JPH0131609B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0131609B2 JPH0131609B2 JP54105078A JP10507879A JPH0131609B2 JP H0131609 B2 JPH0131609 B2 JP H0131609B2 JP 54105078 A JP54105078 A JP 54105078A JP 10507879 A JP10507879 A JP 10507879A JP H0131609 B2 JPH0131609 B2 JP H0131609B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- light emitting
- emitting diode
- photoreceptor
- asp
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 claims description 16
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 claims description 6
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 claims description 6
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 29
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 7
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 5
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 5
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000004397 blinking Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Printers Or Recording Devices Using Electromagnetic And Radiation Means (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Exposure Or Original Feeding In Electrophotography (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、小形にして信頼性に優れ、印字速
度の速い電子写真式プリンタ装置に関するもので
ある。
度の速い電子写真式プリンタ装置に関するもので
ある。
従来、この種の装置としては、発光中心波長
560nｍのGaP発光ダイオードとZnO感光紙とを用
いたものがある。
560nｍのGaP発光ダイオードとZnO感光紙とを用
いたものがある。
この装置では、別個に形成されたGaP発光ダイ
オードをセラミツク基板上に一列に並べて印字す
るものである。したがつて、解像度はせいぜい４
ドツト／mm程度であつた。また、数10cmにわたる
プリンタ装置の印字幅のアレイを精度よく整列さ
せることは極めて困難であつた。
オードをセラミツク基板上に一列に並べて印字す
るものである。したがつて、解像度はせいぜい４
ドツト／mm程度であつた。また、数10cmにわたる
プリンタ装置の印字幅のアレイを精度よく整列さ
せることは極めて困難であつた。
さらに、各発光ダイオードの発光中心波長のば
らつきがあると、印字の濃度の変化が激しくなる
などの欠点があつた。
らつきがあると、印字の濃度の変化が激しくなる
などの欠点があつた。
この発明は、上記欠点を除去するためになされ
たもので、Ga（AsP）モノリシツク発光ダイオー
ドアレイと、３層構造を有するSeを主体とする
感光体を使用することを特徴とするもので、その
目的は分解能の向上、印字の乱れの除去、印字速
度の向上、発光波長のばらつきによる印字濃度む
らの除去等にある。以下図面によつてこの発明を
詳細に説明する。
たもので、Ga（AsP）モノリシツク発光ダイオー
ドアレイと、３層構造を有するSeを主体とする
感光体を使用することを特徴とするもので、その
目的は分解能の向上、印字の乱れの除去、印字速
度の向上、発光波長のばらつきによる印字濃度む
らの除去等にある。以下図面によつてこの発明を
詳細に説明する。
第１図はこの発明の装置の一実施例を示す概略
図である。この図で、１は感光ドラム、２は一様
帯電コロトロン、３は光伝達素子、４は発光ダイ
オード、５は現像器、６は転写コロトロン、７は
剥離コロトロン、８は定着器、９は清掃器、１０
は消去ランプ、１１は用紙である。
図である。この図で、１は感光ドラム、２は一様
帯電コロトロン、３は光伝達素子、４は発光ダイ
オード、５は現像器、６は転写コロトロン、７は
剥離コロトロン、８は定着器、９は清掃器、１０
は消去ランプ、１１は用紙である。
感光ドラム１を一様帯電コロトロン２により一
様に正極性に帯電し、これに発光ダイオード４の
点滅により信号を書き込む。これにより静電潜像
が形成され、これを現像して可視化し、用紙１１
に転写・定着することによつて印刷が終了する。
様に正極性に帯電し、これに発光ダイオード４の
点滅により信号を書き込む。これにより静電潜像
が形成され、これを現像して可視化し、用紙１１
に転写・定着することによつて印刷が終了する。
この発明による感光ドラム１の構成の一例を実
験結果に基づいて第２図に示す。第２図におい
て、１２はAl支持体、１３はPbS層、１４は0.1
〜0.2μｍの厚さのポリカーボネート層、１５は20
〜100μｍのSe層、１６はSeとTeからなる層で、
モル比で0.15〜0.5のTeを含み厚さ0.1〜5μｍの
Se・Te層、１７はSeとTeとSbからなる層で、
モル比で0.15を越えないTeと0.01を越えないSb
とを含み、厚さは0.5μｍを越えないSe・Te・Sb
層である。
験結果に基づいて第２図に示す。第２図におい
て、１２はAl支持体、１３はPbS層、１４は0.1
〜0.2μｍの厚さのポリカーボネート層、１５は20
〜100μｍのSe層、１６はSeとTeからなる層で、
モル比で0.15〜0.5のTeを含み厚さ0.1〜5μｍの
Se・Te層、１７はSeとTeとSbからなる層で、
モル比で0.15を越えないTeと0.01を越えないSb
とを含み、厚さは0.5μｍを越えないSe・Te・Sb
層である。
一般に感光体は経時変化によりその特性が劣化
するが、その最大の原因はSeの結晶化である。
この結晶化は、感光体がコロナを帯びたり摩擦さ
れたりする刺激で生じ、感光体の表面から始まつ
ていくため、特に表面保護層の結晶化を防ぐこと
が重要である。結晶化を防ぐためにはSeに不純
物を混入させることが効果的であり、表面保護層
にSe・Sbを用いる例は知られているが、Sbをあ
る程度以上混入すると表面保護層に残留電位が生
じやすく、感光体の繰り返し特性が劣化する。本
発明では、少量のSbにさらにTeを混入すること
でSeの結晶化を防ぎ、Sbによる影響をも防いで
いる。
するが、その最大の原因はSeの結晶化である。
この結晶化は、感光体がコロナを帯びたり摩擦さ
れたりする刺激で生じ、感光体の表面から始まつ
ていくため、特に表面保護層の結晶化を防ぐこと
が重要である。結晶化を防ぐためにはSeに不純
物を混入させることが効果的であり、表面保護層
にSe・Sbを用いる例は知られているが、Sbをあ
る程度以上混入すると表面保護層に残留電位が生
じやすく、感光体の繰り返し特性が劣化する。本
発明では、少量のSbにさらにTeを混入すること
でSeの結晶化を防ぎ、Sbによる影響をも防いで
いる。
また、PbS層およびポリカーボネイト層は導電
性支持体AlからSe層への電子の流入を防止し、
Se層に生じた正電荷を高いＳ／Ｎ比で静電潜像
にするために重要である。
性支持体AlからSe層への電子の流入を防止し、
Se層に生じた正電荷を高いＳ／Ｎ比で静電潜像
にするために重要である。
第３図の曲線Ａはこの感光体の感度スペクトル
を示す図である。550nｍ付近に感度の谷があり、
650nｍ付近に感度のピークがあるという特徴的
な感度スペクトルである。なお、曲線Ｂは従来の
感光体の感光スペクトルを示す図であり、また
Se・Te・Sb層１７（第３図）の厚みを薄くして
ゆくと曲線Ａの谷は次第に上がつてゆく。
を示す図である。550nｍ付近に感度の谷があり、
650nｍ付近に感度のピークがあるという特徴的
な感度スペクトルである。なお、曲線Ｂは従来の
感光体の感光スペクトルを示す図であり、また
Se・Te・Sb層１７（第３図）の厚みを薄くして
ゆくと曲線Ａの谷は次第に上がつてゆく。
この特徴的な感度スペクトルはGa（AsP）発光
ダイオードとの組合せでさらに特徴的な効果を発
揮する。
ダイオードとの組合せでさらに特徴的な効果を発
揮する。
第４図はいくつかのGa（AsP）発光ダイオード
の発光中心波長と外部量子効率をプロツトしたも
のである。これは一定入力を加えたときの出力の
比と考えることもできる。このGa（AsP）発光ダ
イオードで前記感光体に書き込んだときの静電潜
像の強度は第３図と第４図との積で表わせる。こ
れを第５図に示す。
の発光中心波長と外部量子効率をプロツトしたも
のである。これは一定入力を加えたときの出力の
比と考えることもできる。このGa（AsP）発光ダ
イオードで前記感光体に書き込んだときの静電潜
像の強度は第３図と第４図との積で表わせる。こ
れを第５図に示す。
第５図において、曲線B0は比較のため市販の
感光ドラムとGa（AsP）発光ダイオードとを組合
せたときのものである。曲線A0がこの発明の組
合せによるものである。
感光ドラムとGa（AsP）発光ダイオードとを組合
せたときのものである。曲線A0がこの発明の組
合せによるものである。
静電潜像の強度は、印字速度とみなすことがで
きる。第５図の曲線A0からこの発明の電子写真
式プリンタ装置は従来の装置よりも極めて高速で
あることがわかる。また、発光ダイオードとして
モノリシツクアレイ化が容易なGa（AsP）を用い
るので、解像度が高く、印字における字並び変動
もない。一般にGa（AsP）発光ダイオードの発光
波長は、１個のモノリシツクアレイの中では、ば
らつきは少ないが、チツプが異なると発光波長の
ばらつきが大きく、発光波長のそろつたチツプを
多数得ることは困難であつた。例えば１チツプの
長さが２cmのGa（AsP）モノリツク発光ダイオー
ドアレイを10個並べて20cmのアレイを作成すると
き、チツプの発光波長の不揃いで印字における濃
度むらが大きかつた。
きる。第５図の曲線A0からこの発明の電子写真
式プリンタ装置は従来の装置よりも極めて高速で
あることがわかる。また、発光ダイオードとして
モノリシツクアレイ化が容易なGa（AsP）を用い
るので、解像度が高く、印字における字並び変動
もない。一般にGa（AsP）発光ダイオードの発光
波長は、１個のモノリシツクアレイの中では、ば
らつきは少ないが、チツプが異なると発光波長の
ばらつきが大きく、発光波長のそろつたチツプを
多数得ることは困難であつた。例えば１チツプの
長さが２cmのGa（AsP）モノリツク発光ダイオー
ドアレイを10個並べて20cmのアレイを作成すると
き、チツプの発光波長の不揃いで印字における濃
度むらが大きかつた。
しかしながら、この発明によれば、第５図のよ
うに感光体の感度とGa（AsP）発光ダイオードの
効率の積のスペクトルは極めて広い波長範囲で変
動が少ない。従つて、発光ダイオードに発光波長
のばらつきがあつても、形成される静電潜像の強
さは一様になり、印字における濃度むらは生じな
い。これにより発光ダイオード作成の条件が緩和
され、歩留りが向上し、装置の低価格化が可能で
ある。
うに感光体の感度とGa（AsP）発光ダイオードの
効率の積のスペクトルは極めて広い波長範囲で変
動が少ない。従つて、発光ダイオードに発光波長
のばらつきがあつても、形成される静電潜像の強
さは一様になり、印字における濃度むらは生じな
い。これにより発光ダイオード作成の条件が緩和
され、歩留りが向上し、装置の低価格化が可能で
ある。
以上説明したように、この発明によればGa
（AsP）モノリシツク発光ダイオードアレイを用
い、また、感光体として、導電性支持体上に順次
Se層、Se・Te層、Se・Te・Sb層を形成したも
の、あるいは、上記構成で導電性支持体上とSe
層の間にPbS層とポリカーボネート層を形成した
ものを用いたので、表面保護層であるSe・Te・
Sb層がTeの含有によりその安定度が向上し、か
つ、導電性支持体AlからSe層への電子の流入を
PbS層とポリカーボネート層が防止するため感光
体が向上し、解像度が高く、字並びのよい高品質
の印字ができ、さらに、従来よりも極めて速い印
字が可能である。また、この発明の装置では使用
されるGa（AsP）モノリシツク発光ダイオードの
発光波長のばらつきが許容されるので、歩留りが
向上し経済的である等の利点を有する。
（AsP）モノリシツク発光ダイオードアレイを用
い、また、感光体として、導電性支持体上に順次
Se層、Se・Te層、Se・Te・Sb層を形成したも
の、あるいは、上記構成で導電性支持体上とSe
層の間にPbS層とポリカーボネート層を形成した
ものを用いたので、表面保護層であるSe・Te・
Sb層がTeの含有によりその安定度が向上し、か
つ、導電性支持体AlからSe層への電子の流入を
PbS層とポリカーボネート層が防止するため感光
体が向上し、解像度が高く、字並びのよい高品質
の印字ができ、さらに、従来よりも極めて速い印
字が可能である。また、この発明の装置では使用
されるGa（AsP）モノリシツク発光ダイオードの
発光波長のばらつきが許容されるので、歩留りが
向上し経済的である等の利点を有する。
第１図はこの発明の装置の一実施例を示す概略
図、第２図は第１図の装置に用いた感光ドラムの
構成図、第３図は同じく感光体の感度スペクトル
を示す図、第４図はGa（AsP）発光ダイオードの
発光波長に対する外部量子効率スペクトルを示す
図、第５図は感光体感度と発光ダイオード効率と
の積のスペクトルを示す図である。 図中、１は感光ドラム、２は一様帯電コロトロ
ン、３は光伝達素子、４は発光ダイオード、５は
現像器、６は転写コロトロン、７は剥離コロトロ
ン、８は定着器、９は清掃器、１０は消去ラン
プ、１１は用紙、１２はAl支持体、１３はPbS
層、１４はポリカーボネート層、１５はSe層、
１６はSe・Te層、１７はSe・Te・Sb層である。
図、第２図は第１図の装置に用いた感光ドラムの
構成図、第３図は同じく感光体の感度スペクトル
を示す図、第４図はGa（AsP）発光ダイオードの
発光波長に対する外部量子効率スペクトルを示す
図、第５図は感光体感度と発光ダイオード効率と
の積のスペクトルを示す図である。 図中、１は感光ドラム、２は一様帯電コロトロ
ン、３は光伝達素子、４は発光ダイオード、５は
現像器、６は転写コロトロン、７は剥離コロトロ
ン、８は定着器、９は清掃器、１０は消去ラン
プ、１１は用紙、１２はAl支持体、１３はPbS
層、１４はポリカーボネート層、１５はSe層、
１６はSe・Te層、１７はSe・Te・Sb層である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 発光ダイオードの発光部が少なくともGaと
AsとＰを含み、このGa（AsP）混晶層に選択的
にZnを拡散させてPN接合を形成した複数のモノ
リシツク発光ダイオードと、導電性支持体上に順
次Se層、SeにTeを含むSe・Te層、SeにTeとSb
とを含むSe・Te・Sb層により形成された感光体
とを備え、前記モノリシツク発光ダイオードで露
光し前記感光体上に静電潜像を形成することを特
徴とする電子写真式プリンタ装置。 ２ Se・Te・Sb層はモル比で０＜Te≦0.15の
Teを含むことを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の電子写真式プリンタ装置。 ３ 発光ダイオードの発光部が少なくともGaと
AsとＰを含み、このGa（AsP）混晶層に選択的
にZnを拡散させてPN接合を形成した複数のモノ
リシツク発光ダイオードと、導電性支持体上に順
次PbS層、ポリカーボネート層、Se層、SeにTe
を含むSe・Te層、SeにTeとSbとを含むSe・
Te・Sb層により形成された感光体とを備え、前
記モノリシツク発光ダイオードで露光し前記感光
体上に静電潜像を形成することを特徴とする電子
写真式プリンタ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10507879A JPS5628871A (en) | 1979-08-20 | 1979-08-20 | Electrophotographic printer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10507879A JPS5628871A (en) | 1979-08-20 | 1979-08-20 | Electrophotographic printer |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5628871A JPS5628871A (en) | 1981-03-23 |
| JPH0131609B2 true JPH0131609B2 (ja) | 1989-06-27 |
Family
ID=14397890
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10507879A Granted JPS5628871A (en) | 1979-08-20 | 1979-08-20 | Electrophotographic printer |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5628871A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6232476A (ja) * | 1985-08-05 | 1987-02-12 | Hitachi Ltd | 発光ダイオ−ドプリンタ |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55113050A (en) * | 1979-02-23 | 1980-09-01 | Stanley Electric Co Ltd | Electrophotographic receptor |
-
1979
- 1979-08-20 JP JP10507879A patent/JPS5628871A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55113050A (en) * | 1979-02-23 | 1980-09-01 | Stanley Electric Co Ltd | Electrophotographic receptor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5628871A (en) | 1981-03-23 |
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