JPH01268145A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は半導体装置に関するものである。

従来の技術 従来、半導体集積回路におけるウェル形成用の高抵抗拡
散層と、これと同型の不純物で構成されるソース、ドレ
イン形成用の低抵抗拡散層とのマスクアライメントずれ
を測定する場合、走査型電子顕微鏡により行われていた
。

発明か解決しようとする課題 ところで、走査型電子顕微鏡で観察を行う場合、測定試
料すなわち半導体装置を破壊しなければならず、準備す
るのに時間がかかるとともに大量の試料を短時間で評価
することは困雑であり、生産現場で採用することは容易
でないという間組があった。

そこで、本発明は上記問題点を解消し得る半導体装置を
提供することを目的とする。

課題を解決するための手段 上記問題点を解決するため、本発明の半導体装置は、基
板上にマスクを使用して高抵抗拡散層および低抵抗拡散
層からなる回路配線層をＸ−Ｙ方向に形成する際に、上
記各抵抗拡散層と同一工程により測定用配線層を基板上
の所定位置に形成し、かつこの測定用配線層を、Ｘまた
はＹ方向に沿って所定長さでもって形成された第１高抵
抗拡散層と、この第１高抵抗拡散層の両端部から直角方
向にしかも同一長さでもってそれぞれ延設された一対の
第２高抵抗拡散層と、上記第１高抵抗拡散層の中間位置
上方に形成された第１低抵抗拡散層と、上記各第２高抵
抗拡散層の端部上方にしかも第１高抵抗拡散層から同一
距離でもってそれぞれ形成された一対の第２低抵抗拡散
層と、上記低抵抗拡散層と高抵抗拡散層との重なり部に
形成された端子接続用コンタクトボールとから構成した
ものである。

作用 上記構成によると、第１低抵抗拡散層の両側の高抵抗拡
散層が抵抗体となり、この両側の抵抗体の抵抗値を測定
することにより、両側の高抵抗拡散層の「１ノ＃すなわ
ち低抵抗拡散層と高抵抗拡散層とのアライメン１〜ずれ
を検出することができる。

実施例 以下、本発明の−・実施例における半導体装置を第１図
に基づき説明する。

この半導体装置は、半導体基板上に、マスクを使用して
高抵抗拡散層およびこれと同型の不純物で構成される低
抵抗拡散層からなる本来の素子機能を有する回路配線層
の他に、上記各抵抗拡散層と同一工程により形成される
測定用配線層とを形成したものである。なお、上記回路
配線層はＸ−Ｙ方向に沿って形成されている。

以下、測定用配線層について詳しく説明する。

この測定用配線層１は、Ｙ方向に沿って所定長さでしか
も所定幅（Ｗ＞でもって形成された第１高抵抗拡散層２
と、この第１高抵抗拡散層２の両端部からＸ方向にしか
もその中心から同一長さくＬＸ）でもってそれぞれ延設
された一対の第２高抵抗拡散層３と、上記第１高抵抗拡
散層２の中間位置に上方から重ねて形成された矩形状の
第１低抵抗拡散層４と、上記各第２高抵抗拡散層３の端
部を上方から覆うとともに第１高抵抗拡散層２の中心か
ら同一距離（ＬＣ）の所から形成された一対の矩形状の
第２低抵抗拡散層５と、上記両抵抗拡散層２と４．３と
５の各型なり部分に形成された端子接続用の第１〜第３
コンタクトホール６Ａ。

６Ｂ、６Ｃとから構成されている。したがって、高抵抗
拡散層２，３は平面視コの字状に形成されている。もち
ろん、両抵抗拡散層２，３，４．５は同型の不純物で構
成されている。

このように、上記の構成によると、上記第１コンタクト
ボール６Ａと第２コンタク１−ホール６Ｂとの間に第１
抵抗体７Ａが、また第１コンタクトホール６Ａと第３コ
ンタクトホール６Ｃとの間に第２抵抗体７Ｂが形成され
たことになる。

ここで、第１および第２抵抗体７Ａ、７Ｂの抵抗値Ｒ１
，Ｒ２を求めると下記のようになる。

Ｒ１，＝ＲＨｘ　（ＬＡ＋ＬＣ）／Ｗ＋２ＲＣ・・・■
Ｒ１−１：高抵抗拡散層の層抵抗 ■−Ａ：第１低抵抗拡散層と一方の第２低抵抗−、−５
−− 拡散層中心位置とのＹ方向の距離 ＬＣ：第１低抵抗拡散層中心位置と他方の第２低抵抗拡
散層とのＸ方向の距離 ＲＣ：第２、第３コンタクトホールにおける電極端子と
各低抵抗拡散層とのコンタ クト抵抗値 Ｗ：高抵抗拡散層の幅 また、第２抵抗体７Ｂの抵抗値Ｒ２も０式と同様に０式
のように表わされる。

Ｒ２＝ＲＨｘ　（ＬＢ＋ＬＣ）／Ｗ＋２Ｒ，Ｃ・・・■
ＬＢ：第１低抵抗拡散層と他方の第２低抵抗拡散層中心
位置とのＹ方向の距離 なお、上記各抵抗値Ｒ１，Ｒ，２は、低抵抗拡散層の層
抵抗Ｒ１、が高抵抗拡散層の層抵抗ＲＨより充分に小さ
いなめ、０式および０式で表わすことかできる。

したかって、上記各抵抗体７Ａ、７Ｂの抵抗値Ｒ１，Ｒ
２を測定することによって、高抵抗拡散層と低抵抗拡散
層とのマスクアライメントずれΔを知ることかできる。

すなわち、Δ−（ＬＡ−ＬＢ）／２　　・・・００式に
■および０式を代入すると、 と表わせる。

このように、両拡散層のアライメントずれΔは、高抵抗
拡散層の幅Ｗと層抵抗ＲＨか既知であるため、各抵抗体
の抵抗値Ｒ１，Ｒ２を検出することにより、容易に算出
することかできる。

なお、上記実施例においては、Ｙ方向のアライメントす
れを測定する場合について説明したか、」−記の測定配
線層１を９０°回転させることにより、Ｘ方向のアライ
メントずれも測定することができる。

発明の効果 上記本発明の構成によると、基板中におけるウェル形成
用の高抵抗拡散層と、ソース、ドレイン形成用の低抵抗
拡散層とのアライメン１へずれを、回路素子を破壊する
ことなく、電気的に測定することができ、製造された大
量の半導体装置におけるマスクアライメントずれを短時
間でしかも自動的に測定可能になるとともに、その測定
値を直ちに製造工程にフィードバックして生産効率の向
上を図ることもできる。したがって、回路素子特性のア
ライメン１〜ずれによる変動を補正することも可能とな
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実錐例における半導体装置の測定用
配線層の概略構成を示す平面図である。 １・（・測定用配線層、２・・・第１高抵抗拡散層、３
・・・第２高抵抗拡散層、４・・・第１低抵抗拡散層、
５・・・第２低抵抗拡散層、６Ａ、６Ｂ、６Ｃ・・・コ
ンタクトホール、７Ａ、７Ｂ・・・抵抗体。 代理人　　　森　　本　　義　　弘

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、基板上にマスクを使用して高抵抗拡散層および低抵
   抗拡散層からなる回路配線層をＸ−Ｙ方向に形成する際
   に、上記各抵抗拡散層と同一工程により測定用配線層を
   基板上の所定位置に形成し、かつこの測定用配線層を、
   ＸまたはＹ方向に沿って所定長さでもって形成された第
   １高抵抗拡散層と、この第１高抵抗拡散層の両端部から
   直角方向にしかも同一長さでもってそれぞれ延設された
   一対の第２高抵抗拡散層と、上記第１高抵抗拡散層の中
   間位置上方に形成された第１低抵抗拡散層と、上記各第
   ２高抵抗拡散層の端部上方にしかも第１高抵抗拡散層か
   ら同一距離でもってそれぞれ形成された一対の第２低抵
   抗拡散層と、上記低抵抗拡散層と高抵抗拡散層との重な
   り部に形成された端子接続用コンタクトホールとから構
   成した半導体装置。