JPH0519298B2 - - Google Patents
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- JPH0519298B2 JPH0519298B2 JP2209592A JP20959290A JPH0519298B2 JP H0519298 B2 JPH0519298 B2 JP H0519298B2 JP 2209592 A JP2209592 A JP 2209592A JP 20959290 A JP20959290 A JP 20959290A JP H0519298 B2 JPH0519298 B2 JP H0519298B2
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- wafer
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- mask
- optical system
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- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 49
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 31
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 31
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 101100269850 Caenorhabditis elegans mask-1 gene Proteins 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、半導体製造工程で使用する転写誤差
調整方法に関するものである。
調整方法に関するものである。
［従来の技術］
半導体集積回路等を製造のための転写工程で
は、マスクのパターンをウエハーに転写する前
に、マスクとウエハーを正確に整合することが要
求される。
は、マスクのパターンをウエハーに転写する前
に、マスクとウエハーを正確に整合することが要
求される。
マスクとウエハーを整合するための方法として
は、例えば第１図ａに示すアライメントマーク１
をマスクに設け、第１図ｂに示すアライメントマ
ーク２をウエハーに設けると共に、アライメント
マーク１，２を第１図ｃに示すように、つまりア
ライメントマーク１の間にアライメントマーク２
が等間隔で位置するようにマスクとウエハーを相
対移動して、マスクとウエハーを整合する方法が
知られている。
は、例えば第１図ａに示すアライメントマーク１
をマスクに設け、第１図ｂに示すアライメントマ
ーク２をウエハーに設けると共に、アライメント
マーク１，２を第１図ｃに示すように、つまりア
ライメントマーク１の間にアライメントマーク２
が等間隔で位置するようにマスクとウエハーを相
対移動して、マスクとウエハーを整合する方法が
知られている。
［発明が解決しようとしている問題点］
しかしながら、従来のこのような方法では、転
写倍率や転写歪等による転写誤差を補正すること
が困難である。また、光電測定装置でマスクとウ
エハーのそれぞれに設けられているマークが実際
に位置合わせされたことが検出されるまで、マス
クとウエハーの間に介在されている結像対物レン
ズやウエハーを、結像対物レンズの光軸方向に移
動させることにより所望の調整を行うことが、例
えば特公昭49−22587号公報で知られている。し
かし、この方法は光電測定装置で各マークを常に
検出しながら、結像対物レンズやウエハーを光軸
方向に移動させることが必要となるため、光電測
定装置の測定処理動作と、結像対物レンズやウエ
ハーを光軸方向に移動させる際の移動動作の間
で、常に一方が他方に干渉するので、調整を行う
ことが困難となる。
写倍率や転写歪等による転写誤差を補正すること
が困難である。また、光電測定装置でマスクとウ
エハーのそれぞれに設けられているマークが実際
に位置合わせされたことが検出されるまで、マス
クとウエハーの間に介在されている結像対物レン
ズやウエハーを、結像対物レンズの光軸方向に移
動させることにより所望の調整を行うことが、例
えば特公昭49−22587号公報で知られている。し
かし、この方法は光電測定装置で各マークを常に
検出しながら、結像対物レンズやウエハーを光軸
方向に移動させることが必要となるため、光電測
定装置の測定処理動作と、結像対物レンズやウエ
ハーを光軸方向に移動させる際の移動動作の間
で、常に一方が他方に干渉するので、調整を行う
ことが困難となる。
本発明の目的は、このような事情に鑑みなされ
たもので、転写光学系を有する転写装置におい
て、転写倍率や転写歪みを迅速に調整することを
可能にした転写誤差調整方法を提供することにあ
る。
たもので、転写光学系を有する転写装置におい
て、転写倍率や転写歪みを迅速に調整することを
可能にした転写誤差調整方法を提供することにあ
る。
［問題点を解決するための手段］
上述の目的を達成するための本発明に係る転写
誤差調整方法は、マスクとウエハーの間に介在す
る転写光学系を通して複数のマークを光電検出
し、この光電検出により得られたマーク信号を用
いて前記マークごとにマーク位置誤差に関連する
値を求め、前記マーク位置誤差に関連する値を前
記マークごとに求めた後に、演算処理手段により
前記マーク間の距離に関連する値と前記マーク位
置誤差に関連する値を所定の演算式を用いて演算
処理し、前記転写光学系の転写倍率又は転写歪み
を調整するための調整量に関連する値を算出する
ことを特徴とする。
誤差調整方法は、マスクとウエハーの間に介在す
る転写光学系を通して複数のマークを光電検出
し、この光電検出により得られたマーク信号を用
いて前記マークごとにマーク位置誤差に関連する
値を求め、前記マーク位置誤差に関連する値を前
記マークごとに求めた後に、演算処理手段により
前記マーク間の距離に関連する値と前記マーク位
置誤差に関連する値を所定の演算式を用いて演算
処理し、前記転写光学系の転写倍率又は転写歪み
を調整するための調整量に関連する値を算出する
ことを特徴とする。
［実施例］
以下に、本発明を第２図以下に示す実施例に基
づいて詳細に説明する。
づいて詳細に説明する。
第２図は本発明に係る転写装置の光学的な構成
図であり、レーザ光源１０から発せられるレーザ
光ｌの光路に沿つて、順次にコンデンサレンズ１
１、光源を走査するためのポリゴン鏡１２，ｆ・
θ特性レンズ１３、ハーフミラー１４、対物レン
ズ１５、複数個所に正確なアライメントマーク１
を有する標準マスク１６、転写光学系１７、複数
個所に正確なアライメントマーク２を有する標準
ウエハー１８が配列されている。また、マスク１
６等からの反射光の一部はハーフミラー１４で側
方に反射され、この反射光の光路に沿つてコンデ
ンサレンズ１９、光電変換素子２０が配置され、
光電変換素子２０の出力により所定の演算式に基
づいて測定量を演算し制御信号を出力する演算処
理回路２１を介して、転写光学系１７の倍率調整
を実施する調整駆動機構２２に接続されている。
標準マスク１６と標準ウエハー１８は、調整に際
して転写装置に取り付けられるものであり、実際
の転写時には他のマスク、ウエハーに交換され
る。
図であり、レーザ光源１０から発せられるレーザ
光ｌの光路に沿つて、順次にコンデンサレンズ１
１、光源を走査するためのポリゴン鏡１２，ｆ・
θ特性レンズ１３、ハーフミラー１４、対物レン
ズ１５、複数個所に正確なアライメントマーク１
を有する標準マスク１６、転写光学系１７、複数
個所に正確なアライメントマーク２を有する標準
ウエハー１８が配列されている。また、マスク１
６等からの反射光の一部はハーフミラー１４で側
方に反射され、この反射光の光路に沿つてコンデ
ンサレンズ１９、光電変換素子２０が配置され、
光電変換素子２０の出力により所定の演算式に基
づいて測定量を演算し制御信号を出力する演算処
理回路２１を介して、転写光学系１７の倍率調整
を実施する調整駆動機構２２に接続されている。
標準マスク１６と標準ウエハー１８は、調整に際
して転写装置に取り付けられるものであり、実際
の転写時には他のマスク、ウエハーに交換され
る。
レーザ光源１０から発せられたレーザ光ｌはポ
リゴン鏡１２によつて走査され、ハーフミラー１
４を通過し標準マスク１６等に向かう。標準マス
ク１６のアライメントマーク１と標準ウエハー１
８のアライメントマーク２とは転写光学系１７を
介してレーザ光ｌによつて走査され、アライメン
トマーク１，２を走査したレーザ光ｌは再びハー
フミラー１４に達し、ここで一部は光電変換素子
２０の方向に反射される。このとき、標準マスク
１６のアライメントマーク１と標準ウエハー１８
のアライメントマーク２とは、例えば第３図ａに
示すように位置している。即ち、標準マスク１６
のアライメントマーク１ａ，１ｂの間に標準ウエ
ハー１８のアライメントマーク２ａが存在し、ア
ライメントマーク１ｃ，１ｄの間にアライメント
マーク２ｂが位置している。そして、レーザ光ｌ
は左から右に方向Ａに沿つて走査される。そし
て、光電変換素子２０は第３図ａのＡ上のレーザ
光ｌがアライメントマーク１，２と交差する個所
でパルス状の出力を検出し、第３図ｂに示すよう
な出力電圧波形が得られる。W1，W2，……，
W5はパルス信号の間隔であり、この時間々隔
W1，W2，……，W5を測定することにより整合
ずれが求められる。即ち、第３図ａのｘ方向のず
れをΔx，ｙ方向のずれをΔyとすると、 Δx＝（W1−W2＋W4−W5）／４ ……(1) Δy＝（−W1＋W2＋W4−W5）／４ ……(2) となる。整合された状態では、W1＝W2＝W4＝
W5であるから、Δx，Δyは共に零となる。
リゴン鏡１２によつて走査され、ハーフミラー１
４を通過し標準マスク１６等に向かう。標準マス
ク１６のアライメントマーク１と標準ウエハー１
８のアライメントマーク２とは転写光学系１７を
介してレーザ光ｌによつて走査され、アライメン
トマーク１，２を走査したレーザ光ｌは再びハー
フミラー１４に達し、ここで一部は光電変換素子
２０の方向に反射される。このとき、標準マスク
１６のアライメントマーク１と標準ウエハー１８
のアライメントマーク２とは、例えば第３図ａに
示すように位置している。即ち、標準マスク１６
のアライメントマーク１ａ，１ｂの間に標準ウエ
ハー１８のアライメントマーク２ａが存在し、ア
ライメントマーク１ｃ，１ｄの間にアライメント
マーク２ｂが位置している。そして、レーザ光ｌ
は左から右に方向Ａに沿つて走査される。そし
て、光電変換素子２０は第３図ａのＡ上のレーザ
光ｌがアライメントマーク１，２と交差する個所
でパルス状の出力を検出し、第３図ｂに示すよう
な出力電圧波形が得られる。W1，W2，……，
W5はパルス信号の間隔であり、この時間々隔
W1，W2，……，W5を測定することにより整合
ずれが求められる。即ち、第３図ａのｘ方向のず
れをΔx，ｙ方向のずれをΔyとすると、 Δx＝（W1−W2＋W4−W5）／４ ……(1) Δy＝（−W1＋W2＋W4−W5）／４ ……(2) となる。整合された状態では、W1＝W2＝W4＝
W5であるから、Δx，Δyは共に零となる。
第４図に示すような標準マスク１６、標準ウエ
ハー１８におけるｘ方向に距離Ｃだけ離れた２個
所のアライメントマーク１，２をそれぞれ測定
し、整合ずれ量を(1)，(2)式で求め、その量のR1
を（ΔXR1，ΔYR1），L1を（ΔXL1，ΔYL1）と
すると、ｘ方向に関する倍率Mxは次式で与えら
れる。
ハー１８におけるｘ方向に距離Ｃだけ離れた２個
所のアライメントマーク１，２をそれぞれ測定
し、整合ずれ量を(1)，(2)式で求め、その量のR1
を（ΔXR1，ΔYR1），L1を（ΔXL1，ΔYL1）と
すると、ｘ方向に関する倍率Mxは次式で与えら
れる。
Mx＝（１／Ｃ）・｛（Ｃ＋ΔXL1−ΔXR1）2
＋（ΔYL1−ΔYR1）2｝1/2 ……(3)
また、ｙ方向に距離Ｄだけ離れた２個所のアラ
イメントマーク１，２を測定し、整合ずれ量R2
を（ΔXR2，ΔYR2），L2を（ΔXL2，ΔYL2）と
すると、ｙ方向に関する倍率Myは次式となる。
イメントマーク１，２を測定し、整合ずれ量R2
を（ΔXR2，ΔYR2），L2を（ΔXL2，ΔYL2）と
すると、ｙ方向に関する倍率Myは次式となる。
My＝（１／Ｄ）・｛（ΔXL1−ΔXL2）2
＋（Ｄ＋ΔYL1−ΔYL2）2｝1/2 ……(4)
これらの演算は演算処理回路２１で行われ、(3)
式、(4)式で求めた倍率Mx，Myに基づいて調整
駆動機構２２により、転写光学系１７の倍率を自
動調整する。かくすることにより、倍率に伴う転
写誤差をなくすことが可能となるが、現実にはこ
れらの操作を数回試みて、確認をとりながら調整
を実施することが好適である。
式、(4)式で求めた倍率Mx，Myに基づいて調整
駆動機構２２により、転写光学系１７の倍率を自
動調整する。かくすることにより、倍率に伴う転
写誤差をなくすことが可能となるが、現実にはこ
れらの操作を数回試みて、確認をとりながら調整
を実施することが好適である。
次に第２の実施例を説明すると、第５図は転写
光学系として反射投影型を用いた転写装置の光学
的な構造図であり、第２図と同一の符号は同一の
部材を示している。標準マスク１６とウエハー１
８とはキヤリツジ３０により連結されており、こ
れらの間には転写光学系１７が介在されている。
この転写光学系１７は台形ミラー３１，凹面ミラ
ー３２、凸面ミラー３３から成り、調整駆動機構
３４により標準マスク１６、標準ウエハー１８の
面と平行に回転し得るようになつている。台形ミ
ラー３１の反射面３１ａ，３１ｂに対向して凹面
ミラー３２が配置され、更に台形ミラー３１と凹
面ミラー３２との間には凸面ミラー３３が凹面ミ
ラー３２側を見るように配置されている。ｆ・θ
レンズ１３とハーフミラー１４との間には分割プ
リズム３５が挿入され、レーザ光ｌを２分割して
ｘ方向に距離Ｃだけ離れた２個所において、同時
にアライメントマーク１，２の測定を行う。対物
レンズ１５、コンデンサレンズ１９、光電変換素
子２０は２系列設けられ、光電変換素子２０，２
０の出力は演算処理回路２１に送られ、更に演算
処理回路２１の出力は調整駆動機構３４及びキヤ
リツジ３０を矢印Ｂ方向に移動するキヤリツジ駆
動機構３６に送信されている。
光学系として反射投影型を用いた転写装置の光学
的な構造図であり、第２図と同一の符号は同一の
部材を示している。標準マスク１６とウエハー１
８とはキヤリツジ３０により連結されており、こ
れらの間には転写光学系１７が介在されている。
この転写光学系１７は台形ミラー３１，凹面ミラ
ー３２、凸面ミラー３３から成り、調整駆動機構
３４により標準マスク１６、標準ウエハー１８の
面と平行に回転し得るようになつている。台形ミ
ラー３１の反射面３１ａ，３１ｂに対向して凹面
ミラー３２が配置され、更に台形ミラー３１と凹
面ミラー３２との間には凸面ミラー３３が凹面ミ
ラー３２側を見るように配置されている。ｆ・θ
レンズ１３とハーフミラー１４との間には分割プ
リズム３５が挿入され、レーザ光ｌを２分割して
ｘ方向に距離Ｃだけ離れた２個所において、同時
にアライメントマーク１，２の測定を行う。対物
レンズ１５、コンデンサレンズ１９、光電変換素
子２０は２系列設けられ、光電変換素子２０，２
０の出力は演算処理回路２１に送られ、更に演算
処理回路２１の出力は調整駆動機構３４及びキヤ
リツジ３０を矢印Ｂ方向に移動するキヤリツジ駆
動機構３６に送信されている。
従つて、レーザ光源１０から発しポリゴン鏡１
２によつて走査され、分割プリズム３５で分割さ
れたレーザ光ｌのそれぞれは、ハーフミラー１
４、対物レンズ１５、標準マスク１６を経由して
台形ミラー３１の一方の反射面３１ａに入射して
凹面ミラー３２、凸面ミラー３３、凹面ミラー３
２、台形ミラー３１の他の反射面３１ｂと反射を
繰り返しながら進行し、標準ウエハー１８に到達
する。そして、標準マスク１６と標準ウエハー１
８のアライメントマーク１，２の情報を含んだレ
ーザ光ｌは元の光路を戻り、ハーフミラー１４に
より光電変換素子２０に送出される。この光路は
前述したように２系列存在し、２個の光電変換素
子２０，２０の出力が同時に演算処理回路２１に
入力することになる。
２によつて走査され、分割プリズム３５で分割さ
れたレーザ光ｌのそれぞれは、ハーフミラー１
４、対物レンズ１５、標準マスク１６を経由して
台形ミラー３１の一方の反射面３１ａに入射して
凹面ミラー３２、凸面ミラー３３、凹面ミラー３
２、台形ミラー３１の他の反射面３１ｂと反射を
繰り返しながら進行し、標準ウエハー１８に到達
する。そして、標準マスク１６と標準ウエハー１
８のアライメントマーク１，２の情報を含んだレ
ーザ光ｌは元の光路を戻り、ハーフミラー１４に
より光電変換素子２０に送出される。この光路は
前述したように２系列存在し、２個の光電変換素
子２０，２０の出力が同時に演算処理回路２１に
入力することになる。
第６図の例では転写光学系１７の水平面内の軸
x′，軸y′とキヤリツジ３０の走査方向Ｂである軸
ｙと軸ｘの関係を示している。この場合に転写光
学系１７の軸x′，軸y′と走査軸ｘ，ｙとのなす角
度θによる像面歪が発生している。第６図におい
て、10mmおきに描かれている矢印３７は転写歪み
の方向と大きさを示している。このとき、第７図
ａに示すようなＬ字のパターン３８は、転写光学
系１７の像として、第７図ｂに示すようにウエハ
ー上で左右に像反転をし、なおかつｙ軸方向に2θ
だけ傾くことになる。
x′，軸y′とキヤリツジ３０の走査方向Ｂである軸
ｙと軸ｘの関係を示している。この場合に転写光
学系１７の軸x′，軸y′と走査軸ｘ，ｙとのなす角
度θによる像面歪が発生している。第６図におい
て、10mmおきに描かれている矢印３７は転写歪み
の方向と大きさを示している。このとき、第７図
ａに示すようなＬ字のパターン３８は、転写光学
系１７の像として、第７図ｂに示すようにウエハ
ー上で左右に像反転をし、なおかつｙ軸方向に2θ
だけ傾くことになる。
ｘ方向の２組のアライメントマーク１，２が２
個の対物レンズ１５の光軸に位置するようにする
と、光電変換素子２０，２０と演算処理回路２１
とによつて整合状態が検出され、左側の整合ずれ
量ΔXL1，ΔYL1，右側のずれ量ΔXR1，ΔYR1が
求められる。続いて、演算処理回路２１の指令に
よりキヤリツジ駆動機構３６を介してキヤリツジ
３０を矢印Ｂ方向に距離Ｄだけ移動し、別のアラ
イメントマーク１，２の整合状態を測定し、同様
にそのずれ量ΔXL2，ΔYL2，ΔXR2，ΔYR2を得
る。ここで、標準マスク１６、標準ウエハー１８
のｘ方向に距離Ｃだけ離れたアライメントマーク
１，２の左右間のずれ角θxは近似的に次式で表
される。
個の対物レンズ１５の光軸に位置するようにする
と、光電変換素子２０，２０と演算処理回路２１
とによつて整合状態が検出され、左側の整合ずれ
量ΔXL1，ΔYL1，右側のずれ量ΔXR1，ΔYR1が
求められる。続いて、演算処理回路２１の指令に
よりキヤリツジ駆動機構３６を介してキヤリツジ
３０を矢印Ｂ方向に距離Ｄだけ移動し、別のアラ
イメントマーク１，２の整合状態を測定し、同様
にそのずれ量ΔXL2，ΔYL2，ΔXR2，ΔYR2を得
る。ここで、標準マスク１６、標準ウエハー１８
のｘ方向に距離Ｃだけ離れたアライメントマーク
１，２の左右間のずれ角θxは近似的に次式で表
される。
θx＝（１／2C）・（ΔYL1−ΔYR1
＋ΔYL2−ΔYR2） ……(5)
また、ｙ方向に距離Ｄだけ離れたアライメント
マーク１，２の上下間のずれ角θyは近似的に次
式で表される。
マーク１，２の上下間のずれ角θyは近似的に次
式で表される。
θy＝（１／2D）・（ΔXR1＋ΔXL1
−ΔXR2−ΔXL2） ……(6)
これらの計算は演算処理回路２１でなされ、こ
のずれ角を減少するように調整駆動機構３４を介
して転写光学系１７を回動し、転写歪み誤差を解
消することができる。この駆動すべき角度は、 θ＝（θy−θx）／２ ……(7) であり、θxはミスアライメントで光軸と走査軸
が水平面内で平行になつていない成分である。
のずれ角を減少するように調整駆動機構３４を介
して転写光学系１７を回動し、転写歪み誤差を解
消することができる。この駆動すべき角度は、 θ＝（θy−θx）／２ ……(7) であり、θxはミスアライメントで光軸と走査軸
が水平面内で平行になつていない成分である。
［発明の効果］
以上説明したように本発明に係る転写誤差調整
方法は、マスク側の複数のマークとウエハー側の
複数のマークの整合ずれを所定の演算式で処理
し、この処理結果に基づいて転写光学系の転写倍
率を調整、又は転写光学系を移動して転写歪みを
調整するようにしているので、転写倍率誤差や転
写歪み誤差がある場合にもマスクとウエハーを正
確に整合でき、その整合動作を迅速に行うことが
できる。
方法は、マスク側の複数のマークとウエハー側の
複数のマークの整合ずれを所定の演算式で処理
し、この処理結果に基づいて転写光学系の転写倍
率を調整、又は転写光学系を移動して転写歪みを
調整するようにしているので、転写倍率誤差や転
写歪み誤差がある場合にもマスクとウエハーを正
確に整合でき、その整合動作を迅速に行うことが
できる。
図面第１図ａ，ｂ，ｃはマスクとウエハーの整
合状態を説明するための説明図、第２図以下は本
発明に係る転写誤差調整方法の実施例を示し、第
２図及び第５図は光学的構成図、第３図はアライ
メントマークに対する光電変換素子の出力特性
図、第４図はマスクとウエハーのアライメントマ
ークの整合状態を示す平面図、第６図及び第７図
は転写歪の説明図である。 符号１，２はアライメントマーク、Ａはレーザ
走査方向、１０はレーザ光源、１１はコンデンサ
レンズ、１２はポリゴン鏡、１３はｆ・θレン
ズ、１４はハーフミラー、１６は標準マスク、１
７は転写光学系、１８は標準ウエハー、２０は光
電変換素子、２１は演算処理回路、２２，３４，
３６は駆動機構、３０はキヤリツジ、３１は台形
ミラー、３２は凹面ミラー、３３は凸面ミラー、
３４は調整機動機構、３５は分割プリズムであ
る。
合状態を説明するための説明図、第２図以下は本
発明に係る転写誤差調整方法の実施例を示し、第
２図及び第５図は光学的構成図、第３図はアライ
メントマークに対する光電変換素子の出力特性
図、第４図はマスクとウエハーのアライメントマ
ークの整合状態を示す平面図、第６図及び第７図
は転写歪の説明図である。 符号１，２はアライメントマーク、Ａはレーザ
走査方向、１０はレーザ光源、１１はコンデンサ
レンズ、１２はポリゴン鏡、１３はｆ・θレン
ズ、１４はハーフミラー、１６は標準マスク、１
７は転写光学系、１８は標準ウエハー、２０は光
電変換素子、２１は演算処理回路、２２，３４，
３６は駆動機構、３０はキヤリツジ、３１は台形
ミラー、３２は凹面ミラー、３３は凸面ミラー、
３４は調整機動機構、３５は分割プリズムであ
る。
Claims (1)
- １ マスクとウエハーの間に介在する転写光学系
を通して複数のマークを光電検出し、この光電検
出により得られたマーク信号を用いて前記マーク
ごとにマーク位置誤差に関連する値を求め、前記
マーク位置誤差に関連する値を前記マークごとに
求めた後に、演算処理手段により前記マーク間の
距離に関連する値と前記マーク位置誤差に関連す
る値を所定の演算式を用いて演算処理し、前記転
写光学系の転写倍率又は転写歪みを調整するため
の調整量に関連する値を算出することを特徴とす
る転写誤差調整方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2209592A JPH03101215A (ja) | 1990-08-07 | 1990-08-07 | 転写誤差調整方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2209592A JPH03101215A (ja) | 1990-08-07 | 1990-08-07 | 転写誤差調整方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56208468A Division JPS58108745A (ja) | 1981-12-23 | 1981-12-23 | 転写装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6040376A Division JP2567811B2 (ja) | 1994-02-14 | 1994-02-14 | 走査型露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03101215A JPH03101215A (ja) | 1991-04-26 |
| JPH0519298B2 true JPH0519298B2 (ja) | 1993-03-16 |
Family
ID=16575381
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2209592A Granted JPH03101215A (ja) | 1990-08-07 | 1990-08-07 | 転写誤差調整方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03101215A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106569395A (zh) * | 2015-10-08 | 2017-04-19 | 无锡华润上华科技有限公司 | 测量曝光机台漏光的光掩膜及方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4922587A (ja) * | 1972-06-26 | 1974-02-28 |
-
1990
- 1990-08-07 JP JP2209592A patent/JPH03101215A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4922587A (ja) * | 1972-06-26 | 1974-02-28 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106569395A (zh) * | 2015-10-08 | 2017-04-19 | 无锡华润上华科技有限公司 | 测量曝光机台漏光的光掩膜及方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03101215A (ja) | 1991-04-26 |
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