JP2733136B2 - 半導体圧力センサ - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は半導体圧力センサのチップパターンに関す
るものである。

〔従来の技術〕

第４図は従来の半導体圧力センサのチップパターンの
一部を示す上面図であり、図において、（１）は裏面に
形成され圧力を応力に変換するダイヤフラム、（２）は
応力によって抵抗値が変化する歪ゲージ抵抗、（３）は
４本の歪ゲージ抵抗（２）をブリッジ状に構成する配線
部の不純物拡散層、（４）はコンタクトホール、（５）
は外部へつながるAl配線である。

次に動作について説明する。ダイヤフラム（１）上の
４本の歪ゲージ抵抗（２）を、不純物拡散層（３）を配
線部に用いてブリッジを構成する。

次いでダイヤフラム（１）に加わる圧力が応力に変換
され、歪ゲージ抵抗（２）の抵抗値が応力によりブリッ
ジの差電圧として出力される。

このときダイヤフラム（１）に加わる。圧力に応じた
差電圧が出力される。

〔発明が解決しようとする課題〕

従来の半導体圧力センサは以上のように構成されてい
るので、不純物拡散層は不純物濃度が高くなければなら
ず、結晶欠陥が発生しやすいなどの問題点があった。

この発明は上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、不純物拡散層の結晶欠陥を低減した半導体
圧力センサを得ることを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

この発明に係る半導体圧力センサは、不純物拡散層の
形状を網形にしたものである。

〔作用〕

この発明における不純物拡散層は、形状を網形にした
ことにより不純物を注入しない部分ができるため、不純
物が横方向に拡散され、部分的に不純物濃度が低くな
り、結晶欠陥が低減する。

〔実施例〕

以下、この発明の一実施例を図について説明する。

第１図は半導体圧力センサのチップパターンの一部を
示す上面図である。図において、（１），（２），
（４），（５）は第４図の従来例に示したものと同等で
あるので、説明を省略する。（７）は４本の歪ゲージ抵
抗（２）をブリッジ状に構成する配線部の不純物拡散層
である。

第２図は第１図に示すａ部の拡大上面図であり、
（７）は不純物拡散層である。

第３図は第１図に示すb,bにおける拡散断面斜視図で
あり、（７）は不純物拡散層、（６）は酸化膜である。

次に動作について説明する。ダイヤフラム（１）上の
４本の歪ゲージ抵抗（２）を不純物拡散層（７）を配線
部に用いてブリッジを構成する。

このとき、不純物拡散層（７）の形状を網形にしたこ
とにより、不純物を注入しない部分があるため、不純物
が横方向に拡散され、部分的に不純物濃度が低くなり、
不純物拡散層（７）の結晶欠陥が低減できる。

〔発明の効果〕

以上のように、この発明によれば不純物拡散層の形状
を網形にしたことで、上記不純物拡散層の結晶欠陥が低
減できる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例による半導体圧力センサの
チップパターンの一部を示す上面図、第２図は第１図に
示すａ部の拡大上面図、第３図は第１図に示すｂ部の拡
大断面斜視図、第４図は従来の半導体圧力センサのチッ
プパターンの一部を示す上面図である。 図において、（１）はダイヤフラム、（２）は歪ゲージ
抵抗、（４）はコンタクトホール、（５）はAl配線、
（６）は酸化膜、（７）は不純物拡散層である。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】圧力を応力に変換するダイヤフラムを有
   し、上記ダイヤフラム上に応力を受けることにより抵抗
   値が変化する４本の歪ゲージ抵抗を設け、上記歪ゲージ
   抵抗をブリッジ状に構成する配線部に不純物拡散層を用
   いた半導体圧力センサにおいて、上記不純物拡散層の形
   状を網形にしたことを特徴とする半導体圧力センサ。