JPH03101215A - 転写誤差調整方法 - Google Patents
転写誤差調整方法Info
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- JPH03101215A JPH03101215A JP2209592A JP20959290A JPH03101215A JP H03101215 A JPH03101215 A JP H03101215A JP 2209592 A JP2209592 A JP 2209592A JP 20959290 A JP20959290 A JP 20959290A JP H03101215 A JPH03101215 A JP H03101215A
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 35
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract description 34
- 230000003321 amplification Effects 0.000 abstract 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 abstract 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
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- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、半導体製造工程で使用する転写誤差調整方法
に関するものである。
に関するものである。
［従来の技術］
半導体集積回路等を製造のための転写工程では、マスク
のパターンをウェハーに転写する前に、マスクとウェハ
ーを正確に整合することが要求される。
のパターンをウェハーに転写する前に、マスクとウェハ
ーを正確に整合することが要求される。
マスクとウェハーを整合するための方法としては１例え
ば第１図（ａｌ に示すアライメントマークｌをマスク
に設け、第１図（ｂ）に示すアライメントマーク２をウ
ェハーに設けると共に、アライメントマークｌ、２を第
１図（ｃ）に示すように、つまりアライメントマーク１
の間にアライメントマーク２が等間隔で位置するように
マスクとウェハーを相対移動して、マスクとウェハーを
整合する方法が知られている。
ば第１図（ａｌ に示すアライメントマークｌをマスク
に設け、第１図（ｂ）に示すアライメントマーク２をウ
ェハーに設けると共に、アライメントマークｌ、２を第
１図（ｃ）に示すように、つまりアライメントマーク１
の間にアライメントマーク２が等間隔で位置するように
マスクとウェハーを相対移動して、マスクとウェハーを
整合する方法が知られている。
［発明が解決しようとしている問題点］しかしながら、
従来のこのような方法では、転写倍率や転写歪等による
転写誤差を補正することが困難である。また、光電測定
装置でマスクとウェハーのそれぞれに設けられているマ
ークが実際に位置合わせされたことが検出されるまで、
マスりとウェハーの間に介在されている結像対物レンズ
やウェハーを、結像対物レンズの光軸方向に移動させる
ことにより所望の調整を行うことが、例λば特公昭４９
−２２５８７号公報で知られている。しかし、この方法
は光電測定装置で各マークを常に検出しながら、結像対
物レンズやウェハーを光軸方向に移動させることが必要
となるため、光電測定装置の測定処理動作と、結像対物
レンズやウェハーを光軸方向に移動させる際の移動動作
の間で、常に一方が他方に干渉するので、調整を行うこ
とが困難となる。
従来のこのような方法では、転写倍率や転写歪等による
転写誤差を補正することが困難である。また、光電測定
装置でマスクとウェハーのそれぞれに設けられているマ
ークが実際に位置合わせされたことが検出されるまで、
マスりとウェハーの間に介在されている結像対物レンズ
やウェハーを、結像対物レンズの光軸方向に移動させる
ことにより所望の調整を行うことが、例λば特公昭４９
−２２５８７号公報で知られている。しかし、この方法
は光電測定装置で各マークを常に検出しながら、結像対
物レンズやウェハーを光軸方向に移動させることが必要
となるため、光電測定装置の測定処理動作と、結像対物
レンズやウェハーを光軸方向に移動させる際の移動動作
の間で、常に一方が他方に干渉するので、調整を行うこ
とが困難となる。
本発明の目的は、このような事情に鑑みなされたもので
、転写光学系を有する転写装置において、転写倍率や転
写歪みを迅速に調整することを可能にした転写誤差調整
方法を提供することにある。
、転写光学系を有する転写装置において、転写倍率や転
写歪みを迅速に調整することを可能にした転写誤差調整
方法を提供することにある。
［問題点を解決するための手段］
上述の目的を達成するための本発明に係る転写誤差調整
方法は、マスクとウェハーの間に介在する転写光学系を
通して複数のマークな光電検出し、この光電検出により
得られたマーク信号を用いて前記マークごとにマーク位
置誤差に関連する値を求め、前記マーク位置誤差に関連
する稙を前記マークごとに求めた後に、演算処理手段に
より前記マーク間の距離に関連する値と前記マーク位置
誤差に関連する値を所定の演算式を用いて演算処理し、
前記転写光学系の転写倍率又は転写歪みを調整するため
の調整量に関連する値を算出することを特徴とする。
方法は、マスクとウェハーの間に介在する転写光学系を
通して複数のマークな光電検出し、この光電検出により
得られたマーク信号を用いて前記マークごとにマーク位
置誤差に関連する値を求め、前記マーク位置誤差に関連
する稙を前記マークごとに求めた後に、演算処理手段に
より前記マーク間の距離に関連する値と前記マーク位置
誤差に関連する値を所定の演算式を用いて演算処理し、
前記転写光学系の転写倍率又は転写歪みを調整するため
の調整量に関連する値を算出することを特徴とする。
［実施例］
以下に、本発明を第２図以下に示す実施例に基づいて詳
細に説明する。
細に説明する。
第２図は本発明に係る転写装置の光学的な構成図であり
、レーザ光源１ｏがら発せられるレーザ光βの光路に沿
って、順次にコンデンサレンズ１１、光源を走査するた
めのポリゴン鏡１２、ｆ・θ特性レンズ１３、ハーフミ
ラ−１４、対物レンズ１５、複数個所に正確なアライメ
ントマークｌを有する標準マスク１６、転写光学系１７
、複数個所に正確なアライメントマーク２を有する標準
ウェハー１８が配列されている。また、マスク１６等か
らの反射光の一部はハーフミラ−１４で側方に反射され
、この反射光の光路に沿ってコンデンサレンズ１９、光
電変換素子２０が配置され、光電変換素子２０の出力に
より所定の演算式に基づいて測定量を演算し制御信号を
出力する演算処理回路２１を介して、転写光学系１７の
倍率調整を実施する調整駆動機構２２に接続されている
。標準マスク１６と標準ウェハー１８は、調整に際して
転写装置に取り付けられるものであり、実際の転写時に
は他のマスク、ウェハーに交換される。
、レーザ光源１ｏがら発せられるレーザ光βの光路に沿
って、順次にコンデンサレンズ１１、光源を走査するた
めのポリゴン鏡１２、ｆ・θ特性レンズ１３、ハーフミ
ラ−１４、対物レンズ１５、複数個所に正確なアライメ
ントマークｌを有する標準マスク１６、転写光学系１７
、複数個所に正確なアライメントマーク２を有する標準
ウェハー１８が配列されている。また、マスク１６等か
らの反射光の一部はハーフミラ−１４で側方に反射され
、この反射光の光路に沿ってコンデンサレンズ１９、光
電変換素子２０が配置され、光電変換素子２０の出力に
より所定の演算式に基づいて測定量を演算し制御信号を
出力する演算処理回路２１を介して、転写光学系１７の
倍率調整を実施する調整駆動機構２２に接続されている
。標準マスク１６と標準ウェハー１８は、調整に際して
転写装置に取り付けられるものであり、実際の転写時に
は他のマスク、ウェハーに交換される。
レーザ光源１０から発せられたレーザ光βはポリゴン鏡
１２によって走査され、ハーフミラ−１４を通過し標準
マスク１６等に向かう。標準マスク１６のアライメント
マーク１と標準ウェハー１８のアライメントマーク２と
は転写光学系１７を介してレーザ光２によって走査され
、アライメントマーク１．２を走査したレーザ光βは再
びハーフミラ−１４に達し、ここで一部は光電変換素子
２０の方向に反射される。このとき、標準マスク１６の
アライメントマーク１と標準ウェハー１８のアライメン
トマーク２とは、例えば第３図（ａ）に示すように位置
している。即ち、標準マスク１６のアライメントマーク
ｌａ、ｌｂの間に標準ウェハー１８のアライメントマー
ク２ａが存在し、アライメントマークｌｃ、１ｄの間に
アライメントマーク２ｂが位置している。そして、レー
ザ光βは左から右に方向Ａに沿って走査される。
１２によって走査され、ハーフミラ−１４を通過し標準
マスク１６等に向かう。標準マスク１６のアライメント
マーク１と標準ウェハー１８のアライメントマーク２と
は転写光学系１７を介してレーザ光２によって走査され
、アライメントマーク１．２を走査したレーザ光βは再
びハーフミラ−１４に達し、ここで一部は光電変換素子
２０の方向に反射される。このとき、標準マスク１６の
アライメントマーク１と標準ウェハー１８のアライメン
トマーク２とは、例えば第３図（ａ）に示すように位置
している。即ち、標準マスク１６のアライメントマーク
ｌａ、ｌｂの間に標準ウェハー１８のアライメントマー
ク２ａが存在し、アライメントマークｌｃ、１ｄの間に
アライメントマーク２ｂが位置している。そして、レー
ザ光βは左から右に方向Ａに沿って走査される。
そして、光電変換素子２ｏは第３図（ａｌのＡ上のレー
ザ光ρがアライメントマーク１．２と交差する個所でパ
ルス状の出力を検出し、第３図（ｂ）に示すような出力
電圧波形が得られる。ｗｌＷ、、・・・、Ｗ６はパルス
信号の間隔であり、この時間々隔Ｗ ＋ 、Ｗ−、・・
・、ｗ８を測定することにより整合ずれが求められる。
ザ光ρがアライメントマーク１．２と交差する個所でパ
ルス状の出力を検出し、第３図（ｂ）に示すような出力
電圧波形が得られる。ｗｌＷ、、・・・、Ｗ６はパルス
信号の間隔であり、この時間々隔Ｗ ＋ 、Ｗ−、・・
・、ｗ８を測定することにより整合ずれが求められる。
即ち、第３図（ａｌのＸ方向のずれをΔｘ、ｙ方向のず
れをΔｙとすると、 Δｘ ＝ （Ｗ＋ −Ｗｘ ＋Ｗ４ Ｗ！ｌ
） ／ ４・・・（１１ Δｙ＝ （Ｗ＋ ＋Ｗ＊ ＋Ｗ４ −Ｗｓ ）
／４・・・（２） となる。整合された状態では、Ｗ、＝Ｗ、：Ｗ、＝Ｗ、
であるから、ΔＸ、Δｙは共に零となる。
れをΔｙとすると、 Δｘ ＝ （Ｗ＋ −Ｗｘ ＋Ｗ４ Ｗ！ｌ
） ／ ４・・・（１１ Δｙ＝ （Ｗ＋ ＋Ｗ＊ ＋Ｗ４ −Ｗｓ ）
／４・・・（２） となる。整合された状態では、Ｗ、＝Ｗ、：Ｗ、＝Ｗ、
であるから、ΔＸ、Δｙは共に零となる。
第４図に示すような標準マスク１６、標準ウェハー１８
におけるＸ方向に距離Ｃだけ離れた２個所のアライメン
トマーク１．２をそれぞれ測定し、整合ずれ量を＋１１
［２１式で求め、その量）Ｒ１を（ΔＸＲ＋
ΔＹＲＩ）Ｌ、を（ΔＸＬ＋ΔＹＬ、 ）とすると、
Ｘ方向に関する倍率Ｍｘは次式％式％ ） （３） また、Ｘ方向に距離りだけ離れた２個所のアライメント
マーク１．２を測定し、整合ずれ量Ｒ２を（ΔＸＲ＊
、ΔＹＲｘ ） 、Ｌ＊を（ΔＸＬ、 、 ΔＹＬ＊
） とすると、Ｘ方向に関する倍率ｕｙは次式とな
る。
におけるＸ方向に距離Ｃだけ離れた２個所のアライメン
トマーク１．２をそれぞれ測定し、整合ずれ量を＋１１
［２１式で求め、その量）Ｒ１を（ΔＸＲ＋
ΔＹＲＩ）Ｌ、を（ΔＸＬ＋ΔＹＬ、 ）とすると、
Ｘ方向に関する倍率Ｍｘは次式％式％ ） （３） また、Ｘ方向に距離りだけ離れた２個所のアライメント
マーク１．２を測定し、整合ずれ量Ｒ２を（ΔＸＲ＊
、ΔＹＲｘ ） 、Ｌ＊を（ΔＸＬ、 、 ΔＹＬ＊
） とすると、Ｘ方向に関する倍率ｕｙは次式とな
る。
Ｍｙ＝ （１／Ｄ） ・（（ΔＸＬ、 −ΔＸＬ、
） ”＋ （Ｄ ＋ ΔＹＬ＋ −ΔＹＬｔ ） ”
） ””−（４） これらの演算は演算処理回路２１で行われ、（３）式、
（４）式で求めた倍率Ｍｘ、 Ｍｙに基づいて調整駆動
機構２２により、転写光学系１７の倍率を自動調整する
。かくすることにより、倍率に伴う転写誤差をな（すこ
とが可能となるが、現実にはこれらの操作を数回試みて
、確認をとりながら調整を実施することが好適である。
） ”＋ （Ｄ ＋ ΔＹＬ＋ −ΔＹＬｔ ） ”
） ””−（４） これらの演算は演算処理回路２１で行われ、（３）式、
（４）式で求めた倍率Ｍｘ、 Ｍｙに基づいて調整駆動
機構２２により、転写光学系１７の倍率を自動調整する
。かくすることにより、倍率に伴う転写誤差をな（すこ
とが可能となるが、現実にはこれらの操作を数回試みて
、確認をとりながら調整を実施することが好適である。
次に第２の実施例を説明すると、第５図は転写光学系と
して反射投影型を用いた転写装置の光学的な構造図であ
り、第２図と同一の符号は同一の部材を示している。標
準マスク１６とウェハー１８とはキャリッジ３０により
連結されており、これらの間には転写光学系１７が介在
されている。この転写光学系１７は台形ミラー３１、凹
面ミラー３２、凸面ミラー３３から成り、調整駆動機構
３４により標準マスク１６、標準ウェハー１８の面と平
行に回転し得るようになっている。
して反射投影型を用いた転写装置の光学的な構造図であ
り、第２図と同一の符号は同一の部材を示している。標
準マスク１６とウェハー１８とはキャリッジ３０により
連結されており、これらの間には転写光学系１７が介在
されている。この転写光学系１７は台形ミラー３１、凹
面ミラー３２、凸面ミラー３３から成り、調整駆動機構
３４により標準マスク１６、標準ウェハー１８の面と平
行に回転し得るようになっている。
台形ミラー３１の反射面３１ａ、３１ｂに対向して凹面
ミラー３２が配置され、更に台形ミラー３１と凹面ミラ
ー３２との間には凸面ミラー３３が凹面ミラー３２側を
見るように配置されている。ｆ・θレンズ１３とハーフ
ミラ−１４との間には分割プリズム３５が挿入され、レ
ーザ光２を２分割してＸ方向に距離Ｃだけ離れた２個所
において、同時にアライメントマーク１．２の測定を行
う。対物レンズ１５、コンデンサレンズ１９゜光電変換
素子２０は２系列設けられ、光電変換素子２０．２０の
出力は演算処理回路２１に送られ、更に演算処理回路２
１の出力は調整駆動機構３４及びキャリッジ３０を矢印
Ｂ方向に移動するキャリッジ駆動機構３６に送信されて
いる。
ミラー３２が配置され、更に台形ミラー３１と凹面ミラ
ー３２との間には凸面ミラー３３が凹面ミラー３２側を
見るように配置されている。ｆ・θレンズ１３とハーフ
ミラ−１４との間には分割プリズム３５が挿入され、レ
ーザ光２を２分割してＸ方向に距離Ｃだけ離れた２個所
において、同時にアライメントマーク１．２の測定を行
う。対物レンズ１５、コンデンサレンズ１９゜光電変換
素子２０は２系列設けられ、光電変換素子２０．２０の
出力は演算処理回路２１に送られ、更に演算処理回路２
１の出力は調整駆動機構３４及びキャリッジ３０を矢印
Ｂ方向に移動するキャリッジ駆動機構３６に送信されて
いる。
従って、レーザ光源１０から発しポリゴン鏡１２によっ
て走査され、分割プリズム３５で分割されたレーザ光ε
のそれぞれは、ハーフミラ−１４、対物レンズ１５、標
準マスク１６を経由して台形ミラー３１の一方の反射面
３１ａに入射して凹面ミラー３２、凸面ミラー３３、凹
面ミラー３２、台形ミラー３１の他の反射面３１ｂと反
射を繰り返しながら進行し、標準ウェハー１８に到達す
る。そして、標準マスク１６と標準ウェハー１８のアラ
イメントマーク１．２の情報を含んだレーザ光２は元の
光路を戻り、ハーフミラ−１４により光電変換素子２０
に送出される。この光路は前述したように２系列存在し
、２個の光電変換素子２０．２０の出力が同時に演算処
理回路２１に入力することになる。
て走査され、分割プリズム３５で分割されたレーザ光ε
のそれぞれは、ハーフミラ−１４、対物レンズ１５、標
準マスク１６を経由して台形ミラー３１の一方の反射面
３１ａに入射して凹面ミラー３２、凸面ミラー３３、凹
面ミラー３２、台形ミラー３１の他の反射面３１ｂと反
射を繰り返しながら進行し、標準ウェハー１８に到達す
る。そして、標準マスク１６と標準ウェハー１８のアラ
イメントマーク１．２の情報を含んだレーザ光２は元の
光路を戻り、ハーフミラ−１４により光電変換素子２０
に送出される。この光路は前述したように２系列存在し
、２個の光電変換素子２０．２０の出力が同時に演算処
理回路２１に入力することになる。
第６図の例では転写光学系１７の水平面内の軸ｘ゛、軸
ｙ°とキャリッジ３ｏの走査方向Ｂである軸ｙと軸Ｘの
関係を示している。この場合に転写光学系１７の軸ｘ°
、軸ｙ°と走査軸ｘ、ｙとのなす角度θによる像面歪が
発生している。第６図において、１０ｍｍおきに描かれ
ている矢印３７は転写歪みの方向と大きさを示している
。このとき、第７図（ａ）に示すようなＬ字のパターン
３８は、転写光学系１７の像として、第７図（ｂｌに示
すようにウェハー上で左右に像反転をし、なおかつｙ軸
方向に２０だけ傾くことになる。
ｙ°とキャリッジ３ｏの走査方向Ｂである軸ｙと軸Ｘの
関係を示している。この場合に転写光学系１７の軸ｘ°
、軸ｙ°と走査軸ｘ、ｙとのなす角度θによる像面歪が
発生している。第６図において、１０ｍｍおきに描かれ
ている矢印３７は転写歪みの方向と大きさを示している
。このとき、第７図（ａ）に示すようなＬ字のパターン
３８は、転写光学系１７の像として、第７図（ｂｌに示
すようにウェハー上で左右に像反転をし、なおかつｙ軸
方向に２０だけ傾くことになる。
Ｘ方向の２組のアライメントマーク１．２が２個の対物
レンズ１５の光軸に位置するようにすると、光電変換素
子２０．２０と演算処理回路２１とによって整合状態が
検出され、左側の整合ずれ量ΔＸＬ＋ 、 ΔＹＬ、
、右側のずれ量ΔＸＲ，、ΔＹＲ。
レンズ１５の光軸に位置するようにすると、光電変換素
子２０．２０と演算処理回路２１とによって整合状態が
検出され、左側の整合ずれ量ΔＸＬ＋ 、 ΔＹＬ、
、右側のずれ量ΔＸＲ，、ΔＹＲ。
が求められる。続いて、演算処理回路２１の指令により
キャリッジ駆動機構３６を介してキャリッジ３０を矢印
Ｂ方向に距離りだけ移動し、別のアライメントマーク１
．２の整合状態を測定し、同様にそのずれ量ΔＸＬｉ
、ΔＹＬｇ 、ΔＸＲ，、ΔＹＲ。
キャリッジ駆動機構３６を介してキャリッジ３０を矢印
Ｂ方向に距離りだけ移動し、別のアライメントマーク１
．２の整合状態を測定し、同様にそのずれ量ΔＸＬｉ
、ΔＹＬｇ 、ΔＸＲ，、ΔＹＲ。
を得る。ここで、標準マスク１６、標準ウェハー１８の
Ｘ方向に距離Ｃだけ離れたアライメントマーク１．２の
左右間のずれ角θＸは近似的に次式で表される。
Ｘ方向に距離Ｃだけ離れたアライメントマーク１．２の
左右間のずれ角θＸは近似的に次式で表される。
θｘ＝（１／２Ｇ） （ΔＹＬ、−ΔＹＲ。
＋ΔＹＬ８−ΔＹＲ，） ＋＋・（５）また、
Ｘ方向に距ＨＤだけ離れたアライメントマーク１．２の
上下間のずれ角θｙは近似的に次式で表される。
Ｘ方向に距ＨＤだけ離れたアライメントマーク１．２の
上下間のずれ角θｙは近似的に次式で表される。
θｙ ＝ （１／２Ｄ） （ΔＸＲ＋ ＋ΔＸＬｔ
−ΔＸＲ１−Δｘｉ、、 ） ・（６）これら
の計算は演算処理回路２１でなされ、このずれ角を減少
するように調整駆動機構３４を介して転写光学系１７を
回動し、転写歪み誤差を解消することができる。この駆
動すべき角度は、θ＝（θｙ−θｘ）／２
・・・（７）であり、θＸはミスアライメントで光軸と
走査軸が水平面内で平行になっていない成分である。
−ΔＸＲ１−Δｘｉ、、 ） ・（６）これら
の計算は演算処理回路２１でなされ、このずれ角を減少
するように調整駆動機構３４を介して転写光学系１７を
回動し、転写歪み誤差を解消することができる。この駆
動すべき角度は、θ＝（θｙ−θｘ）／２
・・・（７）であり、θＸはミスアライメントで光軸と
走査軸が水平面内で平行になっていない成分である。
［発明の効果］
以上説明したように本発明に係る転写誤差調整方法は、
マスク側の複数のマークとウェハー側の複数のマークの
整合ずれを所定の演算式で処理し、この処理結果に基づ
いて転写光学系の転写倍率を調整、又は転写光学系を移
動して転写歪みを調整するようにしているので、転写倍
率誤差や転写歪み誤差がある場合にもマスクとウェハー
を正確に整合でき、その整合動作を迅速に行うことがで
きる。
マスク側の複数のマークとウェハー側の複数のマークの
整合ずれを所定の演算式で処理し、この処理結果に基づ
いて転写光学系の転写倍率を調整、又は転写光学系を移
動して転写歪みを調整するようにしているので、転写倍
率誤差や転写歪み誤差がある場合にもマスクとウェハー
を正確に整合でき、その整合動作を迅速に行うことがで
きる。
図面第１図（ａｌ （ｂｌ （ｃｌはマスクと
ウェハーの整合状態を説明するための説明図、第２図以
下は本発明に係る転写誤差調整方法の実施例を示し、第
２図及び第５図は光学的構成図、第３図はアライメント
マークに対する光電変換素子の出力特性図、第４図はマ
スクとウェハーのアライメントマークの整合状態を示す
平面図、第６図及び第７図は転写歪の説明図である。 符号１．２はアライメントマーク、Ａはレーザ走査方向
、１０はレーザ光源、１１はコンデンサレンズ、１２は
ポリゴン鏡、１３はｆ・θレンズ、１４はハーフミラ−
１６は標準マスク、１７は転写光学系、１８は標準ウェ
ハー ２０は光電変換素子、２１は演算処理回路、２２
．３４．３６やは駆動機構、３０はキャリッジ、３１は
台形ミラー ３２は凹面ミラー ３３は凸面ミラー ３
４は調整機動機構、３５は分割プリズムである。 図面 第１図 第２図
ウェハーの整合状態を説明するための説明図、第２図以
下は本発明に係る転写誤差調整方法の実施例を示し、第
２図及び第５図は光学的構成図、第３図はアライメント
マークに対する光電変換素子の出力特性図、第４図はマ
スクとウェハーのアライメントマークの整合状態を示す
平面図、第６図及び第７図は転写歪の説明図である。 符号１．２はアライメントマーク、Ａはレーザ走査方向
、１０はレーザ光源、１１はコンデンサレンズ、１２は
ポリゴン鏡、１３はｆ・θレンズ、１４はハーフミラ−
１６は標準マスク、１７は転写光学系、１８は標準ウェ
ハー ２０は光電変換素子、２１は演算処理回路、２２
．３４．３６やは駆動機構、３０はキャリッジ、３１は
台形ミラー ３２は凹面ミラー ３３は凸面ミラー ３
４は調整機動機構、３５は分割プリズムである。 図面 第１図 第２図
Claims (1)
- １、マスクとウェハーの間に介在する転写光学系を通し
て複数のマークを光電検出し、この光電検出により得ら
れたマーク信号を用いて前記マークごとにマーク位置誤
差に関連する値を求め、前記マーク位置誤差に関連する
値を前記マークごとに求めた後に、演算処理手段により
前記マーク間の距離に関連する値と前記マーク位置誤差
に関連する値を所定の演算式を用いて演算処理し、前記
転写光学系の転写倍率又は転写歪みを調整するための調
整量に関連する値を算出することを特徴とする転写誤差
調整方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2209592A JPH03101215A (ja) | 1990-08-07 | 1990-08-07 | 転写誤差調整方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2209592A JPH03101215A (ja) | 1990-08-07 | 1990-08-07 | 転写誤差調整方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56208468A Division JPS58108745A (ja) | 1981-12-23 | 1981-12-23 | 転写装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6040376A Division JP2567811B2 (ja) | 1994-02-14 | 1994-02-14 | 走査型露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03101215A true JPH03101215A (ja) | 1991-04-26 |
| JPH0519298B2 JPH0519298B2 (ja) | 1993-03-16 |
Family
ID=16575381
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2209592A Granted JPH03101215A (ja) | 1990-08-07 | 1990-08-07 | 転写誤差調整方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03101215A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106569395B (zh) * | 2015-10-08 | 2018-06-15 | 无锡华润上华科技有限公司 | 测量曝光机台漏光的光掩膜及方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4922587A (ja) * | 1972-06-26 | 1974-02-28 |
-
1990
- 1990-08-07 JP JP2209592A patent/JPH03101215A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4922587A (ja) * | 1972-06-26 | 1974-02-28 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0519298B2 (ja) | 1993-03-16 |
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