JPS59127876A - ダイアフラム形半導体圧力センサ - Google Patents
ダイアフラム形半導体圧力センサInfo
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- JPS59127876A JPS59127876A JP381283A JP381283A JPS59127876A JP S59127876 A JPS59127876 A JP S59127876A JP 381283 A JP381283 A JP 381283A JP 381283 A JP381283 A JP 381283A JP S59127876 A JPS59127876 A JP S59127876A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 11
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/0051—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance
- G01L9/0052—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance of piezoresistive elements
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/84—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by variation of applied mechanical force, e.g. of pressure
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、ピエゾ抵抗効果を利用したダイアフラム形
の半導体圧力センサに関する。
の半導体圧力センサに関する。
従来、この種の圧力センサとして、第１図および第２図
に示すように、例えば、ｎ形シリコン基板１の中央部を
エツチング等で薄肉化することによシダイアフラム（起
歪ｓ）２を形成し、このダイアフラム２上に例えばボロ
ンの選択拡散あるいはイオン注入によって４個のＰ形波
散層抵抗（ゲージ抵抗と呼ばれる）３，４，５．６ｅ配
設した構造のものが用いられている。第１図および第２
図には例として、それぞれ（１１０）面方位および（１
００）面方位のｎ形シリコン基板を用いた場合の典型的
なゲージ配列が示されている。また、ダイアフラム２に
裏面から圧力Ｐが印加された場合の各ゲージの抵抗変化
率（八Ｒ／Ｒ）もダイアフラム中心からの距離の関数と
して示されている。両図から明らかなように、圧力Ｐに
よりゲージ抵抗４．５の抵抗値は増大し、ゲージ抵抗３
．６は減少する。したがって、第３図に示すようにゲー
ジ抵抗３と６およびグー？抵抗４と５をそれぞれ対向さ
せてブリッジ回路を構成し、これを定電圧源フないし定
電流源８で駆動すれば、端子９．１０間に圧力Ｐに比例
した出力電圧Ｖｏを得ることができる。
に示すように、例えば、ｎ形シリコン基板１の中央部を
エツチング等で薄肉化することによシダイアフラム（起
歪ｓ）２を形成し、このダイアフラム２上に例えばボロ
ンの選択拡散あるいはイオン注入によって４個のＰ形波
散層抵抗（ゲージ抵抗と呼ばれる）３，４，５．６ｅ配
設した構造のものが用いられている。第１図および第２
図には例として、それぞれ（１１０）面方位および（１
００）面方位のｎ形シリコン基板を用いた場合の典型的
なゲージ配列が示されている。また、ダイアフラム２に
裏面から圧力Ｐが印加された場合の各ゲージの抵抗変化
率（八Ｒ／Ｒ）もダイアフラム中心からの距離の関数と
して示されている。両図から明らかなように、圧力Ｐに
よりゲージ抵抗４．５の抵抗値は増大し、ゲージ抵抗３
．６は減少する。したがって、第３図に示すようにゲー
ジ抵抗３と６およびグー？抵抗４と５をそれぞれ対向さ
せてブリッジ回路を構成し、これを定電圧源フないし定
電流源８で駆動すれば、端子９．１０間に圧力Ｐに比例
した出力電圧Ｖｏを得ることができる。
ところで、前記構成の圧力センサでは、ゲージ抵抗３〜
６の抵抗値および印加圧力に対する抵抗変化率ができる
だけ均一であることが要求される。
６の抵抗値および印加圧力に対する抵抗変化率ができる
だけ均一であることが要求される。
ゲージ抵抗３〜６の抵抗値が揃っていれば零オフセット
および温度ドリフトを小さくすることができる。また、
抵抗変化率が揃っていれば秀れた直線性を得ることがで
きる。
および温度ドリフトを小さくすることができる。また、
抵抗変化率が揃っていれば秀れた直線性を得ることがで
きる。
ゲージ抵抗の抵抗値の不均一性は、面積に逆比例する。
そこで例えば第４図に示すようにゲージ抵抗３．６に近
接してゲージ抵抗３’、６’を形成し、ゲージ抵抗３．
３’、４．５かゲージ４ 、５ 、６ 、６’かのいず
れかよい方の組合せでブリッジを構成する方法が提案さ
れている。また、更に均一な抵抗値を得るために隣接す
るゲージ抵抗を互いに入り組んだパターンにすることも
提案されている。
接してゲージ抵抗３’、６’を形成し、ゲージ抵抗３．
３’、４．５かゲージ４ 、５ 、６ 、６’かのいず
れかよい方の組合せでブリッジを構成する方法が提案さ
れている。また、更に均一な抵抗値を得るために隣接す
るゲージ抵抗を互いに入り組んだパターンにすることも
提案されている。
一方、ゲージ間の印加圧力に対する抵抗変化率の不均一
性は、主として製造時の目合せ誤差によるダイアフラム
穴とゲージ抵抗の位置ずれによって生じる。すなわち、
ダイアフラム穴が第１図の破線から、例えば一点鎖線で
示す位置にずれた場合、各ゲージ抵抗位置のダイアフラ
ム中心からの距離が実効的に変化し、その結果、ゲージ
位置の応力すなわち各ゲージの抵抗変化率が変化する。
性は、主として製造時の目合せ誤差によるダイアフラム
穴とゲージ抵抗の位置ずれによって生じる。すなわち、
ダイアフラム穴が第１図の破線から、例えば一点鎖線で
示す位置にずれた場合、各ゲージ抵抗位置のダイアフラ
ム中心からの距離が実効的に変化し、その結果、ゲージ
位置の応力すなわち各ゲージの抵抗変化率が変化する。
部に配置されたゲージ抵抗３，６について特に著しく、
その結果、ゲージ抵抗３と６の印加圧力に対する抵抗変
化率は著しく不均衡となシ、圧力特性の直線性は劣化す
る。また、上記位置ずれは目合せ誤差によって生じるも
のであるからウェハー間で異なることが予想され、これ
は素子間の特性はらつきの原因になる。しかも、ダイア
フラム穴とゲージ抵抗の位置は両面回合わせによって行
なわれるものであるから、位置ずれを無くすることは製
造技術的に非常に困難である。
その結果、ゲージ抵抗３と６の印加圧力に対する抵抗変
化率は著しく不均衡となシ、圧力特性の直線性は劣化す
る。また、上記位置ずれは目合せ誤差によって生じるも
のであるからウェハー間で異なることが予想され、これ
は素子間の特性はらつきの原因になる。しかも、ダイア
フラム穴とゲージ抵抗の位置は両面回合わせによって行
なわれるものであるから、位置ずれを無くすることは製
造技術的に非常に困難である。
以上のように上記従来技術では、ダイアフラム穴とゲー
ジ抵抗の位置ずれによって、ゲージ位置での応力分布が
夏化し、これが圧力感度の非直線性と素子間ばらつきの
原因となっていた。
ジ抵抗の位置ずれによって、ゲージ位置での応力分布が
夏化し、これが圧力感度の非直線性と素子間ばらつきの
原因となっていた。
この発明は上記従来技術の欠点を解消するためになされ
たもので、その目的は上ｄ己ダイアスラム穴とゲージ抵
抗の位置ずれによる圧力感度の非直線性と素子間ばらつ
きを除去し得る構成を備えたダイアフラム形半導体圧力
センサを提供することにある。
たもので、その目的は上ｄ己ダイアスラム穴とゲージ抵
抗の位置ずれによる圧力感度の非直線性と素子間ばらつ
きを除去し得る構成を備えたダイアフラム形半導体圧力
センサを提供することにある。
この発明は、半導体基板に形成されたダイアフラム上に
配設された複数個の拡散層ゲージ抵抗を用いてブリッジ
回路を構成する圧力センサにおいて、前記ブリッジ回路
の少なくとも一辺を、前記ダイアフラムの中心線に対し
て両側に配置された少なくとも２個以上のゲージ抵抗の
直列接続で構成するもので、前記ダイアフラム穴とゲー
ジの位置ずれによって生じる各ゲージの抵抗変化率の不
均衡を位置ずれの影響を逆に被るゲージ抵抗を直列接続
することによシ平均化し、ブリッジ各辺の均一化をはか
ることを要旨、としている。
配設された複数個の拡散層ゲージ抵抗を用いてブリッジ
回路を構成する圧力センサにおいて、前記ブリッジ回路
の少なくとも一辺を、前記ダイアフラムの中心線に対し
て両側に配置された少なくとも２個以上のゲージ抵抗の
直列接続で構成するもので、前記ダイアフラム穴とゲー
ジの位置ずれによって生じる各ゲージの抵抗変化率の不
均衡を位置ずれの影響を逆に被るゲージ抵抗を直列接続
することによシ平均化し、ブリッジ各辺の均一化をはか
ることを要旨、としている。
以下、実施例とともに、この発明の詳細な説明する。
第５図、第６図にこの発明をｎ形シリコン基板を用いた
圧力センサに適用した場合の一実施例におけるゲージ抵
抗の配置とブリッジ回路の構成を示す。第５図において
、円形ダイアフラム２は第５− １図の場合と同じくｎ形シリコン基板１の裏面に形成さ
れている。そして、との実施例では、ダイアフラム２の
圧力が印加される側とは反対側の表面に６個のＰ形ゲー
ジ抵抗１１．１１’、１２，１３゜１４ 、１４’が、
中央部に２１ｒｌＡ（１２と１３）、周辺部に４個（１
１，１１’、１４．１４’）、それぞれ長手方向が＜１
ｉｏ＞結晶軸と合致するように選択拡散されている。そ
して、第６図に示すように周辺部に配置された各ゲージ
抵抗１１．１１’、１４．１４’の内、互いに点対称の
位置にある１１と１４および１１′と１４′がそれぞれ
直列接続されて中央部に配置されたゲージ抵抗１２およ
び１３とともにブリッジ回路の一辺を構成している。な
お、ブリッジ回路の平衡を保つため、周辺部のゲージ抵
抗１１．１１’。
圧力センサに適用した場合の一実施例におけるゲージ抵
抗の配置とブリッジ回路の構成を示す。第５図において
、円形ダイアフラム２は第５− １図の場合と同じくｎ形シリコン基板１の裏面に形成さ
れている。そして、との実施例では、ダイアフラム２の
圧力が印加される側とは反対側の表面に６個のＰ形ゲー
ジ抵抗１１．１１’、１２，１３゜１４ 、１４’が、
中央部に２１ｒｌＡ（１２と１３）、周辺部に４個（１
１，１１’、１４．１４’）、それぞれ長手方向が＜１
ｉｏ＞結晶軸と合致するように選択拡散されている。そ
して、第６図に示すように周辺部に配置された各ゲージ
抵抗１１．１１’、１４．１４’の内、互いに点対称の
位置にある１１と１４および１１′と１４′がそれぞれ
直列接続されて中央部に配置されたゲージ抵抗１２およ
び１３とともにブリッジ回路の一辺を構成している。な
お、ブリッジ回路の平衡を保つため、周辺部のゲージ抵
抗１１．１１’。
１４ 、１４’の印加圧力学のときの抵抗値は中央部の
ゲージ抵抗１２．１３のそれの１／２に選ばれる。
ゲージ抵抗１２．１３のそれの１／２に選ばれる。
次に本実施例の効果について説明する。第５図において
ダイアフラム２の位置が破線から一点鎖点で示す位置に
ずれた場合、ダイアフラム中心からの距離が相対的ＫＫ
化することによシ、前述の６− ように各ゲージの抵抗変化率が変化する。第５図の例で
は、ゲージ抵抗１１ 、１１’はダイアフラム中心から
の距離が小さくなるので抵抗変化率が低下し、逆にゲー
ジ抵抗１４ 、１４’はダイアフラム中心からの距離が
大きくなるので抵抗変化率が上昇する。この実施例では
、ゲージ抵抗１１と１４、ゲージ抵抗１１′と１４′が
それぞれ直列接続されているため、位置ずれによる抵抗
変化率の増減がブリ１＝ ッジの一辺内で互蓼キャンセルされる。また、１１と１
１’、１４と１４′は互いに近接して配置されているの
で抵抗値の均一性が満足されておシ、これらの直列接続
によシ構成されるブリッジ辺の抵抗値の均一性も満足さ
れる。したがって、この実施例によれば、ブリッジ各辺
の抵抗値と抵抗変化率が殆んど均一にされた温度ドリフ
トの小さい、直線性に優れた半導体圧力センサが得られ
る。
ダイアフラム２の位置が破線から一点鎖点で示す位置に
ずれた場合、ダイアフラム中心からの距離が相対的ＫＫ
化することによシ、前述の６− ように各ゲージの抵抗変化率が変化する。第５図の例で
は、ゲージ抵抗１１ 、１１’はダイアフラム中心から
の距離が小さくなるので抵抗変化率が低下し、逆にゲー
ジ抵抗１４ 、１４’はダイアフラム中心からの距離が
大きくなるので抵抗変化率が上昇する。この実施例では
、ゲージ抵抗１１と１４、ゲージ抵抗１１′と１４′が
それぞれ直列接続されているため、位置ずれによる抵抗
変化率の増減がブリ１＝ ッジの一辺内で互蓼キャンセルされる。また、１１と１
１’、１４と１４′は互いに近接して配置されているの
で抵抗値の均一性が満足されておシ、これらの直列接続
によシ構成されるブリッジ辺の抵抗値の均一性も満足さ
れる。したがって、この実施例によれば、ブリッジ各辺
の抵抗値と抵抗変化率が殆んど均一にされた温度ドリフ
トの小さい、直線性に優れた半導体圧力センサが得られ
る。
なお、上記実施例では、簡単のため、一方向性（横方向
）の位置ずれが生じた場合につき説明を行なったが、互
いに点対称にあるゲージ抵抗１１と１４および１１′と
１４′が直列されているので、横方向と縦方向の位置ず
れが生じた場合にも同様の効果が得られる。
）の位置ずれが生じた場合につき説明を行なったが、互
いに点対称にあるゲージ抵抗１１と１４および１１′と
１４′が直列されているので、横方向と縦方向の位置ず
れが生じた場合にも同様の効果が得られる。
また、上記実施例では比較的抵抗変化率の傾斜が緩やか
な中央部のゲージ抵抗については１個で一辺を構成した
が、第７図に示したように中央部にも４個のゲージ抵抗
１５．１５’ 、１６．１６’を配設し、１５と１６．
１５’と１６′の直列接続を対向させて第８図に示すよ
うなブリッジ回路を構成しても同様な効果が得られる。
な中央部のゲージ抵抗については１個で一辺を構成した
が、第７図に示したように中央部にも４個のゲージ抵抗
１５．１５’ 、１６．１６’を配設し、１５と１６．
１５’と１６′の直列接続を対向させて第８図に示すよ
うなブリッジ回路を構成しても同様な効果が得られる。
次に、この発明を（Ｚｏｏ）面方位ｎ形シリコン基板を
用いたダイアスラム形圧カセンサに適用した場合につい
て、第２の実施例を説明する。第９図と第１０図にこの
実施例におけるゲージ抵抗の配列とブリッジの回路構成
を示す。この例では、ダイアフラム２上の周辺部に８個
のＰ形ゲージ抵抗２１〜２４．２１’〜２４′がそれぞ
れ長手方向が＜１１０＞結晶軸と合致するように選択拡
散されておシ、かつ２１と２１’、２２と２２’、２３
と２３’、２４と２４′はそれぞれ互いに平行かつ近接
して配置されている。これらは、２１．２１’ 、 ２
４ 、２４’が法線方向に、２２．２２’ 、２３．２
３’が接線方向にそれぞれ長手方向を有するゲージ抵抗
である。そしてブリッジ回路は、第１０図に示すように
、法線方向に長手方向を有するゲージ抵抗では点対称に
位置するもの同志２１と２４および２１′と２４′が、
接線方向に長手方向を有するゲージ抵抗では外側のもの
と内側のもの、２２と２３および２２′と２３′がそれ
ぞれ直列接続されて各辺が構成されている。この場合、
各辺を構成する２個のゲージ抵抗の位置ずれによる抵抗
変化率の変化は互いに逆向きとなるのでキャンセルされ
、均一化される。また、異なる風域に配置されたゲージ
抵抗が直列接続されるので、抵抗値のばらつきは平均化
され、各辺の抵抗値は均一化される。したがって、この
実施例においても前記第１の実施例と同様、ブリッジ各
辺の抵抗値と抵抗変化率が均一にされた温度ドリフトの
小さい、圧力感度の直線性に優れた半導体圧力センサが
得られる。また圧力感度の素子間ばらつきも小さくでき
る。
用いたダイアスラム形圧カセンサに適用した場合につい
て、第２の実施例を説明する。第９図と第１０図にこの
実施例におけるゲージ抵抗の配列とブリッジの回路構成
を示す。この例では、ダイアフラム２上の周辺部に８個
のＰ形ゲージ抵抗２１〜２４．２１’〜２４′がそれぞ
れ長手方向が＜１１０＞結晶軸と合致するように選択拡
散されておシ、かつ２１と２１’、２２と２２’、２３
と２３’、２４と２４′はそれぞれ互いに平行かつ近接
して配置されている。これらは、２１．２１’ 、 ２
４ 、２４’が法線方向に、２２．２２’ 、２３．２
３’が接線方向にそれぞれ長手方向を有するゲージ抵抗
である。そしてブリッジ回路は、第１０図に示すように
、法線方向に長手方向を有するゲージ抵抗では点対称に
位置するもの同志２１と２４および２１′と２４′が、
接線方向に長手方向を有するゲージ抵抗では外側のもの
と内側のもの、２２と２３および２２′と２３′がそれ
ぞれ直列接続されて各辺が構成されている。この場合、
各辺を構成する２個のゲージ抵抗の位置ずれによる抵抗
変化率の変化は互いに逆向きとなるのでキャンセルされ
、均一化される。また、異なる風域に配置されたゲージ
抵抗が直列接続されるので、抵抗値のばらつきは平均化
され、各辺の抵抗値は均一化される。したがって、この
実施例においても前記第１の実施例と同様、ブリッジ各
辺の抵抗値と抵抗変化率が均一にされた温度ドリフトの
小さい、圧力感度の直線性に優れた半導体圧力センサが
得られる。また圧力感度の素子間ばらつきも小さくでき
る。
以上、ゲージ抵抗を中央部と周辺部に配列する９−
場合および周辺部にのみ配列する場合につき、２つの実
施例を挙げて説明した。説明はｎ型シリコン基板、Ｐ形
ゲージ抵抗を用いたが、本発明はシリコン基板の導′電
型、面方位、ゲージ抵抗の導電型、結晶軸方向を一切限
定しない。また、この発明はフルブリッジ回路に限らず
ハーフブリッジ回路にも適用される。この場合、第１図
および第２図に示したゲージ抵抗配列を用い、第１１図
に示すようにブリッジ回路を構成すればよい。なお、同
図において、Ｒは固定抵抗である。さらに以上の例では
ブリッジの一辺を２個のゲージ抵抗で構成していたが、
直列接続するゲージ抵抗の数を２個以上、例えば４ ｉ
ｆ！ 、 ８個等に選ぶことも可能である。
施例を挙げて説明した。説明はｎ型シリコン基板、Ｐ形
ゲージ抵抗を用いたが、本発明はシリコン基板の導′電
型、面方位、ゲージ抵抗の導電型、結晶軸方向を一切限
定しない。また、この発明はフルブリッジ回路に限らず
ハーフブリッジ回路にも適用される。この場合、第１図
および第２図に示したゲージ抵抗配列を用い、第１１図
に示すようにブリッジ回路を構成すればよい。なお、同
図において、Ｒは固定抵抗である。さらに以上の例では
ブリッジの一辺を２個のゲージ抵抗で構成していたが、
直列接続するゲージ抵抗の数を２個以上、例えば４ ｉ
ｆ！ 、 ８個等に選ぶことも可能である。
以上の説明から明らかなように、この発明によればブリ
ッジ各辺の抵抗値および抵抗変化率が均一化され、温度
ドリフト、非百線娯差および素子間特性ばらつきの小さ
い、高性能、高信頼性かつ量産に適した半導体圧力セン
サを得ることができる。
ッジ各辺の抵抗値および抵抗変化率が均一化され、温度
ドリフト、非百線娯差および素子間特性ばらつきの小さ
い、高性能、高信頼性かつ量産に適した半導体圧力セン
サを得ることができる。
１０−
第１図乃至第４図は従来例で、第１図及び第２図は代表
的なゲージ抵抗の配列と各ゲージの位置による抵抗変化
率を示す図、第３図はブリッジ回路の構成図、第４図は
ゲージ抵抗の均一化をはかるためのパターンを示す図で
ある。第５図乃至第１１図はこの発明の各実施例におけ
るゲージ抵抗の配列とブリッジ回路の構成を示す図で、
第５゜第７．第９図はゲージ抵抗配列の例を第６．第８
゜第１０図は対応するフルブリッジ回路の構成例を示し
ている。第１１図はハーフブリッジ回路の構成例を示す
。 ｌ・・・・・・半導体基板 ２・・・・・・ダイア７ラム ７・・・・・・電圧源 ８−・・・・電流源９．１
０・−・・・・出力端子 γ・・・・・・固定抵抗 −１１−代理人弁理士内原 晋 第 １ 図 〈００ブン 鴻 ２ 図 犠３ワ 謔４図 謀 ５ 図 築７図 纂 ９１
的なゲージ抵抗の配列と各ゲージの位置による抵抗変化
率を示す図、第３図はブリッジ回路の構成図、第４図は
ゲージ抵抗の均一化をはかるためのパターンを示す図で
ある。第５図乃至第１１図はこの発明の各実施例におけ
るゲージ抵抗の配列とブリッジ回路の構成を示す図で、
第５゜第７．第９図はゲージ抵抗配列の例を第６．第８
゜第１０図は対応するフルブリッジ回路の構成例を示し
ている。第１１図はハーフブリッジ回路の構成例を示す
。 ｌ・・・・・・半導体基板 ２・・・・・・ダイア７ラム ７・・・・・・電圧源 ８−・・・・電流源９．１
０・−・・・・出力端子 γ・・・・・・固定抵抗 −１１−代理人弁理士内原 晋 第 １ 図 〈００ブン 鴻 ２ 図 犠３ワ 謔４図 謀 ５ 図 築７図 纂 ９１
Claims (1)
- 半導体基板に形成されたダイアフラム上に配設された複
数個の拡散層ゲージ抵抗を用いてブリッジ回路を構成す
る圧力センサにおいて、前記ブリッジ回路の少なくとも
一辺を前記ダイアフラムの中心線に対して両側に配置さ
れた少なくとも２個以上のゲージ抵抗の直列接続によ多
形成したことを特徴とするダイアフラム形半導体圧力セ
ンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP381283A JPS59127876A (ja) | 1983-01-13 | 1983-01-13 | ダイアフラム形半導体圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP381283A JPS59127876A (ja) | 1983-01-13 | 1983-01-13 | ダイアフラム形半導体圧力センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59127876A true JPS59127876A (ja) | 1984-07-23 |
Family
ID=11567600
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP381283A Pending JPS59127876A (ja) | 1983-01-13 | 1983-01-13 | ダイアフラム形半導体圧力センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59127876A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0833137A2 (en) * | 1996-09-30 | 1998-04-01 | Motorola, Inc. | Circuit and method of compensating for membrane stress in a sensor |
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Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50124583A (ja) * | 1974-03-15 | 1975-09-30 | ||
| JPS5191682A (ja) * | 1975-02-10 | 1976-08-11 |
-
1983
- 1983-01-13 JP JP381283A patent/JPS59127876A/ja active Pending
Patent Citations (2)
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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