JPS6020927B2 - 可変減衰装置 - Google Patents
可変減衰装置Info
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- JPS6020927B2 JPS6020927B2 JP17019080A JP17019080A JPS6020927B2 JP S6020927 B2 JPS6020927 B2 JP S6020927B2 JP 17019080 A JP17019080 A JP 17019080A JP 17019080 A JP17019080 A JP 17019080A JP S6020927 B2 JPS6020927 B2 JP S6020927B2
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- 238000013016 damping Methods 0.000 title description 27
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 229910018487 Ni—Cr Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
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- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R15/00—Details of measuring arrangements of the types provided for in groups G01R17/00 - G01R29/00, G01R33/00 - G01R33/26 or G01R35/00
- G01R15/08—Circuits for altering the measuring range
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
- H03G3/00—Gain control in amplifiers or frequency changers
- H03G3/02—Manually-operated control
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/24—Frequency- independent attenuators
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Attenuators (AREA)
- Control Of Amplification And Gain Control (AREA)
- Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
- Measuring Instrument Details And Bridges, And Automatic Balancing Devices (AREA)
- Vibration Prevention Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は可変減衰装置、特に減衰比を等比関係でステッ
プ状に切換え得る高入力インピーダンスの可変減衰装置
に関する。
プ状に切換え得る高入力インピーダンスの可変減衰装置
に関する。
オシロスコープ等の入力段に使用する可変減衰装置にお
いて負荷効果の影響を小さくするため入力信号源に対し
て入力インピーダンスが大きく、又使用上その減衰比は
一定比で例えば1:1、10:1、100:1の如くス
テップ状に選択できることが望ましい。
いて負荷効果の影響を小さくするため入力信号源に対し
て入力インピーダンスが大きく、又使用上その減衰比は
一定比で例えば1:1、10:1、100:1の如くス
テップ状に選択できることが望ましい。
これらを満足させるためには、順次一定比で抵抗が増大
した幾くかの高抵抗器と周波数応答補償用コンデンサと
が必要となり、その最大減衰比時における抵抗器の最大
抵抗は非常に高いものとなる。しかし、一般に高抵抗の
抵抗器はNi−Cr系等の金属薄膜にらせん条の切条を
行なって製造され、抵抗が大きくなるほど切条が多くな
るため抵抗器に並列な浮遊容量が多くなり、その影響で
高周波特性が悪化し、又安定した高抵抗の抵抗器の実現
には限界がある。
した幾くかの高抵抗器と周波数応答補償用コンデンサと
が必要となり、その最大減衰比時における抵抗器の最大
抵抗は非常に高いものとなる。しかし、一般に高抵抗の
抵抗器はNi−Cr系等の金属薄膜にらせん条の切条を
行なって製造され、抵抗が大きくなるほど切条が多くな
るため抵抗器に並列な浮遊容量が多くなり、その影響で
高周波特性が悪化し、又安定した高抵抗の抵抗器の実現
には限界がある。
又、非常に高抵抗の抵抗器を用いる代わりに、少なくと
も3個の適当な抵抗器から成るT字型回路を用いること
で導入カインピーダンスを有し、且つ高広帯域周波数で
使用できる。この可変減衰袋直は非常に小さい入力容量
及び一定の出力インピーダンスを有する。更に抵抗及び
容量素子を基本的減衰装置へ付加し、入力側時定数及び
出力での減衰比を標準化することができる。又斯る減衰
袋贋を個別部品又はハイブリッドの形で実現することが
できる。従って、本発明の目的は、高入力インピーダン
ス、且つ広帯域周波数用の可変減衰装置を提供すること
である。
も3個の適当な抵抗器から成るT字型回路を用いること
で導入カインピーダンスを有し、且つ高広帯域周波数で
使用できる。この可変減衰袋直は非常に小さい入力容量
及び一定の出力インピーダンスを有する。更に抵抗及び
容量素子を基本的減衰装置へ付加し、入力側時定数及び
出力での減衰比を標準化することができる。又斯る減衰
袋贋を個別部品又はハイブリッドの形で実現することが
できる。従って、本発明の目的は、高入力インピーダン
ス、且つ広帯域周波数用の可変減衰装置を提供すること
である。
本発明の他の目的はN個の分岐回路を有しN個の分圧比
が得られる可変減衰装置を提供することである。本発明
の追加的目的は、すべての減衰位贋で出力インピーダン
スが一定である複数の分岐回路を有する可変減衰装贋を
提供することである。
が得られる可変減衰装置を提供することである。本発明
の追加的目的は、すべての減衰位贋で出力インピーダン
スが一定である複数の分岐回路を有する可変減衰装贋を
提供することである。
本発明の他の目的及び利点については、添付図を参照し
て述べる以下の詳細な説明より明らかとなろう。第1図
に示すように、一般的な可変減衰装置の構成は夫々イン
ピーダンス素子を有する複数の分岐回路(以下単にスポ
ークという)1乃至5を含む。
て述べる以下の詳細な説明より明らかとなろう。第1図
に示すように、一般的な可変減衰装置の構成は夫々イン
ピーダンス素子を有する複数の分岐回路(以下単にスポ
ークという)1乃至5を含む。
ここでスポーク5はスポーク列の5番目であるが、その
スポークの数は2乃至Nの所望の数迄増加することがで
きる。夫々のスポークは斯るスポーク1乃至5へ夫々接
続された双役スイッチ17乃至21を介して入力端子1
5又は接地端子へ接続される。斯るスイッチ17乃至2
1により、これらのスポーク1乃至5のうち1個だけが
常に入力端子15へ接続され、残りのスポークは共通接
地端子へ援線される。このようなスイッチの切換には種
々の電子−機械的及び電子的スイッチが利用でき、又斯
る技術については当業者にとって周知であるので説明を
省略する。出力端子23は出力接続点13へ共通接続さ
れる。第1図に示す如く、スイッチ17を入力端子15
へ接続し、スイッチ18乃至21を接地端子は接続して
、分圧器を構成する。
スポークの数は2乃至Nの所望の数迄増加することがで
きる。夫々のスポークは斯るスポーク1乃至5へ夫々接
続された双役スイッチ17乃至21を介して入力端子1
5又は接地端子へ接続される。斯るスイッチ17乃至2
1により、これらのスポーク1乃至5のうち1個だけが
常に入力端子15へ接続され、残りのスポークは共通接
地端子へ援線される。このようなスイッチの切換には種
々の電子−機械的及び電子的スイッチが利用でき、又斯
る技術については当業者にとって周知であるので説明を
省略する。出力端子23は出力接続点13へ共通接続さ
れる。第1図に示す如く、スイッチ17を入力端子15
へ接続し、スイッチ18乃至21を接地端子は接続して
、分圧器を構成する。
故に、インピーダンス素子7は入出力端子15及23間
の直列信号経路となり、インピーダンス素子8乃至11
の並列回路は信号分岐経路となる。同様に、スイッチ1
8を介してスポーク2を入力端子15へ接続して直列信
号経路とし、残りのスポーク1,3,4及び5を接地端
子へ接続し信号分岐経路とすることもできる。又、スポ
ーク3,4或は5を入力端子15へ接続して直列信号経
路とし、残りのすべてのスポークを接地端子へ接続して
信号分岐経路とすることもできる。上述したすべての接
続状態において、直列信号経路のインピーダンス及び信
号分岐経路のインピーダンスの和で信号分岐経路のイン
ピーダンスを除することにより分圧比が偽られるという
ことは周知である。従って、この減衰装置の伝達関数は
以下の式で示される。ここで、jは直列信号経路とされ
るスポークの番号を意味し自然数0乃至N−1の値を取
り得る。
の直列信号経路となり、インピーダンス素子8乃至11
の並列回路は信号分岐経路となる。同様に、スイッチ1
8を介してスポーク2を入力端子15へ接続して直列信
号経路とし、残りのスポーク1,3,4及び5を接地端
子へ接続し信号分岐経路とすることもできる。又、スポ
ーク3,4或は5を入力端子15へ接続して直列信号経
路とし、残りのすべてのスポークを接地端子へ接続して
信号分岐経路とすることもできる。上述したすべての接
続状態において、直列信号経路のインピーダンス及び信
号分岐経路のインピーダンスの和で信号分岐経路のイン
ピーダンスを除することにより分圧比が偽られるという
ことは周知である。従って、この減衰装置の伝達関数は
以下の式で示される。ここで、jは直列信号経路とされ
るスポークの番号を意味し自然数0乃至N−1の値を取
り得る。
記号Kは減衰係数を表わし、入力端子15へ連続的に接
続されるスポーク1乃至5の減衰係数の増加につれて、
夫々の減衰比が増加することが■式より判る。この可変
減衰装置の出力インピーダンスはすべての減衰装燈(或
いは接続状態)で一定値に維持され、以下の式で示され
る。第2図は3個のスポークを有する可変減衰装置の回
路図である。
続されるスポーク1乃至5の減衰係数の増加につれて、
夫々の減衰比が増加することが■式より判る。この可変
減衰装置の出力インピーダンスはすべての減衰装燈(或
いは接続状態)で一定値に維持され、以下の式で示され
る。第2図は3個のスポークを有する可変減衰装置の回
路図である。
ここで、インピーダンス素子は抵抗30,31及び32
であり、斯る抵抗に夫々コンデンサ35,36及び37
を夫々並列に接続することにより周波数特性を補償した
分圧器となる。等式■でK=10とすると、DC利得0
.9、0.09 0.009(夫々1.11:1、11
.1:1及び111:夕1の減衰比に対応)が得られる
。又、出力インピーダンスは等式■によって決まり、ス
イッチ17乃至19によって選択されるような夫々の減
衰比においてコンデンサCo=1.11Cによって並列
接続された抵抗戊o=0.駅となることが判る。周波数
0特性を補償するには、夫々のスポークについて抵抗R
及びコンデソサCの積が同じでなければならない。従っ
て、夫々のスポークについて、抵抗値がK倍されると共
に、コンデンサの容量値はKで除される。大きな減衰比
を選択するにつれて、入タカインピーダンスは増大する
。しかし接続点40及び41から接地端子へ適当な抵抗
及び容量素子を接続することによって、入力インピーダ
ンスを一定の抵抗R及びコンデンサCから成るインピー
ダンスに標準化することができる。例えばスイッ0チ1
8及び19が接地端子へ接続される時には、斯る抵抗及
び容量素子は減衰器に何ら影響を及ぼさないが、スイッ
チ18又は19のどちらかが入力端子15へ接続される
と、上述の抵抗及びコンデンサによる接地端子への分岐
経路が入力端子I5に接続され、すべての減衰位置に於
て入力信号源に対し同一の負梅を与える。但し、このよ
うな付加的構成素子(付加インピーダンス素子)は分圧
比に対して何ら影響を及ぼさない。第3図は2:1及び
5:1の減衰比を有する可変減衰装置の特殊な実施例を
示す。
であり、斯る抵抗に夫々コンデンサ35,36及び37
を夫々並列に接続することにより周波数特性を補償した
分圧器となる。等式■でK=10とすると、DC利得0
.9、0.09 0.009(夫々1.11:1、11
.1:1及び111:夕1の減衰比に対応)が得られる
。又、出力インピーダンスは等式■によって決まり、ス
イッチ17乃至19によって選択されるような夫々の減
衰比においてコンデンサCo=1.11Cによって並列
接続された抵抗戊o=0.駅となることが判る。周波数
0特性を補償するには、夫々のスポークについて抵抗R
及びコンデソサCの積が同じでなければならない。従っ
て、夫々のスポークについて、抵抗値がK倍されると共
に、コンデンサの容量値はKで除される。大きな減衰比
を選択するにつれて、入タカインピーダンスは増大する
。しかし接続点40及び41から接地端子へ適当な抵抗
及び容量素子を接続することによって、入力インピーダ
ンスを一定の抵抗R及びコンデンサCから成るインピー
ダンスに標準化することができる。例えばスイッ0チ1
8及び19が接地端子へ接続される時には、斯る抵抗及
び容量素子は減衰器に何ら影響を及ぼさないが、スイッ
チ18又は19のどちらかが入力端子15へ接続される
と、上述の抵抗及びコンデンサによる接地端子への分岐
経路が入力端子I5に接続され、すべての減衰位置に於
て入力信号源に対し同一の負梅を与える。但し、このよ
うな付加的構成素子(付加インピーダンス素子)は分圧
比に対して何ら影響を及ぼさない。第3図は2:1及び
5:1の減衰比を有する可変減衰装置の特殊な実施例を
示す。
2000の抵抗50及び5000の抵抗52の一端は出
力端子54へ共通接続される。
力端子54へ共通接続される。
そね他端は夫々スイッチ56及び58へ接続される。故
にスイッチ56及び68は入力端子60又は接地端子の
どちらかに接続される。図示の如く、スイッチ56を入
力端子60へ接続し、スイッチ58を接地様子へ接続す
る。更に、$3.30の抵抗値を有する固定分岐抵抗6
2を出力端子54及び接地端子間に接続する。このよう
な礎成に於て、抵抗52及び62の並列合成抵抗値は2
000であるので、2:1の分圧比が得られる。逆にス
イッチ58を入力端子60へ接続し、スイッチ56を接
地端へ接続すると、抵抗50及び62は互いに並列で、
その合成低抗は1250となり、5:1の分圧比が得ら
れる。この特殊な実施例は1976王10月29日に出
願され本出願人に譲渡された米国特許出願第73692
計号明細書に開示された「プログラム可能な減衰装置」
に用いられている。斯る明細書に開示された「プログラ
ム可能な減衰装置」の実施例に於ては、スイッチ56及
び58として電界効果トランジスタを用いている。第4
図は第2図に関連して上述した3個のスポーク構成の特
殊な実施例を示す。
にスイッチ56及び68は入力端子60又は接地端子の
どちらかに接続される。図示の如く、スイッチ56を入
力端子60へ接続し、スイッチ58を接地様子へ接続す
る。更に、$3.30の抵抗値を有する固定分岐抵抗6
2を出力端子54及び接地端子間に接続する。このよう
な礎成に於て、抵抗52及び62の並列合成抵抗値は2
000であるので、2:1の分圧比が得られる。逆にス
イッチ58を入力端子60へ接続し、スイッチ56を接
地端へ接続すると、抵抗50及び62は互いに並列で、
その合成低抗は1250となり、5:1の分圧比が得ら
れる。この特殊な実施例は1976王10月29日に出
願され本出願人に譲渡された米国特許出願第73692
計号明細書に開示された「プログラム可能な減衰装置」
に用いられている。斯る明細書に開示された「プログラ
ム可能な減衰装置」の実施例に於ては、スイッチ56及
び58として電界効果トランジスタを用いている。第4
図は第2図に関連して上述した3個のスポーク構成の特
殊な実施例を示す。
スポーク1乃至3、入力端子15及びスイッチ17乃至
19は前述の通りである。図示の如く減衰装置の出力は
電界効果トランジスタ(以下FETという)70のゲー
トへ接続されている。このFETのゲート・ソース間容
量をコンデンサ72で表わし、この減衰装置の説明に於
てはそのコンデンサは4pFの容量を有するものとする
。スポーク1はIMO及び1のFの値を夫々有する抵抗
30及びコンデンサ35を含む。スポーク2は皿MO及
びlpFの値を夫々有する抵抗31及びコンデンサ36
を含む。スポーク3は実現可能な抵抗及びコンデンサを
使用し得るよう変更されたT字形構成であり、この構成
により、非常に高に抵抗を有する抵抗器を使用すること
なく、所望の高入力インピーダンスを有し且つ減衰比が
等比関係でステップ状に選択できる可変減衰装置を得る
ことができる。このT字形回路はlpFのコンデンサ7
8及び80が夫々並列接続されれた皿け○の抵抗74,
76及び接地端へ接続された8pFのコンデンサ84が
並列接続された1.28MQの抵抗82を含み、これら
のコンデンサの接続により各ステップの入力側の時定数
を一定にすることができる。表−1は第4図の減衰菱直
に於て公称減衰比を1:1、10:1及び100:1に
設定した時の減衰特性を示す。表−I第2及び第4図の
場合、設定した公称減衰比は相対的なものであるので、
出力端に接続した増中器回路又は表示装置が正確な信号
振中を示すように校正すべきである。
19は前述の通りである。図示の如く減衰装置の出力は
電界効果トランジスタ(以下FETという)70のゲー
トへ接続されている。このFETのゲート・ソース間容
量をコンデンサ72で表わし、この減衰装置の説明に於
てはそのコンデンサは4pFの容量を有するものとする
。スポーク1はIMO及び1のFの値を夫々有する抵抗
30及びコンデンサ35を含む。スポーク2は皿MO及
びlpFの値を夫々有する抵抗31及びコンデンサ36
を含む。スポーク3は実現可能な抵抗及びコンデンサを
使用し得るよう変更されたT字形構成であり、この構成
により、非常に高に抵抗を有する抵抗器を使用すること
なく、所望の高入力インピーダンスを有し且つ減衰比が
等比関係でステップ状に選択できる可変減衰装置を得る
ことができる。このT字形回路はlpFのコンデンサ7
8及び80が夫々並列接続されれた皿け○の抵抗74,
76及び接地端へ接続された8pFのコンデンサ84が
並列接続された1.28MQの抵抗82を含み、これら
のコンデンサの接続により各ステップの入力側の時定数
を一定にすることができる。表−1は第4図の減衰菱直
に於て公称減衰比を1:1、10:1及び100:1に
設定した時の減衰特性を示す。表−I第2及び第4図の
場合、設定した公称減衰比は相対的なものであるので、
出力端に接続した増中器回路又は表示装置が正確な信号
振中を示すように校正すべきである。
上述したすべての減衰装置の構成に於て、減衰装置を構
成する抵抗の接地端への浮遊容量については考慮しない
。しかしこの浮遊容量はほゞ無視し得る値である。更に
、すべてのスポークは閉状態のスイッチを介して接続さ
れ回路を切り離さないので、従釆の減衰装置に見られる
開状態のスイッチ両端間の浮遊容量による悪影響が本発
明の如き構成の減衰装置には表われない。上記説明より
明らかな如く本発明による可変減衰装置によれば第1、
第2及び第3信号路の有するインピーダンス素子のうち
最大インピーダンスを有するインピーダンス素子を少な
くとも直列接続された2個の高抵抗器と、この2個の抵
抗器の接続点及び基準電位間に接続された分路抵抗器と
で構成することによって、実現可能な高抵抗を有する抵
抗器を用いて所望の高入力インピーダンスを形成するこ
とができ、更に、所望の高入力インピーダンスを形成す
るに必要な抵抗器の抵抗を低くすることができるので浮
遊容量の影響を少なくし広帯域で使用できる。
成する抵抗の接地端への浮遊容量については考慮しない
。しかしこの浮遊容量はほゞ無視し得る値である。更に
、すべてのスポークは閉状態のスイッチを介して接続さ
れ回路を切り離さないので、従釆の減衰装置に見られる
開状態のスイッチ両端間の浮遊容量による悪影響が本発
明の如き構成の減衰装置には表われない。上記説明より
明らかな如く本発明による可変減衰装置によれば第1、
第2及び第3信号路の有するインピーダンス素子のうち
最大インピーダンスを有するインピーダンス素子を少な
くとも直列接続された2個の高抵抗器と、この2個の抵
抗器の接続点及び基準電位間に接続された分路抵抗器と
で構成することによって、実現可能な高抵抗を有する抵
抗器を用いて所望の高入力インピーダンスを形成するこ
とができ、更に、所望の高入力インピーダンスを形成す
るに必要な抵抗器の抵抗を低くすることができるので浮
遊容量の影響を少なくし広帯域で使用できる。
又実現可能な範囲の容量を有するコンデンサを抵抗器に
並列援続して入力側の時定数を一定にすることができる
。又従来の減衰装置に於て問題となった開状態のスイッ
チ両端間の浮遊容量による影響が排除できる等の種々の
顕著な効果が得られる。上記説明は本発明の好適な実施
例についてのみ行なったが、本発明の要旨を逸脱するこ
となく種々の変更、変形を成し得ることが当業者には明
らかであるので、本発明は前記した特許請求の範囲にの
み限定されるべきものではない。
並列援続して入力側の時定数を一定にすることができる
。又従来の減衰装置に於て問題となった開状態のスイッ
チ両端間の浮遊容量による影響が排除できる等の種々の
顕著な効果が得られる。上記説明は本発明の好適な実施
例についてのみ行なったが、本発明の要旨を逸脱するこ
となく種々の変更、変形を成し得ることが当業者には明
らかであるので、本発明は前記した特許請求の範囲にの
み限定されるべきものではない。
第1図は本発明による一般的な可変減衰菱贋の構成図、
第2図は抵抗及び容量素子を有する本発明による基本的
な可変減衰装置の回路図、第3図は2:1及び5:1の
減衰比を有する本発明による可変減衰装置の特殊な実施
例の回路図、第4図は1:1、10:1及び100:1
の10進型公称減衰比を有する本発明による可変減衰装
置の特殊な実施例を示す。 図中、1乃至3は第1乃至第3信号路、15は入力端子
、17乃至19は双技スイッチ、23は出力端子、30
,31,78,80,82は高抵抗の抵抗器を示す。 多1図 多2図 多3図 繁り図
第2図は抵抗及び容量素子を有する本発明による基本的
な可変減衰装置の回路図、第3図は2:1及び5:1の
減衰比を有する本発明による可変減衰装置の特殊な実施
例の回路図、第4図は1:1、10:1及び100:1
の10進型公称減衰比を有する本発明による可変減衰装
置の特殊な実施例を示す。 図中、1乃至3は第1乃至第3信号路、15は入力端子
、17乃至19は双技スイッチ、23は出力端子、30
,31,78,80,82は高抵抗の抵抗器を示す。 多1図 多2図 多3図 繁り図
Claims (1)
- 1 出力端子に一端が共通接続された第1、第2及び第
3信号路と、夫々可動接点が上記信号路の各他端に接続
され、一方の固定接点が入力端子に接続され、他方の固
定接点が基準電位源に接続され、上記可動接点は上記信
号路を択一的に上記入力端子に接続し、他の上記信号路
を上記基準電位源に接続する複数の双投スイツチとを具
え、上記第1及び第2信号路は夫々上記一端及び上記可
動接点間に接続された異なる高抵抗の抵抗器を有し、上
記第3信号路は少なくとも上記一端及び上記可動接点間
に直列接続された2個の抵抗器と、該2個の抵抗器の接
続点及び上記基準電位源間に接続された抵抗器を有し、
等比減衰比を得ることを特徴とする高入力インピーダン
スの可変減衰装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US73712376A | 1976-10-29 | 1976-10-29 | |
US737123 | 1976-10-29 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS56131217A JPS56131217A (en) | 1981-10-14 |
JPS6020927B2 true JPS6020927B2 (ja) | 1985-05-24 |
Family
ID=24962675
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPH0413394Y2 (ja) * | 1985-02-18 | 1992-03-27 | ||
JPS6367339U (ja) * | 1986-10-23 | 1988-05-06 |
Also Published As
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