JPH01300492A - バブルカセット - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概　要〕 メモリ素子の温度検出回路を内蔵したバブルメモリカセ
ットに関し、 温度検出回路をバブルカセット内に直接搭載することに
よって、ドライブ装置を小型化しまたその誤動作を防止
することを目的とし、 バブルカセット内に温度検出回路を有し、該温度検出回
路は、バブルメモリ素子の温度が仕様範囲内又は仕様範
囲外であることをロジックレベルの信号として直接出力
するように構成される。

〔産業上の利用分野〕

本発明はメモリ素子の温度検出回路を内蔵したバブルメ
モリカセットに関する。

〔従来の技術〕

バブルメモリ素子は不揮発な磁性メモリ素子であるが、
その素子を動作させる回路と素子自身を切り離し任意の
着脱を可能にしたバブルカセットについては、機構部分
がないため、ホコリ、汚れ等に強く保守が不要であると
いう点から、フロンピディスク装置、磁気テープ装置等
の競合製品に対し、特に大きな信頼性上の優位性を持っ
ている。

このバブルカセット装置に関し、近年ではさらに信頼性
向上の観点からカセット内部のメモリ素子の温度を検出
し、仕様範囲外の温度では動作を禁止させる機能が要求
されている。

従来のバブルカセット装置においては、バブルカセット
内にはメモリ素子の温度検出器のみを搭載し、その検出
器から出力される信号により、メモリ素子の温度が仕様
範囲内か否かを判定し、その判定結果を制御部へ出力す
る為の温度検出回路はドライブ装置側に搭載されていた
。また、検出回路は、低温検出部と高温検出部を有して
いる。

第３図は、かかる従来技術の構成を例示するもので、■
はドライブ装置、２はバブルカセット、３は制御部、４
は低温検出部、５はバブルメモリ素子、６は例えばサー
ミスタなどの温度検出素子、７は高温検出部である。と
ころで、かかる従来技術では、温度検出回路を搭載する
為ドライブ装置が大きくなり、また、検出素子６からの
出力信号は通常アナログ信号であり、この信号をドライ
ブ装置に入力する為配線が長くなりノイズ等により誤動
作しやすいという欠点が有った。

Ｃ発明が解決しようとする課題〕 本発明は、前記従来技術の欠点を解決するためになされ
たもので、バブルカセット内に直接搭載できる小型の温
度検出回路を実現し、ドライブ装置を小型化し、またそ
の誤動作を防止するようにしたものである。

〔課題を解決するための手段〕

上記課題を解決するために本発明においては、バブルカ
セット内に温度検出回路を有し、該温度検出回路は、バ
ブルメモリ素子の温度が仕様範囲内又は仕様範囲外であ
ることをロジックレベルの信号として直接出力するもの
である、バブルカセットが提供される。

〔作　用〕

上記構成によれば、カセット内に搭載された該温度検出
回路は、バブルメモリ素子の温度が仕様範囲内又は仕様
範囲外であることをロジックレベルの信号として直接ド
ライブ装置側に出力するものであるため、該ドライブ装
置の小型化とその誤動作の防止をはかることができる。

〔実施例〕

第１図は、本発明にかかるバブルカセ７）内に内蔵され
た温度検出回路の１例を示す回路図であって、８．９．
１０，１６．１７は固定抵抗、１２．１３はツェナダイ
オード、１４．１５・２３．２４はダイオード、１８は
フォトカプラ、１１は温度検出素子であり、ここではサ
ーミスタを用いている。上記ツェナダイオード１２．１
３とダイオード１４．１５．２３．２４とはブリッジ回
路を構成し、該ブリッジ回路の接続点１９と２０の間の
電位差は、サーミスタ１１の抵抗値が変化する事に伴な
って変動し、低温では、１１の抵抗値が大きくなり、２
０の電圧は１９のそれより高くなる。

この２０と１９の電位差がツェナダイオード１３のツェ
ナ電圧Ｖ　Ｚ　ｌ　％ダイオード１４．２４の順方向電
圧ＶＦＩ’ＶＦ３の和（Ｖｚ＋　＋　Ｖｐ＋　十ＶＦ３
）より高くなると、抵抗１６及び発光ダイオード２１を
通って電流が流れ、トランジスタ２２はオン状態になり
、その出力側の電位がロウレベルとなる。

高温では逆にサーミスタ１１の抵抗値が小さくなり、１
９の電圧が２０のそれより高くなる。この１９と２０の
電位差がツェナダイオード１２のツェナ電圧Ｖ２゜と、
ダイオード１５．２３の順方向電圧Ｖｐ２．ＶＦ４（７
）和（ＶＺ２＋ＶＦ２＋ＶＦ４）より高くなると、同様
に上記１６及び２１を通って電流が流れトランジスタ２
２は、やはりオン状態になる。。

常温では、１９と２０の電位差ｖ１はｌＶ、１＜　Ｖｚ
＋　＋　ＶＦＩ　＋　ＶＦ３、かツｌ　Ｖ　＋　　ｌ　
＜　ＶＺ２　＋ＶＦ２＋　Ｖ　ｐ　４となり、上記１６
及び２１には電流が流れずトランジスタ２２はオフとな
りその出力側の電位はハイレベルとなる。

従って仕様範囲外の場合は、高温、低温にかかわらず出
力はロウレベノベ仕様範囲内ではハイレベルを出力する
温度検出回路が実現できる。

なお上記低温時および高温時において、それぞれ上記（
Ｖｚ＋　＋ＶＦＩ　＋ＶＦ３）　（Ｄ値および（ＶＺ２
＋ＶＦ２＋　ＶＦ４）の値を所定の大きさとするた砧に
、該ブリッジ回路の構成要素として上述したようなツェ
ナダイオード１２．１３とダイオード１４．１５，２３
゜２４とを用いる必要があり、これによって上記低温度
および高温時における、１９と２０との間の電位差値と
該ブリッジ回路の整流性とを確保することができる。

なお上記実施例において、ダイオード２３．２４がない
と、１９と２０との間の電圧が上記ツェナ電圧Ｖ　Ｚ　
ｌまたはｖ２゜を越えた時点で２つのツェナダイオード
１２．１３を通して電流が流れフォトカプラのダイオー
ド２１に電流が流れなくなるため、これを防止するため
に上記ダイオード２３．２４が必要となる。

また第２図は、上記温度検出回路の他の例を示す回路図
であって、上記第１図と相違する点は、上記第１図のブ
リッジ回路に設けられた２個のツェナダイオード１２．
１３をなくし、その代りに１個のツェナダイオード２５
を該フォトカプラのダイオード２１と直列に設けた点で
ある。

この場合、低温時における２０の電圧をｖｌ、高温時に
おける２０の電圧をＶ２とし、また１９の電圧をＶ。と
すると、低温時には２０の電圧ｖ１が１９の電圧Ｖｏよ
り高く、Ｖ＋　　Ｖｏ　＝ＶＦ３十Ｖｐ＋＋Ｖｚとなり
、一方、高温時には１９の電圧Ｖｏが２０の電圧Ｖ２よ
り高く、Ｖｏ−Ｖ２−ＶＦ４＋ＶＦ２＋Ｖｚ　となる。

なおＶ２はツェナダイオード２５のツェナ電圧である。

したがって該ツェナ電圧Ｖ２の値を、 ど とし、 また、 となるように、抵抗９，１０の値を設定することにより
、上記低温時または高温時において上記１９と２０との
間の電圧が上記所定値より高くなったとき、上記２５．
１６および２１を通って電流が流れトランジスタ２２を
動作させることができる。

したがって上記第２図の回路によれば、上記第１図の回
路に比し、ツェナダイオードの数を１個で済ませること
ができるという利点を有する。

〔発明の効果〕

本発明によれば、カセット内に充分搭載可能な数点の部
品構成によって温度検出回路が実現でき、１・′ライブ
装置の小型化とその誤動作の防止を計る事ができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明にかかるバブルカセット内に内蔵され
た温度検出回路の１例を示す回路図、第２図は、該温度
検出回路の他の例を示す回路図、 第３図は、本発明と対比される従来技術の構成を例示す
る図である。 （符号の説明） １・・・ドライブ装置、　　　２・・・バブルカセット
、６．１１・・・温度検出素子（サーミスタ）、１２．
１３．２５・・・ツェナダイオード、１４、１５．２３
．２４・・・ダイオード、１８・・・フォトカプラ。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、バブルカセット内に温度検出回路を有し、該温度検
   出回路は、バブルメモリ素子の温度が仕様範囲内、又は
   仕様範囲外である事をロジックレベルの信号として直接
   出力するものであることを特徴としたバブルカセット。 ２、該温度検出回路はツェナダイオードとダイオードと
   から構成されたブリッジ回路をそなえており、バブルメ
   モリ素子の温度が仕様範囲外である場合には、該ブリッ
   ジ回路の出力側の電位差が所定値以上とされる、特許請
   求の範囲第１項記載のバブルカセット。