JPH01291378A - 半導体集積回路のマスクパターンデータのコンパクション装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、半導体集積回路のマスクパターンデータの
コンパクション装置に関するものである。

〔従来の技術〕

第６図は従来のコンパクション□装置の構成を示すブロ
ック図であり、図において１は図面入力手段、２はグル
ープ分割手段、３は制約グラフ作成手段、４はグループ
間隔決定手段、５は図面出力手段である。

次に動作について説明する。

入力されたマスクパターンデータは図面入力手段１によ
って図から計算機内に記述できるデータに変換される。

グループ分割手段２は入力されたマスクパターンデータ
を圧縮方向と垂直方向につながるものを１つのグループ
にまとめる部分である。制約グラフ作成手段３ではグル
ープ間の制約グラフを作成する。制約グラフとは、グル
ープ分割２で作られた複数のグループを各々ひとつの頂
点に対応させ、パターン設計ルールを満たすためのグル
ープ間の必要間隔を頂点と頂点を結ぶ辺に置き換えたも
のである。辺の大きさ（グループ間の必要間隔）を計算
する時、辺を挟む２つの頂点に対応するグループを構成
するマスクパターン間の最小許容間隔値が用いられる。

グループ間隔決定手段４は制約グラフ作成手段３で作ら
れた制約グラフを使ってグループの圧縮の位置を決定す
る部分で、図面出力手段５はグループ間隔決定手段４の
結果から圧縮後のマスクパターンデータを図に直して出
力する。

〔発明が解決しようとする課題〕

従来の半導体集積回路のマスクパターンデータのコンパ
クション装置は以上のように構成されているので、等電
位なマスクパターン間にも最小許容間隔を適用しなけれ
ばならず、十分に高密度のマスクパターンデータを得る
ことができないという問題点があった。

例えば第２図は従来のコンパクション装置で圧縮した集
積回路のマスクパターンデータの１例である（ＣＭＯＳ
デバイス）。Ｐ拡散１５は電源１１と接続し、Ｎ拡散１
６はＧＮＤ１４と接続している。Ｐ拡散トランジスタゲ
ートとＮ拡散トランジスタゲートをポリシリコン配ｖＡ
１３がつなぎ、かつＰ拡散１５とＮ拡散１６をメタル配
線２１〜２４がつないで、ＰチャネルトランジスタとＮ
チャネルトランジスタを形成する。

両ゲートをつなくポリシリコン配線に入力信号がメタル
配線８から印加される。

Ｐ拡散１５とＮ拡散１６をつなぐメタル配線２１〜２４
は隣接する回路へ出力するため分岐している。

第３図は第２図の枠内のメタル配線を拡大したものであ
る。

従来のコンパクション装置では第３図に示すとおり等電
位なメタル配線２１．２４間の距離は、等電位でないメ
タル配線８．２２間の距離と同様に最小許容間隔値、例
えば２μｍパターン設計ルールでは２．５μｍとなって
いる。しかし、通常のパターン設計ルールでは等電位の
２１．２４間の間隔をあける必要はない。

この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、等電位追跡することにより、マスクパターン
が等電位か否か認識して、より高密度に圧縮できるコン
パクション装置を得ることを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

この発明に係る半導体集積回路のマスクパターンデータ
のコンパクション装置は、マスクパターンが等電位か否
かを等電位追跡を行なうことで検出し、等電位なマスク
パターン間の最小許容間隔を考慮しないで可能な限り近
づけるように圧縮することにより、等電位のマスクパタ
ーン間の隙間を詰めるようにしたものである。

〔作用〕

この発明においては、マスクパターンが等電位か否かを
等電位追跡を行なうことで検出し、等電位なマスクパタ
ーン間を最小許容間隔を考慮しないで可能な限り近付け
るように圧縮する構成としたから、コンパクション装置
に入力されたマスクパターンデータを高密度に圧縮でき
る。

〔実施例〕

以下本発明の詳細な説明する。

第１図は本発明のコンパクション装置の構成を示すブロ
ック図であり、図において、１〜５は従来の構成と同じ
で、１は図面入力手段、２はグループ分割手段、３は制
約グラフ作成手段、４はグループ間隔決定手段、５は図
面出力手段である。

また、６は等電位追跡手段である。本実施例の処理手段
はソフトウェアを計算機上で実行可能なようにすること
により実現できる。

次に動作について説明する。

図面入力手段１１グル一プ分割手段２、グループ間隔決
定手段４、図面出力手段５の動作は従来装置における動
作と同じなので説明は省く。

等電位追跡手段６では等電位追跡をして、マスクパター
ン間の等電位が等電位か等電圧でないかを調べる。この
処理部分は制約グラフ作成手段３による制約グラフ作成
の前に行わなければならない。

次に等電位追跡について、第４図を参照しながら概略的
に説明する。

第４図は第２図のマスクパターンデータを本発明のコン
パクション装置で圧縮する時、図のメタル配線２１〜２
４が等電位追跡される処理手順を説明するための図であ
る。

第２図のメタル配線２］〜２４は第４図に示すように４
つのセグメント２１〜２４　（同一番号）で示す。

各セグメン１−の両端点の座標がプログラムの配列にデ
ータとして保存される。

異なる２つのセグメントの端点の座標が一致する時２つ
のセグメントは接続している。

セグメント２１はセグメント２２．２３に接続している
と同時に２１と端点て直接に接続しているセグメント２
３のもう一方の端点に接続するセグメント２４とも接続
している。

このようにして、一つのセグメントから発して、そのセ
グメントに接続する全てのセグメントを選び出すという
操作を繰り返し行うことで、マスクパターンデータ内の
等電位なマスクパターン間と等電位でないマスクパター
ン間を判別することを等電位追跡という。

以上のように等電位追跡を行なった後、制約グラフ作成
手段３で、等電位追跡手段６の結果を使って、等電位な
マスクパターンの含まれるグループ間の必要間隔（その
グループに対応する頂点間を結ぶ辺の大きさ）を計算す
るが、その際、等電位なマスクパターン間の最小許容間
隔値は考慮されないので、その値が考慮される時に比ベ
グループ間の必要間隔は概ね小さくなる。

例えば第２図のマスクパターンデータを本実施例のコン
パクション装置で圧縮すると、第５図に示す通り、例え
ば２μｍパターン設計ルールでは等電位でないメタル配
線８，２２の間は２．５μｍ離れるが、等電位なメタル
配線２１．２４の間は２．５μｍに制約されることなく
可能な限り近づく。

その結果メタル配線２３は取り除かれ、メタル配線２４
はメタル配線２１に重ねて直接接続される。

このように、本実施例によれば半導体集積回路のマスク
パターンデータのコンパクション装置において、等電位
追跡を行なって、等電位なマスクパターン間はパターン
設計ルールにより指定される最小許容間隔値を考慮しな
いで可能な限り近づけるようにコンパクションを行なう
構成としたから、コンパクション装置に人力されたマス
クパターンデータを高密度に圧縮できる。

なお、上記実施例では、制約グラフ法を用いたものを示
したが、スティソクス（ＳＴＩＣＫＳ）方式、シェアラ
イン（ｓｈｅａｒ−１ｉｎｅ）法、バーチュアルグリッ
ド（ｖｉｒｔｕａｌ−ｇｒｉｄ）法といった他のコンパ
クション方法を用いた装置であってもよく、上記実施例
と同様の効果を奏する。

〔発明の効果〕

以上のように、この発明によれば半導体集積回路のマス
クパターンデータのコンパクション装置において、等電
位追跡を行なって、等電位なマスクパターン間はパター
ン設計ルールにより指定される最小許容間隔値を考慮し
ないで可能な限り近づけるようにコンパクションを行な
う構成としたから、コンパクション装置に入力されたマ
スクパターンデータをより高密度に圧縮でき、半導体集
積回路をより高密度に設計することが容易となる効果が
ある。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例によるコンパクション装置
の構成を示すブロック図、第２図は従来のコンパクショ
ン装置で圧縮したマスクパターンデータの１例（０ＭＯ
３）を示す図、第３図は第２図の枠内のメタル配線の拡
大図、第４図は第２図のメタル配線を同一番号のセグメ
ントで示した図、第５図は本発明のコンパクション装置
で第２゛図のマスクパターンデータを圧縮した時の図、
第６図は従来のコンパクション装置の構成を示すブロッ
ク図である。 １は図面入力手段、２はグループ分割手段、３は制約グ
ラフ作成手段、４はグループ間隔決定手段、５は図面出
力手段、６は等電位追跡手段。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）半導体集積回路のマスクパターンデータの隙間を
   取り除き、高密度なマスクパターンデータを生成するコ
   ンパクション装置において、 マスクパターンデータの内の各導体のマスクパターン間
   が等電位であるか否か調べる等電位追跡手段を備え、 等電位でないマスクパターン間の距離は、パターン設計
   ルールにより定められた最小許容間隔値以上となるよう
   にコンパクションを行い、等電位のマスクパターン間は
   上記の最小許容間隔値を考慮しないで、可能な限り近づ
   けるようにコンパクションするようにしたことを特徴と
   する半導体集積回路のマスクパターンデータのコンパク
   ション装置。