JPS60100475A - 半導体圧力センサ - Google Patents
半導体圧力センサInfo
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- JPS60100475A JPS60100475A JP20723383A JP20723383A JPS60100475A JP S60100475 A JPS60100475 A JP S60100475A JP 20723383 A JP20723383 A JP 20723383A JP 20723383 A JP20723383 A JP 20723383A JP S60100475 A JPS60100475 A JP S60100475A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 7
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/84—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by variation of applied mechanical force, e.g. of pressure
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- Measuring Fluid Pressure (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体のピエゾ効果により、被検側圧力を電気
量に変換して測定する半導体用カセンサ、特にそのダイ
ヤフラム部とこ５に形成されるヒＪｌゾ抵抗素子群の設
置位置ずれにもとづく測定１Ｊ（差の除去に関するもの
である。
量に変換して測定する半導体用カセンサ、特にそのダイ
ヤフラム部とこ５に形成されるヒＪｌゾ抵抗素子群の設
置位置ずれにもとづく測定１Ｊ（差の除去に関するもの
である。
半導体圧力センサの代表的なものとして、第１図と第２
図に示す形式のものが挙げられる。第１図の例は圧力検
出部の平面図を示す（ａ）図と、そのＡ−Ａ部矢視断面
図を示す（ｂ１図のように、半導体基板（１）例えばＮ
型Ｓ□単結晶基板の一血に、マスクを用いる写真処理法
により円形品（］ａ）を設けて形成したダイヤフラム部
（起歪部）（２）の形成ｒ／＋ｉの反対面にマスクを用
いる写真処理法により、ダイヤフラム部（２）の中心と
同軸である対称な十字状であって長手方向が同一方向に
位置する、同−抵抗値の４箇の短冊状ピエゾ抵抗素子（
３□） （３２）（３３） ＜３４＞をＰ型拡散により
を設け、これを第３図ｉａ）のようにブリッジ回路（４
）となるように接続して形成されたものである。また第
２図の例はその（ａ）（ｂ１図のように、半導体基板（
１）の−面に円環状の溝（１ａ）を設けて形成したダイ
ヤフラム部（２）の形成面の反対面の溝（１ａ）の中心
を通って横切る同一直線上の２つの溝対応部内に、同一
間隔をおいて設けた２箇宛対向する計４箇の同一抵抗値
をもつピエゾ抵抗素子（３□） （３２） （３３）
（３，）を、その長手方向が同一方向となるように設け
、これらを第３図（ｂ）のようなブリッジ回路（４）を
形成するように接続したものである。
図に示す形式のものが挙げられる。第１図の例は圧力検
出部の平面図を示す（ａ）図と、そのＡ−Ａ部矢視断面
図を示す（ｂ１図のように、半導体基板（１）例えばＮ
型Ｓ□単結晶基板の一血に、マスクを用いる写真処理法
により円形品（］ａ）を設けて形成したダイヤフラム部
（起歪部）（２）の形成ｒ／＋ｉの反対面にマスクを用
いる写真処理法により、ダイヤフラム部（２）の中心と
同軸である対称な十字状であって長手方向が同一方向に
位置する、同−抵抗値の４箇の短冊状ピエゾ抵抗素子（
３□） （３２）（３３） ＜３４＞をＰ型拡散により
を設け、これを第３図ｉａ）のようにブリッジ回路（４
）となるように接続して形成されたものである。また第
２図の例はその（ａ）（ｂ１図のように、半導体基板（
１）の−面に円環状の溝（１ａ）を設けて形成したダイ
ヤフラム部（２）の形成面の反対面の溝（１ａ）の中心
を通って横切る同一直線上の２つの溝対応部内に、同一
間隔をおいて設けた２箇宛対向する計４箇の同一抵抗値
をもつピエゾ抵抗素子（３□） （３２） （３３）
（３，）を、その長手方向が同一方向となるように設け
、これらを第３図（ｂ）のようなブリッジ回路（４）を
形成するように接続したものである。
そして第１図（ｂ）、第２図（１））のように被検測圧
力Ｐを印加し、このとき生ずる抵抗素子（３□） （３
４）による辺と、（３２） （３３）による辺との異な
る抵抗値の変化により、ブリッジ回路（４）を不平衡と
してその出力端子（５ａ） （５ｂ）に圧力Ｐに比例し
た出力を得るものである。なお第１図（ｂ）、第２図（
ｂ）において（７）はケース、（７ａ）は被圧力検測気
体の導入口、また第３図において（６ａ） （６ｂ）は
直流電源端子である。
力Ｐを印加し、このとき生ずる抵抗素子（３□） （３
４）による辺と、（３２） （３３）による辺との異な
る抵抗値の変化により、ブリッジ回路（４）を不平衡と
してその出力端子（５ａ） （５ｂ）に圧力Ｐに比例し
た出力を得るものである。なお第１図（ｂ）、第２図（
ｂ）において（７）はケース、（７ａ）は被圧力検測気
体の導入口、また第３図において（６ａ） （６ｂ）は
直流電源端子である。
このような圧力センサでは、各抵抗素子（３□）〜（３
４）の長手方向を半導体基板（１）の結晶方向と一致さ
せることにより、最大のピエゾ効果を発揮させうるので
感度は最大となる。また第１図の例では第４図（ａ）の
Ｊ：うにタイヤフラム部（２）の中心が圧力Ｐによって
圧縮となり、固定端において引張りとなるに対し、第２
図の例で目ダイヤフラム部（２）の応力分布は第４図（
ｂ）のようになる。従って第２図のものは第１図のもの
に比べ、同一圧力においてダイヤフラム部（２）の変形
が小さい割に大きな応力を生ずるため、感度の」：い圧
力センサを得ることができる利点がある。しかしこのよ
うな従来の圧力センサでは、ダイヤフラム部（２）と抵
抗素子群（３）の設置位置ずれにもとづき生ずるブリッ
ジ回路（４）の不平衡により、圧力Ｐの検出誤差を回避
し得ない共通する欠点があり、その除去が測定粘度の向
上（＝とって不−り欠の要素となっている。
４）の長手方向を半導体基板（１）の結晶方向と一致さ
せることにより、最大のピエゾ効果を発揮させうるので
感度は最大となる。また第１図の例では第４図（ａ）の
Ｊ：うにタイヤフラム部（２）の中心が圧力Ｐによって
圧縮となり、固定端において引張りとなるに対し、第２
図の例で目ダイヤフラム部（２）の応力分布は第４図（
ｂ）のようになる。従って第２図のものは第１図のもの
に比べ、同一圧力においてダイヤフラム部（２）の変形
が小さい割に大きな応力を生ずるため、感度の」：い圧
力センサを得ることができる利点がある。しかしこのよ
うな従来の圧力センサでは、ダイヤフラム部（２）と抵
抗素子群（３）の設置位置ずれにもとづき生ずるブリッ
ジ回路（４）の不平衡により、圧力Ｐの検出誤差を回避
し得ない共通する欠点があり、その除去が測定粘度の向
上（＝とって不−り欠の要素となっている。
即ち製造に当り−Ｃは一般に抵抗パターンを備えたマス
クにより、先づ抵抗素子群（３）を形成したのち渦パタ
ーンを備えたマスクにより、ダイヤフラム部（２）を形
成するが、この場合向マスクの慎重な位置合せを行って
位置ずれしないように配慮する。
クにより、先づ抵抗素子群（３）を形成したのち渦パタ
ーンを備えたマスクにより、ダイヤフラム部（２）を形
成するが、この場合向マスクの慎重な位置合せを行って
位置ずれしないように配慮する。
しかし実際上完全に位置ずれを防ぐことは１４Ｊ難であ
って、例えは第５図（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）に示す如
くダイヤフラム部（２）に対して抵抗素子群（３）の左
右および」二下方向への位置ずれを招くのを防ぐことが
できない。その結果各抵抗素子（３，）〜（３４）のそ
れぞれにおいて力感応領域の変化をもたらす。このため
被検測圧力Ｐが加えられたとき、この感応領域の相異に
もとづくブリッジ回路（４）の不平衡を生じさせ、これ
にもとづく出力が圧力Ｐによって生ずるブリッジ回路（
４）の不平衡出力に加えられることになって誤差を生ず
ることになる。
って、例えは第５図（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）に示す如
くダイヤフラム部（２）に対して抵抗素子群（３）の左
右および」二下方向への位置ずれを招くのを防ぐことが
できない。その結果各抵抗素子（３，）〜（３４）のそ
れぞれにおいて力感応領域の変化をもたらす。このため
被検測圧力Ｐが加えられたとき、この感応領域の相異に
もとづくブリッジ回路（４）の不平衡を生じさせ、これ
にもとづく出力が圧力Ｐによって生ずるブリッジ回路（
４）の不平衡出力に加えられることになって誤差を生ず
ることになる。
本発明は上記の如き位置ずれがあっても、これによる誤
差を感度を殆ど損うことなく圧力センサ自体により自動
的に消去できるようにした半導体圧力センサを提供し、
各種工業計測などにおける圧力測定の精度の向上に寄与
しうるようにしたものである。次に図面を用いてその詳
細を説明する。
差を感度を殆ど損うことなく圧力センサ自体により自動
的に消去できるようにした半導体圧力センサを提供し、
各種工業計測などにおける圧力測定の精度の向上に寄与
しうるようにしたものである。次に図面を用いてその詳
細を説明する。
第６図は本発明の一実施例を示す平面図、第７図はその
電気回路図であって、本発明の特徴とするところは次の
点にある。その第１は角環状の溝（ｌａ）により、ダイ
ヤフラム部（２）を角環状にした点にある。ｆｇ２には
中央の２品（１ａ）の内壁側即ち丘を挾んで同一抵抗値
の４個の（４Ｆ抗素子（３１）（３，）（３３） （３
４）よりなる第］の抵抗素＋Ｈ￥（３）と、これと同等
の４個の抵抗素子（３□′）（δｄ）（３Ｋ）（３４′
）よりなる第２の抵抗素子ｌｊ１．（，１１＜）とを図
示のように配設した点にある。即ち抵抗素子泪（３）は
（３１） （３４） ｉｊ＋と（３２） （３３）組の
２．ｌｉ＋はりな０、（３□） （３４）和を溝（１ａ
）の左右外壁側に、またこれと間１ｉｌ”・烏を置いて
溝（１ａ）の内壁側にその長手方向が対向する２つの溝
を直角に横切る直線」−にあるように（３２）（３３）
−組を対向して配設し、また抵抗素子Ｊ！ｌ’、（３＋
も（３）と同様に（３１） （３；）絹と（３’２ ）
（’ｓ ）組の２糸ＩＩよ＋＋す＋＋、素子（３］’
） （３，’）を１ｋ（ｌａ）の左右外壁側に、素子（
心） （３，、’）を左右内壁側に配設し、この画素子
群（３）（３）は図示のようにｌ：ｌｌ（ｌａ ）を横
１９Ｊる中央線に対して対称的に配設される。また第３
には第７図のよう（＝、抵抗素子（３１）と（３４）、
（３２）と（３３）、（３□′）と（３４′）、（３ｚ
）と（バ）とをそれぞれ直列に接続すると同時に、その
各抵抗素子ＩＣＹにそれぞれ属する第１の直列回路同志
（３□） （３４）の辺と、（３□’）＜ｖ４＞の辺が
対辺となり、また第２の直列回路（３２） （３３）の
辺と、（３，；） （心）の辺が対辺となるようにブリ
ッジ回路（４）を形成した点にある。
電気回路図であって、本発明の特徴とするところは次の
点にある。その第１は角環状の溝（ｌａ）により、ダイ
ヤフラム部（２）を角環状にした点にある。ｆｇ２には
中央の２品（１ａ）の内壁側即ち丘を挾んで同一抵抗値
の４個の（４Ｆ抗素子（３１）（３，）（３３） （３
４）よりなる第］の抵抗素＋Ｈ￥（３）と、これと同等
の４個の抵抗素子（３□′）（δｄ）（３Ｋ）（３４′
）よりなる第２の抵抗素子ｌｊ１．（，１１＜）とを図
示のように配設した点にある。即ち抵抗素子泪（３）は
（３１） （３４） ｉｊ＋と（３２） （３３）組の
２．ｌｉ＋はりな０、（３□） （３４）和を溝（１ａ
）の左右外壁側に、またこれと間１ｉｌ”・烏を置いて
溝（１ａ）の内壁側にその長手方向が対向する２つの溝
を直角に横切る直線」−にあるように（３２）（３３）
−組を対向して配設し、また抵抗素子Ｊ！ｌ’、（３＋
も（３）と同様に（３１） （３；）絹と（３’２ ）
（’ｓ ）組の２糸ＩＩよ＋＋す＋＋、素子（３］’
） （３，’）を１ｋ（ｌａ）の左右外壁側に、素子（
心） （３，、’）を左右内壁側に配設し、この画素子
群（３）（３）は図示のようにｌ：ｌｌ（ｌａ ）を横
１９Ｊる中央線に対して対称的に配設される。また第３
には第７図のよう（＝、抵抗素子（３１）と（３４）、
（３２）と（３３）、（３□′）と（３４′）、（３ｚ
）と（バ）とをそれぞれ直列に接続すると同時に、その
各抵抗素子ＩＣＹにそれぞれ属する第１の直列回路同志
（３□） （３４）の辺と、（３□’）＜ｖ４＞の辺が
対辺となり、また第２の直列回路（３２） （３３）の
辺と、（３，；） （心）の辺が対辺となるようにブリ
ッジ回路（４）を形成した点にある。
即ち１）ｉ」記したように、ダイヤフラム部（２）と抵
抗素子群（３）（３＋のマスクとの位置合せは慎重に行
われ、その位置ずれは一般に大きな量ではない。従って
ダイヤフラム部（２）を角環状とすれば、第８図（ａ）
（ｂｌのように両者が上下方向にずれても抵抗素子群（
３）（３）は同一ダイヤフラム部形成溝の対応面内を左
右方向に対する正規の関係位置を保ちながら上下方向に
ずれるのみであって、各抵抗素子群（３）（３＋の各抵
抗素子の力感応領域は位置ずれを生じない場合と全く同
一である。従って被検測圧力Ｐが加えられたとき、第７
図のブリッジ回路（４）の対向辺を形成する抵抗素子（
３□） （３４）からなる辺と、（３１′）（３，’）
からなる辺は、引張により同量宛抵抗値を変化し、また
他の対向辺を形成する抵抗素子（３２）（３３）からな
る辺と、（３；） （３；）からなる辺は、圧縮により
同量宛抵抗値を変化し、しかもその変化量は圧力感度の
差により（３□） （３４）と（３□’） （３４’）
のそれとは異なる。従って出力端子（５ａ） （５ｂ）
からは圧力Ｐに比例した出力な冑ることができる。
抗素子群（３）（３＋のマスクとの位置合せは慎重に行
われ、その位置ずれは一般に大きな量ではない。従って
ダイヤフラム部（２）を角環状とすれば、第８図（ａ）
（ｂｌのように両者が上下方向にずれても抵抗素子群（
３）（３）は同一ダイヤフラム部形成溝の対応面内を左
右方向に対する正規の関係位置を保ちながら上下方向に
ずれるのみであって、各抵抗素子群（３）（３＋の各抵
抗素子の力感応領域は位置ずれを生じない場合と全く同
一である。従って被検測圧力Ｐが加えられたとき、第７
図のブリッジ回路（４）の対向辺を形成する抵抗素子（
３□） （３４）からなる辺と、（３１′）（３，’）
からなる辺は、引張により同量宛抵抗値を変化し、また
他の対向辺を形成する抵抗素子（３２）（３３）からな
る辺と、（３；） （３；）からなる辺は、圧縮により
同量宛抵抗値を変化し、しかもその変化量は圧力感度の
差により（３□） （３４）と（３□’） （３４’）
のそれとは異なる。従って出力端子（５ａ） （５ｂ）
からは圧力Ｐに比例した出力な冑ることができる。
即ちダイヤフラム部（２）を角環状にすることによって
、上下方向の位置ずれにもとづく誤差の発生を防ぐこと
ができる。
、上下方向の位置ずれにもとづく誤差の発生を防ぐこと
ができる。
次に第８図（ｃ）（ｄ）のようにダイヤフラム部（２）
に対して、各抵抗素子ノ！工（３１（３１が左または右
方向に位置ずれした場合にも、これにもとづく誤差の発
生を確実に防ぐことができる。即ち第２図に示した従来
の圧力センザにおいて、例えは第５図（ａｌのように左
）ｊ向への位置ずれを生じたときには、前記したように
各抵抗素子における力感応領域の変化により、第３図の
ブリッジ回路（４）の各辺を形成する抵抗素子（３□）
〜（３４）は、圧力Ｐに対してはらはらな抵抗変化を行
う。これに対し本発明では、８箇の抵抗素子から／ｊ：
る第ｌ、Ｑ−ｓ２の群ｆ３＋（３＋を用い第６図のよう
にダイヤフラム部（２）の一方の猫の外壁側に位置する
抵抗素−ｒ−（３□）と、他方の１１１１°、の外壁側
に位置する抵抗素子（３４）によって−辺を形成し、ま
た同様に位置する抵抗素子（３□′）と（３，’）によ
り対向辺を形成すると同時に、ダイヤフラム部（２）の
溝の内壁側に位置する抵抗素子（３２）と（３３）、（
心）と（３３′）とにより、対向する辺を形成してブ９
、ｙジ回路（４）を形成しているので、位置ずれを生
じても抵抗素子（３□） （３４）と（３□’） （３
，；）の加算された力感応領域は同一となり、抵抗素子
（３２）（３３）と（心） （３，、’）の加算された
力感応領域も同一となる。このため圧ノｊＰが加えら・
九たとき、辺（３］＋３．）と（３□ｌ ＋３；）は引
張力によって同一の抵抗変化を行い、辺（３２＋３３）
と（曜＋３ｄ）も圧縮力によって辺（３□＋３４）、（
３□＋＋３；、とは変化量は異なるが同一の抵抗変化を
行う。従って前記した従来の圧力センサのように各辺を
形成する抵抗素子がばらばらな抵抗変化を行うもののよ
うに、圧力Ｐに比例する出力以外の出力を生ずることが
なく、位置ずれによる誤差の発生は防止される。
に対して、各抵抗素子ノ！工（３１（３１が左または右
方向に位置ずれした場合にも、これにもとづく誤差の発
生を確実に防ぐことができる。即ち第２図に示した従来
の圧力センザにおいて、例えは第５図（ａｌのように左
）ｊ向への位置ずれを生じたときには、前記したように
各抵抗素子における力感応領域の変化により、第３図の
ブリッジ回路（４）の各辺を形成する抵抗素子（３□）
〜（３４）は、圧力Ｐに対してはらはらな抵抗変化を行
う。これに対し本発明では、８箇の抵抗素子から／ｊ：
る第ｌ、Ｑ−ｓ２の群ｆ３＋（３＋を用い第６図のよう
にダイヤフラム部（２）の一方の猫の外壁側に位置する
抵抗素−ｒ−（３□）と、他方の１１１１°、の外壁側
に位置する抵抗素子（３４）によって−辺を形成し、ま
た同様に位置する抵抗素子（３□′）と（３，’）によ
り対向辺を形成すると同時に、ダイヤフラム部（２）の
溝の内壁側に位置する抵抗素子（３２）と（３３）、（
心）と（３３′）とにより、対向する辺を形成してブ９
、ｙジ回路（４）を形成しているので、位置ずれを生
じても抵抗素子（３□） （３４）と（３□’） （３
，；）の加算された力感応領域は同一となり、抵抗素子
（３２）（３３）と（心） （３，、’）の加算された
力感応領域も同一となる。このため圧ノｊＰが加えら・
九たとき、辺（３］＋３．）と（３□ｌ ＋３；）は引
張力によって同一の抵抗変化を行い、辺（３２＋３３）
と（曜＋３ｄ）も圧縮力によって辺（３□＋３４）、（
３□＋＋３；、とは変化量は異なるが同一の抵抗変化を
行う。従って前記した従来の圧力センサのように各辺を
形成する抵抗素子がばらばらな抵抗変化を行うもののよ
うに、圧力Ｐに比例する出力以外の出力を生ずることが
なく、位置ずれによる誤差の発生は防止される。
これは第８図（ｄ）のように右方向への位置ずれがあっ
た場合にも同様である。また本来位置ずれ量は小さく、
しかもブリッジ回路（４）の各辺をそれぞれ２箇の抵抗
素子によって形成することから、位置ずれにより力感応
領域の減少の影響は小さい。従って従来のものと殆ど感
度の変ることのない圧力センサを提供しうる。その結果
本発明によれは、ダイヤフラム部のパターン成形用マス
クと抵抗パターン形成用マスクの、止むを得ない位置ず
れを許すことができるので、製造コストを低下しながら
性能のよい圧力センサを提供できる。
た場合にも同様である。また本来位置ずれ量は小さく、
しかもブリッジ回路（４）の各辺をそれぞれ２箇の抵抗
素子によって形成することから、位置ずれにより力感応
領域の減少の影響は小さい。従って従来のものと殆ど感
度の変ることのない圧力センサを提供しうる。その結果
本発明によれは、ダイヤフラム部のパターン成形用マス
クと抵抗パターン形成用マスクの、止むを得ない位置ず
れを許すことができるので、製造コストを低下しながら
性能のよい圧力センサを提供できる。
なお第９図のように抵抗素子（３１）〜（３４）おＪ：
び（３□）〜（３４）を、それぞれ同一線上に配設する
こともできる。
び（３□）〜（３４）を、それぞれ同一線上に配設する
こともできる。
以上の説明から明らかなように、本発明によれば製造容
易にして感度の高く、しかも検出＞＋！ｉ度の高い半導
体圧力センサを提供しうるもので、実用」二の効果は犬
である。
易にして感度の高く、しかも検出＞＋！ｉ度の高い半導
体圧力センサを提供しうるもので、実用」二の効果は犬
である。
第１図（ａ）（ｂ）、第２図（ａ）（ｂ）はそれぞれ従
来センサを示す平面図およびそのＡ −Ａ部における矢
視ＩＵ＋面図、第３図はその電気回路図、第４図（ａ）
（ｂｌは応力分布図、第５図（ａｌ （ｂ）（ｃ）（ｄ
）はダイヤフラム部と抵抗素子の位置ずれの説明図、第
６図は本発明の一実施例を示す平面図、第７図はその電
気回路図、第８図は位置ずれを示す図、第９図は本発明
の変形例を示す平面図である。 （１１・・・・半導体基板、 （ｌａ）・・・・ダイヤフラム部形成溝、（２）・・・
・ダイヤフラム部、 （３□）（３，バ３．）（３，）および（３□’） （
３２′＞ （３，’） （３４’）・・・・・・抵抗素
子、 （４）・・・・ブ９ クジ回路、（５ａ）（５ｂ
）・・・・出力端子、 （６ａ）（６ｂ）・・・・直流電源端子、（７）・・・
・ケース、（７ａ）・・・・被圧力検測気体導入口。 特許出願人 新電元工業株式会社 代理人弁理士犬 塚 学 外１名 ；樫） 帖■ 茅５図 た６図 第８閃 Ｌ−−−−ｍ−−−−−」 手続補正書（方式） ％式％ １、事件の表示 特願昭５８−２０７２３３号 ２ 発明の名称 半導体圧力センサ ３、補正をする者 事件との関係 出願人 新電元工業株式会社 ４、代理人 東京都新宿区西新宿１−２３−１ 昭和５９年１月３１日 （発送） 粥２図
来センサを示す平面図およびそのＡ −Ａ部における矢
視ＩＵ＋面図、第３図はその電気回路図、第４図（ａ）
（ｂｌは応力分布図、第５図（ａｌ （ｂ）（ｃ）（ｄ
）はダイヤフラム部と抵抗素子の位置ずれの説明図、第
６図は本発明の一実施例を示す平面図、第７図はその電
気回路図、第８図は位置ずれを示す図、第９図は本発明
の変形例を示す平面図である。 （１１・・・・半導体基板、 （ｌａ）・・・・ダイヤフラム部形成溝、（２）・・・
・ダイヤフラム部、 （３□）（３，バ３．）（３，）および（３□’） （
３２′＞ （３，’） （３４’）・・・・・・抵抗素
子、 （４）・・・・ブ９ クジ回路、（５ａ）（５ｂ
）・・・・出力端子、 （６ａ）（６ｂ）・・・・直流電源端子、（７）・・・
・ケース、（７ａ）・・・・被圧力検測気体導入口。 特許出願人 新電元工業株式会社 代理人弁理士犬 塚 学 外１名 ；樫） 帖■ 茅５図 た６図 第８閃 Ｌ−−−−ｍ−−−−−」 手続補正書（方式） ％式％ １、事件の表示 特願昭５８−２０７２３３号 ２ 発明の名称 半導体圧力センサ ３、補正をする者 事件との関係 出願人 新電元工業株式会社 ４、代理人 東京都新宿区西新宿１−２３−１ 昭和５９年１月３１日 （発送） 粥２図
Claims (1)
- 半導体基板に角環状ダイヤフラム部を形成し、その時形
成された周環溝の対向する二つの溝を直角に横切る方向
に長手方向を揃えて、同一抵抗値の４箇のピエゾ抵抗素
子からそれぞれなる第１゜第２抵抗素子群を上記ダイヤ
フラム部に上下に対称的に配設すると共に、その各群の
抵抗素子の内左右の周環溝の外壁側にそれぞれ位置する
抵抗素子の第一の直列接続回路および内壁側に位置する
抵抗素子の第二の直列接続回路を各抵抗素子群毎に形成
し、その第一直列接続回路同志および第二直列接続回路
同志をそれぞれ対向辺とするブリッジ回路を形成したこ
とを特徴とする半導体圧力センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20723383A JPS60100475A (ja) | 1983-11-04 | 1983-11-04 | 半導体圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20723383A JPS60100475A (ja) | 1983-11-04 | 1983-11-04 | 半導体圧力センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60100475A true JPS60100475A (ja) | 1985-06-04 |
| JPH0259635B2 JPH0259635B2 (ja) | 1990-12-13 |
Family
ID=16536433
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20723383A Granted JPS60100475A (ja) | 1983-11-04 | 1983-11-04 | 半導体圧力センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60100475A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4990986A (en) * | 1988-09-02 | 1991-02-05 | Nissan Motor Co., Ltd. | Semiconductor acceleration sensor |
| CN104949697A (zh) * | 2014-03-25 | 2015-09-30 | 精工爱普生株式会社 | 物理量传感器、高度计、电子设备以及移动体 |
| JP2015184046A (ja) * | 2014-03-20 | 2015-10-22 | セイコーエプソン株式会社 | 物理量センサー、圧力センサー、高度計、電子機器および移動体 |
-
1983
- 1983-11-04 JP JP20723383A patent/JPS60100475A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4990986A (en) * | 1988-09-02 | 1991-02-05 | Nissan Motor Co., Ltd. | Semiconductor acceleration sensor |
| JP2015184046A (ja) * | 2014-03-20 | 2015-10-22 | セイコーエプソン株式会社 | 物理量センサー、圧力センサー、高度計、電子機器および移動体 |
| CN104949697A (zh) * | 2014-03-25 | 2015-09-30 | 精工爱普生株式会社 | 物理量传感器、高度计、电子设备以及移动体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0259635B2 (ja) | 1990-12-13 |
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