JPH0259635B2 - - Google Patents
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- JPH0259635B2 JPH0259635B2 JP20723383A JP20723383A JPH0259635B2 JP H0259635 B2 JPH0259635 B2 JP H0259635B2 JP 20723383 A JP20723383 A JP 20723383A JP 20723383 A JP20723383 A JP 20723383A JP H0259635 B2 JPH0259635 B2 JP H0259635B2
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- Japan
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- resistance
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- resistive
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- same
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 6
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
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- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 238000009530 blood pressure measurement Methods 0.000 description 2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/84—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by variation of applied mechanical force, e.g. of pressure
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体のピエゾ効果により、被検測圧
力を電気量に変換して測定する半導体圧力セン
サ、特にそのダイヤフラム部とこゝに形成される
ピエゾ抵抗素子群の設置位置ずれにもとづく測定
誤差の除去に関するものである。
力を電気量に変換して測定する半導体圧力セン
サ、特にそのダイヤフラム部とこゝに形成される
ピエゾ抵抗素子群の設置位置ずれにもとづく測定
誤差の除去に関するものである。
半導体圧力センサの代表的なものとして、第１
図と第２図に示す形式のものが挙げられる。第１
図の例は圧力検出部の平面図を示すａ図と、その
Ａ−A′部矢視断面図を示すｂ図のように、半導
体基板１例えばＮ型Si単結晶基板の一面に、マス
クを用いる写真処理法により円形溝１ａを設けて
形成したダイヤフラム部（起歪部）２の形成面の
反対面にマスクを用いる写真処理法により、ダイ
ヤフラム部２の中心と同軸である対称な十字状で
あつて長手方向が同一方向に位置する、同一抵抗
値の４箇の短冊状ピエゾ抵抗素子３1，３2，３3，
３4をＰ型拡散によりを設け、これを第３図ａの
ようにブリツジ回路４となるように接続して形成
されたものである。また第２図の例はそのａ，ｂ
図のように、半導体基板１の一面に円環状の溝１
ａを設けて形成したダイヤフラム部２の形成面の
反対面の溝１ａの中心を通つて横切る同一直線上
の２つの溝対応部内に、同一間隔をおいて設けた
２箇宛対向する計４箇の同一抵抗値をもつピエゾ
抵抗素子３1，３2，３3，３4を、その長手方向が
同一方向となるように設け、これらを第３図ｂの
ようなブリツジ回路４を形成するように接続した
ものである。
図と第２図に示す形式のものが挙げられる。第１
図の例は圧力検出部の平面図を示すａ図と、その
Ａ−A′部矢視断面図を示すｂ図のように、半導
体基板１例えばＮ型Si単結晶基板の一面に、マス
クを用いる写真処理法により円形溝１ａを設けて
形成したダイヤフラム部（起歪部）２の形成面の
反対面にマスクを用いる写真処理法により、ダイ
ヤフラム部２の中心と同軸である対称な十字状で
あつて長手方向が同一方向に位置する、同一抵抗
値の４箇の短冊状ピエゾ抵抗素子３1，３2，３3，
３4をＰ型拡散によりを設け、これを第３図ａの
ようにブリツジ回路４となるように接続して形成
されたものである。また第２図の例はそのａ，ｂ
図のように、半導体基板１の一面に円環状の溝１
ａを設けて形成したダイヤフラム部２の形成面の
反対面の溝１ａの中心を通つて横切る同一直線上
の２つの溝対応部内に、同一間隔をおいて設けた
２箇宛対向する計４箇の同一抵抗値をもつピエゾ
抵抗素子３1，３2，３3，３4を、その長手方向が
同一方向となるように設け、これらを第３図ｂの
ようなブリツジ回路４を形成するように接続した
ものである。
そして第１図ｂ、第２図ｂのように被検測圧力
Ｐを印加し、このとき生ずる抵抗素子３1，３4に
よる辺と、３2，３3による辺との異なる抵抗値の
変化により、ブリツジ回路４を不平衡としてその
出力端子５ａ，５ｂに圧力Ｐに比例した出力を得
るものである。なお第１図ｂ、第２図ｂにおいて
７はケース、７ａは被圧力検測気体の導入口、ま
た第３図において６ａ，６ｂは直流電源端子であ
る。
Ｐを印加し、このとき生ずる抵抗素子３1，３4に
よる辺と、３2，３3による辺との異なる抵抗値の
変化により、ブリツジ回路４を不平衡としてその
出力端子５ａ，５ｂに圧力Ｐに比例した出力を得
るものである。なお第１図ｂ、第２図ｂにおいて
７はケース、７ａは被圧力検測気体の導入口、ま
た第３図において６ａ，６ｂは直流電源端子であ
る。
このような圧力センサでは、各抵抗素子３1〜
３4の長手方向を半導体基板１の結晶方向と一致
させることにより、最大のピエゾ効果を発揮させ
うるので感度は最大となる。また第１図の例では
第４図ａのようにダイヤフラム部２の中心が圧力
Ｐによつて圧縮となり、固定端において引張りと
なるに対し、第２図の例ではダイヤフラム部２の
応力分布は第４図ｂのようになる。従つて第２図
のものは第１図のものに比べ、同一圧力において
ダイヤフラム部２の変形が小さい割に大きな応力
を生ずるため、感度のよい圧力センサを得ること
ができる利点がある。しかしこのような従来の圧
力センサでは、ダイヤフラム部２と抵抗素子群３
の設置位置ずれにもとづき生ずるブリツジ回路４
の不平衡により、圧力Ｐの検出誤差を回避し得な
い共通する欠点があり、その除去が測定精度の向
上にとつて不可欠の要素となつている。
３4の長手方向を半導体基板１の結晶方向と一致
させることにより、最大のピエゾ効果を発揮させ
うるので感度は最大となる。また第１図の例では
第４図ａのようにダイヤフラム部２の中心が圧力
Ｐによつて圧縮となり、固定端において引張りと
なるに対し、第２図の例ではダイヤフラム部２の
応力分布は第４図ｂのようになる。従つて第２図
のものは第１図のものに比べ、同一圧力において
ダイヤフラム部２の変形が小さい割に大きな応力
を生ずるため、感度のよい圧力センサを得ること
ができる利点がある。しかしこのような従来の圧
力センサでは、ダイヤフラム部２と抵抗素子群３
の設置位置ずれにもとづき生ずるブリツジ回路４
の不平衡により、圧力Ｐの検出誤差を回避し得な
い共通する欠点があり、その除去が測定精度の向
上にとつて不可欠の要素となつている。
即ち製造に当つては一般に抵抗パターンを備え
たマスクにより、先づ抵抗素子群３を形成したの
ち溝パターンを備えたマスクにより、ダイヤフラ
ム部２を形成するが、この場合両マスクの慎重な
位置合せを行つて位置ずれしないように配慮す
る。しかし実際上完全に位置ずれを防ぐことは困
難であつて、例えば第５図ａ，ｂ，ｃ，ｄに示す
如くダイヤフラム部２に対して抵抗素子群３の左
右および上下方向への位置ずれを招くのを防ぐこ
とができない。その結果各抵抗素子３1〜３4のそ
れぞれにおいて力感応領域の変化をもたらす。こ
のため被検測圧力Ｐが加えられたとき、この感応
領域の相異にもとづくブリツジ回路４の不平衡を
生じさせ、これにもとづく出力が圧力Ｐによつて
生ずるブリツジ回路４の不平衡出力に加えられる
ことになつて誤差を生ずることになる。
たマスクにより、先づ抵抗素子群３を形成したの
ち溝パターンを備えたマスクにより、ダイヤフラ
ム部２を形成するが、この場合両マスクの慎重な
位置合せを行つて位置ずれしないように配慮す
る。しかし実際上完全に位置ずれを防ぐことは困
難であつて、例えば第５図ａ，ｂ，ｃ，ｄに示す
如くダイヤフラム部２に対して抵抗素子群３の左
右および上下方向への位置ずれを招くのを防ぐこ
とができない。その結果各抵抗素子３1〜３4のそ
れぞれにおいて力感応領域の変化をもたらす。こ
のため被検測圧力Ｐが加えられたとき、この感応
領域の相異にもとづくブリツジ回路４の不平衡を
生じさせ、これにもとづく出力が圧力Ｐによつて
生ずるブリツジ回路４の不平衡出力に加えられる
ことになつて誤差を生ずることになる。
本発明は上記の如き位置ずれがあつても、これ
による誤差を感度を殆ど損うことなく圧力センサ
自体により自動的に消去できるようにした半導体
圧力センサを提供し、各種工業計測などにおける
圧力測定の精度の向上に寄与しうるようにしたも
のである。次に図面を用いてその詳細を説明す
る。
による誤差を感度を殆ど損うことなく圧力センサ
自体により自動的に消去できるようにした半導体
圧力センサを提供し、各種工業計測などにおける
圧力測定の精度の向上に寄与しうるようにしたも
のである。次に図面を用いてその詳細を説明す
る。
第６図は本発明の一実施例を示す平面図、第７
図はその電気回路図であつて、本発明の特徴とす
るところは次の点にある。その第１は角環状の溝
１ａにより、ダイヤフラム部２を角環状にした点
にある。第２には中央の溝１ａの内壁側即ち丘を
挾んで同一抵抗値の４個の抵抗素子３1，３2，３
３，３4よりなる第１の抵抗素子群３と、これと同
等の４個の抵抗素子３1′，３2′，３3′，３4′よりな
る第２の抵抗素子群３′とを図示のように配設し
た点にある。即ち抵抗素子群３は３1，３4組と３
２，３3組の２組よりなり、３1，３4組を溝１ａの
左右外壁側に、またこれと間隔を置いて溝１ａの
内壁側にその長手方向が対向する２つの溝を直角
に横切る直線上にあるように３2，３3組を対向し
て配設し、また抵抗素子群３′も３と同様に３′1，
３′4組と３′2，３′3組の２組よりなり、素子３1′，
３4′を溝１ａの左右外壁側に、素子３2′，３3′を左
右内壁側に配設し、この両素子群３，３′は図示
のように溝１ａを横切る中央線に対して対称的に
配設される。また第３には第７図のように、抵抗
素子３1と３4、３2と３3、３1′と３4′、３2′と３
3′とをそれぞれ直列に接続すると同時に、その各
抵抗素子群にそれぞれ属する第１の直列回路同志
３1，３4の辺と、３1′，３4′の辺が対辺となり、
また第２の直列回路３2，３3の辺と、３2′，３
3′の辺が対辺となるようにブリツジ回路４を形成
した点にある。
図はその電気回路図であつて、本発明の特徴とす
るところは次の点にある。その第１は角環状の溝
１ａにより、ダイヤフラム部２を角環状にした点
にある。第２には中央の溝１ａの内壁側即ち丘を
挾んで同一抵抗値の４個の抵抗素子３1，３2，３
３，３4よりなる第１の抵抗素子群３と、これと同
等の４個の抵抗素子３1′，３2′，３3′，３4′よりな
る第２の抵抗素子群３′とを図示のように配設し
た点にある。即ち抵抗素子群３は３1，３4組と３
２，３3組の２組よりなり、３1，３4組を溝１ａの
左右外壁側に、またこれと間隔を置いて溝１ａの
内壁側にその長手方向が対向する２つの溝を直角
に横切る直線上にあるように３2，３3組を対向し
て配設し、また抵抗素子群３′も３と同様に３′1，
３′4組と３′2，３′3組の２組よりなり、素子３1′，
３4′を溝１ａの左右外壁側に、素子３2′，３3′を左
右内壁側に配設し、この両素子群３，３′は図示
のように溝１ａを横切る中央線に対して対称的に
配設される。また第３には第７図のように、抵抗
素子３1と３4、３2と３3、３1′と３4′、３2′と３
3′とをそれぞれ直列に接続すると同時に、その各
抵抗素子群にそれぞれ属する第１の直列回路同志
３1，３4の辺と、３1′，３4′の辺が対辺となり、
また第２の直列回路３2，３3の辺と、３2′，３
3′の辺が対辺となるようにブリツジ回路４を形成
した点にある。
即ち前記したように、ダイヤフラム部２と抵抗
素子群３，３′のマスクとの位置合せは慎重に行
われ、その位置ずれは一般に大きな量ではない。
従つてダイヤフラム部２を角環状とすれば、第８
図ａ，ｂのように両者が上下方向にずれても抵抗
素子群３，３′は同一ダイヤフラム部形成溝の対
応面内を左右方向に対する正規の関係位置を保ち
ながら上下方向にずれるのみであつて、各抵抗素
子群３，３′の各抵抗素子の力感応領域は位置ず
れを生じない場合と全く同一である。従つて被検
測圧力Ｐが加えられたとき、第７図のブリツジ回
路４の対向辺を形成する抵抗素子３1，３4からな
る辺と、３1′，３4′からなる辺は、引張により同
量宛抵抗値を変化し、また他の対向辺を形成する
抵抗素子３2，３3からなる辺と、３2′，３3′から
なる辺は、圧縮により同量宛抵抗値を変化し、し
かもその変化量は圧力感度の差により３1，３4と
３1′，３4′のそれとは異なる。従つて出力端子５
ａ，５ｂからは圧力Ｐに比例した出力を得ること
ができる。即ちダイヤフラム部２を角環状にする
ことによつて、上下方向の位置ずれにもとづく誤
差の発生を防ぐことができる。
素子群３，３′のマスクとの位置合せは慎重に行
われ、その位置ずれは一般に大きな量ではない。
従つてダイヤフラム部２を角環状とすれば、第８
図ａ，ｂのように両者が上下方向にずれても抵抗
素子群３，３′は同一ダイヤフラム部形成溝の対
応面内を左右方向に対する正規の関係位置を保ち
ながら上下方向にずれるのみであつて、各抵抗素
子群３，３′の各抵抗素子の力感応領域は位置ず
れを生じない場合と全く同一である。従つて被検
測圧力Ｐが加えられたとき、第７図のブリツジ回
路４の対向辺を形成する抵抗素子３1，３4からな
る辺と、３1′，３4′からなる辺は、引張により同
量宛抵抗値を変化し、また他の対向辺を形成する
抵抗素子３2，３3からなる辺と、３2′，３3′から
なる辺は、圧縮により同量宛抵抗値を変化し、し
かもその変化量は圧力感度の差により３1，３4と
３1′，３4′のそれとは異なる。従つて出力端子５
ａ，５ｂからは圧力Ｐに比例した出力を得ること
ができる。即ちダイヤフラム部２を角環状にする
ことによつて、上下方向の位置ずれにもとづく誤
差の発生を防ぐことができる。
次に第８図ｃ，ｄのようにダイヤフラム部２に
対して、各抵抗素子群３，３′が左または右方向
に位置ずれした場合にも、これにもとづく誤差の
発生を確実に防ぐことができる。即ち第２図に示
した従来の圧力センサにおいて、例えば第５図ａ
のように左方向への位置ずれを生じたときには、
前記したように各抵抗素子における力感応領域の
変化により、第３図のブリツジ回路４の各辺を形
成する抵抗素子３1〜３4は、圧力Ｐに対してばら
ばらな抵抗変化を行う。これに対し本発明では、
８箇の抵抗素子からなる第１、第２の群３，３′
を用い第６図のようにダイヤフラム部２の一方の
溝の外壁側に位置する抵抗素子３1と、他方の溝
の外壁側に位置する抵抗素子３4によつて一辺を
形成し、また同様に位置する抵抗素子３1′と３
4′により対向辺を形成すると同時に、ダイヤフラ
ム部２の溝の内壁側に位置する抵抗素子３2と３
３、３2′と３3′とにより、対向する辺を形成してブ
リツジ回路４を形成しているので、位置ずれを生
じても抵抗素子３1，３4と３1′，３4′の加算され
た力感応領域は同一となり、抵抗素子３2，３3と
３2′，３3′の加算された力感応領域も同一となる。
このため圧力Ｐが加えられたとき、辺３1＋３4と
３1′＋３4′は引張力によつて同一の抵抗変化を行
い、辺３2＋３3と３2′＋３3′も圧縮力によつて辺
３1＋３4，３1′＋３4′とは変化量は異なるが同一
の抵抗変化を行う。従つて前記した従来の圧力セ
ンサのように各辺を形成する抵抗素子がばらばら
な抵抗変化を行うもののように、圧力Ｐに比例す
る出力以外の出力を生ずることがなく、位置ずれ
による誤差の発生は防止される。これは第８図ｄ
のように右方向への位置ずれがあつた場合にも同
様である。また本来位置ずれ量は小さく、しかも
ブリツジ回路４の各辺をそれぞれ２箇の抵抗素子
によつて形成することから、位置ずれにより力感
応領域の減少の影響は小さい。従つて従来のもの
と殆ど感度の変ることのない圧力センサを提供し
うる。その結果本発明によれば、ダイヤフラム部
のパターン成形用マスクと抵抗パターン形成用マ
スクの、止むを得ない位置ずれを許すことができ
るので、製造コストを低下しながら性能のよい圧
力センサを提供できる。
対して、各抵抗素子群３，３′が左または右方向
に位置ずれした場合にも、これにもとづく誤差の
発生を確実に防ぐことができる。即ち第２図に示
した従来の圧力センサにおいて、例えば第５図ａ
のように左方向への位置ずれを生じたときには、
前記したように各抵抗素子における力感応領域の
変化により、第３図のブリツジ回路４の各辺を形
成する抵抗素子３1〜３4は、圧力Ｐに対してばら
ばらな抵抗変化を行う。これに対し本発明では、
８箇の抵抗素子からなる第１、第２の群３，３′
を用い第６図のようにダイヤフラム部２の一方の
溝の外壁側に位置する抵抗素子３1と、他方の溝
の外壁側に位置する抵抗素子３4によつて一辺を
形成し、また同様に位置する抵抗素子３1′と３
4′により対向辺を形成すると同時に、ダイヤフラ
ム部２の溝の内壁側に位置する抵抗素子３2と３
３、３2′と３3′とにより、対向する辺を形成してブ
リツジ回路４を形成しているので、位置ずれを生
じても抵抗素子３1，３4と３1′，３4′の加算され
た力感応領域は同一となり、抵抗素子３2，３3と
３2′，３3′の加算された力感応領域も同一となる。
このため圧力Ｐが加えられたとき、辺３1＋３4と
３1′＋３4′は引張力によつて同一の抵抗変化を行
い、辺３2＋３3と３2′＋３3′も圧縮力によつて辺
３1＋３4，３1′＋３4′とは変化量は異なるが同一
の抵抗変化を行う。従つて前記した従来の圧力セ
ンサのように各辺を形成する抵抗素子がばらばら
な抵抗変化を行うもののように、圧力Ｐに比例す
る出力以外の出力を生ずることがなく、位置ずれ
による誤差の発生は防止される。これは第８図ｄ
のように右方向への位置ずれがあつた場合にも同
様である。また本来位置ずれ量は小さく、しかも
ブリツジ回路４の各辺をそれぞれ２箇の抵抗素子
によつて形成することから、位置ずれにより力感
応領域の減少の影響は小さい。従つて従来のもの
と殆ど感度の変ることのない圧力センサを提供し
うる。その結果本発明によれば、ダイヤフラム部
のパターン成形用マスクと抵抗パターン形成用マ
スクの、止むを得ない位置ずれを許すことができ
るので、製造コストを低下しながら性能のよい圧
力センサを提供できる。
なお第９図のように抵抗素子３1〜３4および３
1′〜３4′を、それぞれ同一線上に配設することも
できる。
1′〜３4′を、それぞれ同一線上に配設することも
できる。
以上の説明から明らかなように、本発明によれ
ば製造容易にして感度の高く、しかも検出精度の
高い半導体圧力センサを提供しうるもので、実用
上の効果は大である。
ば製造容易にして感度の高く、しかも検出精度の
高い半導体圧力センサを提供しうるもので、実用
上の効果は大である。
第１図ａ，ｂ、第２図ａ，ｂはそれぞれ従来セ
ンサを示す平面図およびそのＡ−A′部における
矢視断面図、第３図はその電気回路図、第４図
ａ，ｂは応力分布図、第５図ａ，ｂ，ｃ，ｄはダ
イヤフラム部と抵抗素子の位置ずれの説明図、第
６図は本発明の一実施例を示す平面図、第７図は
その電気回路図、第８図は位置ずれを示す図、第
９図は本発明の変形例を示す平面図である。 １……半導体基板、１ａ……ダイヤフラム部形
成溝、２……ダイヤフラム部、３1，３2，３3，
３4および３1′，３2′，３3′，３4′……抵抗素子、
４……ブリツジ回路、５ａ，５ｂ……出力端子、
６ａ，６ｂ……直列電源端子、７……ケース、７
ａ……被圧力検測気体導入口。
ンサを示す平面図およびそのＡ−A′部における
矢視断面図、第３図はその電気回路図、第４図
ａ，ｂは応力分布図、第５図ａ，ｂ，ｃ，ｄはダ
イヤフラム部と抵抗素子の位置ずれの説明図、第
６図は本発明の一実施例を示す平面図、第７図は
その電気回路図、第８図は位置ずれを示す図、第
９図は本発明の変形例を示す平面図である。 １……半導体基板、１ａ……ダイヤフラム部形
成溝、２……ダイヤフラム部、３1，３2，３3，
３4および３1′，３2′，３3′，３4′……抵抗素子、
４……ブリツジ回路、５ａ，５ｂ……出力端子、
６ａ，６ｂ……直列電源端子、７……ケース、７
ａ……被圧力検測気体導入口。
Claims (1)
- １ 半導体基板に角環状ダイヤフラム部を形成
し、その時形成された角環溝の対向する二つの溝
を直角に横切る方向に長手方向を揃えて、同一抵
抗値の４箇のピエゾ抵抗素子からそれぞれなる第
１、第２抵抗素子群を上記ダイヤフラム部に上下
に対称的に配設すると共に、その各群の抵抗素子
の内左右の角環溝の外壁側にそれぞれ位置する抵
抗素子の第一の直列接続回路および内壁側に位置
する抵抗素子の第二の直列接続回路を各抵抗素子
群毎に形成し、その第一直列接続回路同志および
第二直列接続回路同志をそれぞれ対向辺とするブ
リツジ回路を形成したことを特徴とする半導体圧
力センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20723383A JPS60100475A (ja) | 1983-11-04 | 1983-11-04 | 半導体圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20723383A JPS60100475A (ja) | 1983-11-04 | 1983-11-04 | 半導体圧力センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60100475A JPS60100475A (ja) | 1985-06-04 |
| JPH0259635B2 true JPH0259635B2 (ja) | 1990-12-13 |
Family
ID=16536433
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20723383A Granted JPS60100475A (ja) | 1983-11-04 | 1983-11-04 | 半導体圧力センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60100475A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07113647B2 (ja) * | 1988-09-02 | 1995-12-06 | 日産自動車株式会社 | 半導体加速度センサ |
| JP2015184046A (ja) * | 2014-03-20 | 2015-10-22 | セイコーエプソン株式会社 | 物理量センサー、圧力センサー、高度計、電子機器および移動体 |
| JP6318760B2 (ja) * | 2014-03-25 | 2018-05-09 | セイコーエプソン株式会社 | 物理量センサー、高度計、電子機器および移動体 |
-
1983
- 1983-11-04 JP JP20723383A patent/JPS60100475A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60100475A (ja) | 1985-06-04 |
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