JPH02311729A - 薄膜型圧力センサ - Google Patents
薄膜型圧力センサInfo
- Publication number
- JPH02311729A JPH02311729A JP13430389A JP13430389A JPH02311729A JP H02311729 A JPH02311729 A JP H02311729A JP 13430389 A JP13430389 A JP 13430389A JP 13430389 A JP13430389 A JP 13430389A JP H02311729 A JPH02311729 A JP H02311729A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode substrate
- thin film
- pressure sensor
- zero point
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 76
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims abstract description 17
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical group [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 12
- 239000010931 gold Substances 0.000 abstract description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 238000007639 printing Methods 0.000 abstract description 5
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- POIUWJQBRNEFGX-XAMSXPGMSA-N cathelicidin Chemical compound C([C@@H](C(=O)N[C@@H](CCCNC(N)=N)C(=O)N[C@@H](CCCCN)C(=O)N[C@@H](CO)C(=O)N[C@@H](CCCCN)C(=O)N[C@@H](CCC(O)=O)C(=O)N[C@@H](CCCCN)C(=O)N[C@@H]([C@@H](C)CC)C(=O)NCC(=O)N[C@@H](CCCCN)C(=O)N[C@@H](CCC(O)=O)C(=O)N[C@@H](CC=1C=CC=CC=1)C(=O)N[C@@H](CCCCN)C(=O)N[C@@H](CCCNC(N)=N)C(=O)N[C@@H]([C@@H](C)CC)C(=O)N[C@@H](C(C)C)C(=O)N[C@@H](CCC(N)=O)C(=O)N[C@@H](CCCNC(N)=N)C(=O)N[C@@H]([C@@H](C)CC)C(=O)N[C@@H](CCCCN)C(=O)N[C@@H](CC(O)=O)C(=O)N[C@@H](CC=1C=CC=CC=1)C(=O)N[C@@H](CC(C)C)C(=O)N[C@@H](CCCNC(N)=N)C(=O)N[C@@H](CC(N)=O)C(=O)N[C@@H](CC(C)C)C(=O)N[C@@H](C(C)C)C(=O)N1[C@@H](CCC1)C(=O)N[C@@H](CCCNC(N)=N)C(=O)N[C@@H]([C@@H](C)O)C(=O)N[C@@H](CCC(O)=O)C(=O)N[C@@H](CO)C(O)=O)NC(=O)[C@H](CC=1C=CC=CC=1)NC(=O)[C@H](CC(O)=O)NC(=O)CNC(=O)[C@H](CC(C)C)NC(=O)[C@@H](N)CC(C)C)C1=CC=CC=C1 POIUWJQBRNEFGX-XAMSXPGMSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は薄膜型圧力センサに関する。更に詳説すれば、
薄膜型半導体歪ゲージを採用した圧力センサにおけるブ
リッジ回路を構成する配線、電極及び信号用ケーブルの
取り出し構成に関する。
薄膜型半導体歪ゲージを採用した圧力センサにおけるブ
リッジ回路を構成する配線、電極及び信号用ケーブルの
取り出し構成に関する。
(従来の技術)
以下薄膜型半導体歪ゲージ(以下単に歪ゲージという)
を用いた従来例の圧力センサについて、第6図、第7図
、第8図、第9図を参照して説明する。
を用いた従来例の圧力センサについて、第6図、第7図
、第8図、第9図を参照して説明する。
ケース2に設けた空洞Cの流体導入口4に近接して断面
はぼコ字状のダイアフラム6(以下単にエレメント6と
いう)を収納する。エレメント6は外周に環状突起部7
を具え、流体導入口4方向へ開口する。流体導入口4と
反対側のエレメント6の上面に4本の薄膜抵抗素子群8
を配設する。
はぼコ字状のダイアフラム6(以下単にエレメント6と
いう)を収納する。エレメント6は外周に環状突起部7
を具え、流体導入口4方向へ開口する。流体導入口4と
反対側のエレメント6の上面に4本の薄膜抵抗素子群8
を配設する。
前記薄膜抵抗素子群8に対面近接して電極基板10を配
設する。電極基板10には後述する金線ポンディングパ
ッド26、リード線接続用パッド28が厚膜印刷焼成に
より形成されている。電極基板10には6個の貫通孔り
が穿設されており、エレメント6上に配設した薄膜抵抗
素子群8a〜8dとそれぞれ接続した金線gl 、g2
*13 *ga 、g5 、g6がこの孔りより
引き出されて、金線ポンディングパッド26にポンディ
ングされる(第7図、第8図、第9図)、又電極基板1
0には前記金線バット群26にリード線のはんだ付け用
パッド群28がそれぞれ連設形成されてなりこれらのパ
ッド群28にそれぞれリード線Ll 。
設する。電極基板10には後述する金線ポンディングパ
ッド26、リード線接続用パッド28が厚膜印刷焼成に
より形成されている。電極基板10には6個の貫通孔り
が穿設されており、エレメント6上に配設した薄膜抵抗
素子群8a〜8dとそれぞれ接続した金線gl 、g2
*13 *ga 、g5 、g6がこの孔りより
引き出されて、金線ポンディングパッド26にポンディ
ングされる(第7図、第8図、第9図)、又電極基板1
0には前記金線バット群26にリード線のはんだ付け用
パッド群28がそれぞれ連設形成されてなりこれらのパ
ッド群28にそれぞれリード線Ll 。
L2 、L3 、Lsがはんだ付け等により接続さ
れる。
れる。
前述の部材は、第8図に図示のように、いわゆるブリッ
ジ回路を構成することは公知である。これらのリード線
群りは計測装置(図示せず)へ導かれる。
ジ回路を構成することは公知である。これらのリード線
群りは計測装置(図示せず)へ導かれる。
又近来圧力センサの小型化に伴い電極基板10には零点
補正のための抵抗14が配設される。尚電極基板10は
エレメント6の外周に嵌挿したりング11によりその一
方が支持されると共に他側面は保護キャップ18におお
われている。
補正のための抵抗14が配設される。尚電極基板10は
エレメント6の外周に嵌挿したりング11によりその一
方が支持されると共に他側面は保護キャップ18におお
われている。
次にエレメント6のケース2への装M状M、について説
明する。
明する。
エレメント6の外周環状突起部7とケース2とで形成す
る空隙に0リング16を介装する。
る空隙に0リング16を介装する。
ケース2の空洞Cの一部電極基板10の側にナツト20
及びワッシャ22を設け、ナラ)20を操作して、ケー
ス空洞Cの内側面に嵌合した環状カラ24を介して、エ
レメント6の環状突起部7を流体導入口4方向へ押圧し
、エレメント環状突起部7を介してOリング16を押圧
して、ケース2の空洞Cの気密性を保持する。
及びワッシャ22を設け、ナラ)20を操作して、ケー
ス空洞Cの内側面に嵌合した環状カラ24を介して、エ
レメント6の環状突起部7を流体導入口4方向へ押圧し
、エレメント環状突起部7を介してOリング16を押圧
して、ケース2の空洞Cの気密性を保持する。
(発明の解決しようとする課題)
以上説明した従来例の圧力センサの電極基板構成におい
ては、近来の圧力センサの小型化に伴い、リード線には
んだ付けを施すための部分が狭くなり、はんだ付け作業
上の自由度が得られず、作業中に金線gを切断したり、
はんだブリッジの不具合が起きる等の問題点があり、従
って作業能率の向上を阻害していた。更に近来圧力セン
サの小型化と高性能化の要求に答えるため、補償抵抗を
ブリッジ回路に挿入せねばならず、益々スペースの不足
や配線の困難性の問題が惹起されるに至っている。
ては、近来の圧力センサの小型化に伴い、リード線には
んだ付けを施すための部分が狭くなり、はんだ付け作業
上の自由度が得られず、作業中に金線gを切断したり、
はんだブリッジの不具合が起きる等の問題点があり、従
って作業能率の向上を阻害していた。更に近来圧力セン
サの小型化と高性能化の要求に答えるため、補償抵抗を
ブリッジ回路に挿入せねばならず、益々スペースの不足
や配線の困難性の問題が惹起されるに至っている。
(課題を解決するための手段)
本発明は前記の問題点を解決することを目的とするもの
で、そのための手段として以下のべる構成を提供する。
で、そのための手段として以下のべる構成を提供する。
すなわち、電極パターンを設けた2枚の電極基板を採用
したもので、そのうち第1の電極基板をエレメントに形
成した薄膜抵抗素子に近接して設け、第2電極基板を前
記第1電極基板と並列に適宜なスペースをおいて配設し
てなり、前記電極基板の接続とリード線のはんだ付け用
パッドとを兼用する複数本のピンを前記電極基板間に架
設したことを特徴とする薄膜型圧力センサである。
したもので、そのうち第1の電極基板をエレメントに形
成した薄膜抵抗素子に近接して設け、第2電極基板を前
記第1電極基板と並列に適宜なスペースをおいて配設し
てなり、前記電極基板の接続とリード線のはんだ付け用
パッドとを兼用する複数本のピンを前記電極基板間に架
設したことを特徴とする薄膜型圧力センサである。
(作 用)
本発明によれば、第1、第2電極基板は材料としてアル
ミナ板等を使用し、厚膜技術等により電極を印刷焼成し
て形成するので量産性に適している。さらに、適宜な間
隔をおいて並列に配設した第1、第2電極基板には、導
体である複数本のピンが架設されており、圧力センサの
小型化と高性能化のために零点補正抵抗や出力及び零点
補償抵抗をブリッジ回路に接続するのに充分のスペース
をとることができる。
ミナ板等を使用し、厚膜技術等により電極を印刷焼成し
て形成するので量産性に適している。さらに、適宜な間
隔をおいて並列に配設した第1、第2電極基板には、導
体である複数本のピンが架設されており、圧力センサの
小型化と高性能化のために零点補正抵抗や出力及び零点
補償抵抗をブリッジ回路に接続するのに充分のスペース
をとることができる。
すなわち、第1、第2電極基板を適宜なスペースをおい
て並列に設けであるから、第1電極基板には金線ポンデ
ィング、第2電極基板にはリード線のはんだ付け作業と
いうように各作業を分けて実施できる。又第1電極基板
には、零点補正抵抗と出力温度補償抵抗を、第2電極基
板には零点補正の微調整用抵抗と零点の温度補償抵抗と
をそれぞれ容易に形成できるから、前述のようにそれぞ
れの作業を区分して効率よ〈実施することができる。
て並列に設けであるから、第1電極基板には金線ポンデ
ィング、第2電極基板にはリード線のはんだ付け作業と
いうように各作業を分けて実施できる。又第1電極基板
には、零点補正抵抗と出力温度補償抵抗を、第2電極基
板には零点補正の微調整用抵抗と零点の温度補償抵抗と
をそれぞれ容易に形成できるから、前述のようにそれぞ
れの作業を区分して効率よ〈実施することができる。
この応用として、零点補正抵抗及び出力や零点の補償抵
抗を厚膜印刷技術を用いて形成することも可能である。
抗を厚膜印刷技術を用いて形成することも可能である。
また厚膜技術を使用しないでプリント基板で第1.第2
基板を構成できる。
基板を構成できる。
更に前記第1、第2電極基板を貫通接続している複数本
のピンにはリード線のはんだ付けが可能で、前記ピンは
リード線のはんだ付けのパッドの役割も兼ねている。
のピンにはリード線のはんだ付けが可能で、前記ピンは
リード線のはんだ付けのパッドの役割も兼ねている。
(実施例)
以下添付図面を参照して本発明に係る薄膜型圧力センサ
の一実施例を説明する。既に従来例の説明において、第
6図乃至第9図に示す符号が本実施例の符号と同一のも
のは、同一の部材を示すものであるから、必要のない場
合にはそれらの説明を省略する0本発明に係る実施例の
概要を以下のべる。
の一実施例を説明する。既に従来例の説明において、第
6図乃至第9図に示す符号が本実施例の符号と同一のも
のは、同一の部材を示すものであるから、必要のない場
合にはそれらの説明を省略する0本発明に係る実施例の
概要を以下のべる。
先ず第1図において、ダイアフラム6(以下単にエレメ
ント6という)の−側に薄膜抵抗素子群8を形成する。
ント6という)の−側に薄膜抵抗素子群8を形成する。
薄膜抵抗素子群8に近接して第1電極基板30とこれに
ほぼ平行に第2電極基板32を配設する。
ほぼ平行に第2電極基板32を配設する。
第1電極基板30には、第2図に図示のように、複数の
貫通孔りを穿設すると共に電極パターンを印刷焼成する
。これらの貫通孔りを貫通した複数の金線g1.g2.
g3.g4.gs、g6が、電極パターン一端部34と
エレメント6に形成した薄膜抵抗素子群8a〜8dとを
それぞれ連結する。電極パターンの他端部に複数のピン
接続部36を設ける。符号38は電極パターンを配設し
た零点補正抵抗、40は出力補償抵抗である。
貫通孔りを穿設すると共に電極パターンを印刷焼成する
。これらの貫通孔りを貫通した複数の金線g1.g2.
g3.g4.gs、g6が、電極パターン一端部34と
エレメント6に形成した薄膜抵抗素子群8a〜8dとを
それぞれ連結する。電極パターンの他端部に複数のピン
接続部36を設ける。符号38は電極パターンを配設し
た零点補正抵抗、40は出力補償抵抗である。
第3図は、第2電極基板32の平面図である。
複数のピン孔部42を第2電極基板32の外周に等間隔
に穿設すると共に前記ピン孔42のほぼ中心に別のピン
接続孔44を穿設する。符号46はほぼ中央に配設した
零点補償抵抗(零点補正抵抗)である。
に穿設すると共に前記ピン孔42のほぼ中心に別のピン
接続孔44を穿設する。符号46はほぼ中央に配設した
零点補償抵抗(零点補正抵抗)である。
以上の構成の第1電極基板30と第2電極基板32を組
立てる場合には、第1電極基板30のピン接続部36に
ピンPの端部をはんだ付けし、更にこれらのピンPI−
P6を第2電極基板32に設けたピン孔42に挿入して
、これらピンを第2電極基板32にはんだ付けして、ピ
ンp、#P6を平行に第1電極基板30と第2電極基板
32との間に架設する。尚又第2電極基板32の中央ピ
ン孔44には別のピンP7をはんだ付けにより立設する
。
立てる場合には、第1電極基板30のピン接続部36に
ピンPの端部をはんだ付けし、更にこれらのピンPI−
P6を第2電極基板32に設けたピン孔42に挿入して
、これらピンを第2電極基板32にはんだ付けして、ピ
ンp、#P6を平行に第1電極基板30と第2電極基板
32との間に架設する。尚又第2電極基板32の中央ピ
ン孔44には別のピンP7をはんだ付けにより立設する
。
前記ピンPi、P2、P3.Pa、Ps、P6.P7は
それぞれリード線L’l〜L4にはんだ付けにより接続
される。従ってこれらのピンは、第1.第2電極基板3
0.32の連結と共にリード線のはんだ付けパッドの役
割もしている。
それぞれリード線L’l〜L4にはんだ付けにより接続
される。従ってこれらのピンは、第1.第2電極基板3
0.32の連結と共にリード線のはんだ付けパッドの役
割もしている。
出力補償抵抗40、零点補正抵抗38、零点補償抵抗(
零点補正抵抗)46は第5図に図示のようにそれぞれ配
設されている。
零点補正抵抗)46は第5図に図示のようにそれぞれ配
設されている。
更に主要部分について以下詳説する。
エレメント6には、第5図の左側の様に配線された4本
の薄膜抵抗素子よりなる歪ゲージ8a。
の薄膜抵抗素子よりなる歪ゲージ8a。
8b、8c、8dが形成されている。これらの歪ゲージ
の抵抗値をあらかじめ測定して零点補正抵抗値と出力の
温度補償の抵抗値を求め、これらの抵抗38.40を第
1電極基板30にリフローまたははんだ付け等で配置す
る。第1電極基板30の複数のピン接続部36にはあら
かじめピンP1〜P6をかしめ及びはんだ付けで植設し
ておく、スペーサー用リング11により第1電極基板3
0をエレメント6に接着し、金*gx−g6のポンディ
ングによって歪ゲージ−8a、8b。
の抵抗値をあらかじめ測定して零点補正抵抗値と出力の
温度補償の抵抗値を求め、これらの抵抗38.40を第
1電極基板30にリフローまたははんだ付け等で配置す
る。第1電極基板30の複数のピン接続部36にはあら
かじめピンP1〜P6をかしめ及びはんだ付けで植設し
ておく、スペーサー用リング11により第1電極基板3
0をエレメント6に接着し、金*gx−g6のポンディ
ングによって歪ゲージ−8a、8b。
8c、8dと第1電極基板30とを結線する。第2電極
基板32を第1電極基板30に重ねて、予め第1電極基
板30に植設したピンP1〜P6を第2電極基板32の
ピン孔42に挿入し、これらのピン群をはんだ付けする
。又第2電極基板32にはあらかじめリフローまたはは
んだ付けにより零点補償抵抗及び零点補正抵抗38が設
置されている。
基板32を第1電極基板30に重ねて、予め第1電極基
板30に植設したピンP1〜P6を第2電極基板32の
ピン孔42に挿入し、これらのピン群をはんだ付けする
。又第2電極基板32にはあらかじめリフローまたはは
んだ付けにより零点補償抵抗及び零点補正抵抗38が設
置されている。
第5図は配線の展開図で、エレメント部、第1電極基板
部、第2電極基板部に区分されている。
部、第2電極基板部に区分されている。
出力補償抵抗40はブリッジのインピーダンス、エレメ
ント6のヤング率の温度特性及び歪ゲージ8の出力の温
度特性により一定であるため、入れ換えの必要がなく第
1電極基板30に配置しである。零点補償抵抗(零点補
正抵抗)46は歪ゲージ8の単体の抵抗温度係数のバラ
ツキや零点補正抵抗38の挿入方向によって入れ換えの
必要があるため、第2電極基板に配置しである。
ント6のヤング率の温度特性及び歪ゲージ8の出力の温
度特性により一定であるため、入れ換えの必要がなく第
1電極基板30に配置しである。零点補償抵抗(零点補
正抵抗)46は歪ゲージ8の単体の抵抗温度係数のバラ
ツキや零点補正抵抗38の挿入方向によって入れ換えの
必要があるため、第2電極基板に配置しである。
本発明は、上記の様な構造よりなるものであり、リード
線群りを2段目の第2電極基板32に突設したピンPの
端部にはんだ付けするので、金線gのポンディング部分
である第1電極基板30の電極パターン端部34と分れ
ているため、金線gを第2電極基板32でカバーし、作
業中金線を切る等不具合がなくなる。またリード線りを
ピンPにはんだ付けするためのスペースが充分にあり作
業性が良く、はんだブリッジも少なくなり量産性の確保
に貢献する。
線群りを2段目の第2電極基板32に突設したピンPの
端部にはんだ付けするので、金線gのポンディング部分
である第1電極基板30の電極パターン端部34と分れ
ているため、金線gを第2電極基板32でカバーし、作
業中金線を切る等不具合がなくなる。またリード線りを
ピンPにはんだ付けするためのスペースが充分にあり作
業性が良く、はんだブリッジも少なくなり量産性の確保
に貢献する。
又、第1、第2電極基板30.32にはアルミナ基板を
用い、電極パターンは導体ペーストを印刷焼成により形
成してあり、耐熱性があると共にチップ抵抗やメルフ抵
抗をリフロー炉を用いて設置することができる。
用い、電極パターンは導体ペーストを印刷焼成により形
成してあり、耐熱性があると共にチップ抵抗やメルフ抵
抗をリフロー炉を用いて設置することができる。
さらに、従来零点補正抵抗38、零点補償抵抗(零点補
正抵抗)46は薄膜抵抗素子部8より10〜20mm(
またはアンプ側に内蔵された場合には数10mm)@れ
て配設されていたが、本発明では2段目の第2電極基板
32の位置(約3mm)で零点の補正及び温度補償が完
了しており、薄膜抵抗素子部8の温度変化に対し、追従
性の良い補償が期待できる。さらにこの構造により補償
が完了しているので従来よりセンサの小型化が可能とな
る。
正抵抗)46は薄膜抵抗素子部8より10〜20mm(
またはアンプ側に内蔵された場合には数10mm)@れ
て配設されていたが、本発明では2段目の第2電極基板
32の位置(約3mm)で零点の補正及び温度補償が完
了しており、薄膜抵抗素子部8の温度変化に対し、追従
性の良い補償が期待できる。さらにこの構造により補償
が完了しているので従来よりセンサの小型化が可能とな
る。
零点は、薄膜抵抗素子8a〜8dの抵抗値のバラツキに
より正または負の両方向にバランスがくずれ、どちらの
方向での補正も可能とする必要があり、第4図に示す様
に零点補正抵抗38の両端X、Yのどちらでもリード線
りを引き出すことができる構造になっている。さらに零
点の温度特性も同様に、薄膜抵抗素子8a〜8dの抵抗
温度係数のバラツキにより、正または負の特性を示す。
より正または負の両方向にバランスがくずれ、どちらの
方向での補正も可能とする必要があり、第4図に示す様
に零点補正抵抗38の両端X、Yのどちらでもリード線
りを引き出すことができる構造になっている。さらに零
点の温度特性も同様に、薄膜抵抗素子8a〜8dの抵抗
温度係数のバラツキにより、正または負の特性を示す。
そのため第1、第2電極基板30.32の配線パターン
とピンPの配置は正、負どちらの特性の場合にも補償可
能となるように配線している。たとえば、第4図、第5
図の様に、零バランスが負で零点補正抵抗38を挿入し
て、Yよりリード線を引き出したときの零点の温度特性
が正の場合、x−Z間に零点の温度補償抵抗を挿入し、
Y−Z間に零点の微調整抵抗を挿入し、Zよりリード線
を引き出すという方法をとる。又逆に負の特性の場合は
、Xよりリード線を引き出す、この補償作業には、充分
なスペースが必要で、且つ配線は煩雑となるものである
けれども、本発明の電極基板の2段構造によりスペース
の確保と配線の煩雑さの改善とに役立つ。
とピンPの配置は正、負どちらの特性の場合にも補償可
能となるように配線している。たとえば、第4図、第5
図の様に、零バランスが負で零点補正抵抗38を挿入し
て、Yよりリード線を引き出したときの零点の温度特性
が正の場合、x−Z間に零点の温度補償抵抗を挿入し、
Y−Z間に零点の微調整抵抗を挿入し、Zよりリード線
を引き出すという方法をとる。又逆に負の特性の場合は
、Xよりリード線を引き出す、この補償作業には、充分
なスペースが必要で、且つ配線は煩雑となるものである
けれども、本発明の電極基板の2段構造によりスペース
の確保と配線の煩雑さの改善とに役立つ。
また、防湿材の充填の場合には第2電極基板32が金線
への樹脂の流入を阻止する役割を兼ねる利点もある。
への樹脂の流入を阻止する役割を兼ねる利点もある。
(発明の効果)
以上詳細に説明したように、本発明によれば、以下に記
載する効果が期待できる。
載する効果が期待できる。
(1)作業性の向上及び作業中の金線切れやはんだ付け
ブリッジ等の不具合の防止。
ブリッジ等の不具合の防止。
(2)補償回路付センサの小型化。
(3)温度変化に対して追従性の良いセンサの獲得。
(0補償抵抗素子設定のための充分なスペースの確保。
第1図乃至第5図は、本発明の実施例を図示するもので
、第1図は本発明に係る圧力センサの断面図、第2図は
第1電極基板の平面図、第3図は第2電極基板の平面図
、第4図はブリッジ回路図、第5図は第4図の回路の分
解配置図。 第6図乃至第8図は従来例の圧力センサを図示するもの
で、第6図は圧力センサの断面図、第7図は電極基板の
平面図、第8図はブリッジ回路図、第9図は第8図の回
路分解配設図。 h・・・貫通孔、gビ〜g6・・・金線、L1〜L4・
・・リード線、P+ −P7 ・・・ピン、2・・・
ケース、6・・・エレメント、8a〜8d・・・薄膜抵
抗素子群、16・・・0リング、20・・・ナツト、2
2・・・ワッシャ、24・・・カラ、30・・・第1電
極基板、32・・・第2電極基板、38・・・零点補正
抵抗、40・・・出力補償抵抗、46・・・零点補償抵
抗(または零点補正抵抗)。 出 願 人 株式会社デルファイ代理人 弁理士
小 林 榮第2図 h・・・貰逅孔 り1〜96・・・食鳥 P+−円・・
・プ/第 3 図 Pり11.じOン 第4図 第5図 L+−L4・・・り仲鏝 第7図 第8図 第9図
、第1図は本発明に係る圧力センサの断面図、第2図は
第1電極基板の平面図、第3図は第2電極基板の平面図
、第4図はブリッジ回路図、第5図は第4図の回路の分
解配置図。 第6図乃至第8図は従来例の圧力センサを図示するもの
で、第6図は圧力センサの断面図、第7図は電極基板の
平面図、第8図はブリッジ回路図、第9図は第8図の回
路分解配設図。 h・・・貫通孔、gビ〜g6・・・金線、L1〜L4・
・・リード線、P+ −P7 ・・・ピン、2・・・
ケース、6・・・エレメント、8a〜8d・・・薄膜抵
抗素子群、16・・・0リング、20・・・ナツト、2
2・・・ワッシャ、24・・・カラ、30・・・第1電
極基板、32・・・第2電極基板、38・・・零点補正
抵抗、40・・・出力補償抵抗、46・・・零点補償抵
抗(または零点補正抵抗)。 出 願 人 株式会社デルファイ代理人 弁理士
小 林 榮第2図 h・・・貰逅孔 り1〜96・・・食鳥 P+−円・・
・プ/第 3 図 Pり11.じOン 第4図 第5図 L+−L4・・・り仲鏝 第7図 第8図 第9図
Claims (3)
- 1.ケース内に収納したダイアフラムの一側に薄膜抵抗
素子を形成し、この抵抗素子に近接して、上面に電極パ
ターンを形成した第1電極基板、第2電極基板とを互い
に適宜なス ペースを置いて並列に配設し、前記電極基板の接続とリ
ード線のはんだ付け用パッドを兼用する複数本のピンを
前記電極基板に架設したことを特徴とする薄膜型圧力セ
ンサ。 - 2.ケース空洞内に収納したダイアフラム環状突起部の
一側に接して環状Oリングを設け、環状突起部の他側に
接して設けたカラ部材をナットとワッシャによりしめつ
けることにより、環状Oリングをカラ部材を介して、ケ
ース空洞内に装着してなる請求項1記載の薄膜型圧力セ
ンサ。 - 3.第1電極基板には、零点補正抵抗と出力温度補償抵
抗を、第2電極基板には、零点補償抵抗の微調整用抵抗
と零点の温度補償抵抗とを設けてなる請求項1記載の薄
膜型圧力センサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13430389A JPH02311729A (ja) | 1989-05-26 | 1989-05-26 | 薄膜型圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13430389A JPH02311729A (ja) | 1989-05-26 | 1989-05-26 | 薄膜型圧力センサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02311729A true JPH02311729A (ja) | 1990-12-27 |
Family
ID=15125136
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13430389A Pending JPH02311729A (ja) | 1989-05-26 | 1989-05-26 | 薄膜型圧力センサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02311729A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002524020A (ja) * | 1996-09-27 | 2002-07-30 | ハネウエル・インコーポレーテッド | 抵抗ブリッジ用補償技術 |
JP2005539240A (ja) * | 2002-09-16 | 2005-12-22 | エンドレス ウント ハウザー ゲーエムベーハー ウント コンパニー コマンディートゲゼルシャフト | 静電容量式圧力センサ |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6243529A (ja) * | 1985-08-21 | 1987-02-25 | Nippon Soken Inc | 半導体圧力変換素子および流体圧力検出器 |
JPS6355371B2 (ja) * | 1983-01-11 | 1988-11-02 | Ishikawajima Harima Jukogyo Kk |
-
1989
- 1989-05-26 JP JP13430389A patent/JPH02311729A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6355371B2 (ja) * | 1983-01-11 | 1988-11-02 | Ishikawajima Harima Jukogyo Kk | |
JPS6243529A (ja) * | 1985-08-21 | 1987-02-25 | Nippon Soken Inc | 半導体圧力変換素子および流体圧力検出器 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002524020A (ja) * | 1996-09-27 | 2002-07-30 | ハネウエル・インコーポレーテッド | 抵抗ブリッジ用補償技術 |
JP2005539240A (ja) * | 2002-09-16 | 2005-12-22 | エンドレス ウント ハウザー ゲーエムベーハー ウント コンパニー コマンディートゲゼルシャフト | 静電容量式圧力センサ |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5092174A (en) | Capacitance accelerometer | |
US8516892B2 (en) | Pressure sensor module and electronic component | |
JPH0770641B2 (ja) | 半導体パッケージ | |
JP2871381B2 (ja) | 圧力センサー | |
JP2019500589A (ja) | センサ構成体およびセンサ構成体を製造するための方法 | |
KR101221372B1 (ko) | 금속 다이아프램을 갖는 압력센서 모듈 패키징 | |
EP0266681B1 (en) | Method of adjusting bridge circuit of semiconductor pressure sensor | |
US6997059B2 (en) | Pressure sensor | |
JP4199867B2 (ja) | 半導体圧力センサ装置 | |
US6564644B1 (en) | High temperature surface mount transducer | |
JPH02311729A (ja) | 薄膜型圧力センサ | |
JP2650236B2 (ja) | Ledアレイ光源の製造方法 | |
US7240558B2 (en) | Pressure sensor | |
US5665914A (en) | Semiconductor acceleration sensor and its fabrication method | |
JPH02223836A (ja) | 厚膜型荷重計 | |
CN109030563B (zh) | 一种气体传感器及其制备方法 | |
JP2005114734A (ja) | 圧力センサ | |
JPH0245721A (ja) | 絶対圧型半導体圧力センサ | |
JPH06307950A (ja) | 歪センサ | |
JP4651763B2 (ja) | 半導体圧力センサ | |
JPH0921715A (ja) | センサ用温度補償回路 | |
JP5580140B2 (ja) | 熱式流量計の製造方法 | |
JPS63191037A (ja) | 半導体圧力センサ | |
JP2582828B2 (ja) | ピングリッドアレイ | |
JPH0566537B2 (ja) |