JPS61176831A - 圧力センサ - Google Patents
圧力センサInfo
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- JPS61176831A JPS61176831A JP1689385A JP1689385A JPS61176831A JP S61176831 A JPS61176831 A JP S61176831A JP 1689385 A JP1689385 A JP 1689385A JP 1689385 A JP1689385 A JP 1689385A JP S61176831 A JPS61176831 A JP S61176831A
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- Japan
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- resistor
- resistors
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- amorphous semiconductor
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
- G01L19/14—Housings
- G01L19/142—Multiple part housings
- G01L19/143—Two part housings
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
- G01L19/14—Housings
- G01L19/147—Details about the mounting of the sensor to support or covering means
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/0051—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance
- G01L9/0052—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance of piezoresistive elements
- G01L9/0054—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance of piezoresistive elements integral with a semiconducting diaphragm
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
［産業上の利用分野］
本発明は圧カセンサ番；関し、特に、アモーファス薄膜
半導体のピエゾ抵抗変化を利用した圧力センサに関する
。
半導体のピエゾ抵抗変化を利用した圧力センサに関する
。
【従来技術］
従来より、ダイアフラムの弾性変形を歪ゲージで検知し
て圧力を検出するタイプの圧力センサがよく使用されて
いる。この種の圧力センサにおいては、大きく分けると
、歪ゲージとして金属材料を用いるものと半導体材料を
用いるものが知られている。金属材料を用いた歪ゲージ
では、ゲージ率が２前後と小さいため、所定の信号レベ
ルを得るには低雑音で高利得の増幅優を用いる必要があ
る。またその場合、ダイアフラムに歪ゲージを貼り付け
るのに接着剤を使用すると、その影響が歪ゲージの歪量
に現われ、圧力センサとしての特性が悪化する。
て圧力を検出するタイプの圧力センサがよく使用されて
いる。この種の圧力センサにおいては、大きく分けると
、歪ゲージとして金属材料を用いるものと半導体材料を
用いるものが知られている。金属材料を用いた歪ゲージ
では、ゲージ率が２前後と小さいため、所定の信号レベ
ルを得るには低雑音で高利得の増幅優を用いる必要があ
る。またその場合、ダイアフラムに歪ゲージを貼り付け
るのに接着剤を使用すると、その影響が歪ゲージの歪量
に現われ、圧力センサとしての特性が悪化する。
半導体は、ピエゾ抵抗効果により、歪量に応じた抵抗変
化が得られる。従って半導体を歪ゲージとして用いる場
合、複数の歪ゲージを用いて抵抗ブリッジを構成すれば
、歪量すなわち印加圧力に応じた電気信号が得られる。
化が得られる。従って半導体を歪ゲージとして用いる場
合、複数の歪ゲージを用いて抵抗ブリッジを構成すれば
、歪量すなわち印加圧力に応じた電気信号が得られる。
しかし、結晶性の半導体歪ゲージは、抵抗変化特性の温
度依存性が高く。
度依存性が高く。
またそれをダイアフラムに接着する場合には、金属材料
の場合と同様に、接着剤の悪影響が現われる。単結晶半
導体でなるダイアフラムを用いて、その上に拡散抵抗を
形成する場合には、エツチングによりダイアフラムを形
成するので、ダイアフラムの形状制御が難しく、製造工
程も複雑になる。
の場合と同様に、接着剤の悪影響が現われる。単結晶半
導体でなるダイアフラムを用いて、その上に拡散抵抗を
形成する場合には、エツチングによりダイアフラムを形
成するので、ダイアフラムの形状制御が難しく、製造工
程も複雑になる。
そこで、アモーファス半導体薄膜を歪ゲージとして用い
た圧力センサ（特開昭５９−９７０３１号公報）が提案
されている。これにおいては、２つのＰ型アモーファス
半導体と２つのｎ型アモーファス半導体を、ダイアフラ
ムの中央部に配置する構成になっている、ｐ型半導体と
ｎ型半導体とでは、ピエゾ抵抗効果による抵抗値変化の
極性が互いに逆であるため、これらを用いてブリッジを
構成すれば、ダイアフラムの歪量に応じた電気信号が得
られる。一般的に、ピエゾ抵抗変化の温度依存性（ＴＣ
Ｒ）は、結晶性シリコン半導体で約３０００、アモーフ
ァスシリコン半導体で約１００であるので、アモーファ
スシリコン半導体を歪ゲージとして眉いることにより、
温度補償の必要性の小さいブリッジ回路を構成しうる。
た圧力センサ（特開昭５９−９７０３１号公報）が提案
されている。これにおいては、２つのＰ型アモーファス
半導体と２つのｎ型アモーファス半導体を、ダイアフラ
ムの中央部に配置する構成になっている、ｐ型半導体と
ｎ型半導体とでは、ピエゾ抵抗効果による抵抗値変化の
極性が互いに逆であるため、これらを用いてブリッジを
構成すれば、ダイアフラムの歪量に応じた電気信号が得
られる。一般的に、ピエゾ抵抗変化の温度依存性（ＴＣ
Ｒ）は、結晶性シリコン半導体で約３０００、アモーフ
ァスシリコン半導体で約１００であるので、アモーファ
スシリコン半導体を歪ゲージとして眉いることにより、
温度補償の必要性の小さいブリッジ回路を構成しうる。
［Ｒ明が解決しようとする問題点］
従来の、アモーファス半導体を用いる圧力センサにおい
ては、Ｐ型とｎ型の２種のアモーファス半導体薄膜を、
ダイアフラム上に形成する必要がある。この場合、アモ
ーファス半導体薄膜の形成は、Ｐ型とｎ型のそれぞれに
分けて、２回に分けて行なわざるを得ない、アモーファ
ス半導体薄膜の形成を２回に分けて行なうと、そのため
のマスクが２つ必要であり、しかもそれらの位置決めを
行なう必要がある。マスクの位置がずれると、品質のば
らつきが生じる。
ては、Ｐ型とｎ型の２種のアモーファス半導体薄膜を、
ダイアフラム上に形成する必要がある。この場合、アモ
ーファス半導体薄膜の形成は、Ｐ型とｎ型のそれぞれに
分けて、２回に分けて行なわざるを得ない、アモーファ
ス半導体薄膜の形成を２回に分けて行なうと、そのため
のマスクが２つ必要であり、しかもそれらの位置決めを
行なう必要がある。マスクの位置がずれると、品質のば
らつきが生じる。
本発明は、ブリッジの温度補償を不要にするとともに、
ｊ！ｌ造工程を簡単にして装置のコストを丁番プること
を目的とする。
ｊ！ｌ造工程を簡単にして装置のコストを丁番プること
を目的とする。
［ｉａ明の構成］
［問題点を解決するための手段］
上記目的を達成するため１本発明においては、ダイアフ
ラムの中央部に２つのアモーファス半導体薄膜を配置し
、ダイアフラムの周辺部に２つのアモーブアス半導体薄
膜を配置する。これら４つのアモーファス半導体薄膜に
は、全て、Ｐ型とｎ型のいずれか一方のものを使用する
。
ラムの中央部に２つのアモーファス半導体薄膜を配置し
、ダイアフラムの周辺部に２つのアモーブアス半導体薄
膜を配置する。これら４つのアモーファス半導体薄膜に
は、全て、Ｐ型とｎ型のいずれか一方のものを使用する
。
［作用］
ダイアフラムの歪量に応じた電気信号を得るためには、
その歪量に応じてブリッジの状態が変化するようにしな
ければならない、従来のように。
その歪量に応じてブリッジの状態が変化するようにしな
ければならない、従来のように。
４つのアモーフアス半導体抵抗素子をダイアフラムの中
央部に配置すると、それらは同一の応力を受けるので、
２つのアモーフアス半導体抵抗素子をｎ型とし、残りの
２つのアモーファス半導体抵抗素子をＰ型とすれば、互
いに抵抗変化の極性が逆なので、歪量に応じた電気信号
がブリッジの出力端子に得られる。
央部に配置すると、それらは同一の応力を受けるので、
２つのアモーフアス半導体抵抗素子をｎ型とし、残りの
２つのアモーファス半導体抵抗素子をＰ型とすれば、互
いに抵抗変化の極性が逆なので、歪量に応じた電気信号
がブリッジの出力端子に得られる。
ところで、ダイアフラム上での応力分布は第３図に示す
ようになる。第３図において、ａが半径、ｒが任意の点
におけるダイアフラム中心からの距離、σｒがダイアフ
ラムの半径方向の応力、σｔがσｒと直交する方向すな
わち接線方向の応力である。アモーファス半導体抵抗素
子のピエゾ抵抗変化は、ｐ型とｎ型に応じて、および圧
縮応力と引張応力に応じて、極性が変化する。
ようになる。第３図において、ａが半径、ｒが任意の点
におけるダイアフラム中心からの距離、σｒがダイアフ
ラムの半径方向の応力、σｔがσｒと直交する方向すな
わち接線方向の応力である。アモーファス半導体抵抗素
子のピエゾ抵抗変化は、ｐ型とｎ型に応じて、および圧
縮応力と引張応力に応じて、極性が変化する。
第３図を参照すると、ダイアフラムの中央部近傍では、
応力σｒと応力σｔとが共に引張応力であり。
応力σｒと応力σｔとが共に引張応力であり。
ダイアフラムの周辺部近傍では応力σｒと応力σｔとが
共に圧縮応力である。従って、ダイアフラムの中央部に
２つのアモーファス半導体抵抗素子を配置し、ダイアフ
ラムの周辺部に２つの半導体抵抗素子を配置すれば、こ
れら４つが同一の型のアモーファス半導体で構成されて
いれば、ダイアフラムの歪に対して、２つの抵抗素子に
は正の抵抗値変化が呪われ、他の２つの抵抗素子には負
の抵抗値変化が現われるので、これらでブリッジを構成
することにより、ダイアフラムの歪量に応じた電気信号
が得られる。
共に圧縮応力である。従って、ダイアフラムの中央部に
２つのアモーファス半導体抵抗素子を配置し、ダイアフ
ラムの周辺部に２つの半導体抵抗素子を配置すれば、こ
れら４つが同一の型のアモーファス半導体で構成されて
いれば、ダイアフラムの歪に対して、２つの抵抗素子に
は正の抵抗値変化が呪われ、他の２つの抵抗素子には負
の抵抗値変化が現われるので、これらでブリッジを構成
することにより、ダイアフラムの歪量に応じた電気信号
が得られる。
ところで、第３図を参照すると、ダイアフラムの周辺部
では、σを方向の応力が小さいため、σｒ力方向応力を
検出するように、抵抗素子の最さ方向をダイアフラムの
径方向に向けるのが好ましい。
では、σを方向の応力が小さいため、σｒ力方向応力を
検出するように、抵抗素子の最さ方向をダイアフラムの
径方向に向けるのが好ましい。
また、ダイアフラムの中央部では、σｔとσｒはいずれ
も大きな変化を示すので、どちらでも利用しうる。大き
な抵抗値変化を得るためには、アモーブアス半導体抵抗
素子を細長く形成する必要がある。アモーファス半導体
抵抗素子を細長くした場合に、それらのうち２つをなる
べくダイアフラムの中央部に近づけて、しかも２つの抵
抗素子が同一の出力特性を示すようにするには、それら
の幅方向にダイアフラムを挟む対称な位置に配置して。
も大きな変化を示すので、どちらでも利用しうる。大き
な抵抗値変化を得るためには、アモーブアス半導体抵抗
素子を細長く形成する必要がある。アモーファス半導体
抵抗素子を細長くした場合に、それらのうち２つをなる
べくダイアフラムの中央部に近づけて、しかも２つの抵
抗素子が同一の出力特性を示すようにするには、それら
の幅方向にダイアフラムを挟む対称な位置に配置して。
径方向の応力σｒと直交する方向の応力σｔを検出する
のが好ましい。
のが好ましい。
［実施例］
以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第１ａ図および第１ｂ図に１本発明を実施する一形式の
圧力センサを示す、第１ａ図は圧力センサの縦断面図、
第１ｂ図は第１ａ図のＩｂ−Ｉｂ線拡大断面図である。
圧力センサを示す、第１ａ図は圧力センサの縦断面図、
第１ｂ図は第１ａ図のＩｂ−Ｉｂ線拡大断面図である。
各図を参照する。！がダイアフラムである。この例では
、ダイアフラムｌに、化学強化ガラス（コーニング社製
：０３１３）を用いている。ダイアフラム１は、その周
囲が、ケーシングを構成する２つの部材２および３のフ
ランジ部分で挟持されている。
、ダイアフラムｌに、化学強化ガラス（コーニング社製
：０３１３）を用いている。ダイアフラム１は、その周
囲が、ケーシングを構成する２つの部材２および３のフ
ランジ部分で挟持されている。
ダイアフラム１の一方の面には、長方形状に形成された
４つのＰ型（ｎ型でもよい）アモーファスシリコン半導
体薄膜でなる抵抗体Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３及びＲ４が配置さ
れている。これらの抵抗体Ｒ１−Ｒ４は、同一面に形成
された導体パターン９゜ｔｏ、ｔｔ及び１２によって、
ホイートストンブリッジを構成するように、電気的に接
続されている。
４つのＰ型（ｎ型でもよい）アモーファスシリコン半導
体薄膜でなる抵抗体Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３及びＲ４が配置さ
れている。これらの抵抗体Ｒ１−Ｒ４は、同一面に形成
された導体パターン９゜ｔｏ、ｔｔ及び１２によって、
ホイートストンブリッジを構成するように、電気的に接
続されている。
抵抗体Ｒ１およびＲ４，ならびに抵抗体Ｒ２およびＲ３
は、ダイアフラムの中心ＣＥＮに対して対称に配置され
ている。また、４つの抵抗体Ｒ１〜Ｒ４は、長さ方向お
よび幅方向を同一の方向に揃えるように配置しである。
は、ダイアフラムの中心ＣＥＮに対して対称に配置され
ている。また、４つの抵抗体Ｒ１〜Ｒ４は、長さ方向お
よび幅方向を同一の方向に揃えるように配置しである。
従って、抵抗体Ｒ２およびＲ３の抵抗値（長さ方向）に
影響を与える応力は、ダイアフラムの径方向の応力（σ
ｒ）であり、抵抗体Ｒ１およびＲ４の抵抗値に影響を与
える応力は、ダイアフラムの接線方向すなわち径方向と
直交する方向の応力（σｔ）である、つまり。
影響を与える応力は、ダイアフラムの径方向の応力（σ
ｒ）であり、抵抗体Ｒ１およびＲ４の抵抗値に影響を与
える応力は、ダイアフラムの接線方向すなわち径方向と
直交する方向の応力（σｔ）である、つまり。
第３図に示す引張応力σＡが抵抗体Ｒ１およｄＲ４に印
加、され、圧縮応力σＢが抵抗体Ｒ２およびＲ３に印加
される。従って、抵抗体Ｒ１〜Ｒ４は全てｐ型半導体な
ので、ダイアフラムに圧力が印加されると、２つの抵抗
体は正の抵抗値変化を示し、残りの２つの抵抗体は負の
抵抗値変化を示し、ブリッジの出力端子には圧力に応じ
た電気信号が得られる。
加、され、圧縮応力σＢが抵抗体Ｒ２およびＲ３に印加
される。従って、抵抗体Ｒ１〜Ｒ４は全てｐ型半導体な
ので、ダイアフラムに圧力が印加されると、２つの抵抗
体は正の抵抗値変化を示し、残りの２つの抵抗体は負の
抵抗値変化を示し、ブリッジの出力端子には圧力に応じ
た電気信号が得られる。
導体パターン９，１０．１１及び１２は、第１ａ図に示
すように、ダイアフラム１の周面の近傍で電気ケーブル
５と接続されている。電気ケーブル５は、フレキシブル
プリント基板のような柔かい部材で構成されている。電
気ケーブル５の他端は、ケーシング３に固定されたプリ
ント基板４に接続されている。プリント”基板には電子
回路が装着されており、その一部にシールドケーブル６
が接続され、該シールドケーブル６の他端がケーシング
３の外部に引き出されている。７が、圧力を印加するた
めのボートである。なお、８は０リングである。
すように、ダイアフラム１の周面の近傍で電気ケーブル
５と接続されている。電気ケーブル５は、フレキシブル
プリント基板のような柔かい部材で構成されている。電
気ケーブル５の他端は、ケーシング３に固定されたプリ
ント基板４に接続されている。プリント”基板には電子
回路が装着されており、その一部にシールドケーブル６
が接続され、該シールドケーブル６の他端がケーシング
３の外部に引き出されている。７が、圧力を印加するた
めのボートである。なお、８は０リングである。
ダイアフラム１上の導体パターン９，１０，１１及び１
２は、この例では、ダイアフラム表面に所定のマスクを
被せた状態で、アルミニウムを真空蒸着させて形成しで
ある。抵抗体Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３およびＲ４は、この例で
は、導体パターン９゜１０．１１および１２を形成した
後で、所定のマスクを被せた状態で、グロー放電分解法
により。
２は、この例では、ダイアフラム表面に所定のマスクを
被せた状態で、アルミニウムを真空蒸着させて形成しで
ある。抵抗体Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３およびＲ４は、この例で
は、導体パターン９゜１０．１１および１２を形成した
後で、所定のマスクを被せた状態で、グロー放電分解法
により。
シリコン半導体を堆積させ、アモーファスシリコン薄膜
を形成することにより形成している。
を形成することにより形成している。
第２図に、この圧力センサの電気回路構成を示す、第２
図を参照すると、抵抗体Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３及びＲ４はホ
イートストンブリッジＢＧとして結線されている。この
ブリッジの対向する２つの端子に、定電流回路ＣＣＵの
出力端子が接続され、ブリッジの残りの２つの端子が、
差動増幅器ＤＦＡの２つの入力端子に接続されている。
図を参照すると、抵抗体Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３及びＲ４はホ
イートストンブリッジＢＧとして結線されている。この
ブリッジの対向する２つの端子に、定電流回路ＣＣＵの
出力端子が接続され、ブリッジの残りの２つの端子が、
差動増幅器ＤＦＡの２つの入力端子に接続されている。
差動増幅器ＤＦＡの出力端子には調整用のポテンシヨメ
ータＦＴが接続され、その出力端子にシールドケーブル
６の一本の線が接続されている。シールドケーブルのも
う１本の線は電源ラインＶｃｃであり、これを介して供
給される直流電力が、定電流回路ＣＣＵ及び差動増幅器
ＤＦＡの電源端子に供給される。
ータＦＴが接続され、その出力端子にシールドケーブル
６の一本の線が接続されている。シールドケーブルのも
う１本の線は電源ラインＶｃｃであり、これを介して供
給される直流電力が、定電流回路ＣＣＵ及び差動増幅器
ＤＦＡの電源端子に供給される。
第４図に１本発明のもう１つの実施例を示す。
第４図を参照すると、この例では差圧を測定できるよう
に、ダイアフラム２０の両面に対向する２つのポート２
９及び３０が形成されている。ケーシングは、ダイアフ
ラム２０を挟持する２つの部材２１及び２２と、それを
一体に保持する部材２３でなっている。電気ケーブル２
５は、ケーシングを構成する２つの部材２１と２２の間
から引き出され、プリント基板２４に接続されている。
に、ダイアフラム２０の両面に対向する２つのポート２
９及び３０が形成されている。ケーシングは、ダイアフ
ラム２０を挟持する２つの部材２１及び２２と、それを
一体に保持する部材２３でなっている。電気ケーブル２
５は、ケーシングを構成する２つの部材２１と２２の間
から引き出され、プリント基板２４に接続されている。
２６はシールドケーブル、２７及び２８は０リングであ
る。なお、他の構成は前記実施例と同様である。
る。なお、他の構成は前記実施例と同様である。
なお、上記実施例においては、各々の抵抗体を長方形状
に形成したが、例えば特開昭５８−４４３２３号公報に
示されるような、矩形波状に形成してもよい。
に形成したが、例えば特開昭５８−４４３２３号公報に
示されるような、矩形波状に形成してもよい。
〔効果］
以上のとおり、本発明によれば、ｐ型とｎ型のいずれか
一方のアモーファス半導体を形成するだけでブリッジを
構成することができるので、製造工程が簡単になる。ア
モーファス半導体でブリッジを構成するため、特性の温
度変化が小さく、温度補償が不要である。
一方のアモーファス半導体を形成するだけでブリッジを
構成することができるので、製造工程が簡単になる。ア
モーファス半導体でブリッジを構成するため、特性の温
度変化が小さく、温度補償が不要である。
第１ａ図は本発明を実施する一形式の圧力センサの縦断
面図、第１ｂ図は第１ａ図のＩｂ−１ｂ線断面図である
。 第２図は、第１ａ図に示す圧力センサの電気回路を示す
ブロック図である。 第３図は、ダイアフラム上の各位置における応力の分布
を示すグラフである。 第４図は１本Ｊｌｌｌｌの他の実施例を示す縦断面図で
ある。 １．２０：ダイアフラム ２．３，２１，２２，２３ ：ケーシングを構成する部
材（ハウジング） ４．２４ニブリント基板 ５ｔ２ｓ：電気ケーブル ６．２６：シールドケーブル ７．２９，３０：ポート ８．２７．２８：Ｏリング ９．１０，１１，１２ ：導体パターン（導体）Ｒ１，
Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４：抵抗体（第１．第２゜第３及び第４
の抵抗器） ＢＧニブリッジ ＰＴ：ポテンシヨメータ
面図、第１ｂ図は第１ａ図のＩｂ−１ｂ線断面図である
。 第２図は、第１ａ図に示す圧力センサの電気回路を示す
ブロック図である。 第３図は、ダイアフラム上の各位置における応力の分布
を示すグラフである。 第４図は１本Ｊｌｌｌｌの他の実施例を示す縦断面図で
ある。 １．２０：ダイアフラム ２．３，２１，２２，２３ ：ケーシングを構成する部
材（ハウジング） ４．２４ニブリント基板 ５ｔ２ｓ：電気ケーブル ６．２６：シールドケーブル ７．２９，３０：ポート ８．２７．２８：Ｏリング ９．１０，１１，１２ ：導体パターン（導体）Ｒ１，
Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４：抵抗体（第１．第２゜第３及び第４
の抵抗器） ＢＧニブリッジ ＰＴ：ポテンシヨメータ
Claims (4)
- （１）少なくとも１つの圧力印加ポートを備えるハウジ
ング； 前記ハウジングに周縁が固定され、流体圧力を受けて弾
性変形するダイアフラム； 前記ダイアフラムの中央部近傍に形成した、ｐ型および
ｎ型のいずれか一方のアモーファス半導体薄膜でなる、
第１及び第２の抵抗器； 前記ダイアフラムの周辺部近傍に形成した、ｐ型および
ｎ型のうち第１および第２の抵抗器と同じ型のアモーフ
アス半導体薄膜でなる、第３および第４の抵抗器；およ
び 前記ダイアフラム上に形成され、前記第１の抵抗器，第
２の抵抗器，第３の抵抗器および第４の抵抗器をブリッ
ジ接続する導体； を備える圧力センサ。 - （２）第１の抵抗器，第２の抵抗器，第３の抵抗器およ
び第４の抵抗器は、その少なくとも大部分の領域が所定
の長さ方向に向けられた形状であり、これら全てが、そ
の長さ方向を実質上同一の方向に向けて配置された、前
記特許請求の範囲第（１）項記載の圧力センサ。 - （３）第１の抵抗器および第２の抵抗器は、それらの長
さ方向と直交する幅方向にダイアフラムの中心部を挟ん
で、該中心部に対して互いに対称な位置にそれぞれ配置
され、第３の抵抗器および第４の抵抗器は、それらの長
さ方向にダイアフラムの中心部を挟んで、該中心部に対
して互いに対称な位置にそれぞれ配置された、前記特許
請求の範囲第（２）項記載の圧力センサ。 - （４）ダイアフラムは、化学強化ガラス材料でなる、前
記特許請求の範囲第（１）項，第（２）項又は第（３）
項記載の圧力センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1689385A JPS61176831A (ja) | 1985-01-31 | 1985-01-31 | 圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1689385A JPS61176831A (ja) | 1985-01-31 | 1985-01-31 | 圧力センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61176831A true JPS61176831A (ja) | 1986-08-08 |
Family
ID=11928833
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1689385A Pending JPS61176831A (ja) | 1985-01-31 | 1985-01-31 | 圧力センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61176831A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1991015743A1 (en) * | 1990-04-03 | 1991-10-17 | Hitachi Construction Machinery Co., Ltd. | Differential pressure sensor and method of manufacturing the same |
-
1985
- 1985-01-31 JP JP1689385A patent/JPS61176831A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1991015743A1 (en) * | 1990-04-03 | 1991-10-17 | Hitachi Construction Machinery Co., Ltd. | Differential pressure sensor and method of manufacturing the same |
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