrichtmarkierungen 1 und 2 gemessen,
um auf gleichartige Weise die Abweichungsgrößen ΔxL₂,
ΔyL₂, ΔxR₂ und ΔyR₂ zu ermitteln. Ein Horizontalabweichungswinkel
Θx der von einander in dem Abstand C
in der x-Richtung entfernten Ausrichtmarkierungen 1 und
2 der Normal-Maske 16 bzw. des Normal-Halbleiterplättchens
18 kann annähernd durch die folgende Gleichung
ausgedrückt werden:
Θx = (1/2C) (ΔyL₁ - ΔyR₁ + ΔyL₂ - ΔyR₂) (3)
während ein Vertikalabweichungswinkel Θy der jeweils
um die Strecke D in der y-Richtung in Abstand stehenden
Richtmarkierungen 1 und 2 annähernd durch die folgende
Gleichung gegeben ist:
Θy = (1/2D) (ΔxR₁ + ΔxL₁ - ΔxR₂ - ΔxL₂) (4)
Zur Verkleinerung dieser Abweichungswinkel und damit
zum Unterdrücken irgendwelcher Übertragungsverformungsfehler
werden mittels der Rechenschaltung
21 diese Berechnungen ausgeführt, wonach mit dem Spiegelstellmechanismus
34 das optische Übertragungssystem 17
gedreht wird. Der Winkel, um den das optische Übertragungssystem
zu verstellen ist, beträgt
Θ = (Θy - Θx)/2 (5)
wobei Θx eine Komponente ist, bei der die Fehlausrichtung,
die optische Achse und die Abtastungsachse in der
Horizontalebene nicht parallel sind. Für eine etwas
preiswertere Einrichtung ist ein Verfahren geeignet, bei dem
das Rechenergebnis der Rechenschaltung 21
angezeigt und entsprechend dem Anzeigewert der Spiegelkipp-
bzw. Spiegelstellmechanismus 34 von Hand eingestellt
wird.
Gemäß der vorangehenden Beschreibung ist die Übertragungseinrichtung
mit der Fehlerkorrektur so gestaltet, daß
das zwischen der Maske und dem Halbleiterplättchen eingesetzte
optische Übertragungssystem mittels eines auf
einem vorbestimmten Rechenvorgang beruhenden Einstellsignals
verstellbar ist, so daß sich der Vorteil ergibt,
daß die Maske und das Halbleiterplättchen schnell mit
einem sehr hohen Genauigkeitsgrad ausgerichtet werden
können.
Claims (2)
1. Verfahren zur Einstellung einer Abtastungsbelichtungsvorrichtung
mit
einem optischen Übertragungssystem (17) zum Durchführen einer Abtastungsbelichtung,
einem Photodetektor (20) zum photoelektrischen Erfassen der Position von Ausrichtmarkierungen auf einer Maskenseite und Ausrichtmarkierungen auf einer Waferseite über das optische Übertragungssystem, und
einer Bewegungsvorrichtung (30, 36) zum Bewegen der Maske und des Wafers in der Abtastungsrichtung in einer X-Y-Ebene mit Bezug auf das optische Übertragungssystem (17), wobei
die Ausrichtmarkierungen (1) auf der Maskenseite und die Ausrichtmarkierungen (2) auf der Waferseite in der Abtastungsrichtung jeweils mehrfach vorgesehen sind;
die Position des ersten Satzes (L₁, R₁) der Ausrichtmarkierungen auf der Wafenseite mittels des Photodetektors (20) über das optische Übertragungssystem (17) erfaßt wird, wodurch Positionsfehler (ΔxL₁, ΔyL₁, ΔxR₁, ΔyR₁) zwischen Markierungen des ersten Satzes erhalten werden;
woraufhin die Maske und der Wafer mit Bezug auf das optische Übertragungssystem in der Abtastungsrichtung um eine Strecke D bis zum zweiten Satz von Ausrichtmarkierungen bewegt werden;
die Position des zweiten Satzes von Ausrichtmarkierungen (L2, R2) mittels des Photodetektors (20) über das optische Übertragungssystem (17) erfaßt wird, wodurch Positionsfehler (ΔxL₂, ΔyL₂, ΔxR₂, ΔyR₂) zwischen Markierungen des zweiten Satzes erhalten werden;
ein Fehlerdrehwinkel (Θx, Θy, Θ) in der X-Y-Ebene unter Verwendung der Positionsfehler zwischen den Markierungen des ersten und zweiten Satzes erhalten wird; und
der Fehlerdrehwinkel korrigiert wird.
einem optischen Übertragungssystem (17) zum Durchführen einer Abtastungsbelichtung,
einem Photodetektor (20) zum photoelektrischen Erfassen der Position von Ausrichtmarkierungen auf einer Maskenseite und Ausrichtmarkierungen auf einer Waferseite über das optische Übertragungssystem, und
einer Bewegungsvorrichtung (30, 36) zum Bewegen der Maske und des Wafers in der Abtastungsrichtung in einer X-Y-Ebene mit Bezug auf das optische Übertragungssystem (17), wobei
die Ausrichtmarkierungen (1) auf der Maskenseite und die Ausrichtmarkierungen (2) auf der Waferseite in der Abtastungsrichtung jeweils mehrfach vorgesehen sind;
die Position des ersten Satzes (L₁, R₁) der Ausrichtmarkierungen auf der Wafenseite mittels des Photodetektors (20) über das optische Übertragungssystem (17) erfaßt wird, wodurch Positionsfehler (ΔxL₁, ΔyL₁, ΔxR₁, ΔyR₁) zwischen Markierungen des ersten Satzes erhalten werden;
woraufhin die Maske und der Wafer mit Bezug auf das optische Übertragungssystem in der Abtastungsrichtung um eine Strecke D bis zum zweiten Satz von Ausrichtmarkierungen bewegt werden;
die Position des zweiten Satzes von Ausrichtmarkierungen (L2, R2) mittels des Photodetektors (20) über das optische Übertragungssystem (17) erfaßt wird, wodurch Positionsfehler (ΔxL₂, ΔyL₂, ΔxR₂, ΔyR₂) zwischen Markierungen des zweiten Satzes erhalten werden;
ein Fehlerdrehwinkel (Θx, Θy, Θ) in der X-Y-Ebene unter Verwendung der Positionsfehler zwischen den Markierungen des ersten und zweiten Satzes erhalten wird; und
der Fehlerdrehwinkel korrigiert wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1,
wobei
der Fehlerdrehwinkel durch eine Relativdrehung zwischen dem
optischen Übertragungssystem (17) und einer Halteeinrichtung
(30) der Bewegungsvorrichtung korrigiert wird.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56208468A JPS58108745A (ja) | 1981-12-23 | 1981-12-23 | 転写装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3247560A1 DE3247560A1 (de) | 1983-06-30 |
DE3247560C2 true DE3247560C2 (de) | 1996-06-27 |
Family
ID=16556675
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE3247560A Expired - Lifetime DE3247560C2 (de) | 1981-12-23 | 1982-12-22 | Verfahren zur Einstellung einer Abtastungsbelichtungsvorrichtung |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4538914A (de) |
JP (1) | JPS58108745A (de) |
DE (1) | DE3247560C2 (de) |
GB (1) | GB2124397B (de) |
Families Citing this family (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59144127A (ja) * | 1983-02-07 | 1984-08-18 | Canon Inc | 像調整された光学装置 |
JPS60140826A (ja) * | 1983-12-28 | 1985-07-25 | Canon Inc | 露光装置 |
JPS60163110A (ja) * | 1984-02-06 | 1985-08-26 | Canon Inc | 位置合わせ装置 |
US4811055A (en) * | 1984-02-27 | 1989-03-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Projection exposure apparatus |
JPS618922A (ja) * | 1984-06-25 | 1986-01-16 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 投影光学装置 |
JPS6147633A (ja) * | 1984-08-13 | 1986-03-08 | Canon Inc | 投影露光装置及びこの装置における位置合わせ方法 |
JPS6155710A (ja) * | 1984-08-27 | 1986-03-20 | Sharp Corp | アライメント方法 |
JPS61117551A (ja) * | 1984-11-13 | 1986-06-04 | Ushio Inc | 露光装置 |
JPS61222128A (ja) * | 1985-03-27 | 1986-10-02 | Fujitsu Ltd | 投影露光方法 |
JPS6218715A (ja) * | 1985-07-18 | 1987-01-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 反射型投影露光機 |
JPH0627904B2 (ja) * | 1986-02-06 | 1994-04-13 | 旭光学工業株式会社 | レーザービームの走査光学系 |
JPS62232924A (ja) * | 1986-04-03 | 1987-10-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 反射型投影露光機のアライメント光学装置 |
JPH0787175B2 (ja) * | 1986-09-19 | 1995-09-20 | キヤノン株式会社 | 露光方法 |
JPS63128713A (ja) * | 1986-11-19 | 1988-06-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 走査型露光装置のデイスト−シヨン補正方法 |
US4772123A (en) * | 1986-11-24 | 1988-09-20 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories | Alignment of optical components |
US4999277A (en) * | 1988-02-22 | 1991-03-12 | Trw Inc. | Production of precision patterns on curved surfaces |
DE3910048A1 (de) * | 1989-03-28 | 1990-08-30 | Heidelberg Instr Gmbh Laser Un | Verfahren zur herstellung oder inspektion von mikrostrukturen auf grossflaechigen substraten |
EP0420574A3 (en) * | 1989-09-26 | 1992-04-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Alignment system |
KR940000910B1 (ko) * | 1991-04-12 | 1994-02-04 | 금성일렉트론 주식회사 | 반도체 칩의 얼라인먼트 방법 및 레이저 리페이어용 타겟이 형성된 반도체 칩 |
US5206515A (en) * | 1991-08-29 | 1993-04-27 | Elliott David J | Deep ultraviolet photolithography and microfabrication |
US5317338A (en) * | 1991-10-29 | 1994-05-31 | International Business Machines Corporation | Visual measurement technique and test pattern for aperture offsets in photoplotters |
JP3210145B2 (ja) | 1993-07-14 | 2001-09-17 | キヤノン株式会社 | 走査型露光装置及び該装置を用いてデバイスを製造する方法 |
JP3101473B2 (ja) * | 1993-11-05 | 2000-10-23 | キヤノン株式会社 | 露光方法及び該露光方法を用いるデバイス製造方法 |
JP2653356B2 (ja) * | 1996-01-29 | 1997-09-17 | 株式会社日立製作所 | 投影露光方法 |
US20080144036A1 (en) | 2006-12-19 | 2008-06-19 | Asml Netherlands B.V. | Method of measurement, an inspection apparatus and a lithographic apparatus |
US7791727B2 (en) * | 2004-08-16 | 2010-09-07 | Asml Netherlands B.V. | Method and apparatus for angular-resolved spectroscopic lithography characterization |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS536716B2 (de) * | 1972-06-26 | 1978-03-10 | ||
US4011011A (en) * | 1973-03-09 | 1977-03-08 | The Perkin-Elmer Corporation | Optical projection apparatus |
FR2270616B1 (de) * | 1974-05-10 | 1978-06-02 | Commissariat Energie Atomique | |
US3989385A (en) * | 1974-09-16 | 1976-11-02 | International Business Machines Corporation | Part locating, mask alignment and mask alignment verification system |
DE2633297A1 (de) * | 1976-07-23 | 1978-01-26 | Siemens Ag | Verfahren zur automatischen justierung |
JPS5839463Y2 (ja) * | 1976-12-14 | 1983-09-06 | 富士通株式会社 | 転写装置 |
JPS5952535B2 (ja) * | 1977-01-21 | 1984-12-20 | キヤノン株式会社 | 光学装置 |
FR2388300A1 (fr) * | 1977-04-20 | 1978-11-17 | Thomson Csf | Dispositif optique de projection de motifs comportant un asservissement de focalisation a grandissement constant |
US4123150A (en) * | 1977-04-21 | 1978-10-31 | United Technologies Corporation | Stable resonators for radial flow lasers |
JPS54114182A (en) * | 1978-02-27 | 1979-09-06 | Canon Inc | Alingment device |
DE2905636C2 (de) * | 1979-02-14 | 1985-06-20 | Censor Patent- Und Versuchs-Anstalt, Vaduz | Verfahren zum Kopieren von Masken auf ein Werkstück |
JPS55149929A (en) * | 1979-05-10 | 1980-11-21 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Positioning method of projected image in projection enlarger |
US4232969A (en) * | 1979-05-30 | 1980-11-11 | International Business Machines Corporation | Projection optical system for aligning an image on a surface |
JPS55162227A (en) * | 1979-06-04 | 1980-12-17 | Hitachi Ltd | Microprojection exposure device |
DD144690A1 (de) * | 1979-07-02 | 1980-10-29 | Rainer Dastis | Einrichtung zur kompensation der chromatischen laengsabweichung eines projektionsobjektives |
US4348750A (en) * | 1979-08-06 | 1982-09-07 | Schwind David R | Energy control device |
FR2472209A1 (fr) * | 1979-12-18 | 1981-06-26 | Thomson Csf | Systeme optique d'alignement automatique de deux motifs comportant des reperes s'alignement du type reseaux, notamment en photo-repetition directe sur silicium |
US4316668A (en) * | 1980-11-03 | 1982-02-23 | Xerox Corporation | Image reduction servo system |
-
1981
- 1981-12-23 JP JP56208468A patent/JPS58108745A/ja active Granted
-
1982
- 1982-12-16 US US06/450,349 patent/US4538914A/en not_active Expired - Lifetime
- 1982-12-22 DE DE3247560A patent/DE3247560C2/de not_active Expired - Lifetime
- 1982-12-22 GB GB08236420A patent/GB2124397B/en not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4538914A (en) | 1985-09-03 |
DE3247560A1 (de) | 1983-06-30 |
GB2124397A (en) | 1984-02-15 |
GB2124397B (en) | 1986-06-11 |
JPH0142492B2 (de) | 1989-09-13 |
JPS58108745A (ja) | 1983-06-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3247560C2 (de) | Verfahren zur Einstellung einer Abtastungsbelichtungsvorrichtung | |
DE3114682C2 (de) | ||
DE2905636C2 (de) | Verfahren zum Kopieren von Masken auf ein Werkstück | |
DE3318980C2 (de) | Vorrichtung zum Justieren beim Projektionskopieren von Masken | |
DE3507778A1 (de) | Vorrichtung und verfahren zur eichung eines mikroskopischen bearbeitungssystems mit hilfe einer justierplatte | |
DE69631260T2 (de) | Abtastbelichtungsapparat, Belichtungsverfahren unter Verwendung desselben und Verfahren zur Herstellung der Vorrichtung | |
DE69827608T2 (de) | Ausrichtungsvorrichtung und lithographischer apparat mit einer solchen vorrichtung | |
DE2256736B2 (de) | Meßanordnung zur automatischen Prüfung der Oberflächenbeschaffenheit und Ebenheit einer Werkstückoberfläche | |
DE2557675A1 (de) | Verfahren zur ausrichtung zweier planarer werkstuecke, z.b. einer maske zu einem wafer oder umgekehrt | |
DE3213338C2 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Justieren eines Substrates, insbesondere eines Halbleiterwafers | |
DE2536263A1 (de) | Anordnung zum orten von teilen, zum ausrichten von masken und zum feststellen der richtigen ausrichtung einer maske | |
EP0002668B1 (de) | Einrichtung zur optischen Abstandsmessung | |
WO1999057508A1 (de) | Messgerät zur vermessung von strukturen auf einem transparenten substrat | |
DE3342719C2 (de) | Positionierungseinrichung in einem Projektionsbelichter | |
EP0025036B1 (de) | Verfahren zur scharfeinstellung eines maskenbildes auf ein werkstück | |
DE2260229B2 (de) | ||
DE3228806C2 (de) | Belichtungseinrichtung mit Ausrichteinrichtung | |
DE102007033345B4 (de) | Verfahren zur Korrektur von Abbildungsfehlern einer Messoptik einer Koordinaten-Messmaschine | |
DE3910048C2 (de) | ||
DE3343206C2 (de) | ||
DE19510449A1 (de) | Retikel | |
DE2907648C2 (de) | ||
DE3248382C2 (de) | ||
DE2948646A1 (de) | Automatisch arbeitende vorrichtung zum ausrichten einer photomaske | |
DE3343181C2 (de) |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition |