JP2002524020A - 抵抗ブリッジ用補償技術 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 ブリッジ回路のスパン補償が、受動的な抵抗素子のみを使用して温度の広い範囲にわたって提供される。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の背景 本発明は、集積回路ダイ上に形成された集積感知装置に関する。このような装 置の一例は、片面に形成されたキャビティ、および反対面に形成されたブリッジ 構成に接続されたピエゾ抵抗体を有する、シリコンをベースとする圧力感知装置 である。本発明は圧力感知装置に関して説明するが、本発明は他の用途も有する ことを理解されたい。このような圧力感知装置は一般的にゼロセット（ｎｕｌｌ ｓｅｔ）、ゼロ補償、スパンセット（ｓｐａｎ ｓｅｔ）およびスパン補償の ための調整を行う手段を必要とする。本発明はスパン補償調整を対象としている 。圧力感知装置のスパンは、所与のフルスケール動作範囲に対応するセンサ出力 パラメータのために指定された値の範囲、例えばスパンは０から１０ｐｓｉの入 力圧に対して、１０ＶＤＣ電源を用いて０から１００ミリボルトが可能である。 多くの用途、例えばエンジン試験では、圧力センサが温度の広い範囲、例えば２ ００度にわたって正確に動作することを必要とする。一般的なピエゾ抵抗ブリッ ジは、大きな抵抗温度係数（ＴＣＲ）を有し、圧力に対する感度が温度変化に伴 って変化するので、ある温度範囲にわたってブリッジを補償するいくつかの手段 を使用しなければならない。従来、ブリッジに関連する増幅器の利得は、温度変 化を補償するために変化していた。したがって、受動的な抵抗素子のみを用いて 温度の広い範囲にわたって、ブリッジ回路または他のアクティブな回路網のため のスパン補償を行う必要性が存在する。 発明の概要 本発明は、第１の態様において、ピエゾ抵抗ブリッジ構成の大きさを減らし、 ピエゾ抵抗ブリッジ構成のスパンシフト特性を調整させる技術を提供することで 、これらおよび他の必要性を解決する。第２の態様において、本発明はブリッジ 構成と直列な抵抗体の、選択的に構成された回路網を置くことでスパン補償を行 う 技術を提供する。 図面の簡単な説明 第１図は、本発明のブロック図および簡易化した概略図である。 第２図は、第１図の回路の一部の集積回路レイアウト図である。 第３図から第７図までは、本発明のある関係のグラフを示す図である。 第８図は、本発明の一実施形態の集積回路レイアウト図である。 発明の詳細な説明 圧力センサブリッジ構成の簡易化した配線図が第１図に示されている。出力３ ０および３２を有するよく知られたブリッジ構成２９に接続された、ピエゾ抵抗 体２２、２４、２６および２８を含んでいる。ゼロセットとゼロ補償網３４、３ ６もまたスパンセットとスパン補償網３８、４０と同様に示されている。励起電 圧は４２であり、４３は接地である。 第２図は、第１図の部分２５の集積回路レイアウトの詳細を示す。隔膜４４上 に形成された半径方向の抵抗体２２ａおよび接線方向の抵抗体２４ａはそれぞれ 抵抗体２２および抵抗体２４に対応する。 抵抗体２２ａおよび２４ａはよく知られた注入技術によって形成されたピエゾ 抵抗体である。注入量は高ＴＣＲおよびシート抵抗率をもつように選択される。 高濃度注入領域４５、４６および４８は、抵抗２２ａおよび２４ａから金属化部 ５０、５２および５４への低抵抗接続を行う。第２図の端子３０ａは第１図の３ ０に相当する。スパン補償網６０は、端子６２およびスパンセット網６４と直列 に接続され、スパンセット網６４は高濃度注入領域４５を通して抵抗２２ａに金 属化部５０で接続される。端子６１は回路網６０および回路網６４の間にある。 スパン補償網６０は、きわめて低い温度係数、例えば並列接続されたクロム・シ リコン抵抗体を有する抵抗体のグループ７０、およびピエゾ抵抗体２２ａおよび ２４ａに似たＴＣＲを有し、注入され、並列に接続された抵抗体のグループ８０ を含む。 抵抗体のグループ７０および抵抗体のグループ８０は端子６２およひ端子６１ の間に並列に接続される。グループ８０の抵抗すべては最初には接続されており 、 ほぼ所望の抵抗を与えるように接続リンクを開くことで選択的に切断される。グ ループ７０の抵抗すべても最初には接続されており、端子６２および端子６１の 間のより正確な所望の抵抗を与えるように接続リンクを開くことで選択的に切断 される。 さて本発明の動作を説明する。スパン補償は、所定の圧力に対して、温度が変 化しても端子３０と３２との間の出力電圧を一定に維持するように行う。ブリッ ジ２９は、温度の増大に伴って抵抗を増加するか、または正勾配をもつかなり大 きなＴＣＲを有する。ブリッジ２９の圧力感度は温度の増加とともに減少する、 すなわち負勾配をもつ。スパン補償なしで、最初にスパンをセットする際にブリ ッジに直列にゼロＴＣＲの抵抗を接続したと仮定すると、直列に接続した抵抗の ＴＣＲに比べてブリッジＴＣＲが大きいことにより、ブリッジの電圧は温度の増 加とともに増加し、出力電圧もまた増加する。これは、高温での、ブリッジとス パンセット抵抗体の組み合わせ間の全電圧降下の大きな部分を与えるブリッジに よる。温度の関数としてのスパン変化は非直線である。ブリッジ２９の感受性、 すなわち、所定の圧力変化に対する半径方向および接線方向の抵抗素子の変化は 温度の関数として一定でない。本発明は抵抗対温度の非直線関数および圧力感度 （スパン）対温度の非直線関数をいかに補償するかに関係する。 本発明は、フルスケール出力電圧要求が一般的に電源電圧の１パーセントであ るシリコン・ピエゾ抵抗センサの温度の関数として、いかに受動的に非直線圧力 感度（スパン）特性を補償するかに関係する。例えば、１０ボルトＤＣ励起に対 して１００ミリボルトＤＣ出力。本明細書に記載するシリコンをベースにしたセ ンサの圧力感度は、電源電圧の２．５％から４％まで良好な直線性をもつフルス ケールの出力を実現することができる。したがって、電源電圧の１％のフルスケ ール出力を出すために、圧力ブリッジは励起電圧の２５％から４０％のみが必要 である。例えば、１０ボルトＤＣ電源電圧で１００ミリボルトＤＣ出力。電源電 圧の残り６０％から７５％は次いで温度に関して圧力ブリッジの受動的なスパン 補償を行うために使用できる。 この発明に具体化されたスパン補償機構は２つの部分からなる。 第１に、センサ・ブリッジのスパンシフト特性が大きさを縮小し、２５℃（１ ／スパンとして規定）に正規化されたスパンシフト関数の逆数が、同じ極性と、 温度（２５℃に正規化する）に対してセンサ・ブリッジ抵抗と同じ曲線をもつよ うに再整形される。 第３図、第５図、第６図及び第７図において、低濃度にドープしたセンサ要素 はブリッジ抵抗の６６％に等しく、高濃度にドープしたリードアウト抵抗はブリ ッジ抵抗の２８．３％に等しく、ゼロセットとゼロ補償網はブリッジ抵抗の５． ７％に等しい。 この特徴は第３図に図示され、この図は、本発明によって具体化される圧力ブ リッジ設計のスパンシフトを、１００％のピエゾ抵抗ブリッジの、よく知られた 固有のスパンシフト特性と比較する。カストマイズされた設計は極端な低温でほ ぼ３のファクタによる、および極端な高温でほぼ２のファクタによるスパンシフ トの減少をもたらす。 カストマイズされたスパンシフトは、つぎの方法で圧力ブリッジを構成するこ とによって得られる温度の関数として第３図に表した。 １．ピエゾ抵抗センサ要素２２ａおよび２４ａは、低濃度にドープされ、高Ｔ ＣＲ、イオン注入抵抗体であり、その大きさはこの例の全ブリッジ抵抗の６６％ に等しい。この例のシート抵抗率は１７００Ω／□（ｏｈｍｓ／ｓｑｕａｒｅ） である。温度の関数としてのこれらの要素の抵抗特性は第４図に表される。 ２．リードアウト抵抗４５、４６および４８は、高濃度にドープされ、低いＴ ＣＲの、イオン注入要素であり、この例では組み合わせた大きさが２８．３％に 等しい。この例のシート抵抗率は１２００Ω／□である。温度の関数としてのこ れらの要素の抵抗特性もまた第４図に表されている。 ３．ゼロセットとゼロ補償網３４、３６はブリッジ抵抗の残り５．７％からな る。これらの回路網は主としてレーザでトリム可能なＣｒＳｉ薄膜抵抗（ＴＦＲ ）からなり、ほぼゼロのＴＣＲ特性をもつ。 その結果得られる、温度（２５℃に正規化する）の関数としてのブリッジ抵抗 を、１７００Ω／□の低濃度注入および１２０Ω／□の高濃度注入の温度特性と ともに、第５図に示す。 第６図は温度（２５℃に正規化した）の関数としてのスパンおよびチャートに １／スパンとして示された温度の関数としての、正規化されたスパンの逆数の直 接比較を表す。温度の関数としての１／スパンの特性は、カストマイズされて構 成されたブリッジのスパンシフト特性を十分に補償することを必要とするとき、 温度の関数としてのブリッジ電圧（Ｖブリッジ）の正確な特性を規定する。温度 の関数としての１／スパン特性は、第７図に表されたブリッジ抵抗特性と同じ極 性（温度上昇とともに増加する）および似た曲線（温度上昇とともに増加する） になる。温度の関数としてのブリッジ抵抗の勾配は、カストマイズされたセンサ ブリッジのスパン補償に必要とされるものよりずっと大きい（この例でほぼ３倍 ）。 本発明の第２の部分を次に説明する。第２の部分は第１図に示されたスパンセ ットとスパン補償網３８、４０を具体化する。第２図において、スパン補償網６ ０およびスパンセット網６４が示される。スパンセット網６４はほぼゼロのＴＣ Ｒのレーザ・トリム可能な薄膜抵抗網からなる。スパン補償網６０は、薄膜抵抗 網７０からなり、この例では第５図に示された１７００Ω／□の温度特性をもつ 低濃度にドープした高ＴＣＲイオン注入抵抗体８０と並列になっている。ウエハ の製造中、注入抵抗体８０はピエゾ抵抗体２２ａおよび２４ａと同時に処理され る。スパン補償網６０は回路網６０のＴＣＲ特性を制御する。例えば、部分７０ において連結をトリムすると（抵抗を増加すると）、同時に直列抵抗および回路 網６０のＴＣＲが増加する。直列抵抗のＴＣＲのこの増加は、次にブリッジ電圧 の大きさおよび温度に対するその感度の両方を減らす。 スパンセット網６４とスパン補償網６０のトリムされた最後の値が同時に次の ものを与える。 １）必要なフルスケール出力電圧、例えば３．３３３ボルトＤＣのブリッジ電 圧で１００ミリボルト出力を与えることを必要とするブリッジ励起電圧。 ２）十分にスパン補償したセンサである、第７図に表された温度特性に一致す る温度の関数としてのブリッジ電圧。 上記の部分１および２で述べた本発明は、−５５℃から１５０℃の温度範囲に わたりプラスまたはマイナス０．５％のフルスケールまたはそれ以上の補償を行 う。最高２００℃までの温度および追加のスパン補償用に、薄膜抵抗トリム網と 並列に第５図の１２００Ω／□注入を使用する回路網を実現することができる。 このインプラントのＴＣＲは２５℃から両方向で正方向に行き、高温で増加する 補償および低温で減少する補償を行い、スパン補償に適合したより良好な曲線が 与えられる可能性がある。 第８図は本発明の実施形態を図示し、そこでは本発明による２つの完全に独立 な抵抗ブリッジ構成８２および８４が、単一の隔膜を有する単一の集積回路ダイ に形成される。これは、完全に独立な電気的な余分な部分を、２つの分離された 回路ダイを用いるよりも、低いコスト、少ないスペースおよび少ない重量で提供 できる。ＳＯＩで製造されるとき、回路は完全に電気的に、導電手段と接触する ことができるダイの後部から絶縁される。 加えて、本発明は、類似のΔＲ／Ｒの圧力感度をもつ以前の従来の設計を超え て、この設計の圧力直線性を著しく改良する特性を含む。シリコンチップのアク ティブ側に真空基準（ｖａｃｕｕｍ ｒｅｆｅｒｅｎｃｅ）をもつ実際のセンサ としてパッケージされるとき、圧力手段はセンサの後部またはキャビティ側に加 えられる。この圧力センサの性能を、同じ方法でパッケージされる他のシリコン センサと比較することは、類似のΔＲ／Ｒの感受性をもつ他のセンサと比較され るときに、圧力直線性誤差が１０分の一以下に減らされることを明らかにする。 この改良された圧力直線性はつぎの要素の組み合わせにあると思われる。 １）一定電圧で動作しないブリッジの圧力直線性は、接線成分のΔＲ／Ｒが径 方向成分のΔＲ／Ｒに等しくなるように設計しないことで、改良できる。この不 等性は圧力で変化するブリッジの抵抗となり、次に圧力で変化するブリッジ電圧 降下となる。圧力の印加に伴うブリッジ電圧の増加または減少は直線性補償を達 成するように使用できる。接線方向成分および径方向成分のΔＲ／Ｒはリードア ウト抵抗の形状およびピエゾ抵抗素子の位置のため等しくない。したがって、直 線性の改良は小さく行われる。 ２）この設計は、正方形の注入抵抗のほぼ１／３のみを使用するピエゾ抵抗素 子を特徴とする。これは、素子の幾何的配置が長さの３倍広いことを意味する。 このユニークな形状は多分、長く伸ばされたおよび曲がりくねって構成された、 幅よりもずっと長いパターンほど、円形の隔膜に起こる非線形ストレスに影響さ れない。 ３）このセンサの設計の別の特徴は、それがＳＯＩセンサであり、イオン注入 抵抗素子が、バルク・シリコンを使用する注入抵抗の場合のように、シリコン中 にもはや埋め込まれないことを意味することである。このＳＯＩセンサ用に、注 入要素は絶縁層によって分離されるシリコン隔膜の上面に製造される。この構造 はしたがって機械的に異なり、また従来の隔膜設計の非線形ストレス部分に影響 されなくもできる。 図に示された曲線は実際のテスト・データ点を表さず、テスト・データに適合 した三次多項式を表す。 本発明は絶縁（ＳＯＩ）構造にシリコンを用いて開発されたが、ＳＯＩに限定 されず、バルク・シリコン構造に存在する接合効果を考慮するときバルク・シリ コン上に使用できる。 本発明の範囲は前述の記述ではなく、添付の請求の範囲によって制限される。

【手続補正書】特許法第１８４条の８第１項 【提出日】平成１０年１０月２６日（１９９８．１０．２６） 【補正内容】 【発明の詳細な説明】 発明の背景 本発明は、集積回路ダイ上に形成された集積感知装置に関する。このような装 置の一例は、片面に形成されたキャビティ、および反対面に形成されたブリッジ 構成に接続されたピエゾ抵抗体を有する、シリコンをベースとする圧力感知装置 である。本発明は圧力感知装置に関して説明するが、本発明は他の用途も有する ことを理解されたい。このような圧力感知装置は一般的にゼロセット（ｎｕｌｌ ｓｅｔ）、ゼロ補償、スパンセット（ｓｐａｎ ｓｅｔ）およびスパン補償の ための調整を行う手段を必要とする。本発明はスパン補償調整を対象としている 。圧力感知装置のスパンは、所与のフルスケール動作範囲に対応するセンサ出力 パラメータのために指定された値の範囲、例えばスパンは０から１０ｐｓｉの入 力圧に対して、１０ＶＤＣ電源を用いて０から１００ミリボルトが可能である。 多くの用途、例えばエンジン試験では、圧力センサが温度の広い範囲、例えば２ ００度にわたって正確に動作することを必要とする。一般的なピエゾ抵抗ブリッ ジは、大きな抵抗温度係数（ＴＣＲ）を有し、圧力に対する感度が温度変化に伴 って変化するので、ある温度範囲にわたってブリッジを補償するいくつかの手段 を使用しなければならない。 米国特許第４，７８８，５２１号は、周囲温度の範囲でゼロ圧力でゼロ・ボル ト出力が得られるようにトリムできる、慎重に選択された抵抗温度係数（ＴＣＲ ）を有する抵抗体を使用した温度補償機構を開示している。この特許はまた圧力 ブリッジと直列に置かれた、慎重に選択された温度係数を有する抵抗体の使用方 法も説明する。 米国特許第４，４６３，２７４号は、第１のサーミスタと第２のサーミスタを 利用して、圧力変換器から信号で結合された第１信号と第２信号を与える温度補 償回路を記載している。 米国特許第５，１４６，７８８号は、温度補償技術を記載している。圧力変換 器の出力が、さまざまな温度および圧力に対して一定の圧力および温度の条件の もとで測定され、抵抗の温度係数、オフセットの温度係数および感受性の温度係 数が計算される。これらの係数は補償網の抵抗体を選択するように使用される。 従来、ブリッジに関連する増幅器の利得は、温度変化を補償するために変化し ていた。したがって、受動的な抵抗素子のみを用いて温度の広い範囲にわたって 、ブリッジ回路または他のアクティブな回路網のためのスパン補償を行う必要性 が存在する。 発明の概要 本発明は、第１の態様において、ピエゾ抵抗ブリッジ構成の大きさを減らし、 ピエゾ抵抗ブリッジ構成のスパンシフト特性を調整させる技術を提供することで 、これらおよび他の必要性を解決する。第２の態様において、本発明はブリッジ 構成と直列な抵抗体の、選択的に構成された回路網を置くことでスパン補償を行 う技術を提供する。 図面の簡単な説明 第１図は、本発明のブロック図および簡易化した概略図である。 第２図は、第１図の回路の一部の集積回路レイアウト図である。 第３図から第７図までは、本発明のある関係のグラフを示す図である。 第８図は、本発明の一実施形態の集積回路レイアウト図である。 発明の詳細な説明 圧力センサブリッジ構成の簡易化した配線図が第１図に示されている。出力３ ０および３２を有するよく知られたブリッジ構成２９に接続された、ピエゾ抵抗 体２２、２４、２６および２８を含んでいる。ゼロセットとゼロ補償網３４、３ ６もまたスパンセットとスパン補償網３８、４０と同様に示されている。励起電 圧は４２であり、４３は接地である。 【特許請求の範囲】 １．第１の抵抗温度係数（ＴＣＲ）を有する第１の複数のピエゾ抵抗体（２２ａ 、２４ａ）と、 前記ブリッジ回路に第１の電圧を印加する手段とを備え、 前記ブリッジ回路が出力（３０、３２）を有する温度補償した圧力ブリッジ回 路であって、 第２の複数のピエゾ抵抗体（４５、４６、４８）が、前記第１のＴＣＲよりも 実質的に低い第２のＴＣＲを有し、前記第１の複数のピエゾ抵抗体と相互接続し て前記ブリッジ内でリードアウト抵抗体を形成し、前記第１の複数のピエゾ抵抗 体が前記ブリッジ回路の全抵抗の第１の部分に相当し、前記第２の複数のピエゾ 抵抗体が前記ブリッジ回路の前記全抵抗の第２の部分に相当し、前記第１の部分 と前記第２の部分の相対抵抗が周囲温度の関数として前記ブリッジ回路の第１の 圧力感度補償を行うように選択されることを特徴とする温度補償圧力ブリッジ回 路。 ２．前記ブリッジ回路のスパンシフト特性が、第１のＴＣＲを有するピエゾ抵抗 体のみで構成されるブリッジ回路のスパンシフトより実質的に小さい請求項１に 記載の温度補償圧力センサ・ブリッジ回路。 ３．前記ブリッジ回路が、周囲温度の関数としてのスパンシフト特性を有し、前 記スパンシフト特性の逆関数が、前記スパンシフト特性を完全に補償するブリッ ジ電圧の特性に相当する請求項２に記載の温度補償した圧力ブリッジ回路。 ４．前記ブリッジ回路が絶縁体ウエハ上のシリコン内に形成される請求項３に記 載の温度補償圧力ブリッジ回路。 ５．大きさおよびＴＣＲを有する調整可能な抵抗網（６０、６４）をさらに備え 、前記抵抗網が前記ブリッジと直列に接続され、前記大きさが前記第２の電圧の 所望のフルスケール値を設定するように選択される請求項１に記載の温度補償圧 力センサ・ブリッジ回路。 ６．前記調整可能な抵抗網（６０、６４）の前記ＴＣＲが、前記ブリッジの電圧 変化によって前記ブリッジ回路の第２の圧力感度補償が行われるように選択され る請求項５に記載の温度補償した圧力センサ・ブリッジ回路。 ７．前記調整可能な抵抗網（６０）が、前記第１の複数のピエゾ抵抗体のＴＣＲ に匹敵するＴＣＲを有する第３の複数の抵抗体（７０）と、ほぼゼロのＴＣＲを 有する第４の複数の抵抗体（８０）とを備える請求項６記載の温度補償圧力セン サ・ブリッジ回路。 ８．前記第１の複数のピエゾ抵抗体（２２ａ、２４ａ）がある幅と長さを有し、 前記幅が前記長さより実質的に大きい請求項１に記載の温度補償圧力センサ・ブ リッジ回路。 ９．前記ブリッジ回路がホィートストンブリッジであり、さらに前記ホィートス トンブリッジ回路内で接続されたゼロセットとゼロ補償網（３４、３６）を備え る請求項８に記載の温度補償圧力センサ・ブリッジ回路。 １０．冗長性を与えかつサイズと重さを減らすため、単一の半導体ダイ上に形成 された第２の同じ温度補償圧力センサ・ブリッジ回路をさらに備える請求項８に 記載の温度補償圧力センサ・ブリッジ回路。 １１．前記ブリッジ回路が絶縁体ダイ上のシリコン上に形成される請求項１０に 記載の温度補償圧力ブリッジ回路。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．成形されたスパンシフト特性を有し、出力を有する、ブリッジ構成で相互接 続された複数のピエゾ抵抗体と、 前記ブリッジ構成と直列に接続された第１の抵抗網と、 前記ブリッジ構成および前記抵抗網の直列の組み合わせの両端間に第１の電圧 を印加する手段とを備え、 前記抵抗網が少なくとも第１の抵抗体および第２の抵抗体を有し、前記第１の 抵抗体が前記ピエゾ抵抗体の抵抗温度係数（ＴＣＲ）に等しいＴＣＲを有し、前 記第２の抵抗体が前記第１の抵抗の前記ＴＣＲより実質的に低いＴＣＲを有し、 前記第１の抵抗体の値と前記第２の抵抗体の値が、周囲温度が第１の温度値と第 ２の温度値との間で変化するとき、前記出力での第２の電圧を実質的に一定のま まにするように、前記成形されたスパンシフト特性に関係付けられる、温度補償 ブリッジ集積回路。 ２．第１の抵抗温度係数（ＴＣＲ）を有する第１の複数のピエゾ抵抗体と、 第２のＴＣＲを有する第２の複数のピエゾ抵抗体とを備え、前記第１および前 記第２の複数のピエゾ抵抗体ブリッジに相互接続され、 前記第１のＴＣＲが実質的に前記第２のＴＣＲよりも高く、 前記ブリッジが出力を有し、 さらに、第１の電圧を前記ブリッジに印加する手段を備え、 前記第１の複数のピエゾ抵抗体が前記ブリッジの全抵抗の第１の部分に相当し 、前記第２の複数のピエゾ抵抗体が前記全抵抗の第２の部分に相当し、前記第１ の部分および前記第２の部分の相対抵抗が前記ブリッジのスパンの第１の温度補 償を行うように選択され、前記ブリッジの温度が第１の温度値と第２の温度値の 間で変化するとき、前記出力での第２の電圧が実質的に一定のままになる温度補 償ブリッジ回路。 ３．大きさおよびＴＣＲを有する調整可能な抵抗網をさらに備え、前記抵抗網が 前記ブリッジと直列に接続され、前記大きさが前記第２の電圧の所望のフルスケ ール値を設定するように選択される請求項２に記載の温度補償ブリッジ回路。 ４．前記ＴＣＲが、前記ブリッジの電圧変化によって前記ブリッジの前記スパン の第２の温度補償が行われるように選択される請求項３記載の温度補償ブリッジ 回路。 ５．前記調整可能な抵抗網が、前記第１の複数のＴＣＲに匹敵するＴＣＲを有す る第３の複数の抵抗体と、ほぼゼロのＴＣＲを有する第４の複数の抵抗体とを備 える請求項４に記載の温度補償ブリッジ回路。 ６．前記抵抗が正規化された温度で正規化されるとき、温度上昇に伴って増加す る第１の抵抗特性を有する第１の複数のピエゾ抵抗体と、 前記正規化された温度よりも低い温度の関数として減少し、前記正規化された 温度よりも高い温度の関数として増加する第２の抵抗特性を有する第２の複数の ピエゾ抵抗体とを備え、 前記第１の複数のピエゾ抵抗体が前記第２の複数のピエゾ抵抗体の抵抗温度係 数（ＴＣＲ）よりも実質的に大きいＴＣＲを有し、 前記第１および前記第２の複数のピエゾ抵抗体がブリッジに相互接続され、前 記第１の複数のピエゾ抵抗体抵抗と前記第２の複数のピエゾ抵抗体抵抗の比が、 前記周囲温度が第１の温度値から第２の温度値に変化するとき、所望の量の前記 温度補償を行うように選択される温度補償ブリッジ回路。 ７．ある大きさとＴＣＲを有する調整可能な抵抗網を備え、前記抵抗網が前記ブ リッジと直列に接続され、前記大きさが前記第２の電圧の所望のフルスケール値 を設定するように選択される請求項６に記載の温度補償ブリッジ回路。 ８．前記ＴＣＲが、前記ブリッジの電圧変化によって前記ブリッジの前記スパン の第２の温度補償が行われるように選択される請求項７に記載の温度補償ブリッ ジ回路。 ９．前記調整可能な抵抗網が、前記第１の複数のＴＣＲに匹敵するＴＣＲを有す る第３の複数の抵抗体と、ほぼゼロのＴＣＲを有する第４の複数の抵抗体とを備 える請求項８に記載の温度補償ブリッジ回路。