JPH01295446A - 半導体基板の製造方法 - Google Patents
半導体基板の製造方法Info
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- JPH01295446A JPH01295446A JP12630888A JP12630888A JPH01295446A JP H01295446 A JPH01295446 A JP H01295446A JP 12630888 A JP12630888 A JP 12630888A JP 12630888 A JP12630888 A JP 12630888A JP H01295446 A JPH01295446 A JP H01295446A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野１
本発明はＳＯＩウェーハ基板の製造方法に関する。
［従来の技術１
従来、ＳＯＩウェーハ基板の製造方法としては、例えば
第１と第２の単結晶Ｓｉミラニー膜表面熱酸化ＳｉＯ□
膜を形成し、該Ｓ ｉ Ｏｘ膜表面を互に加熱圧接して
シラノール反応により接着し、第１の単結晶Ｓｉウェー
ハ裏面からラッピングして数ミクロンの原子のＳｉ単結
晶膜を残すと云う方法がとられていた。
第１と第２の単結晶Ｓｉミラニー膜表面熱酸化ＳｉＯ□
膜を形成し、該Ｓ ｉ Ｏｘ膜表面を互に加熱圧接して
シラノール反応により接着し、第１の単結晶Ｓｉウェー
ハ裏面からラッピングして数ミクロンの原子のＳｉ単結
晶膜を残すと云う方法がとられていた。
〔発明が解決しようとする課題］
しかし、上記従来技術によると、圧接面の接合が不充分
であり、ＳＯＩウェーハ基板基板の後の熱処理やＣＶＤ
５ｉｉＮ４膜形成時に圧接面が剥離すると云う課題があ
った。
であり、ＳＯＩウェーハ基板基板の後の熱処理やＣＶＤ
５ｉｉＮ４膜形成時に圧接面が剥離すると云う課題があ
った。
本発明は、かかる従来技術の課題を解決し、ＳＯＩウェ
ーハ基板基板接面からの剥離をなくする新しいＳＯＩウ
ェーハ基板基板造方法を提供する事を目的とする。
ーハ基板基板接面からの剥離をなくする新しいＳＯＩウ
ェーハ基板基板造方法を提供する事を目的とする。
［課題を解決するための手段］
上記課題を解決するために本発明は、半導体基板の製造
方法に関し、シリコン単結晶基板を石英基板あるいはＳ
ｉＯ□膜を介して他のシリコン基板とを加熱圧接する、
いわゆるＳＯＩウェーハ基板基板造するに際し、圧接面
にりんガラス膜等の低融点ガラス膜を形成する手段をと
る。
方法に関し、シリコン単結晶基板を石英基板あるいはＳ
ｉＯ□膜を介して他のシリコン基板とを加熱圧接する、
いわゆるＳＯＩウェーハ基板基板造するに際し、圧接面
にりんガラス膜等の低融点ガラス膜を形成する手段をと
る。
【実 施 例１
以下、実施例により本発明を詳述する。
第１図は本発明の一実施例を示すＳＯＩウェーハ基板基
板面図である。すなわち、Ｓｉ基板５の表面には熱酸化
によるＳｉＯｘ膜４をｌＬＬｍ原程度形成し、その表面
に、りんガラス１１３を熱拡散法あるいはＣＶＤ法によ
りＯ，ｌＬ１ｍ〜０．３μｍ原程度に形成し、該りんガ
ラス膜３の表面に、他のＳｉ単結晶ウつ−八へ熱酸化し
てＩｇｍ原程度形成したＳｉＯｘ膜２の表面を圧接しな
がら、１０００℃程度に加熱する事により、りんガラス
膜３の軟化、及び融着により完全な接着が行なわれ、そ
の後、前記他のＳｉ単結晶ウェーへの裏面をラッピング
して１μｍ原程度のＳ ｉ Ｐａ １を残してＳＯＩウ
ェーハがへ成されて成る。
板面図である。すなわち、Ｓｉ基板５の表面には熱酸化
によるＳｉＯｘ膜４をｌＬＬｍ原程度形成し、その表面
に、りんガラス１１３を熱拡散法あるいはＣＶＤ法によ
りＯ，ｌＬ１ｍ〜０．３μｍ原程度に形成し、該りんガ
ラス膜３の表面に、他のＳｉ単結晶ウつ−八へ熱酸化し
てＩｇｍ原程度形成したＳｉＯｘ膜２の表面を圧接しな
がら、１０００℃程度に加熱する事により、りんガラス
膜３の軟化、及び融着により完全な接着が行なわれ、そ
の後、前記他のＳｉ単結晶ウェーへの裏面をラッピング
して１μｍ原程度のＳ ｉ Ｐａ １を残してＳＯＩウ
ェーハがへ成されて成る。
尚、Ｓｉ基板５とＳｉｎ、膜４は、石英体の一体構造で
あっても良く、又、りんガラスＵ！４３は、５ｉｎ−［
１２の表面に形成されても良く、ＳｉＯ□膜２とＳ ｉ
Ｏ＊ １１１４の双方の表面に形成されても良く、又
、５ｉＯ−ＩＪｉ２あるいはＳ ｉ Ｏ＊ ｌ１１４の
いずれか一方は無くても良い、更に、りんガラスｐｓ３
は必ずしもつんガラスである必要はなく、ボロン、ガラ
ス、砒素ガラス等の他の低融点ガラスであっても良い。
あっても良く、又、りんガラスＵ！４３は、５ｉｎ−［
１２の表面に形成されても良く、ＳｉＯ□膜２とＳ ｉ
Ｏ＊ １１１４の双方の表面に形成されても良く、又
、５ｉＯ−ＩＪｉ２あるいはＳ ｉ Ｏ＊ ｌ１１４の
いずれか一方は無くても良い、更に、りんガラスｐｓ３
は必ずしもつんガラスである必要はなく、ボロン、ガラ
ス、砒素ガラス等の他の低融点ガラスであっても良い。
〔発明の効果］
本発明によりＳＯＩウェーへの５ｉｌｌの加熱及びＣＶ
Ｄ ５ｔｓＮｎ膜形成による剥離と云う問題を完全に
なくすることができる効果がある。
Ｄ ５ｔｓＮｎ膜形成による剥離と云う問題を完全に
なくすることができる効果がある。
第１図は本発明の一実施例を示すＳＯＩウェーハ基板基
板面図である。 １・・・５ｉｌ１ ２・・・Ｓ ｉ Ｏｚ膜 ３・・・りんガラス膜 ４・・・ＳｉＯ□膜 ５・・・Ｓｉ基板
板面図である。 １・・・５ｉｌ１ ２・・・Ｓ ｉ Ｏｚ膜 ３・・・りんガラス膜 ４・・・ＳｉＯ□膜 ５・・・Ｓｉ基板
Claims (1)
- シリコン単結晶基板を石英基板あるいはＳｉＯ＿２膜
を介して他のシリコン基板とを加熱圧接し、いわゆるＳ
ＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）ウ
ェーハ基板を製造する場合に、圧接面にはりんガラス膜
等の低融点ガラス膜が形成されて成る事を特徴とする半
導体基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12630888A JPH01295446A (ja) | 1988-05-24 | 1988-05-24 | 半導体基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12630888A JPH01295446A (ja) | 1988-05-24 | 1988-05-24 | 半導体基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01295446A true JPH01295446A (ja) | 1989-11-29 |
Family
ID=14931974
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12630888A Pending JPH01295446A (ja) | 1988-05-24 | 1988-05-24 | 半導体基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01295446A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5346848A (en) * | 1993-06-01 | 1994-09-13 | Motorola, Inc. | Method of bonding silicon and III-V semiconductor materials |
-
1988
- 1988-05-24 JP JP12630888A patent/JPH01295446A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5346848A (en) * | 1993-06-01 | 1994-09-13 | Motorola, Inc. | Method of bonding silicon and III-V semiconductor materials |
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