JPH01305612A - 減衰器 - Google Patents
減衰器Info
- Publication number
- JPH01305612A JPH01305612A JP63136541A JP13654188A JPH01305612A JP H01305612 A JPH01305612 A JP H01305612A JP 63136541 A JP63136541 A JP 63136541A JP 13654188 A JP13654188 A JP 13654188A JP H01305612 A JPH01305612 A JP H01305612A
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- JP
- Japan
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- resistor
- resistors
- series
- output terminal
- resistance
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- Pending
Links
- 238000013016 damping Methods 0.000 abstract 3
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 102220041690 rs368070922 Human genes 0.000 description 1
- 102220037287 rs387906970 Human genes 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
- H03G7/00—Volume compression or expansion in amplifiers
- H03G7/06—Volume compression or expansion in amplifiers having semiconductor devices
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/24—Frequency- independent attenuators
Landscapes
- Attenuators (AREA)
- Control Of Amplification And Gain Control (AREA)
- Networks Using Active Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明は減衰器(アッテネータ)に関するもので、特に
半導体装置に構成されるマルチタップ減衰器に使用され
るものである。
半導体装置に構成されるマルチタップ減衰器に使用され
るものである。
(従来の技術)
この種の従来例を第5図に示す。これは、直列抵抗R1
〜R8と、並列抵抗R91RIOからなる。
〜R8と、並列抵抗R91RIOからなる。
ここでR2,Rloは、R2((R5+R6+R1o/
(R,+ R8) )としくこのr/Jなる記号はRl
oと「R7+R8」が並列ということ)、かつR10<
(R7十88)として、R1−R4とR2及びR5+
R6+ R1゜の抵抗比により減衰量を決めるようにし
ている。
(R,+ R8) )としくこのr/Jなる記号はRl
oと「R7+R8」が並列ということ)、かつR10<
(R7十88)として、R1−R4とR2及びR5+
R6+ R1゜の抵抗比により減衰量を決めるようにし
ている。
第5図で1.I、・・・は、減衰量を決めるため選択的
に閉成されるアナログスイッチ、ATT −IN ハM
号入力端子、 ATT−OUTは信号出力端子である。
に閉成されるアナログスイッチ、ATT −IN ハM
号入力端子、 ATT−OUTは信号出力端子である。
(発明が解決しようとする課題)
従来技術では、抵抗R5,R6の接続節点から出力を得
る場合について交流的に考えると、第6図(a)から(
b)の如く(高周波では抵抗R5は無視される)ピン間
容量Cと、出力端子から基準電位(接地)側の合成抵抗
r R6+R1o/(R7+R8)Jによシハイノリフ
ィルタが形成される。このフィルタの周波数特性はf
= 1/2πCR(Rは合成抵抗)のカットオフ周波数
によシ決まる。ここで抵抗R4,R5の接続節点でのR
K相当する抵抗値は1.OkΩ、同様にR51R6の接
続節点でのRに相幽する抵抗値を求めると、3.16に
Ωと前段での合成抵抗より大きくなる(接地側から見て
)ことがわかる。この抵抗値の関係によシ、第7図の周
波数特性を見ても分かる通や高周波領域で減衰量の追い
越しを生じることになる。従って第5図の回路は、抵抗
R4〜R10の部分が高周波領域で良い減衰器とは云え
ないものである。加えて、合成抵抗100にΩに対する
抵抗値の合計が120.59にΩと2割強増え、ICで
の占有面積大の原因となる。
る場合について交流的に考えると、第6図(a)から(
b)の如く(高周波では抵抗R5は無視される)ピン間
容量Cと、出力端子から基準電位(接地)側の合成抵抗
r R6+R1o/(R7+R8)Jによシハイノリフ
ィルタが形成される。このフィルタの周波数特性はf
= 1/2πCR(Rは合成抵抗)のカットオフ周波数
によシ決まる。ここで抵抗R4,R5の接続節点でのR
K相当する抵抗値は1.OkΩ、同様にR51R6の接
続節点でのRに相幽する抵抗値を求めると、3.16に
Ωと前段での合成抵抗より大きくなる(接地側から見て
)ことがわかる。この抵抗値の関係によシ、第7図の周
波数特性を見ても分かる通や高周波領域で減衰量の追い
越しを生じることになる。従って第5図の回路は、抵抗
R4〜R10の部分が高周波領域で良い減衰器とは云え
ないものである。加えて、合成抵抗100にΩに対する
抵抗値の合計が120.59にΩと2割強増え、ICで
の占有面積大の原因となる。
本発明の目的は、抵抗値の合計を大きくすることなく、
高周波領域での減衰量の追い越しをおさえ、減衰比を正
確にとシ易くする減衰器を提供することにある。
高周波領域での減衰量の追い越しをおさえ、減衰比を正
確にとシ易くする減衰器を提供することにある。
[発明の構成]
(課題を解決するための手段と作用)
本発明は、一端側を基準電位に接続した第1の抵抗と、
この第1の抵抗の他端側に直列接続し任意の減衰が得ら
れるような抵抗比をもつ第2の抵抗を設け、前記第1、
第2の抵抗の接続節点を第1の出力端子とし、前記第1
、第2の抵抗の直列回路に並列接続した第3の抵抗を設
け、この第3の抵抗と第1、第2の抵抗による回路の合
成抵抗値が第1の抵抗の値と等しくなるように設定し、
前記第2の抵抗と等しい抵抗値をもつ第4の抵抗を前記
第1ないし第3の抵抗による回路と前記基準電位とは反
対側で直列接続し、前記第1ないし第3の抵抗による回
路と第4の抵抗との接続接点を第2の出力端子とし、前
記第4の抵抗から入力端子側に向けて直列抵抗と並列抵
抗をつみ重ねるように接続し、前記直列抵抗の接続節点
を出力端子としてなるラダー抵抗を設け、前記基準電位
から最も遠い直列抵抗の端部を前記入力端子に接続した
ことを第1の特徴とする。
この第1の抵抗の他端側に直列接続し任意の減衰が得ら
れるような抵抗比をもつ第2の抵抗を設け、前記第1、
第2の抵抗の接続節点を第1の出力端子とし、前記第1
、第2の抵抗の直列回路に並列接続した第3の抵抗を設
け、この第3の抵抗と第1、第2の抵抗による回路の合
成抵抗値が第1の抵抗の値と等しくなるように設定し、
前記第2の抵抗と等しい抵抗値をもつ第4の抵抗を前記
第1ないし第3の抵抗による回路と前記基準電位とは反
対側で直列接続し、前記第1ないし第3の抵抗による回
路と第4の抵抗との接続接点を第2の出力端子とし、前
記第4の抵抗から入力端子側に向けて直列抵抗と並列抵
抗をつみ重ねるように接続し、前記直列抵抗の接続節点
を出力端子としてなるラダー抵抗を設け、前記基準電位
から最も遠い直列抵抗の端部を前記入力端子に接続した
ことを第1の特徴とする。
また本発明は、一端側を基準電位に接続した第1の抵抗
と、この第1の抵抗の他端側に直列接続し任意の減衰が
得られるような抵抗比をもつ第2の抵抗を設け、前記第
1、第2の抵抗の接続節点を第1の出力端子とし、前記
第1、第2の抵抗の直列回路に並列接続した第3の抵抗
を設け、この第3の抵抗と第1、第2の抵抗による回路
の合成抵抗値が第1の抵抗の値と等しくなるように設定
し、前記第2の抵抗と等しい抵抗値をもつ第4の抵抗を
前記第1ないし第3の抵抗による回路と前記基準電位と
は反対側で直列接続し、前記第1ないし第3の抵抗によ
る回路と第4の抵抗との接続接点を第2の出力端子とし
、前記第4の抵抗から入力端子側に向けて直列抵抗と並
列抵抗をつみ重6一 ねるように接続し、前記直列抵抗の接続節点を出力端子
としてなるラダー抵抗を設け、前記基準電位から最も遠
い直列抵抗の端部に、更に任意の抵抗比をもつ抵抗を任
意数直列接続し、その接続接点を出力端子とし、前記任
意数直列接続された抵抗の端部を前記入力端子としたこ
とを第2の特徴とする。
と、この第1の抵抗の他端側に直列接続し任意の減衰が
得られるような抵抗比をもつ第2の抵抗を設け、前記第
1、第2の抵抗の接続節点を第1の出力端子とし、前記
第1、第2の抵抗の直列回路に並列接続した第3の抵抗
を設け、この第3の抵抗と第1、第2の抵抗による回路
の合成抵抗値が第1の抵抗の値と等しくなるように設定
し、前記第2の抵抗と等しい抵抗値をもつ第4の抵抗を
前記第1ないし第3の抵抗による回路と前記基準電位と
は反対側で直列接続し、前記第1ないし第3の抵抗によ
る回路と第4の抵抗との接続接点を第2の出力端子とし
、前記第4の抵抗から入力端子側に向けて直列抵抗と並
列抵抗をつみ重6一 ねるように接続し、前記直列抵抗の接続節点を出力端子
としてなるラダー抵抗を設け、前記基準電位から最も遠
い直列抵抗の端部に、更に任意の抵抗比をもつ抵抗を任
意数直列接続し、その接続接点を出力端子とし、前記任
意数直列接続された抵抗の端部を前記入力端子としたこ
とを第2の特徴とする。
即ち本発明は、基準電位に近い部分の抵抗にラダー抵抗
を用い、高周波領域での交流的なカットオフ周波数の追
い越しを防ぐ。また抵抗値の合計を比較的小さくし、I
C化での占有面積を小さくする。また入力端子側と基準
電位側との抵抗比を余シかけ離れたものとしないように
し、例えばIC化においてシート抵抗のみとして抵抗比
がばらつかないようにし、減衰比を正確にとシ得るよう
にしたものである。
を用い、高周波領域での交流的なカットオフ周波数の追
い越しを防ぐ。また抵抗値の合計を比較的小さくし、I
C化での占有面積を小さくする。また入力端子側と基準
電位側との抵抗比を余シかけ離れたものとしないように
し、例えばIC化においてシート抵抗のみとして抵抗比
がばらつかないようにし、減衰比を正確にとシ得るよう
にしたものである。
(実施例)
以下図面を参照して本発明の一実施例を説明する。第1
図はその構成図である。即ち一端側を接地に接続した抵
抗R18と、その他端側に直列接続し任意の減衰を得ら
れるような抵抗比をもつ抵抗R17とを直列接続し、抵
抗R171R18の接続点を出力端aとし、抵抗R17
1R18に並列接続した抵抗R21を設け、そのR2,
と抵抗R171R18による回路の合成抵抗値が抵抗R
18の値と等しくなるように設定し、抵抗R17と等し
い抵抗値をもつ抵抗R16を、抵抗R171R181R
21による回路と直列接続し、抵抗R17,R18,R
21による回路と抵抗R16との接続節点を出力端すと
し、以後入力端子ATT −IN側に向けて直列抵抗R
15と並列抵抗R2o、直列抵抗R14と並列抵抗R1
9をつみ重ねるように接続し、各直列抵抗の接続節点を
それぞれc、dとしたラダー抵抗を設け、その後任意の
抵抗比をもつ抵抗R151R121R11と直列接続し
、各接続節点を出力端子6−%−gとし、抵抗R11の
端部りを入力端子ATT −INに接続し、各出力端子
a〜hをそれぞれアナログスイッチ11を介して出力端
子ATT−OUTに共通接続したものである。
図はその構成図である。即ち一端側を接地に接続した抵
抗R18と、その他端側に直列接続し任意の減衰を得ら
れるような抵抗比をもつ抵抗R17とを直列接続し、抵
抗R171R18の接続点を出力端aとし、抵抗R17
1R18に並列接続した抵抗R21を設け、そのR2,
と抵抗R171R18による回路の合成抵抗値が抵抗R
18の値と等しくなるように設定し、抵抗R17と等し
い抵抗値をもつ抵抗R16を、抵抗R171R181R
21による回路と直列接続し、抵抗R17,R18,R
21による回路と抵抗R16との接続節点を出力端すと
し、以後入力端子ATT −IN側に向けて直列抵抗R
15と並列抵抗R2o、直列抵抗R14と並列抵抗R1
9をつみ重ねるように接続し、各直列抵抗の接続節点を
それぞれc、dとしたラダー抵抗を設け、その後任意の
抵抗比をもつ抵抗R151R121R11と直列接続し
、各接続節点を出力端子6−%−gとし、抵抗R11の
端部りを入力端子ATT −INに接続し、各出力端子
a〜hをそれぞれアナログスイッチ11を介して出力端
子ATT−OUTに共通接続したものである。
第1図において、この減衰器の合成抵抗100にΩ、減
衰ステッ7’−10dB、入力ATT −IN側から設
定する全体の減衰量をOdB〜−70dBと設定した場
合について説明する。R41=68.4にΩ、R42=
21.6 kΩ、R43= 6.84 kΩ、R14
〜R17=2.16にΩ、R−R=1.46にΩ、R1
8=1.OOkΩと設定する。抵抗R−R、R−Rがラ
グ−抵抗になっていて、その抵抗値は、R、Rの直列合
成抵抗とR21との合成抵抗がR18の抵抗値と等しく
なるように決める。
衰ステッ7’−10dB、入力ATT −IN側から設
定する全体の減衰量をOdB〜−70dBと設定した場
合について説明する。R41=68.4にΩ、R42=
21.6 kΩ、R43= 6.84 kΩ、R14
〜R17=2.16にΩ、R−R=1.46にΩ、R1
8=1.OOkΩと設定する。抵抗R−R、R−Rがラ
グ−抵抗になっていて、その抵抗値は、R、Rの直列合
成抵抗とR21との合成抵抗がR18の抵抗値と等しく
なるように決める。
ところで、第5図の回路の抵抗値をR1−68,0にΩ
、R2=22.3にΩ、R3= 6.95 kΩ、R4
=2.12にΩ、R5=6.84にΩ、R6=2.16
にΩ、R,= 6.84にΩ、R8=3.16にΩ、R
91R1[+ = 1.11 kΩ と設定した場合の
シミュレーション結果が第7図である。これで示すよう
に、−50dB 、−70dBで高周波領域での追い越
しを生じている。この−50dB、−70dBは1.1
1にΩが接続されている抵抗の下方の出力である。これ
は、カットオフ周波数f=いfcRに関係する高周波数
域での追い越しである。
、R2=22.3にΩ、R3= 6.95 kΩ、R4
=2.12にΩ、R5=6.84にΩ、R6=2.16
にΩ、R,= 6.84にΩ、R8=3.16にΩ、R
91R1[+ = 1.11 kΩ と設定した場合の
シミュレーション結果が第7図である。これで示すよう
に、−50dB 、−70dBで高周波領域での追い越
しを生じている。この−50dB、−70dBは1.1
1にΩが接続されている抵抗の下方の出力である。これ
は、カットオフ周波数f=いfcRに関係する高周波数
域での追い越しである。
第2図に、第1図のラダー抵抗を用いた場合のシュミレ
ーション結果を示す。このグラフを見ると、第7図でみ
られた−50 dB 1−70 dBでの追い越しが見
られない。即ちラダー抵抗にすることで、カットオフ周
波数f = IAKCRのR(b〜d点での各合成抵抗
)が同じ値(それぞれR18の値)をとるため、第2図
の如く減衰量の追い越しを生じないものである。
ーション結果を示す。このグラフを見ると、第7図でみ
られた−50 dB 1−70 dBでの追い越しが見
られない。即ちラダー抵抗にすることで、カットオフ周
波数f = IAKCRのR(b〜d点での各合成抵抗
)が同じ値(それぞれR18の値)をとるため、第2図
の如く減衰量の追い越しを生じないものである。
また抵抗値の合成も、第7図の場合が120.59にΩ
、第1図の場合が110.86にΩとなシ、第1図の方
が小さくなるものである。
、第1図の場合が110.86にΩとなシ、第1図の方
が小さくなるものである。
第3図、第4図は本発明の異なる実施例で、第3図が端
子ATT −IN 、 ATT−OUT付近までラダー
抵抗とした場合の例、第4図が減衰ステップを多くとっ
た場合の例である。
子ATT −IN 、 ATT−OUT付近までラダー
抵抗とした場合の例、第4図が減衰ステップを多くとっ
た場合の例である。
[発明の効果]
以上説明した如く本発明によれば、抵抗値の合計を大き
くすることなく高周波域での減衰量の追い越しをおさえ
、減衰比を正確にとシ易くできる減衰器が提供できるも
のである。
くすることなく高周波域での減衰量の追い越しをおさえ
、減衰比を正確にとシ易くできる減衰器が提供できるも
のである。
−1〇−
第1図は本発明の一実施例の回路構成図、第2図は同構
成の周波数特性図、第3図、第4図は本発明の他の実施
例の構成図、第5図は従来の減衰器の構成図、第6図は
同構成の一部等価回路図、第7図は同構成の特性図であ
る。 R11〜R18・・・直列抵抗、R19〜R21・・・
並列抵抗、11・・・スイッチ、a−h・・・出力端子
。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦山 1)七 つ
成の周波数特性図、第3図、第4図は本発明の他の実施
例の構成図、第5図は従来の減衰器の構成図、第6図は
同構成の一部等価回路図、第7図は同構成の特性図であ
る。 R11〜R18・・・直列抵抗、R19〜R21・・・
並列抵抗、11・・・スイッチ、a−h・・・出力端子
。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦山 1)七 つ
Claims (3)
- (1)一端側を基準電位に接続した第1の抵抗と、この
第1の抵抗の他端側に直列接続し任意の減衰が得られる
ような抵抗比をもつ第2の抵抗を設け、前記第1、第2
の抵抗の接続節点を第1の出力端子とし、前記第1、第
2の抵抗の直列回路に並列接続した第3の抵抗を設け、
この第3の抵抗と第1、第2の抵抗による回路の合成抵
抗値が第1の抵抗の値と等しくなるように設定し、前記
第2の抵抗と等しい抵抗値をもつ第4の抵抗を前記第1
ないし第3の抵抗による回路と前記基準電位とは反対側
で直列接続し、前記第1ないし第3の抵抗による回路と
第4の抵抗との接続接点を第2の出力端子とし、前記第
4の抵抗から入力端子側に向けて直列抵抗と並列抵抗を
つみ重ねるように接続し、前記直列抵抗の接続節点を出
力端子としてなるラダー抵抗を設け、前記基準電位から
最も遠い直列抵抗の端部を前記入力端子に接続したこと
を特徴とする減衰器。 - (2)一端側を基準電位に接続した第1の抵抗と、この
第1の抵抗の他端側に直列接続し任意の減衰が得られる
ような抵抗比をもつ第2の抵抗を設け、前記第1、第2
の抵抗の接続節点を第1の出力端子とし、前記第1、第
2の抵抗の直列回路に並列接続した第3の抵抗を設け、
この第3の抵抗と第1、第2の抵抗による回路の合成抵
抗値が第1の抵抗の値と等しくなるように設定し、前記
第2の抵抗と等しい抵抗値をもつ第4の抵抗を前記第1
ないし第3の抵抗による回路と前記基準電位とは反対側
で直列接続し、前記第1ないし第3の抵抗による回路と
第4の抵抗との接続接点を第2の出力端子とし、前記第
4の抵抗から入力端子側に向けて直列抵抗と並列抵抗を
つみ重ねるように接続し、前記直列抵抗の接続節点を出
力端子としてなるラダー抵抗を設け、前記基準電位から
最も遠い直列抵抗の端部に、更に任意の抵抗比をもつ抵
抗を任意数直列接続し、その接続節点を出力端子とし、
前記任意数直列接続された最後の抵抗の端部を前記入力
端子とした減衰器。 - (3)前記出力端子をそれぞれスイッチを介して信号出
力端に共通接続したことを特徴とする請求項1または2
に記載の減衰器。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63136541A JPH01305612A (ja) | 1988-06-02 | 1988-06-02 | 減衰器 |
US07/355,610 US4912394A (en) | 1988-06-02 | 1989-05-23 | Attenuator circuit |
KR1019890007585A KR920010006B1 (ko) | 1988-06-02 | 1989-06-02 | 감쇠기 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63136541A JPH01305612A (ja) | 1988-06-02 | 1988-06-02 | 減衰器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01305612A true JPH01305612A (ja) | 1989-12-08 |
Family
ID=15177607
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63136541A Pending JPH01305612A (ja) | 1988-06-02 | 1988-06-02 | 減衰器 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4912394A (ja) |
JP (1) | JPH01305612A (ja) |
KR (1) | KR920010006B1 (ja) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6188268B1 (en) * | 1998-10-30 | 2001-02-13 | Sony Corporation Of Japan | Low side current sink circuit having improved output impedance to reduce effects of leakage current |
US5347239A (en) * | 1992-12-03 | 1994-09-13 | Hewlett-Packard Company | Step attenuator |
JP2677939B2 (ja) * | 1992-12-09 | 1997-11-17 | 三菱電機株式会社 | 減衰回路 |
US5636638A (en) * | 1994-06-29 | 1997-06-10 | Baxter International Inc. | Electrical power amplifier for continuous cardiac output monitoring |
US5923159A (en) * | 1995-06-30 | 1999-07-13 | Dallas Semiconductor Corp. | Logarithmic taper resistor with zero crossing changes |
US5886576A (en) * | 1996-10-16 | 1999-03-23 | Baxter International Inc. | Electrical power amplifier for continuous cardiac output monitoring |
US6696892B1 (en) * | 1999-11-11 | 2004-02-24 | Broadcom Corporation | Large dynamic range programmable gain attenuator |
US6680640B1 (en) * | 1999-11-11 | 2004-01-20 | Broadcom Corporation | High linearity large bandwidth, switch insensitive, programmable gain attenuator |
US6731160B1 (en) * | 1999-11-11 | 2004-05-04 | Broadcom Corporation | Adjustable bandwidth high pass filter for large input signal, low supply voltage applications |
US7164903B1 (en) | 2003-06-10 | 2007-01-16 | Smiths Interconnect Microwave Components, Inc. | Integrated N-way Wilkinson power divider/combiner |
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US8890598B2 (en) * | 2013-01-25 | 2014-11-18 | Analog Devices, Inc. | Multiple ramp variable attenuator |
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Citations (1)
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