CN117252133A - 版图处理方法与电子设备 - Google Patents
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Abstract
本公开提供一种版图处理方法与电子设备,涉及集成电路制造领域。版图处理方法包括:从第一版图库中获取一或多个待处理版图基础单元,所述待处理版图基础单元均对应目标半导体器件;对所述待处理版图基础单元进行参数提取,以获取所述待处理版图基础单元的多个设计参数的测量值;根据所述待处理版图基础单元生成目标版图单元,所述目标版图单元包括所述目标半导体器件的多个设计参数,所述设计参数均具有取值范围。本公开实施例可以高效将大量无参数的版图基础单元转化为有参数的版图单元,提高集成电路版图设计效率。
Description
技术领域
本公开涉及集成电路技术领域,具体而言,涉及一种版图处理方法与电子设备。
背景技术
版图单元是电路元件的版图实例,通常具有一或多个可设置的参数信息。由于版图基础单元具有高复用性和高效率设计特点,在集成电路的版图设计中得到了广泛使用。
在通过版图管理软件对集成电路版图进行管理时,时常需要导入/导出(streamin/out)版图数据,或者,在对版图进行不同制程的转换时,需要使用导入/导出功能以实现版图的缩放,在导入/导出过程中,版图单元的参数信息通常会丢失,从而产生大量没有参数的版图基础单元,修改极为繁琐,极大增加了版图设计的工作量。
需要说明的是,在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解,因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
本公开的目的在于提供一种版图处理方法与电子设备,可以至少在一定程度上克服版图在导入/导出过程中出现大量不易修改的版图基础单元的问题。
根据本公开实施例的第一方面,提供一种版图处理方法,包括:从第一版图库中获取一或多个待处理版图基础单元,所述待处理版图基础单元均对应目标半导体器件;对所述待处理版图基础单元进行参数提取,以获取所述待处理版图基础单元的多个设计参数的测量值;根据所述待处理版图基础单元生成目标版图单元,所述目标版图单元包括所述目标半导体器件的多个设计参数,所述设计参数均具有取值范围。
在本公开的一种示例性实施例中,所述从第一版图库中获取一或多个待处理版图基础单元包括:根据所述目标半导体器件的器件名,对所述第一版图库中的所有版图基础单元的文件名称进行关键字匹配,以获取所述一或多个待处理版图基础单元。
在本公开的一种示例性实施例中,所述对所述待处理版图基础单元进行参数提取包括:根据所述目标半导体器件的类型确定所述多个设计参数;根据所述多个设计参数对所述待处理版图基础单元进行对应的参数提取。
在本公开的一种示例性实施例中,对所述待处理版图基础单元进行参数提取包括:在所述待处理版图基础单元中,对所述设计参数对应的位置进行测量,将测量结果设置为所述待处理版图基础单元中所述设计参数的测量值。
在本公开的一种示例性实施例中,所述设计参数包括所述目标半导体器件的目标特征部位的数量、特征尺寸以及每个所述特征尺寸的测量规则,所述测量规则包括所述特征尺寸的测量方向以及尺寸单位,所述测量方向为二维空间向量,对所述待处理版图基础单元进行参数提取包括:根据每个所述特征尺寸的测量规则,自动测量所述待处理版图基础单元在一或多个版图图层中的特征尺寸;根据所述待处理版图基础单元在一或多个版图图层中的所述特征尺寸,确定所述待处理版图基础单元中所述目标特征部位的数量或所述目标特征部位的特征尺寸。
在本公开的一种示例性实施例中,所述根据所述待处理版图基础单元生成与所述目标半导体器件对应的目标版图单元包括:生成与所述目标半导体器件对应的所述目标版图单元,所述目标版图单元具有所述多个设计参数;根据一或多个所述待处理版图基础单元的所述多个设计参数的测量值,确定所述目标版图单元中每个所述设计参数对应的取值范围。
在本公开的一种示例性实施例中,所述根据一或多个所述待处理版图基础单元的所述多个设计参数的测量值,确定所述目标版图单元中每个所述设计参数对应的取值范围包括:根据一或多个所述待处理版图基础单元的目标设计参数的测量值,确定所述目标版图单元中所述目标设计参数的最大值和最小值,将所述目标版图单元中所述目标设计参数的取值范围设置为由所述最小值和所述最大值构成的数值区间。
在本公开的一种示例性实施例中,所述根据所述待处理版图基础单元生成与所述目标半导体器件对应的目标版图单元还包括:将所述目标版图单元与每个所述待处理版图基础单元进行重合度比对,以获取重合度;在所述重合度超过预设值时,判断所述目标版图单元生成成功。
在本公开的一种示例性实施例中,将所述目标版图单元与每个所述待处理版图基础单元进行重合度比对包括:获取目标待处理版图基础单元的多个设计参数的测量值;将所述目标版图单元中所述多个设计参数的值设置为所述目标待处理版图基础单元的多个设计参数的测量值;将所述目标版图单元的图像元素与所述待处理版图基础单元的图像元素进行重合度比对。
在本公开的一种示例性实施例中,所述根据所述待处理版图基础单元生成与所述目标半导体器件对应的目标版图单元还包括:在所述重合度不超过所述预设值时,重新对所述待处理版图基础单元进行参数提取,并重新根据所述待处理版图基础单元生成所述目标版图单元。
在本公开的一种示例性实施例中,还包括:根据所述第一版图库生成多个半导体器件对应的版图单元;根据所述多个半导体器件对应的版图单元生成第二版图库。
在本公开的一种示例性实施例中,还包括:获取目标待处理版图基础单元的多个设计参数的测量值;将所述目标版图单元中所述多个设计参数的值设置为所述目标待处理版图基础单元的多个设计参数的测量值;在版图中使用所述目标版图单元替换所述目标待处理版图基础单元。
在本公开的一种示例性实施例中,所述在版图中使用所述目标版图单元替换所述目标待处理版图基础单元包括:获取目标待处理版图基础单元在所述版图中的目标位置坐标和目标旋转角度;将所述目标版图单元设置在所述版图中,并将所述目标版图单元的位置坐标设置为所述目标位置坐标,将所述目标版图单元的旋转角度设置为所述目标旋转角度;删除所述目标待处理版图基础单元。
在本公开的一种示例性实施例中,所述待处理版图基础单元为无参数版图基础单元,所述目标半导体器件包括元件、导线、通孔、连接结构、隔离结构中的任意一种。
根据本公开的第二方面,提供一种电子设备,包括:存储器;以及耦合到所述存储器的处理器,所述处理器被配置为基于存储在所述存储器中的指令,执行如上述任意一项所述的方法。
本公开实施例通过对无参数的版图基础单元自动进行参数提取,获取版图基础单元的参数信息,能够自动根据大量的版图基础单元生成具备参数的版图单元,以便于后续对版图进行修改和维护,并降低版图相关文件的存储量,极大提高了集成电路版图的开发效率。
应当理解的是,以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的,并不能限制本公开。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分,示出了符合本公开的实施例,并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本公开示例性实施例中版图处理方法的流程图。
图2是本公开一个实施例中对待处理版图基础单元进行参数提取的示意图。
图3是本公开一个实施例中对待处理版图基础单元进行重合度比对的流程图。
图4是本公开一个实施例中使用目标版图单元的流程图。
图5是本公开一个实施例中步骤S43的子流程图。
图6是本公开实施例中对版图基础单元进行处理的全过程的流程图。
图7是本公开示例性实施例中一种电子设备的方框图。
具体实施方式
现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而,示例实施方式能够以多种形式实施,且不应被理解为限于在此阐述的范例;相反,提供这些实施方式使得本公开将更加全面和完整,并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施方式中。在下面的描述中,提供许多具体细节从而给出对本公开的实施方式的充分理解。然而,本领域技术人员将意识到,可以实践本公开的技术方案而省略所述特定细节中的一个或更多,或者可以采用其它的方法、组元、装置、步骤等。在其它情况下,不详细示出或描述公知技术方案以避免喧宾夺主而使得本公开的各方面变得模糊。
此外,附图仅为本公开的示意性图解,图中相同的附图标记表示相同或类似的部分,因而将省略对它们的重复描述。附图中所示的一些方框图是功能实体,不一定必须与物理或逻辑上独立的实体相对应。可以采用软件形式来实现这些功能实体,或在一个或多个硬件模块或集成电路中实现这些功能实体,或在不同网络和/或处理器装置和/或微控制器装置中实现这些功能实体。
下面结合附图对本公开示例实施方式进行详细说明。
图1是本公开示例性实施例中版图处理方法的流程图。
参考图1,版图处理方法100可以包括:
步骤S1,从第一版图库中获取一或多个待处理版图基础单元,所述待处理版图基础单元均对应目标半导体器件;
步骤S2,对所述待处理版图基础单元进行参数提取,以获取所述待处理版图基础单元的多个设计参数的测量值;
步骤S3,根据所述待处理版图基础单元生成目标版图单元,所述目标版图单元包括所述目标半导体器件的多个设计参数,所述设计参数均具有取值范围。
本公开实施例通过对无参数的版图基础单元自动进行参数提取,获取版图基础单元的参数信息,能够自动根据大量的版图基础单元生成具备参数的版图单元,以便于后续对版图进行修改和维护,并降低版图相关文件的存储量,极大提高了集成电路版图的开发效率。
下面,对版图处理方法100的各步骤进行详细说明。
在步骤S1,从第一版图库中获取一或多个待处理版图基础单元,所述待处理版图基础单元均对应目标半导体器件。
版图基础单元是指版图单元丢失参数信息后,剩余的图案化文件。每个版图基础单元对应一个半导体器件,半导体器件的种类包括但不限于电阻、电容、晶体管等电子元件,或者导线、通孔、连接结构、隔离结构等电路结构元素,本公开对此不作特殊限制。
在版图文件导入/导出或其他的版图处理过程中,通常会产生的大量无参数的版图基础单元。第一版图库例如为版图导入/导出对应的数据库,用以存储这些版图基础单元。第一版图库可以为具有固定文件格式的库文件,也可以为文件夹等其他形式的文件。不同的版图文件可以对应同一个第一版图库,第一版图库也可以仅对应一个版图文件。
在本公开实施例中,从第一版图库获取的待处理版图基础单元,可以均为一个目标半导体器件对应的版图基础单元,从而根据该目标半导体器件对应的全部版图基础单元生成该目标半导体器件对应的目标版图单元。
目标版图单元可以是一个具有多个设计参数的版图单元,在实际使用过程中,仅需通过简单操作(例如拖拽、复制等)即可将该版图单元的图形化实例放置在版图绘图区域,并通过调整该版图单元的设计参数,在版图中呈现不同的元件大小、旋转方向、局部尺寸等等图像特征。
与目标半导体器件对应的一或多个待处理版图基础单元仅具有目标版图单元的图像特征,不具备参数信息。但是,作为一个文件,版图基础单元通常会保留目标半导体器件的命名的部分或全部作为文件名。因此,在一个实施例中,可以根据目标半导体器件的器件名,对第一版图库中的所有版图基础单元的文件名称进行关键字匹配,以获取一或多个待处理版图基础单元。
在步骤S2,对所述待处理版图基础单元进行参数提取,以获取所述待处理版图基础单元的多个设计参数的测量值。
在本公开实施例中,可以首先根据目标半导体器件的类型确定多个设计参数,然后根据该多个设计参数对待处理版图基础单元进行对应的参数提取。
不同的半导体器件通常具有不同的设计参数。例如,对于插指晶体管(multi-finger transistors),通常具有沟道宽度(Width)、沟道长度(Length)、插指数量(numberof finger,nf)等主要的设计参数,以在版图中呈现不同的器件形态。不同的设计参数具有不同的测量单位,例如,对于沟道宽度和沟道长度,可以按照纳米等长度单位来计量;对于插指数量,可以按照个数来计量。不同的半导体器件对应的设计参数的种类、数量均不一定相同,本领域技术人员可以根据实际需求进行设置。每个半导体器件对应的设计参数可以与该半导体器件的版图单元中的可调整的设计参数完全一致。
在每个待处理版图基础单元中,可以对一个设计参数对应的图层位置进行测量,以将测量结果设置为待处理版图基础单元中该设计参数的测量值。
在一个实施例中,待处理版图基础单元的设计参数可以包括目标半导体器件的目标特征部位的数量(例如插指数量)、特征尺寸(例如沟道宽度)以及每个特征尺寸的测量规则,测量规则可以包括特征尺寸的测量方向以及尺寸单位,测量方向为二维空间向量。
在测量时,可以首先根据每个特征尺寸的测量规则,自动测量待处理版图基础单元在一或多个版图图层中的特征尺寸,然后,根据测得的这些特征尺寸确定待处理版图基础单元中目标特征部位的数量或目标特征部位的特征尺寸。
表1是插指晶体管的测量规则示意。
表1
如表1所示,P型插指晶体管对应的版图基础单元的命名通常包括“pch”字样。P型插指晶体管对应的设计参数的参数名分别为沟道宽度(Width)、沟道长度(Length)、插指数量(number of finger,nf);每个参数均具有对应的参数变量名,该参数变量名对应的参数用于记录对应设计参数的测量值;每个设计参数均具有对应的测量图层(图层信息)以及测量类型,测量类型例如包括测量时的二维方向(Y、X)或者数量(Num)。
图2是本公开一个实施例中对待处理版图基础单元进行参数提取的示意图。图2所示实施例与表1对应。
参考图2,在插指晶体管对应的待处理版图基础单元200中,存在多个图形化特征,其中待测的设计参数分别被命名为wf、l、nf(参考表1),待测设计参数的自动测量区域如图所示。
在图2所示实施例中,待处理版图基础单元200中的图形化特征均由不同图层的特征图案组成,例如对于上述基础单元,栅极层PG PCH包括多个分离的矩形图案,矩形图案在X方向的尺寸对应沟道长度l,矩形图案的个数对应插指数量Num;有源层MT2 drawing包括一个矩形图案,矩形图案在Y方向的尺寸对应沟道宽度wf。因此可以基于预先设置的特征识别逻辑,自动识别到不同的特征部位,进而提取不同特征部位的特征尺寸。最后,对测得的特征尺寸进行综合分析,以确定待处理版图基础单元中目标特征部位的数量或目标特征部位的特征尺寸。例如,当识别到9个l值时,可以判断nf=9;或者,当识别出9个插指(finger)时,可以在这9个插指的对应位置获取这9个插指的长度l。
在步骤S3,根据所述待处理版图基础单元生成目标版图单元,所述目标版图单元包括所述目标半导体器件的多个设计参数,所述设计参数均具有取值范围。
在本步骤中,可以首先基于待处理版图基础单元共同的图像特征,即目标半导体器件的图像特征,生成与目标半导体器件对应的目标版图单元,目标版图单元具有多个设计参数,然后,根据一或多个待处理版图基础单元的多个设计参数的测量值,确定目标版图单元中每个设计参数对应的取值范围。其中,目标半导体器件的图像特征可以为预设特征,图像特征文件可以以目标半导体器件的种类命名保存。
同一个半导体器件的不同待处理版图元件的设计参数是可能不同的,但是这些待处理版图元件均具有同一的图形化特征,仅在参数上具有不同,例如宽度不同、长度不同、特征部位数量不同等等。因此,需要对目标半导体器件对应的全部待处理版图基础单元均进行参数提取,以获取目标半导体器件对应的版图单元的各设计参数的取值范围。
在确定取值范围时,可以根据一或多个待处理版图基础单元的目标设计参数的测量值,确定目标版图单元中目标设计参数的最大值和最小值,将目标版图单元中目标设计参数的取值范围设置为由最小值和最大值构成的数值区间。其中,目标设计参数是指当前正在处理的设计参数。确定完一个目标设计参数的取值范围后,可以将其他设计参数确定为目标设计参数,确定最新的目标设计参数的取值范围。
可以理解的是,待处理版图基础单元的数量越多,该取值范围越精确,因此可以根据目标半导体器件对应的全部待处理版图基础单元确定每个设计参数对应的取值范围。
基于多个待处理版图基础单元,最终可以生成一个与目标半导体器件对应的目标版图单元,该目标版图单元具有可调节的设计参数,以及这些待处理版图基础单元的共同图像特征,即目标半导体器件的图像特征。
生成目标版图单元之后,还可以将目标版图单元与每个待处理版图基础单元进行重合度比对,以获取重合度,在重合度超过预设值时,判断目标版图单元生成成功。
图3是本公开一个实施例中对待处理版图基础单元进行重合度比对的流程图。
参考图3,将目标版图单元与每个待处理版图基础单元进行重合度比对包括:
步骤S31,获取目标待处理版图基础单元的多个设计参数的测量值;
步骤S32,将目标版图单元中多个设计参数的值设置为目标待处理版图基础单元的多个设计参数的测量值;
步骤S33,将目标版图单元的图像元素与目标待处理版图基础单元的图像元素进行重合度比对。
图3所示实施例中,首先在多个待处理版图基础单元中确定一个当前处理的目标待处理版图基础单元,然后获取该目标待处理版图基础单元的设计参数的测量值,基于这些测量值对目标版图单元进行赋值,以生成理论上与目标待处理版图基础单元完全重合的版图单元,即生成一个目标版图的实例,也称为对目标版图单元进行实例化。
接下来,对目标待处理版图基础单元和目标版图单元进行图像元素的重合度对比(LVL,layout vs layout),如果重合度较高,超过预设值,则判断目标版图单元能够完全重现目标待处理版图单元,参数化重建目标版图单元成功。
在上述重合度不超过预设值时,可以重新对待处理版图基础单元进行参数提取,并重新根据待处理版图基础单元生成目标版图单元。重新进行参数提取的对象可以为当前正在比对的待处理版图基础单元,也可以为全部待处理版图基础单元。
为了验证准确度,可以将目标版图单元与每个待处理版图基础单元进行重合度比对,为了提高效率,也可以仅对与一个待处理版图基础单元进行重合度比对。
在一个目标版图单元的重合度比对全部成功后,可以继续重复上述流程,根据第一版图库生成多个半导体器件对应的版图单元,然后根据多个半导体器件对应的版图单元生成第二版图库。该第二版图库存储有可以直接使用和修改的版图单元,用于下一个阶段的版图设计。需要说明的是,本公开的目标版图单元是指当前正在处理的目标半导体器件对应的版图单元,即当前正在被生成的版图单元,每个半导体器件对应的版图单元在被生成的过程中,均可以被称为目标版图单元。
在本公开的一个实施例中,生成目标版图单元之后,还可以直接使用目标版图单元对当前版图中的全部无参数的版图基础单元进行替换,以弥补版图导入/导出造成的参数丢失损失,对版图文件的参数信息进行还原。
图4是本公开一个实施例中使用目标版图单元的流程图。
参考图4,在一个实施例中,步骤S3之后,还可以包括:
步骤S41,获取目标待处理版图基础单元的多个设计参数的测量值;
步骤S42,将目标版图单元中多个设计参数的值设置为目标待处理版图基础单元的多个设计参数的测量值;
步骤S43,在版图中使用目标版图单元替换目标待处理版图基础单元。
使用目标版图单元对待处理版图基础单元进行替换的过程同上述进行重合度比对的过程相同,也是一个对目标版图单元进行实例化的过程。
图5是本公开一个实施例中步骤S43的子流程图。
参考图5,在一个实施例中,步骤S43可以包括:
步骤S431,获取目标待处理版图基础单元在版图中的目标位置坐标和目标旋转角度;
步骤S432,将目标版图单元设置在版图中,并将目标版图单元的位置坐标设置为目标位置坐标,将目标版图单元的旋转角度设置为目标旋转角度;
步骤S433,删除目标待处理版图基础单元。
在图5所示实施例中,对实例化的目标版图单元进行坐标和旋转角度设置后,可以删除目标待处理版图基础单元。在一些实施例中,替换目标待处理版图基础单元的过程可以与重合度比对的过程接续进行,即在对目标版图单元进行实例化后,如果重合度比对成功,则直接设置当前实例的坐标和旋转角度,然后删除目标待处理版图基础单元,以提高对版图的处理效率。
通过在进行版图基础单元参数化的过程中,采用与版图基础单元导出之前一致的参数化数据生成目标版图单元,同时进行版图对比验证,确保了参数化结果的正确性。此外,通过对版图中的全部待处理基础单元进行替换,可以将版图恢复成导入/导出之前的状态,有利于继续进行设计和修改。
图6是本公开实施例中对版图基础单元进行处理的全过程的流程图。
参考图6,在一个实施例中,对版图基础单元进行处理的全过程可以包括:
步骤S61,获取目标半导体器件对应的全部待处理版图基础单元。这个步骤也称为获取所有无参化的版图基础单元实例。
步骤S62,根据目标半导体器件对应的设计规则对待处理版图基础单元提取参数化数据。
步骤S63,根据提取的参数化数据生成参数化的版图单元实例。
步骤S64,将无参化的版图基础单元实例与参数化的版图单元实例进行比对,如果不一致,进入步骤S65进行单独分析处理,如果一致,进入步骤S66。
步骤S66,使用与无参化的版图基础单元实例同样的位置和旋转信息对参数化的版图单元实例进行设置,并使用参数化的版图单元实例对无参化的版图基础单元实例进行替换。
步骤S67,经过上层版图对比验证正确后,删除无参化的版图基础单元实例。
图6所示实施例从版图库中获取所有无参版图基础单元,根据参数化版图单元的设计及测量规则对无参化版图基础单元进行测量,从其中提取参数化所需数据,创建对应参数化版图单元实例并赋值对应的参数化版图单元,在版图对比验证通过后,使用参数化版图单元对无参版图基础单元进行替换,将版图基础单元自动恢复成参数化的版图单元,达到精简版本库,提升管理效能的作用,使进一步修改版图单元成为可能,有效的降低了版图修改的工作量。
表2是无参数的版图基础单元与有参数的版图单元的信息对比。
版图基础单元(Stream In) | 版图单元 | |
单元数量 | >22K | 41 |
库文件大小 | 19GB | 2.5GB |
修改单元 | 难 | 易 |
版图改版 | 难 | 易 |
表2
由表2可以看出,生成的版图基础单元的数量巨大,但是参数化后的版图单元的数量大大减小,导致存储有版图单元的第二版图库的库文件远比存储有版图基础单元的第一版图库的库文件存储量小。在修改单元、版图改版过程中,修改少量的版图单元也远远比修改大量的版图基础单元容易。
在本公开的示例性实施例中,还提供了一种能够实现上述方法的电子设备。
所属技术领域的技术人员能够理解,本发明的各个方面可以实现为系统、方法或程序产品。因此,本发明的各个方面可以具体实现为以下形式,即:完全的硬件实施方式、完全的软件实施方式(包括固件、微代码等),或硬件和软件方面结合的实施方式,这里可以统称为“电路”、“模块”或“系统”。
下面参照图7来描述根据本发明的这种实施方式的电子设备700。图7显示的电子设备700仅仅是一个示例,不应对本发明实施例的功能和使用范围带来任何限制。
如图7所示,电子设备700以通用计算设备的形式表现。电子设备700的组件可以包括但不限于:上述至少一个处理单元710、上述至少一个存储单元720、连接不同系统组件(包括存储单元720和处理单元710)的总线730。
其中,所述存储单元存储有程序代码,所述程序代码可以被所述处理单元710执行,使得所述处理单元710执行本说明书上述“示例性方法”部分中描述的根据本发明各种示例性实施方式的步骤。例如,所述处理单元710可以执行如本公开实施例所示的方法。
存储单元720可以包括易失性存储单元形式的可读介质,例如随机存取存储单元(RAM)7201和/或高速缓存存储单元7202,还可以进一步包括只读存储单元(ROM)7203。
存储单元720还可以包括具有一组(至少一个)程序模块7205的程序/实用工具7204,这样的程序模块7205包括但不限于:操作系统、一个或者多个应用程序、其它程序模块以及程序数据,这些示例中的每一个或某种组合中可能包括网络环境的实现。
总线730可以为表示几类总线结构中的一种或多种,包括存储单元总线或者存储单元控制器、外围总线、图形加速端口、处理单元或者使用多种总线结构中的任意总线结构的局域总线。
电子设备700也可以与一个或多个外部设备800(例如键盘、指向设备、蓝牙设备等)通信,还可与一个或者多个使得用户能与该电子设备700交互的设备通信,和/或与使得该电子设备700能与一个或多个其它计算设备进行通信的任何设备(例如路由器、调制解调器等等)通信。这种通信可以通过输入/输出(I/O)接口750进行。并且,电子设备700还可以通过网络适配器760与一个或者多个网络(例如局域网(LAN),广域网(WAN)和/或公共网络,例如因特网)通信。如图所示,网络适配器760通过总线730与电子设备700的其它模块通信。应当明白,尽管图中未示出,可以结合电子设备700使用其它硬件和/或软件模块,包括但不限于:微代码、设备驱动器、冗余处理单元、外部磁盘驱动阵列、RAID系统、磁带驱动器以及数据备份存储系统等。
通过以上的实施方式的描述,本领域的技术人员易于理解,这里描述的示例实施方式可以通过软件实现,也可以通过软件结合必要的硬件的方式来实现。因此,根据本公开实施方式的技术方案可以以软件产品的形式体现出来,该软件产品可以存储在一个非易失性存储介质(可以是CD-ROM,U盘,移动硬盘等)中或网络上,包括若干指令以使得一台计算设备(可以是个人计算机、服务器、终端装置、或者网络设备等)执行根据本公开实施方式的方法。
在本公开的示例性实施例中,还提供了一种计算机可读存储介质,其上存储有能够实现本说明书上述方法的程序产品。在一些可能的实施方式中,本发明的各个方面还可以实现为一种程序产品的形式,其包括程序代码,当所述程序产品在终端设备上运行时,所述程序代码用于使所述终端设备执行本说明书上述“示例性方法”部分中描述的根据本发明各种示例性实施方式的步骤。
根据本发明的实施方式的用于实现上述方法的程序产品可以采用便携式紧凑盘只读存储器(CD-ROM)并包括程序代码,并可以在终端设备,例如个人电脑上运行。然而,本发明的程序产品不限于此,在本文件中,可读存储介质可以是任何包含或存储程序的有形介质,该程序可以被指令执行系统、装置或者器件使用或者与其结合使用。
所述程序产品可以采用一个或多个可读介质的任意组合。可读介质可以是可读信号介质或者可读存储介质。可读存储介质例如可以为但不限于电、磁、光、电磁、红外线、或半导体的系统、装置或器件,或者任意以上的组合。可读存储介质的更具体的例子(非穷举的列表)包括:具有一个或多个导线的电连接、便携式盘、硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、可擦式可编程只读存储器(EPROM或闪存)、光纤、便携式紧凑盘只读存储器(CD-ROM)、光存储器件、磁存储器件、或者上述的任意合适的组合。
计算机可读信号介质可以包括在基带中或者作为载波一部分传播的数据信号,其中承载了可读程序代码。这种传播的数据信号可以采用多种形式,包括但不限于电磁信号、光信号或上述的任意合适的组合。可读信号介质还可以是可读存储介质以外的任何可读介质,该可读介质可以发送、传播或者传输用于由指令执行系统、装置或者器件使用或者与其结合使用的程序。
可读介质上包含的程序代码可以用任何适当的介质传输,包括但不限于无线、有线、光缆、RF等等,或者上述的任意合适的组合。
可以以一种或多种程序设计语言的任意组合来编写用于执行本发明操作的程序代码,所述程序设计语言包括面向对象的程序设计语言—诸如Java、C++等,还包括常规的过程式程序设计语言—诸如“C”语言或类似的程序设计语言。程序代码可以完全地在用户计算设备上执行、部分地在用户设备上执行、作为一个独立的软件包执行、部分在用户计算设备上部分在远程计算设备上执行、或者完全在远程计算设备或服务器上执行。在涉及远程计算设备的情形中,远程计算设备可以通过任意种类的网络,包括局域网(LAN)或广域网(WAN),连接到用户计算设备,或者,可以连接到外部计算设备(例如利用因特网服务提供商来通过因特网连接)。
此外,上述附图仅是根据本发明示例性实施例的方法所包括的处理的示意性说明,而不是限制目的。易于理解,上述附图所示的处理并不表明或限制这些处理的时间顺序。另外,也易于理解,这些处理可以是例如在多个模块中同步或异步执行的。
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后,将容易想到本公开的其它实施方案。本申请旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化,这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的,本公开的真正范围和构思由权利要求指出。
Claims (15)
1.一种版图处理方法,其特征在于,包括:
从第一版图库中获取一或多个待处理版图基础单元,所述待处理版图基础单元均对应目标半导体器件;
对所述待处理版图基础单元进行参数提取,以获取所述待处理版图基础单元的多个设计参数的测量值;
根据所述待处理版图基础单元生成目标版图单元,所述目标版图单元包括所述目标半导体器件的多个设计参数,所述设计参数均具有取值范围。
2.如权利要求1所述的版图处理方法,其特征在于,所述从第一版图库中获取一或多个待处理版图基础单元包括:
根据所述目标半导体器件的器件名,对所述第一版图库中的所有版图基础单元的文件名称进行关键字匹配,以获取所述一或多个待处理版图基础单元。
3.如权利要求1所述的版图处理方法,其特征在于,所述对所述待处理版图基础单元进行参数提取包括:
根据所述目标半导体器件的类型确定所述多个设计参数;
根据所述多个设计参数对所述待处理版图基础单元进行对应的参数提取。
4.如权利要求1或3所述的版图处理方法,其特征在于,对所述待处理版图基础单元进行参数提取包括:
在所述待处理版图基础单元中,对所述设计参数对应的位置进行测量,将测量结果设置为所述待处理版图基础单元中所述设计参数的测量值。
5.如权利要求4所述的版图处理方法,其特征在于,所述设计参数包括所述目标半导体器件的目标特征部位的数量、特征尺寸以及每个所述特征尺寸的测量规则,所述测量规则包括所述特征尺寸的测量方向以及尺寸单位,所述测量方向为二维空间向量,对所述待处理版图基础单元进行参数提取包括:
根据每个所述特征尺寸的测量规则,自动测量所述待处理版图基础单元在一或多个版图图层中的特征尺寸;
根据所述待处理版图基础单元在一或多个版图图层中的所述特征尺寸,确定所述待处理版图基础单元中所述目标特征部位的数量或所述目标特征部位的特征尺寸。
6.如权利要求1所述的版图处理方法,其特征在于,所述根据所述待处理版图基础单元生成与所述目标半导体器件对应的目标版图单元包括:
生成与所述目标半导体器件对应的所述目标版图单元,所述目标版图单元具有所述多个设计参数;
根据一或多个所述待处理版图基础单元的所述多个设计参数的测量值,确定所述目标版图单元中每个所述设计参数对应的取值范围。
7.如权利要求6所述的版图处理方法,其特征在于,所述根据一或多个所述待处理版图基础单元的所述多个设计参数的测量值,确定所述目标版图单元中每个所述设计参数对应的取值范围包括:
根据一或多个所述待处理版图基础单元的目标设计参数的测量值,确定所述目标版图单元中所述目标设计参数的最大值和最小值,将所述目标版图单元中所述目标设计参数的取值范围设置为由所述最小值和所述最大值构成的数值区间。
8.如权利要求6所述的版图处理方法,其特征在于,所述根据所述待处理版图基础单元生成与所述目标半导体器件对应的目标版图单元还包括:
将所述目标版图单元与每个所述待处理版图基础单元进行重合度比对,以获取重合度;
在所述重合度超过预设值时,判断所述目标版图单元生成成功。
9.如权利要求8所述的版图处理方法,其特征在于,将所述目标版图单元与每个所述待处理版图基础单元进行重合度比对包括:
获取目标待处理版图基础单元的多个设计参数的测量值;
将所述目标版图单元中所述多个设计参数的值设置为所述目标待处理版图基础单元的多个设计参数的测量值;
将所述目标版图单元的图像元素与所述待处理版图基础单元的图像元素进行重合度比对。
10.如权利要求8所述的版图处理方法,其特征在于,所述根据所述待处理版图基础单元生成与所述目标半导体器件对应的目标版图单元还包括:
在所述重合度不超过所述预设值时,重新对所述待处理版图基础单元进行参数提取,并重新根据所述待处理版图基础单元生成所述目标版图单元。
11.如权利要求1所述的版图处理方法,其特征在于,还包括:
根据所述第一版图库生成多个半导体器件对应的版图单元;
根据所述多个半导体器件对应的版图单元生成第二版图库。
12.如权利要求1或11所述的版图处理方法,其特征在于,还包括:
获取目标待处理版图基础单元的多个设计参数的测量值;
将所述目标版图单元中所述多个设计参数的值设置为所述目标待处理版图基础单元的多个设计参数的测量值;
在版图中使用所述目标版图单元替换所述目标待处理版图基础单元。
13.如权利要求12所述的版图处理方法,其特征在于,所述在版图中使用所述目标版图单元替换所述目标待处理版图基础单元包括:
获取目标待处理版图基础单元在所述版图中的目标位置坐标和目标旋转角度;
将所述目标版图单元设置在所述版图中,并将所述目标版图单元的位置坐标设置为所述目标位置坐标,将所述目标版图单元的旋转角度设置为所述目标旋转角度;
删除所述目标待处理版图基础单元。
14.如权利要求1所述的版图处理方法,其特征在于,所述待处理版图基础单元为无参数版图基础单元,所述目标半导体器件包括元件、导线、通孔、连接结构、隔离结构中的任意一种。
15.一种电子设备,其特征在于,包括:
存储器;以及
耦合到所述存储器的处理器,所述处理器被配置为基于存储在所述存储器中的指令,执行如权利要求1-14任一项所述的版图处理方法。
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