JPH01287988A - Icユニットの接続方法 - Google Patents
Icユニットの接続方法Info
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- JPH01287988A JPH01287988A JP63117004A JP11700488A JPH01287988A JP H01287988 A JPH01287988 A JP H01287988A JP 63117004 A JP63117004 A JP 63117004A JP 11700488 A JP11700488 A JP 11700488A JP H01287988 A JPH01287988 A JP H01287988A
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
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- H05K3/061—Etching masks
- H05K3/064—Photoresists
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- H05K3/241—Reinforcing the conductive pattern characterised by the electroplating method; means therefor, e.g. baths or apparatus
- H05K3/242—Reinforcing the conductive pattern characterised by the electroplating method; means therefor, e.g. baths or apparatus characterised by using temporary conductors on the printed circuit for electrically connecting areas which are to be electroplated
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
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- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
- Y10T29/49121—Beam lead frame or beam lead device
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
この発明は、T A B (Tape Automat
edBond ing)方式によるICユニットの基板
への接続構造に関する。
edBond ing)方式によるICユニットの基板
への接続構造に関する。
[従来技術]
TAB方式で形成したICユニットに搭載されたICデ
バイスのリード端子を液晶テレビジョンや液晶大型画面
cy) L CD (Liquid CrystalD
isplay)基板の電極端子に接続する構造が知られ
ている。
バイスのリード端子を液晶テレビジョンや液晶大型画面
cy) L CD (Liquid CrystalD
isplay)基板の電極端子に接続する構造が知られ
ている。
この場合、液晶テレビジョンや液晶大型画面のLCDは
多数の表示ドライバチップを接続する必要があるが、従
来のICユニットはICデバイス(表示ドライバチップ
)を1個毎キャリアテープのフィンガリードにボンディ
ングしたものであり、従って必要数に応じた多数個のI
Cユニットが用いられ、それらのICデバイスのリード
端子が個々にLCDの電極端子に接続され、またこれら
多数個のICユニットがLCD基板と配線基板とを接続
するものであった・ また、LCDに接続された各表示ドライバチッブ(IC
デバイス)の対応するリード端子は相互に接続する必要
があるが、この場合、その接続パターンは他のリード端
子を横切らなければならず、このための引き廻しは大変
複雑になる。従って、従来この複雑な各表示ドライバチ
ップのリード端子相互の接続パターンを配線基板に設け
ていた。
多数の表示ドライバチップを接続する必要があるが、従
来のICユニットはICデバイス(表示ドライバチップ
)を1個毎キャリアテープのフィンガリードにボンディ
ングしたものであり、従って必要数に応じた多数個のI
Cユニットが用いられ、それらのICデバイスのリード
端子が個々にLCDの電極端子に接続され、またこれら
多数個のICユニットがLCD基板と配線基板とを接続
するものであった・ また、LCDに接続された各表示ドライバチッブ(IC
デバイス)の対応するリード端子は相互に接続する必要
があるが、この場合、その接続パターンは他のリード端
子を横切らなければならず、このための引き廻しは大変
複雑になる。従って、従来この複雑な各表示ドライバチ
ップのリード端子相互の接続パターンを配線基板に設け
ていた。
[発明が解決しようとする課題]
しかし、上記従来のように、ICデバイス(表示ドライ
バチップ)を1個毎キャリアテープのフィンガリードに
ボンディングしたICユニットを用いた場合、多数個の
ICユニットが必要となるため、ICユニットと配線基
板の接続箇所が多くなっている。従って、接続作業が非
能率的であると同時に接続部分の位置合わせや接続不良
のため歩留まりも低かった。また、上記従来のように表
示ドライバチップのリード端子相互の接続パターンを配
線基板に設けた場合、配線基板はこのほかに画像処理回
路、制御回路およびメモリ回路等に関する複雑な配線パ
ターンを設ける必要があるため、全体として極めて複雑
な引き廻しをしなければならず、この結果、配線基板は
大型化し且つ生産時の歩留まりが悪化する原因となって
いた。
バチップ)を1個毎キャリアテープのフィンガリードに
ボンディングしたICユニットを用いた場合、多数個の
ICユニットが必要となるため、ICユニットと配線基
板の接続箇所が多くなっている。従って、接続作業が非
能率的であると同時に接続部分の位置合わせや接続不良
のため歩留まりも低かった。また、上記従来のように表
示ドライバチップのリード端子相互の接続パターンを配
線基板に設けた場合、配線基板はこのほかに画像処理回
路、制御回路およびメモリ回路等に関する複雑な配線パ
ターンを設ける必要があるため、全体として極めて複雑
な引き廻しをしなければならず、この結果、配線基板は
大型化し且つ生産時の歩留まりが悪化する原因となって
いた。
この発明は、上述の如き事情に鑑みてなされたもので、
その目的とするところは、ICユニットの配線基板への
接続箇所を可及的に削減することができ、しかも配線基
板の配線パターンが簡単化できるICユニットの接続構
造を提供することにある。
その目的とするところは、ICユニットの配線基板への
接続箇所を可及的に削減することができ、しかも配線基
板の配線パターンが簡単化できるICユニットの接続構
造を提供することにある。
[課題を解決するための手段]
上記目的を達成するため、この発明に係るICユニット
の接続構造は、巾方向に複数行のデバイス穴が配列され
たキャリアテープの一面に前記各デバイス穴の内方に延
出されるフィンガリードを、他面に前記フィンガリード
に接続されるパターンを形成するとともに前記各デバイ
ス穴を介してそれぞれのフィンガリードにICデバイス
をボンディングし、このボンディングされたICデバイ
ス複数個を1組としてキャリアテープから切断したIC
ユニットを、そのユニット状態のまま基板に接続したも
のである。
の接続構造は、巾方向に複数行のデバイス穴が配列され
たキャリアテープの一面に前記各デバイス穴の内方に延
出されるフィンガリードを、他面に前記フィンガリード
に接続されるパターンを形成するとともに前記各デバイ
ス穴を介してそれぞれのフィンガリードにICデバイス
をボンディングし、このボンディングされたICデバイ
ス複数個を1組としてキャリアテープから切断したIC
ユニットを、そのユニット状態のまま基板に接続したも
のである。
[作用]
かかる構成の接続構造によれば、複数個のICデバイス
がユニット化された状態にあるので配線基板との接続箇
所が大巾に削減されることになる。従って、接続作業が
婆率的に行なえ且つ接続による歩留まりも向上する。ま
た、ICユニット側に各ICデバイスのリード端子相互
の接続パターンを設けているので配線基板の配線パター
ンが簡単化され、配線基板は大型化されず且つ生産時の
歩留まりも悪化することがない。
がユニット化された状態にあるので配線基板との接続箇
所が大巾に削減されることになる。従って、接続作業が
婆率的に行なえ且つ接続による歩留まりも向上する。ま
た、ICユニット側に各ICデバイスのリード端子相互
の接続パターンを設けているので配線基板の配線パター
ンが簡単化され、配線基板は大型化されず且つ生産時の
歩留まりも悪化することがない。
[実施例]
以下、この発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第1図および第2図はこの発明の接続構造によって液晶
テレビジョン又は液晶大型画面のLCD基板基板接続さ
れたTAB方式のICユニット2を示している。
第1図および第2図はこの発明の接続構造によって液晶
テレビジョン又は液晶大型画面のLCD基板基板接続さ
れたTAB方式のICユニット2を示している。
例示のICユニット2はキャリアテープ3に5個の表示
ドライバチー、プ(ICデバイス4)を搭載したもので
ある。この場合、4個の表示ドライバチップはセグメン
ト信号用のものであり、1個の表示ドライバチップはコ
モン信号用のものである。
ドライバチー、プ(ICデバイス4)を搭載したもので
ある。この場合、4個の表示ドライバチップはセグメン
ト信号用のものであり、1個の表示ドライバチップはコ
モン信号用のものである。
上記ICユニット2は第3図に示すキャリアテープ3か
ら作成される。すなわち、キャリアテープ3は例えばポ
リエステル樹脂、ポリイミド樹脂等の可撓性および絶縁
性を有した樹脂フィルムからなり、かつ、相当巾広な寸
法とされているものであり、両側縁部にそれぞれ二列の
スプロケット穴5.6を有し、中央部に多数のICデバ
イス穴7を有している。二列のスプロケット穴5.6は
対向配置されており、それぞれ長手方向に所定間隔を置
いて形成されている。ここでは外側に配置されたスプロ
ケット穴5は円形穴とされており、ICデバイスのボン
ディング工程以外の処理工程においてキャリアテープ3
を所定処理部に送る場合に使用する。また、内側に配置
されたスプロケット穴6は角形穴とされており、位置決
め精度が要求されるICデバイスのボンディング工程に
おいてキャリアテープ3を所定処理部に送る場合に使用
する。ICデバイス穴7はキャリアテープ3の巾方向に
所定間隔を置いて複数行(ここでは10行)配置されて
おり、これらの各ICデバイス穴7部分には第5図(第
3図の二点鎖線部の拡大図)に示すようにセグメント信
号用およびコモン信号用の表示ドライバチップとされる
ICデバイス4が搭載されている。このICデバイス4
はキャリアテープ3の下側に配置され、キャリアテープ
3の上面にICデバイス穴7の内方迄延出して形成され
ているフィンガリード8に図示しない電極がボンディン
グされる。この場合、フィンガリード8はキャリアテー
プ3の上面にラミネートされた銅箔をエツチング処理し
て形成されるものである。このエツチング処理ではフィ
ンガリード8に錫又は半田メツキをする際、各フィンガ
リード8にメツキ用のアース電位を印加するためICデ
バイス4を1個分ごとに囲む格子状の銅箔パターン9も
形成される。第3図はこの銅箔パターン9の形成が完了
した状態のキャリアテープを示し、!5図4fIcユニ
ット2に切断前のキャリアテープを示している。格子状
の銅箔パターン9は全体的に連続するように形成されて
おり、この銅箔パターン9に各ICデバイス4のフィン
ガリード8が接続されている。またキャリアテープ3の
下面には第5図に破線で示すように複数行のICデバイ
ス穴7に対応するフィンガーリード8の各リード端子8
aを接続する接続パターン10が形成されている。各フ
ィンガーリード8のリード端子8aはスルーホールl’
lを介してキャリアテープ3の下面側に引き廻され、接
続パターン10と接続している。この場合、接続パター
ン1oはフィンガリード8と同様にキャリアテープ3の
下面にラミネートされた銅箔をエツチング処理して形成
される。また、格子状の銅箔パターン9の各格子部には
フィンガリード8にメツキ処理が施された後、隣りのフ
ィンガリード8との導通を断っための切欠き12.13
が形成される。この場合、格子部のテープと平行する部
位に形成される切欠き12は台形状とされ、フィンガリ
ード8が後述するLCD 1の電極端子15に接続され
るときに相隣るリード端子8aの長さを異ならせてショ
ートしないようにしている。一方、格子部のテープと直
交する部位に形成される切欠き13は矩形状とされ、各
フィンガーリード8のリード端子8aが同じ長さになる
ようにしている。
ら作成される。すなわち、キャリアテープ3は例えばポ
リエステル樹脂、ポリイミド樹脂等の可撓性および絶縁
性を有した樹脂フィルムからなり、かつ、相当巾広な寸
法とされているものであり、両側縁部にそれぞれ二列の
スプロケット穴5.6を有し、中央部に多数のICデバ
イス穴7を有している。二列のスプロケット穴5.6は
対向配置されており、それぞれ長手方向に所定間隔を置
いて形成されている。ここでは外側に配置されたスプロ
ケット穴5は円形穴とされており、ICデバイスのボン
ディング工程以外の処理工程においてキャリアテープ3
を所定処理部に送る場合に使用する。また、内側に配置
されたスプロケット穴6は角形穴とされており、位置決
め精度が要求されるICデバイスのボンディング工程に
おいてキャリアテープ3を所定処理部に送る場合に使用
する。ICデバイス穴7はキャリアテープ3の巾方向に
所定間隔を置いて複数行(ここでは10行)配置されて
おり、これらの各ICデバイス穴7部分には第5図(第
3図の二点鎖線部の拡大図)に示すようにセグメント信
号用およびコモン信号用の表示ドライバチップとされる
ICデバイス4が搭載されている。このICデバイス4
はキャリアテープ3の下側に配置され、キャリアテープ
3の上面にICデバイス穴7の内方迄延出して形成され
ているフィンガリード8に図示しない電極がボンディン
グされる。この場合、フィンガリード8はキャリアテー
プ3の上面にラミネートされた銅箔をエツチング処理し
て形成されるものである。このエツチング処理ではフィ
ンガリード8に錫又は半田メツキをする際、各フィンガ
リード8にメツキ用のアース電位を印加するためICデ
バイス4を1個分ごとに囲む格子状の銅箔パターン9も
形成される。第3図はこの銅箔パターン9の形成が完了
した状態のキャリアテープを示し、!5図4fIcユニ
ット2に切断前のキャリアテープを示している。格子状
の銅箔パターン9は全体的に連続するように形成されて
おり、この銅箔パターン9に各ICデバイス4のフィン
ガリード8が接続されている。またキャリアテープ3の
下面には第5図に破線で示すように複数行のICデバイ
ス穴7に対応するフィンガーリード8の各リード端子8
aを接続する接続パターン10が形成されている。各フ
ィンガーリード8のリード端子8aはスルーホールl’
lを介してキャリアテープ3の下面側に引き廻され、接
続パターン10と接続している。この場合、接続パター
ン1oはフィンガリード8と同様にキャリアテープ3の
下面にラミネートされた銅箔をエツチング処理して形成
される。また、格子状の銅箔パターン9の各格子部には
フィンガリード8にメツキ処理が施された後、隣りのフ
ィンガリード8との導通を断っための切欠き12.13
が形成される。この場合、格子部のテープと平行する部
位に形成される切欠き12は台形状とされ、フィンガリ
ード8が後述するLCD 1の電極端子15に接続され
るときに相隣るリード端子8aの長さを異ならせてショ
ートしないようにしている。一方、格子部のテープと直
交する部位に形成される切欠き13は矩形状とされ、各
フィンガーリード8のリード端子8aが同じ長さになる
ようにしている。
また、キャリアテープ3の両側縁部には、スプロケット
穴5.6の他複数(F)列のICデバイス穴7毎にテー
プの送り量を設定するためのテープ送り値設定穴(又は
マーク)14.14が設けられている。
穴5.6の他複数(F)列のICデバイス穴7毎にテー
プの送り量を設定するためのテープ送り値設定穴(又は
マーク)14.14が設けられている。
上記構成にあるキャリアテープ3は第4図に示す工程(
A)〜(Q)を経て製造される。すなわち、まず、プレ
ス工程(A)において、キャリアテープ3に、二列のス
プロケット穴5・6およびICデバイス穴7、テープ送
り値設定穴4が穿設される。この場合、ICデバイス穴
7は、図面(第3図)上では一部省略しであるが、実際
には銅箔パターン9によって形成される格子部内のすべ
てに形成されるものである6次に、このプレス工程(’
A)で所定の穴が穿設されたキャリアテープ3は次段の
銅箔ラミネート工程(B)に送られ、ここで上面にフィ
ンガリード8および銅箔パターン9を構成するための銅
箔がラミネートされる。この銅箔ラミネート工程(B)
を終えたキャリアテープ3は次段のフォトレジス1m布
工程(C)に送られ、ここで感光面を構成するフォトレ
ジストが銅箔上に塗布される。このフォトレジスト塗布
工程(C)を終えたキャリアテープ3は次段の露光工程
(D)に送られ、ここでフォトレジストに光を照射して
フィンガリード8と銅箔パターン9の露光がなされる0
次にキャリアテープ3は次段の、現像工程(E)に送ら
れ、ここでフィンガリード8および銅箔パターン9の所
定の画像を現わすための現像処理がなされる。この現像
工程(E)を終えたキャリアテープ3は次段のデバイス
ホール被覆工程CF)に送られ、ここでキャリアテープ
3の下面側からICデバイス穴7を被覆して、次段のエ
ツチング工程(G)においてフィンガリード8のICデ
バイス穴7の内方に延出する部分のエツチングが正しく
行なえるようにする。このデバイスホール被覆工程(F
)を終えたキャリアテープ3は次段のエツチング工程(
G)に送られ、ここで現像工程(E)において現像され
た画像(フィンガリード8および銅箔パターン9)以外
の銅箔を除去するためのエツチング処理がなされる。こ
のエツチング工程(G)を終えたキャリアテープ3は次
段のレジスト剥離工程(H)に送られ、ここでフォトレ
ジストの剥離除去がなされる。第3図のキャリアテープ
3はこのレジスト剥離工程(H)を終えた状態のもので
ある0次いで、キャリアテープ3は次段の接続パターン
形成工程CI)に送られ、ここでまず下面に接続パター
ン10を構成するための銅箔をラミネートし、次いで銅
箔上にフォトレジス)1布し、露光し、現像して接続パ
ターン10を形成する。
A)〜(Q)を経て製造される。すなわち、まず、プレ
ス工程(A)において、キャリアテープ3に、二列のス
プロケット穴5・6およびICデバイス穴7、テープ送
り値設定穴4が穿設される。この場合、ICデバイス穴
7は、図面(第3図)上では一部省略しであるが、実際
には銅箔パターン9によって形成される格子部内のすべ
てに形成されるものである6次に、このプレス工程(’
A)で所定の穴が穿設されたキャリアテープ3は次段の
銅箔ラミネート工程(B)に送られ、ここで上面にフィ
ンガリード8および銅箔パターン9を構成するための銅
箔がラミネートされる。この銅箔ラミネート工程(B)
を終えたキャリアテープ3は次段のフォトレジス1m布
工程(C)に送られ、ここで感光面を構成するフォトレ
ジストが銅箔上に塗布される。このフォトレジスト塗布
工程(C)を終えたキャリアテープ3は次段の露光工程
(D)に送られ、ここでフォトレジストに光を照射して
フィンガリード8と銅箔パターン9の露光がなされる0
次にキャリアテープ3は次段の、現像工程(E)に送ら
れ、ここでフィンガリード8および銅箔パターン9の所
定の画像を現わすための現像処理がなされる。この現像
工程(E)を終えたキャリアテープ3は次段のデバイス
ホール被覆工程CF)に送られ、ここでキャリアテープ
3の下面側からICデバイス穴7を被覆して、次段のエ
ツチング工程(G)においてフィンガリード8のICデ
バイス穴7の内方に延出する部分のエツチングが正しく
行なえるようにする。このデバイスホール被覆工程(F
)を終えたキャリアテープ3は次段のエツチング工程(
G)に送られ、ここで現像工程(E)において現像され
た画像(フィンガリード8および銅箔パターン9)以外
の銅箔を除去するためのエツチング処理がなされる。こ
のエツチング工程(G)を終えたキャリアテープ3は次
段のレジスト剥離工程(H)に送られ、ここでフォトレ
ジストの剥離除去がなされる。第3図のキャリアテープ
3はこのレジスト剥離工程(H)を終えた状態のもので
ある0次いで、キャリアテープ3は次段の接続パターン
形成工程CI)に送られ、ここでまず下面に接続パター
ン10を構成するための銅箔をラミネートし、次いで銅
箔上にフォトレジス)1布し、露光し、現像して接続パ
ターン10を形成する。
この接続パターン形成工程(I)を終えたキャリアテー
プ3は次段のスルーホール形成工程(J)に送られ、こ
こで、フィンガーリード8のリード端子8aを下面に引
き廻して接続パターン1oに接続するスルーホール11
を形成する。このスルーホール形成工程(J)を終えた
キャリアテープ3は次段のスルーホールメツキ工程(K
)に送られ、ここでスルーホール11に無電解銅メツキ
又は電解銅メツキが施される。続いてキャリアテープ3
は次段のハンダメツキ工程(L)に送られ、ここで銅箔
パターン9を用いてフィンガリード8にハンダメツキが
施される0次にキャリアテープ3は次段(1) I L
B (Inner Lead Bonding)工程
(M)に送られ、ここで客ICデバイス穴7下に配置さ
れたICデバイス4の図示しない電極がフィンガリード
8にボンディングされ、ICデバイス4はキャリアテー
プ3に搭載される0次にキャリアテープ3は次段の格子
パターン切断工程(N)に送られ、ここで銅箔パターン
9の各格子部に第5図に示す切欠き12.13が形成さ
れる。この後キャリアテープ3は次段の検査工程(0)
に送られてフィンガリード8にボンディングされたIC
デバイス4の導通状態が検査される0次にキャリアテー
プ3は次段のユニット切断工程CP)に送られ、ここで
−列の半分の5個のICデバイス4を有するICユニッ
ト2が構成されるようにキャリアテープ3が切断される
。このユニー2ト切断工程(P)で切断されたICユニ
ット2は最終段のOL B (Outer Lead
Bonding)工程(Q)に送られ、ここで第1図に
示すようにLCDCD基板角側の電極端子15に接続さ
れる。この場合、LCDCD基板角極端子15は第6図
に示すように設けてあり、セグメント信号用およびコモ
ン信号用の表示ドライバチップとされる各ICデバイス
4のフィンガリード8がショートしないで接続されるよ
うになっている。ICユニット2はLCDCD基板角し
第2図に示すように異方導電性接着剤16を用いてボン
ディングされる。
プ3は次段のスルーホール形成工程(J)に送られ、こ
こで、フィンガーリード8のリード端子8aを下面に引
き廻して接続パターン1oに接続するスルーホール11
を形成する。このスルーホール形成工程(J)を終えた
キャリアテープ3は次段のスルーホールメツキ工程(K
)に送られ、ここでスルーホール11に無電解銅メツキ
又は電解銅メツキが施される。続いてキャリアテープ3
は次段のハンダメツキ工程(L)に送られ、ここで銅箔
パターン9を用いてフィンガリード8にハンダメツキが
施される0次にキャリアテープ3は次段(1) I L
B (Inner Lead Bonding)工程
(M)に送られ、ここで客ICデバイス穴7下に配置さ
れたICデバイス4の図示しない電極がフィンガリード
8にボンディングされ、ICデバイス4はキャリアテー
プ3に搭載される0次にキャリアテープ3は次段の格子
パターン切断工程(N)に送られ、ここで銅箔パターン
9の各格子部に第5図に示す切欠き12.13が形成さ
れる。この後キャリアテープ3は次段の検査工程(0)
に送られてフィンガリード8にボンディングされたIC
デバイス4の導通状態が検査される0次にキャリアテー
プ3は次段のユニット切断工程CP)に送られ、ここで
−列の半分の5個のICデバイス4を有するICユニッ
ト2が構成されるようにキャリアテープ3が切断される
。このユニー2ト切断工程(P)で切断されたICユニ
ット2は最終段のOL B (Outer Lead
Bonding)工程(Q)に送られ、ここで第1図に
示すようにLCDCD基板角側の電極端子15に接続さ
れる。この場合、LCDCD基板角極端子15は第6図
に示すように設けてあり、セグメント信号用およびコモ
ン信号用の表示ドライバチップとされる各ICデバイス
4のフィンガリード8がショートしないで接続されるよ
うになっている。ICユニット2はLCDCD基板角し
第2図に示すように異方導電性接着剤16を用いてボン
ディングされる。
なお、上記の各処理工程において、銅箔ラミネート工程
(B)や現像工程(E)、 エツチング工程(G)等は
位置合わせを必要とせず、キャリアテープ3を移送しな
がら処理できるため、その処理速度は各処理装置の性能
によって一義的に決定される。しかし、プレス工程(A
)やフォトレジスト塗布工程(C)、露光工程(D)等
は各処理を実行するには、キャリアテープ3を一旦停止
して位置決めを行なう必要がある。このような場合、キ
ャリアテープ3は処理鮨率を高めるべく上述したテープ
送り量設定穴14により複数(F)列処理がなされる。
(B)や現像工程(E)、 エツチング工程(G)等は
位置合わせを必要とせず、キャリアテープ3を移送しな
がら処理できるため、その処理速度は各処理装置の性能
によって一義的に決定される。しかし、プレス工程(A
)やフォトレジスト塗布工程(C)、露光工程(D)等
は各処理を実行するには、キャリアテープ3を一旦停止
して位置決めを行なう必要がある。このような場合、キ
ャリアテープ3は処理鮨率を高めるべく上述したテープ
送り量設定穴14により複数(F)列処理がなされる。
すなわち(F)列に対して所定の処理を終えると、スプ
ロケットが回転してキャリアテープ3が移送され、次の
テープ送り量設定穴14がセンサによって検出されると
スプロケットの回転が停止し、キャリアテープ3が位置
決めされ、次のCF)列に対する処理がなされるもので
ある0例示の場合には一度の位置決めで10行×9列=
90個のICデバイス分に対し一度に処理が実行される
。
ロケットが回転してキャリアテープ3が移送され、次の
テープ送り量設定穴14がセンサによって検出されると
スプロケットの回転が停止し、キャリアテープ3が位置
決めされ、次のCF)列に対する処理がなされるもので
ある0例示の場合には一度の位置決めで10行×9列=
90個のICデバイス分に対し一度に処理が実行される
。
上記のようにしてLCDCD基板角続されたICユニッ
ト2は多数個(5個)のICデバイス4をユニット化し
ているので、LCD基板1と接続される配線基板(図示
せず)の接続箇所は2箇所の接続リード17.17のみ
となる。従って、配線基板の接続箇所が非常に少なく、
その接続作業が能率的に行なえ且つ接続部分の位置合わ
や接続不良のための歩留まりが向上する。また、ICユ
ニット2側に各ICデバイス4相互の接続パターン10
を設けているので配線基板側の配線パターンは複雑化せ
ず、従って、配線基板は大型化されず且つ生産時の歩留
まりも悪化することがない。
ト2は多数個(5個)のICデバイス4をユニット化し
ているので、LCD基板1と接続される配線基板(図示
せず)の接続箇所は2箇所の接続リード17.17のみ
となる。従って、配線基板の接続箇所が非常に少なく、
その接続作業が能率的に行なえ且つ接続部分の位置合わ
や接続不良のための歩留まりが向上する。また、ICユ
ニット2側に各ICデバイス4相互の接続パターン10
を設けているので配線基板側の配線パターンは複雑化せ
ず、従って、配線基板は大型化されず且つ生産時の歩留
まりも悪化することがない。
第7図はキャリアテープ3′の他の実施例を示す。この
実施例では、切欠き12’、13’は長方形状となされ
、また、フィンガリード8のリード端子8aは接続パタ
ーン10に接続するリード端子8a部分を除く部分がキ
ャリアテープ3の一側に向かうように配線されている。
実施例では、切欠き12’、13’は長方形状となされ
、また、フィンガリード8のリード端子8aは接続パタ
ーン10に接続するリード端子8a部分を除く部分がキ
ャリアテープ3の一側に向かうように配線されている。
このように、フィンガリード8を配線した場合には、I
Cユニット2は第8図に示すようにLCD基板基板キャ
リアテープ3′の接続端子のみを蔵置して接続すること
ができる。従って、このようなICユニット2はLCD
基板1と配線基板18とを電気的に接続する接続部材と
して機悌する。この場合もICユニット2のLCD基板
基板よび配線基板18とのボンディングは異方導電性接
着剤16にて行なわれる。また、第8図に示す接続構造
では、キャリアテープ3′を折曲してLCD基板1と配
線基板18とを積層状に配置することもできる。
Cユニット2は第8図に示すようにLCD基板基板キャ
リアテープ3′の接続端子のみを蔵置して接続すること
ができる。従って、このようなICユニット2はLCD
基板1と配線基板18とを電気的に接続する接続部材と
して機悌する。この場合もICユニット2のLCD基板
基板よび配線基板18とのボンディングは異方導電性接
着剤16にて行なわれる。また、第8図に示す接続構造
では、キャリアテープ3′を折曲してLCD基板1と配
線基板18とを積層状に配置することもできる。
なお、上記実施例の接続パターン10はキャリアテープ
3にラミネートされた導箔をエツチング処理して形成し
たが、この接続パターンlOは導電インク(カーボンイ
ン′り)を印刷して形成することもできる。また、IC
ユニット2のLCD基板1および配線基板18へのボン
ディング(OLE)を異方導電性接着剤16を用いて行
なったが、半田付けで行ってもよい。
3にラミネートされた導箔をエツチング処理して形成し
たが、この接続パターンlOは導電インク(カーボンイ
ン′り)を印刷して形成することもできる。また、IC
ユニット2のLCD基板1および配線基板18へのボン
ディング(OLE)を異方導電性接着剤16を用いて行
なったが、半田付けで行ってもよい。
[発明の効果]
以上説明したように、この発明に係るICユニットの接
続構造によれば、配線基板との接続箇所を可及的に削減
することができ且つ配線基板の配線パターンが簡単化で
きる効果を奏する。
続構造によれば、配線基板との接続箇所を可及的に削減
することができ且つ配線基板の配線パターンが簡単化で
きる効果を奏する。
図面はそれぞれこの発明の実施例を示し、第1図はIC
ユニットとLCDの接続構造を示す斜視図、第2図は第
1図の要部拡大断面図、第3図はキャリアテープの斜視
図、第4図はICユニットの製造方法を示す工程図、第
5図は第3図に示すキャリアテープの要部を拡大した平
面図、第6図はLCDの電極端子を示した要部拡大平面
図、第7図はキャリアテープの他の実施例の平面図、第
8図は第7図に示すキャリアテープを用いて形成された
ICユニットの接続構造を示した断面図である。 l・・・・・・LCD基板、2・・・・・・ICユニッ
ト、3・・・・・・キャリアテープ、4・・・・・・I
Cデバイス、7・・・・・・デバイス穴、8・・・・・
・フィンガリード、10・旧・・接続パターン、18・
・・・・・配線基板。 特許出願人 カシオ計算機株式会社 11−5て二」ゴj 第1図 第2図 第4図 第5図 第6図
ユニットとLCDの接続構造を示す斜視図、第2図は第
1図の要部拡大断面図、第3図はキャリアテープの斜視
図、第4図はICユニットの製造方法を示す工程図、第
5図は第3図に示すキャリアテープの要部を拡大した平
面図、第6図はLCDの電極端子を示した要部拡大平面
図、第7図はキャリアテープの他の実施例の平面図、第
8図は第7図に示すキャリアテープを用いて形成された
ICユニットの接続構造を示した断面図である。 l・・・・・・LCD基板、2・・・・・・ICユニッ
ト、3・・・・・・キャリアテープ、4・・・・・・I
Cデバイス、7・・・・・・デバイス穴、8・・・・・
・フィンガリード、10・旧・・接続パターン、18・
・・・・・配線基板。 特許出願人 カシオ計算機株式会社 11−5て二」ゴj 第1図 第2図 第4図 第5図 第6図
Claims (1)
- 巾方向に複数行のデバイス穴が配列されたキャリアテ
ープの一面に前記各デバイス穴の内方に延出されるフィ
ンガリードを、他面に前記フィンガリードに接続される
パターンを形成するとともに前記各デバイス穴を介して
それぞれのフィンガリードにICデバイスをボンディン
グし、このボンディングされたICデバイス複数個を1
組としてキャリアテープから切断したICユニットを、
そのユニット状態のまま基板に接続したことを特徴とす
るICユニットの接続構造。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63117004A JPH0793485B2 (ja) | 1988-05-16 | 1988-05-16 | Icユニットの接続方法 |
KR1019890004294A KR910008628B1 (ko) | 1988-05-16 | 1989-03-31 | Ic 유니트 및 그 접합방법 |
US07/347,391 US4927491A (en) | 1988-05-16 | 1989-05-04 | Method of bonding IC unit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63117004A JPH0793485B2 (ja) | 1988-05-16 | 1988-05-16 | Icユニットの接続方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01287988A true JPH01287988A (ja) | 1989-11-20 |
JPH0793485B2 JPH0793485B2 (ja) | 1995-10-09 |
Family
ID=14701082
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63117004A Expired - Fee Related JPH0793485B2 (ja) | 1988-05-16 | 1988-05-16 | Icユニットの接続方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4927491A (ja) |
JP (1) | JPH0793485B2 (ja) |
KR (1) | KR910008628B1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5402255A (en) * | 1992-04-16 | 1995-03-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal panel module and tape carrier package for liquid crystal driver IC |
KR100449593B1 (ko) * | 1997-10-27 | 2004-11-16 | 삼성전자주식회사 | 테이프캐리어패키지 구조 |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4981817A (en) * | 1988-12-29 | 1991-01-01 | International Business Machines Corporation | Tab method for implementing dynamic chip burn-in |
JP2660934B2 (ja) * | 1989-10-30 | 1997-10-08 | 三井金属鉱業株式会社 | 接続機能を有するテープキャリヤ |
US5152054A (en) * | 1990-05-25 | 1992-10-06 | Seiko Epson Corporation | Method of making film carrier structure for integrated circuit tape automated bonding |
US5113580A (en) * | 1990-11-19 | 1992-05-19 | Schroeder Jon M | Automated chip to board process |
US5234536A (en) * | 1991-04-26 | 1993-08-10 | Olin Corporation | Process for the manufacture of an interconnect circuit |
US5133118A (en) * | 1991-08-06 | 1992-07-28 | Sheldahl, Inc. | Surface mounted components on flex circuits |
US5216277A (en) * | 1991-10-31 | 1993-06-01 | National Semiconductor Corporation | Lead frames with location eye point markings |
JPH0715122A (ja) * | 1993-06-23 | 1995-01-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 接合用フィルム構体および電子部品実装方法 |
US5490639A (en) * | 1993-12-22 | 1996-02-13 | National Semiconductor Corporation | Multi-rail tension equalizer |
US5646068A (en) * | 1995-02-03 | 1997-07-08 | Texas Instruments Incorporated | Solder bump transfer for microelectronics packaging and assembly |
CN1272837C (zh) * | 1996-10-17 | 2006-08-30 | 精工爱普生株式会社 | 半导体器件和电路基板 |
JP2003526205A (ja) * | 2000-02-28 | 2003-09-02 | エスティーエス エーティーエル コーポレイション | 電子部品を受け取る基体の開口又はキャビティを作る方法 |
US7132841B1 (en) * | 2000-06-06 | 2006-11-07 | International Business Machines Corporation | Carrier for test, burn-in, and first level packaging |
US8398869B2 (en) * | 2008-11-25 | 2013-03-19 | Sikorsky Aircraft Corporation | Transfer film and method for fabricating a circuit |
US9981457B2 (en) * | 2013-09-18 | 2018-05-29 | Semiconductor Emergy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing apparatus of stack |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5332382A (en) * | 1976-09-03 | 1978-03-27 | Suwa Seikosha Kk | Flexible printed substrate structure for electronic wrist watch |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3480836A (en) * | 1966-08-11 | 1969-11-25 | Ibm | Component mounted in a printed circuit |
US3823467A (en) * | 1972-07-07 | 1974-07-16 | Westinghouse Electric Corp | Solid-state circuit module |
US4118858A (en) * | 1976-04-19 | 1978-10-10 | Texas Instruments Incorporated | Method of making an electronic calculator |
-
1988
- 1988-05-16 JP JP63117004A patent/JPH0793485B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1989
- 1989-03-31 KR KR1019890004294A patent/KR910008628B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1989-05-04 US US07/347,391 patent/US4927491A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5332382A (en) * | 1976-09-03 | 1978-03-27 | Suwa Seikosha Kk | Flexible printed substrate structure for electronic wrist watch |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5402255A (en) * | 1992-04-16 | 1995-03-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal panel module and tape carrier package for liquid crystal driver IC |
KR100449593B1 (ko) * | 1997-10-27 | 2004-11-16 | 삼성전자주식회사 | 테이프캐리어패키지 구조 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR910008628B1 (ko) | 1991-10-19 |
US4927491A (en) | 1990-05-22 |
KR890018026A (ko) | 1989-12-18 |
JPH0793485B2 (ja) | 1995-10-09 |
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