JPH06265427A - 半導体圧力変換器 - Google Patents
半導体圧力変換器Info
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- JPH06265427A JPH06265427A JP5342493A JP5342493A JPH06265427A JP H06265427 A JPH06265427 A JP H06265427A JP 5342493 A JP5342493 A JP 5342493A JP 5342493 A JP5342493 A JP 5342493A JP H06265427 A JPH06265427 A JP H06265427A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高精度かつ極めて容易に零点温度補償を行
う。 【構成】 フルブリッジ回路を構成する感圧抵抗１１〜
１４とほぼ同じ平均導電率およびほぼ同じ抵抗温度特性
を有する拡散抵抗で構成される固定抵抗１５〜１７と可
変抵抗１８，１９からなる零点調整回路を、フルブリッ
ジ回路の正入力端子１と負入力端子３と負出力端子４に
接続する。感圧抵抗１１〜１４、固定抵抗１５〜１７、
可変抵抗１８，１９の抵抗パターンの幅を同一とするこ
とで、製造工程での各抵抗間の抵抗値の相対的変化を抑
える。さらに、その固定抵抗１５〜１７の抵抗値をフル
ブリッジ回路を形成する感圧抵抗１１〜１４の抵抗値の
５倍以上の大きさに定め、可変抵抗１８，１９は抵抗値
の異なる複数の拡散抵抗を接続して組み合わせた抵抗回
路とし、その接続部をウェハ状態で切断して可変抵抗１
８，１９の抵抗値を調整する。
う。 【構成】 フルブリッジ回路を構成する感圧抵抗１１〜
１４とほぼ同じ平均導電率およびほぼ同じ抵抗温度特性
を有する拡散抵抗で構成される固定抵抗１５〜１７と可
変抵抗１８，１９からなる零点調整回路を、フルブリッ
ジ回路の正入力端子１と負入力端子３と負出力端子４に
接続する。感圧抵抗１１〜１４、固定抵抗１５〜１７、
可変抵抗１８，１９の抵抗パターンの幅を同一とするこ
とで、製造工程での各抵抗間の抵抗値の相対的変化を抑
える。さらに、その固定抵抗１５〜１７の抵抗値をフル
ブリッジ回路を形成する感圧抵抗１１〜１４の抵抗値の
５倍以上の大きさに定め、可変抵抗１８，１９は抵抗値
の異なる複数の拡散抵抗を接続して組み合わせた抵抗回
路とし、その接続部をウェハ状態で切断して可変抵抗１
８，１９の抵抗値を調整する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、荷重もしくは力、ま
たは液体、気体もしくは流体の圧力等を測定する半導体
圧力変換器に関するものである。
たは液体、気体もしくは流体の圧力等を測定する半導体
圧力変換器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体の拡散抵抗を感圧抵抗としてブリ
ッジ回路を組んだ圧力変換器では、温度特性に対する補
償がその性能を決定する。温度特性には感度温度特性と
零点温度特性がある。零点温度変動はブリッジを構成す
る感圧抵抗の抵抗値の不均一性とその抵抗温度係数によ
り発生する。
ッジ回路を組んだ圧力変換器では、温度特性に対する補
償がその性能を決定する。温度特性には感度温度特性と
零点温度特性がある。零点温度変動はブリッジを構成す
る感圧抵抗の抵抗値の不均一性とその抵抗温度係数によ
り発生する。
【０００３】図７は電子材料１９８２年２月号ｐ．３７
〜ｐ．４４に記載の電子血圧計用シリコン圧力変換器の
回路構成である。１２１〜１２４は感圧抵抗であり、感
圧抵抗１２１，１２３と感圧抵抗１２２，１２４は圧力
により互いに異なる方向に抵抗変化する。これらの感圧
抵抗１２１〜１２４と圧力に不感な零点調整用抵抗１１
５〜１１９からなる可変抵抗を組み合わせてブリッジ回
路を構成している。
〜ｐ．４４に記載の電子血圧計用シリコン圧力変換器の
回路構成である。１２１〜１２４は感圧抵抗であり、感
圧抵抗１２１，１２３と感圧抵抗１２２，１２４は圧力
により互いに異なる方向に抵抗変化する。これらの感圧
抵抗１２１〜１２４と圧力に不感な零点調整用抵抗１１
５〜１１９からなる可変抵抗を組み合わせてブリッジ回
路を構成している。
【０００４】感圧抵抗１２１〜１２４と零点調整用抵抗
１１５〜１１９は拡散プレーナ法により形成され、ほぼ
同じ平均導電率とほぼ同じ抵抗温度係数である。端子１
０５〜１１０のうちいずれか一つと端子１０１を共通と
して正入力端子、１０３を負入力端子、１０２を正出力
端子、１０４を負出力端子とする。図８は零点不平衡電
圧Ｖ0 と零点温度変動ａ0 の関係の一例を示す。零点不
平衡電圧Ｖ0 が−１０ｍＶ近辺の値で零点温度変動ａ0
が零に近づく。零点温度変動ａ0 を零に近づけるには、
端子１０５〜１１０のうちいずれか一つを選択して零点
調整をすればよい。
１１５〜１１９は拡散プレーナ法により形成され、ほぼ
同じ平均導電率とほぼ同じ抵抗温度係数である。端子１
０５〜１１０のうちいずれか一つと端子１０１を共通と
して正入力端子、１０３を負入力端子、１０２を正出力
端子、１０４を負出力端子とする。図８は零点不平衡電
圧Ｖ0 と零点温度変動ａ0 の関係の一例を示す。零点不
平衡電圧Ｖ0 が−１０ｍＶ近辺の値で零点温度変動ａ0
が零に近づく。零点温度変動ａ0 を零に近づけるには、
端子１０５〜１１０のうちいずれか一つを選択して零点
調整をすればよい。
【０００５】感圧抵抗１２１〜１２４の抵抗値をＲ1 〜
Ｒ4 、拡散抵抗の比抵抗をＲS とし、感圧抵抗１２４の
みが他の感圧抵抗の抵抗値より１／１００だけ小さい場
合の零点調整を試みる。各抵抗値は以下の場合とする。 Ｒ1 ＝Ｒ2 ＝Ｒ3 ＝１００ＲS Ｒ4 ＝１００×０．９９ＲS 入力端子１０１，１０３間に電圧１．５Ｖを印加した場
合の、可変抵抗の抵抗値と出力端子１０２−１０４間の
電圧との関係を図９に示す。零点不平衡電圧Ｖ 0 つまり
出力端子１０２−１０４間の電圧は、可変抵抗の抵抗値
が１ＲS のとき０となる。また、零点不平衡電圧１ｍＶ
を調整するためには、可変抵抗を約０．２６ＲS 変えれ
ばよい。
Ｒ4 、拡散抵抗の比抵抗をＲS とし、感圧抵抗１２４の
みが他の感圧抵抗の抵抗値より１／１００だけ小さい場
合の零点調整を試みる。各抵抗値は以下の場合とする。 Ｒ1 ＝Ｒ2 ＝Ｒ3 ＝１００ＲS Ｒ4 ＝１００×０．９９ＲS 入力端子１０１，１０３間に電圧１．５Ｖを印加した場
合の、可変抵抗の抵抗値と出力端子１０２−１０４間の
電圧との関係を図９に示す。零点不平衡電圧Ｖ 0 つまり
出力端子１０２−１０４間の電圧は、可変抵抗の抵抗値
が１ＲS のとき０となる。また、零点不平衡電圧１ｍＶ
を調整するためには、可変抵抗を約０．２６ＲS 変えれ
ばよい。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】このような半導体圧力
変換器で、零点調整範囲を変えずに零点不平衡電圧の調
整精度を上げるには抵抗値の小さい零点調整用抵抗を多
数配列する必要がある。抵抗値を小さくするためには抵
抗パターンの幅ｗと長さｌの比ｌ／ｗを小さくする必要
があるが、拡散プレーナ法でｌ／ｗの小さい抵抗を形成
するのは容易でなく、その抵抗と電気的接触をするため
の電極端子を多数配置すると大面積を必要とする。その
ため高精度な零点調整は容易でない。
変換器で、零点調整範囲を変えずに零点不平衡電圧の調
整精度を上げるには抵抗値の小さい零点調整用抵抗を多
数配列する必要がある。抵抗値を小さくするためには抵
抗パターンの幅ｗと長さｌの比ｌ／ｗを小さくする必要
があるが、拡散プレーナ法でｌ／ｗの小さい抵抗を形成
するのは容易でなく、その抵抗と電気的接触をするため
の電極端子を多数配置すると大面積を必要とする。その
ため高精度な零点調整は容易でない。
【０００７】また、零点不平衡電圧の不均一性はブリッ
ジを構成する感圧抵抗の抵抗値の不均一性により生じる
が、感圧抵抗の抵抗値を均一にすることは難しく、零点
不平衡電圧の調整精度を上げるには各半導体圧力変換器
で個々に零点調整をする必要がある。従来の技術では、
ウェハ状態で調整抵抗の選択をすることは容易である
が、零点不平衡電圧の調整のためにパッケージへの組立
工程で各半導体圧力変換器毎に零点調整抵抗の電極端子
を変える必要があるため組立工程が複雑になる。
ジを構成する感圧抵抗の抵抗値の不均一性により生じる
が、感圧抵抗の抵抗値を均一にすることは難しく、零点
不平衡電圧の調整精度を上げるには各半導体圧力変換器
で個々に零点調整をする必要がある。従来の技術では、
ウェハ状態で調整抵抗の選択をすることは容易である
が、零点不平衡電圧の調整のためにパッケージへの組立
工程で各半導体圧力変換器毎に零点調整抵抗の電極端子
を変える必要があるため組立工程が複雑になる。
【０００８】この発明は上記課題を解決するもので、零
点温度特性の高精度かつ簡易な調整が可能な半導体圧力
変換器を提供することを目的としている。
点温度特性の高精度かつ簡易な調整が可能な半導体圧力
変換器を提供することを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の半導体圧
力変換器は、シリコン単結晶基板の表面の零歪部に、感
圧抵抗とほぼ同じ平均導電率およびほぼ同じ抵抗温度特
性を有する拡散抵抗で構成される少なくとも３個の固定
抵抗と少なくとも１個の可変抵抗からなる零点調整回路
を、フルブリッジ回路の２個の入力端子と１個の出力端
子または１個の入力端子と２個の出力端子に接続したこ
とを特徴とする。
力変換器は、シリコン単結晶基板の表面の零歪部に、感
圧抵抗とほぼ同じ平均導電率およびほぼ同じ抵抗温度特
性を有する拡散抵抗で構成される少なくとも３個の固定
抵抗と少なくとも１個の可変抵抗からなる零点調整回路
を、フルブリッジ回路の２個の入力端子と１個の出力端
子または１個の入力端子と２個の出力端子に接続したこ
とを特徴とする。
【００１０】請求項２記載の半導体圧力変換器は、請求
項１記載の半導体圧力変換器において、零点調整回路を
構成する各固定抵抗の抵抗値を、フルブリッジ回路を形
成する感圧抵抗の抵抗値の５倍以上の大きさに定めたも
のである。請求項３記載の半導体圧力変換器は、請求項
１記載の半導体圧力変換器において、零点調整回路を構
成する可変抵抗が、抵抗値の異なる複数の拡散抵抗を接
続して組み合わせた抵抗回路からなり、その接続部の切
断により可変抵抗の抵抗値を調整可能としたものであ
る。
項１記載の半導体圧力変換器において、零点調整回路を
構成する各固定抵抗の抵抗値を、フルブリッジ回路を形
成する感圧抵抗の抵抗値の５倍以上の大きさに定めたも
のである。請求項３記載の半導体圧力変換器は、請求項
１記載の半導体圧力変換器において、零点調整回路を構
成する可変抵抗が、抵抗値の異なる複数の拡散抵抗を接
続して組み合わせた抵抗回路からなり、その接続部の切
断により可変抵抗の抵抗値を調整可能としたものであ
る。
【００１１】請求項４記載の半導体圧力変換器は、請求
項１記載の半導体圧力変換器において、感圧抵抗，固定
抵抗および可変抵抗の抵抗パターンの幅を同一としたも
のである。
項１記載の半導体圧力変換器において、感圧抵抗，固定
抵抗および可変抵抗の抵抗パターンの幅を同一としたも
のである。
【００１２】
【作用】この発明は上記した構成により、零点調整回路
を感圧抵抗と並列に配置したので、高精度で零点調整を
するための可変抵抗の調整単位を大きくでき、可変抵抗
の形成が容易である。また、零点調整回路の合成抵抗値
が感圧抵抗の５倍以上と大きいので、零点調整回路を流
れる電流は小さくなり、可変抵抗の抵抗値を従来より大
きく変化させても零点不平衡電圧の変化は小さいため十
分な零点調整精度を有する。また、可変抵抗を抵抗値の
異なる複数の拡散抵抗を接続して組み合わせた抵抗回路
としその接続部を切断することにより可変抵抗の抵抗値
を調整してからパッケージへの組立をするので、個々の
半導体圧力変換器毎に電極端子を変える必要がない。さ
らに感圧抵抗、固定抵抗、可変抵抗の抵抗パターンの幅
を同一とするので、フォト・エッチング工程に起因する
各抵抗間の抵抗値バラツキを抑えることができる。
を感圧抵抗と並列に配置したので、高精度で零点調整を
するための可変抵抗の調整単位を大きくでき、可変抵抗
の形成が容易である。また、零点調整回路の合成抵抗値
が感圧抵抗の５倍以上と大きいので、零点調整回路を流
れる電流は小さくなり、可変抵抗の抵抗値を従来より大
きく変化させても零点不平衡電圧の変化は小さいため十
分な零点調整精度を有する。また、可変抵抗を抵抗値の
異なる複数の拡散抵抗を接続して組み合わせた抵抗回路
としその接続部を切断することにより可変抵抗の抵抗値
を調整してからパッケージへの組立をするので、個々の
半導体圧力変換器毎に電極端子を変える必要がない。さ
らに感圧抵抗、固定抵抗、可変抵抗の抵抗パターンの幅
を同一とするので、フォト・エッチング工程に起因する
各抵抗間の抵抗値バラツキを抑えることができる。
【００１３】
【実施例】この発明の一実施例について図１ないし図５
を参照しながら説明する。図１はこの実施例の半導体圧
力変換器の平面図であり、図２はその断面図、図３はそ
の等価回路図、図４は零点調整のための可変抵抗の拡大
図、図５は零点調整例の説明図である。
を参照しながら説明する。図１はこの実施例の半導体圧
力変換器の平面図であり、図２はその断面図、図３はそ
の等価回路図、図４は零点調整のための可変抵抗の拡大
図、図５は零点調整例の説明図である。
【００１４】図２において、３０はシリコン単結晶基
板、４０は基台である。シリコン単結晶基板３０はその
周縁部にて基台（台座）４０の上面４１に接着されてい
て、その中央部の薄肉状に形成した起歪部（ダイアフラ
ム部）２０の上面２０ａには、図１および図２に示すよ
うに、酸化膜２１の一部を除した部分に４個の感圧抵抗
１１〜１４が形成されており、これらはフルブリッジ回
路を構成している。１５〜１７は零歪部に形成された固
定抵抗、１８，１９は可変抵抗であり、これらは零点調
整回路を構成しており、フルブリッジ回路の正入力端子
１，負入力端子３，負出力端子４に接続されている。な
お、２はフルブリッジ回路の正出力端子である。上記の
各抵抗は拡散プレーナ法によりシリコン単結晶基板３０
に一体的に拡散形成されている。
板、４０は基台である。シリコン単結晶基板３０はその
周縁部にて基台（台座）４０の上面４１に接着されてい
て、その中央部の薄肉状に形成した起歪部（ダイアフラ
ム部）２０の上面２０ａには、図１および図２に示すよ
うに、酸化膜２１の一部を除した部分に４個の感圧抵抗
１１〜１４が形成されており、これらはフルブリッジ回
路を構成している。１５〜１７は零歪部に形成された固
定抵抗、１８，１９は可変抵抗であり、これらは零点調
整回路を構成しており、フルブリッジ回路の正入力端子
１，負入力端子３，負出力端子４に接続されている。な
お、２はフルブリッジ回路の正出力端子である。上記の
各抵抗は拡散プレーナ法によりシリコン単結晶基板３０
に一体的に拡散形成されている。
【００１５】図１に示すように、各抵抗の抵抗パターン
の幅は同じになっているので、フォト・エッチング工程
で抵抗パターンの幅が設計値よりずれても、各抵抗の抵
抗値は相対的にほとんど変わらず、零点不平衡電圧のバ
ラツキを最小限に抑えることができる。また、固定抵抗
１５〜１７と可変抵抗１８，１９は感圧抵抗１１〜１４
と同時に同じ工程で形成された拡散抵抗であるため、感
圧抵抗１１〜１４とほぼ同じ平均導電率およびほぼ同じ
抵抗温度特性を有する。
の幅は同じになっているので、フォト・エッチング工程
で抵抗パターンの幅が設計値よりずれても、各抵抗の抵
抗値は相対的にほとんど変わらず、零点不平衡電圧のバ
ラツキを最小限に抑えることができる。また、固定抵抗
１５〜１７と可変抵抗１８，１９は感圧抵抗１１〜１４
と同時に同じ工程で形成された拡散抵抗であるため、感
圧抵抗１１〜１４とほぼ同じ平均導電率およびほぼ同じ
抵抗温度特性を有する。
【００１６】また、図１において、１５ａと１５ｂで固
定抵抗１５を構成し、１６ａと１６ｂで固定抵抗１６を
構成している。感圧抵抗１１〜１４の抵抗値をＲ1 〜Ｒ
4 、固定抵抗１５〜１７の抵抗値をＲ 5 〜Ｒ7 、可変抵
抗１８，１９の抵抗値をＲ8 ，Ｒ9 、拡散抵抗の比抵抗
をＲSとし、感圧抵抗１のみが他の感圧抵抗の抵抗値よ
り１／１００だけ小さい場合の零点調整を行う。各抵抗
値は以下の場合とする。
定抵抗１５を構成し、１６ａと１６ｂで固定抵抗１６を
構成している。感圧抵抗１１〜１４の抵抗値をＲ1 〜Ｒ
4 、固定抵抗１５〜１７の抵抗値をＲ 5 〜Ｒ7 、可変抵
抗１８，１９の抵抗値をＲ8 ，Ｒ9 、拡散抵抗の比抵抗
をＲSとし、感圧抵抗１のみが他の感圧抵抗の抵抗値よ
り１／１００だけ小さい場合の零点調整を行う。各抵抗
値は以下の場合とする。
【００１７】Ｒ1 ＝１００×０．９９ＲS Ｒ2 ＝Ｒ3 ＝Ｒ4 ＝１００ＲS として、 (イ) Ｒ5 ＝Ｒ6 ＝Ｒ7 ＝１０００ＲS ， (ロ) Ｒ5 ＝Ｒ6 ＝Ｒ7 ＝５０００ＲS ， (ハ) Ｒ5 ＝Ｒ6 ＝Ｒ7 ＝１００００ＲS ， の各場合について、入力端子１−３間に電圧１．５Ｖを
印加した場合の、可変抵抗１８，１９の抵抗値と出力端
子２−４間の電圧との関係を図５に示す。零点不平衡電
圧１ｍＶを調整するために必要な可変抵抗変化量は、従
来例で約０．２６ＲS であるのに対して、この実施例で
Ｒ5 ＝Ｒ6 ＝Ｒ7 ＝１０００ＲS のとき約２．７ＲS で
ある。
印加した場合の、可変抵抗１８，１９の抵抗値と出力端
子２−４間の電圧との関係を図５に示す。零点不平衡電
圧１ｍＶを調整するために必要な可変抵抗変化量は、従
来例で約０．２６ＲS であるのに対して、この実施例で
Ｒ5 ＝Ｒ6 ＝Ｒ7 ＝１０００ＲS のとき約２．７ＲS で
ある。
【００１８】感圧抵抗Ｒ1 〜Ｒ4 の抵抗値に対する固定
抵抗Ｒ5 〜Ｒ7 の抵抗値の比と零点不平衡電圧１ｍＶを
調整するために必要な可変抵抗変化量の関係を図６に示
す。固定抵抗値を大きくするほど零点不平衡電圧を調整
するために必要な可変抵抗変化量は大きくなり、その作
製も容易に形成できる。可変抵抗１８の抵抗値調整法に
ついて図４にて説明する。１８ａ〜１８ｄは抵抗組であ
り、１９ａ〜１９ｅと１９ａ′〜１９ｅ′は切断部位で
ある。抵抗組の抵抗値は１８ａは１ＲS 、１８ｂは２Ｒ
S 、１８ｃは４ＲS 、１８ｄは８ＲS である。切断部位
を適当に選択して切断することにより、可変抵抗１８の
抵抗値を調整範囲１５ＲS 、調整単位１ＲS で任意に変
えることができる。切断部位の切断は、ウェハ状態でＹ
ＡＧレーザ光などで容易に行うことができ、製造上の量
産効果は大きい。なお、この実施例では調整単位１
ＲS 、調整範囲１５ＲS としたが、抵抗値の組合せは必
要に応じて変えてもよい。
抵抗Ｒ5 〜Ｒ7 の抵抗値の比と零点不平衡電圧１ｍＶを
調整するために必要な可変抵抗変化量の関係を図６に示
す。固定抵抗値を大きくするほど零点不平衡電圧を調整
するために必要な可変抵抗変化量は大きくなり、その作
製も容易に形成できる。可変抵抗１８の抵抗値調整法に
ついて図４にて説明する。１８ａ〜１８ｄは抵抗組であ
り、１９ａ〜１９ｅと１９ａ′〜１９ｅ′は切断部位で
ある。抵抗組の抵抗値は１８ａは１ＲS 、１８ｂは２Ｒ
S 、１８ｃは４ＲS 、１８ｄは８ＲS である。切断部位
を適当に選択して切断することにより、可変抵抗１８の
抵抗値を調整範囲１５ＲS 、調整単位１ＲS で任意に変
えることができる。切断部位の切断は、ウェハ状態でＹ
ＡＧレーザ光などで容易に行うことができ、製造上の量
産効果は大きい。なお、この実施例では調整単位１
ＲS 、調整範囲１５ＲS としたが、抵抗値の組合せは必
要に応じて変えてもよい。
【００１９】なお、上記実施例では、少なくとも３個の
固定抵抗１５，１６，１７と少なくとも１個の可変抵抗
１８，１９からなる零点調整回路を、フルブリッジ回路
の２個の入力端子１，３と１個の出力端子４の間に接続
したが、出力端子４に代えて出力端子２に接続してもよ
く、また、フルブリッジ回路の１個の出力端子１と２個
の出力端子２，４に接続してもよく、さらに出力端子１
に代えて出力端子３に接続してもよい。
固定抵抗１５，１６，１７と少なくとも１個の可変抵抗
１８，１９からなる零点調整回路を、フルブリッジ回路
の２個の入力端子１，３と１個の出力端子４の間に接続
したが、出力端子４に代えて出力端子２に接続してもよ
く、また、フルブリッジ回路の１個の出力端子１と２個
の出力端子２，４に接続してもよく、さらに出力端子１
に代えて出力端子３に接続してもよい。
【００２０】
【発明の効果】この発明の半導体圧力変換器によれば、
高精度で零点調整をするための可変抵抗の調整単位を大
きくできるので、可変抵抗の形成が容易である。また、
零点調整回路の合成抵抗値が感圧抵抗の５倍以上と大き
いので、零点調整回路を流れる電流は小さくなり、可変
抵抗の抵抗値を従来より大きく変化させても零点不平衡
電圧の変化は小さいため十分な零点調整精度をもつ。ま
た、各抵抗の抵抗パターンの幅が同じになっているの
で、フォト・エッチング工程で抵抗パターンの幅が設計
値よりずれても各抵抗の抵抗値は相対的にほとんど変わ
らず零点不平衡電圧のバラツキを最小限に抑えることが
できる。さらに、複数の拡散抵抗を配線で接続した抵抗
回路の配線を切断することで可変抵抗の抵抗値を調整で
きるので、ウェハ状態で零点温度補償ができるなど、高
精度かつ極めて容易に零点温度補償を行うことができ
る。
高精度で零点調整をするための可変抵抗の調整単位を大
きくできるので、可変抵抗の形成が容易である。また、
零点調整回路の合成抵抗値が感圧抵抗の５倍以上と大き
いので、零点調整回路を流れる電流は小さくなり、可変
抵抗の抵抗値を従来より大きく変化させても零点不平衡
電圧の変化は小さいため十分な零点調整精度をもつ。ま
た、各抵抗の抵抗パターンの幅が同じになっているの
で、フォト・エッチング工程で抵抗パターンの幅が設計
値よりずれても各抵抗の抵抗値は相対的にほとんど変わ
らず零点不平衡電圧のバラツキを最小限に抑えることが
できる。さらに、複数の拡散抵抗を配線で接続した抵抗
回路の配線を切断することで可変抵抗の抵抗値を調整で
きるので、ウェハ状態で零点温度補償ができるなど、高
精度かつ極めて容易に零点温度補償を行うことができ
る。
【図１】この発明の一実施例の半導体圧力変換器の平面
図である。
図である。
【図２】図１の半導体圧力変換器の断面図である。
【図３】図１の半導体圧力変換器の等価回路図である。
【図４】図１の半導体圧力変換器の可変抵抗の拡大図で
ある。
ある。
【図５】図１の半導体圧力変換器の零点調整例の説明図
である。
である。
【図６】図１の半導体圧力変換器の固定抵抗の抵抗値と
零点不平衡電圧１ｍＶを調整するために必要な可変抵抗
変化量の関係を示す図である。
零点不平衡電圧１ｍＶを調整するために必要な可変抵抗
変化量の関係を示す図である。
【図７】従来の半導体圧力変換器の回路図である。
【図８】図７の半導体圧力変換器の零点不平衡電圧Ｖ0
と零点温度変動ａ0 の関係の一例を示す図である。
と零点温度変動ａ0 の関係の一例を示す図である。
【図９】図７の半導体圧力変換器の入力端子間に電圧
１．５Ｖを印加した場合の、可変抵抗の抵抗値と出力端
子１０２−１０４間の電圧との関係を示す図である。
１．５Ｖを印加した場合の、可変抵抗の抵抗値と出力端
子１０２−１０４間の電圧との関係を示す図である。
１ 正入力端子 ２ 正出力端子 ３ 負入力端子 ４ 負出力端子 １１〜１４ 感圧抵抗 １５〜１７ 固定抵抗 １８，１９ 可変抵抗
Claims (4)
- 【請求項１】 シリコン単結晶基板の中央部に薄肉のダ
イアフラム部を形成し、このダイアフラム部の表面に拡
散抵抗からなる４個の感圧抵抗でフルブリッジ回路を形
成し、前記シリコン単結晶基板の裏面に台座を接着した
半導体圧力変換器であって、 前記シリコン単結晶基板の表面の零歪部に、前記感圧抵
抗とほぼ同じ平均導電率およびほぼ同じ抵抗温度特性を
有する拡散抵抗で構成される少なくとも３個の固定抵抗
と少なくとも１個の可変抵抗からなる零点調整回路を、
前記フルブリッジ回路の２個の入力端子と１個の出力端
子または１個の入力端子と２個の出力端子に接続したこ
とを特徴とする半導体圧力変換器。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体圧力変換器におい
て、零点調整回路を構成する各固定抵抗の抵抗値を、フ
ルブリッジ回路を形成する感圧抵抗の抵抗値の５倍以上
の大きさに定めた半導体圧力変換器。 - 【請求項３】 請求項１記載の半導体圧力変換器におい
て、零点調整回路を構成する可変抵抗が、抵抗値の異な
る複数の拡散抵抗を接続して組み合わせた抵抗回路から
なり、その接続部の切断により可変抵抗の抵抗値を調整
可能とした半導体圧力変換器。 - 【請求項４】 請求項１記載の半導体圧力変換器におい
て、感圧抵抗，固定抵抗および可変抵抗の抵抗パターン
の幅を同一とした半導体圧力変換器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5342493A JPH06265427A (ja) | 1993-03-15 | 1993-03-15 | 半導体圧力変換器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5342493A JPH06265427A (ja) | 1993-03-15 | 1993-03-15 | 半導体圧力変換器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06265427A true JPH06265427A (ja) | 1994-09-22 |
Family
ID=12942462
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5342493A Pending JPH06265427A (ja) | 1993-03-15 | 1993-03-15 | 半導体圧力変換器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06265427A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000515623A (ja) * | 1995-12-04 | 2000-11-21 | ソシエテ・ナシオナル・デテユード・エ・ドウ・コンストリユクシオン・ドウ・モトール・ダヴイアシオン、“エス．エヌ．ウ．セ．エム．アー．” | ブリッジの主抵抗間の温度勾配を補正するホイーストンブリッジ及びひずみゲージを有する圧力センサにおけるその適用 |
| JP2002524020A (ja) * | 1996-09-27 | 2002-07-30 | ハネウエル・インコーポレーテッド | 抵抗ブリッジ用補償技術 |
| JP2002373991A (ja) * | 2001-01-31 | 2002-12-26 | Denso Corp | 半導体力学量センサ |
| JP2009156658A (ja) * | 2007-12-26 | 2009-07-16 | Renesas Technology Corp | 半導体圧力センサ装置、データ処理装置、血圧計、掃除機及び気圧計 |
-
1993
- 1993-03-15 JP JP5342493A patent/JPH06265427A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000515623A (ja) * | 1995-12-04 | 2000-11-21 | ソシエテ・ナシオナル・デテユード・エ・ドウ・コンストリユクシオン・ドウ・モトール・ダヴイアシオン、“エス．エヌ．ウ．セ．エム．アー．” | ブリッジの主抵抗間の温度勾配を補正するホイーストンブリッジ及びひずみゲージを有する圧力センサにおけるその適用 |
| JP2002524020A (ja) * | 1996-09-27 | 2002-07-30 | ハネウエル・インコーポレーテッド | 抵抗ブリッジ用補償技術 |
| JP2002373991A (ja) * | 2001-01-31 | 2002-12-26 | Denso Corp | 半導体力学量センサ |
| JP2009156658A (ja) * | 2007-12-26 | 2009-07-16 | Renesas Technology Corp | 半導体圧力センサ装置、データ処理装置、血圧計、掃除機及び気圧計 |
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