JPH01261847A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
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- JPH01261847A JPH01261847A JP9051188A JP9051188A JPH01261847A JP H01261847 A JPH01261847 A JP H01261847A JP 9051188 A JP9051188 A JP 9051188A JP 9051188 A JP9051188 A JP 9051188A JP H01261847 A JPH01261847 A JP H01261847A
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体集積回路装置に関し、特にアルミニウム
合金配線を有する半導体集積回路装置に関する。
合金配線を有する半導体集積回路装置に関する。
従来、この種の半導体集積回路装置は、シリコンを１．
０〜２．０層程度添加したアルミニウム合金で配線され
ていた。
０〜２．０層程度添加したアルミニウム合金で配線され
ていた。
上述した従来の半導体集積回路装置はシリコンを添加し
たアルミニウム合金膜の単層膜で配線されているので、
バッジベージＪン膜を形成する際、アルミニウム合金膜
に突起部、いわゆるヒロックが発生し、パッシベーショ
ン膜にクラックが生じ、信頼性上の問題となる。
たアルミニウム合金膜の単層膜で配線されているので、
バッジベージＪン膜を形成する際、アルミニウム合金膜
に突起部、いわゆるヒロックが発生し、パッシベーショ
ン膜にクラックが生じ、信頼性上の問題となる。
また、ポンディングバット部はアルミニウム合金が露出
しているため、組立工程やケースなどから付着した塩素
と水分によりボンディングパット部のアルミニウム合金
が腐食してしまうという欠点も有する。
しているため、組立工程やケースなどから付着した塩素
と水分によりボンディングパット部のアルミニウム合金
が腐食してしまうという欠点も有する。
本発明の半導体集積回路は、アルミニウム合金の一層配
線を採用しているならその一層目のアルミニウム合金配
線がまたアルミニウム合金の多層配線を採用しているな
ら少なくとも最も上層のアルミニウム合金配線が、少な
くともシリコンを含むアルミニウム合金膜と、このアル
ミニウム合金膜上に成長したシリサイド膜とを含んで構
成されている配線層を有している。
線を採用しているならその一層目のアルミニウム合金配
線がまたアルミニウム合金の多層配線を採用しているな
ら少なくとも最も上層のアルミニウム合金配線が、少な
くともシリコンを含むアルミニウム合金膜と、このアル
ミニウム合金膜上に成長したシリサイド膜とを含んで構
成されている配線層を有している。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図に本発明の第１の実施例としてアルミニウム合金
の一層配線を採用した半導体集積回路装置の断面図を示
す。表面がシリコン酸化膜２で表面が覆われたシリコン
基板１上にシリコンを１％添加したアルミニウム・シリ
コン合金３を０．５〜２．０μｍとタングステンシリサ
イド４を０．０５〜０．３μｍの厚さに順次スパッタリ
ング法により被着する。次に通常のりソグラフィ技術を
用いてタングステンシリサイド４とアルミニウム合金３
を連続的にエツチングし、アルミニウム合金配線を形成
後、パッシベーション膜としてリンガラス５をＣＶＤ法
により被着する。
の一層配線を採用した半導体集積回路装置の断面図を示
す。表面がシリコン酸化膜２で表面が覆われたシリコン
基板１上にシリコンを１％添加したアルミニウム・シリ
コン合金３を０．５〜２．０μｍとタングステンシリサ
イド４を０．０５〜０．３μｍの厚さに順次スパッタリ
ング法により被着する。次に通常のりソグラフィ技術を
用いてタングステンシリサイド４とアルミニウム合金３
を連続的にエツチングし、アルミニウム合金配線を形成
後、パッシベーション膜としてリンガラス５をＣＶＤ法
により被着する。
第２図に本発明の第２の実施例としてアルミニウム合金
の２層配線を採用した半導体集積回路装置の断面図を示
す。表面がシリコン酸化膜１２で表面が覆われたシリコ
ン基板１１上にシリコンを１％添加したアルミニウム・
シリコン合金１３で第１層アルミニウム合金配線を形成
する。次に層間絶縁としてプラズマＣＶＤ法によりシリ
コン窒化膜１４を被着後、配線層間をつなぐ部分に選択
的に開口部を形成する。次にシリコンを１％添加したア
ルミニウムシリコン合金１５を０．５〜２．０μｍとモ
リブテンシリサイド１６を０．０５〜０．３μｍの厚さ
に順次スパッタリング法により被着し、通常のリングラ
フィ技術を用いモリブテンシリサイド１６とアルミニウ
ム・シリコン合金１５を連続的にエツチングし、第２層
アルミニウム合金配線を形成後、パッシベーション膜と
してリンガラス１７をＣＶＤ法により被着する。
の２層配線を採用した半導体集積回路装置の断面図を示
す。表面がシリコン酸化膜１２で表面が覆われたシリコ
ン基板１１上にシリコンを１％添加したアルミニウム・
シリコン合金１３で第１層アルミニウム合金配線を形成
する。次に層間絶縁としてプラズマＣＶＤ法によりシリ
コン窒化膜１４を被着後、配線層間をつなぐ部分に選択
的に開口部を形成する。次にシリコンを１％添加したア
ルミニウムシリコン合金１５を０．５〜２．０μｍとモ
リブテンシリサイド１６を０．０５〜０．３μｍの厚さ
に順次スパッタリング法により被着し、通常のリングラ
フィ技術を用いモリブテンシリサイド１６とアルミニウ
ム・シリコン合金１５を連続的にエツチングし、第２層
アルミニウム合金配線を形成後、パッシベーション膜と
してリンガラス１７をＣＶＤ法により被着する。
以上説明したように本発明の半導体集積回路装置は、ア
ルミニウム合金配線の最も上層の配線を少なくともシリ
コンを含むアルミニウム合金と、その上に成長したシリ
サイド膜０．０５〜０．３μｍとで構成することにより
、その後パッシベーション膜をＣＶＤ法により４００℃
程度の高温で被着してもヒロックは全く発生しないとい
う効果がある。
ルミニウム合金配線の最も上層の配線を少なくともシリ
コンを含むアルミニウム合金と、その上に成長したシリ
サイド膜０．０５〜０．３μｍとで構成することにより
、その後パッシベーション膜をＣＶＤ法により４００℃
程度の高温で被着してもヒロックは全く発生しないとい
う効果がある。
さらにボンディングバット部の表面はシリサイド膜であ
り、アルミニウム合金は露出していないため塩素や水分
による腐食も無いという効果も有する。
り、アルミニウム合金は露出していないため塩素や水分
による腐食も無いという効果も有する。
ここで、アルミニウム合金にシリコンを含んでいる方が
望ましいのはシリコンを含まないアルミニウム合金では
４５０℃程度の熱処理あるいは２００℃程度の高温保管
でシリサイド中のシリコンがアルミニウム合金に拡散し
て、シリコンの粒となり、配線の抵抗が高くなってしま
うためである。
望ましいのはシリコンを含まないアルミニウム合金では
４５０℃程度の熱処理あるいは２００℃程度の高温保管
でシリサイド中のシリコンがアルミニウム合金に拡散し
て、シリコンの粒となり、配線の抵抗が高くなってしま
うためである。
また、シリサイド膜が０．０５μｍより薄いと、パッシ
ベーション膜成長時アルミニウム合金に発生するヒロッ
クを完全に抑えることができず、０．３μｍ以上では、
シリサイドの硬度が大きいためポンディングが困難とな
り、本発明の効果が最も大きいシリサイド膜厚は０．０
５〜０．３μｍの範囲内である。
ベーション膜成長時アルミニウム合金に発生するヒロッ
クを完全に抑えることができず、０．３μｍ以上では、
シリサイドの硬度が大きいためポンディングが困難とな
り、本発明の効果が最も大きいシリサイド膜厚は０．０
５〜０．３μｍの範囲内である。
第１図は本発明の第１の実施例の半導体集積回路の断面
図、第２図は、本発明の第２の実施例の断面図である。 １．１１・・・・・・シリコンＪ［，２，１２・・・・
・・シリコン酸化Ｌ ３． １３． １５・・・・・
・アルミニウム・シリコン合金、４・・・・・・タング
ステンシリサイド、５．１７・・・・・・リンガラス、
１４・・・・・・プラズマ窒化膜、１６・・・・・・モ
リブテンシリサイド。 代理人 弁理士 内 原 音
図、第２図は、本発明の第２の実施例の断面図である。 １．１１・・・・・・シリコンＪ［，２，１２・・・・
・・シリコン酸化Ｌ ３． １３． １５・・・・・
・アルミニウム・シリコン合金、４・・・・・・タング
ステンシリサイド、５．１７・・・・・・リンガラス、
１４・・・・・・プラズマ窒化膜、１６・・・・・・モ
リブテンシリサイド。 代理人 弁理士 内 原 音
Claims (1)
- １層あるいは多層のアルミニウム合金配線を有する半導
体集積回路装置において少なくとも最上層の前記アルミ
ニウム合金配線が少なくともＳｉを含むアルミニウム合
金膜と前記アルミニウム合金膜上に成長したシリサイド
膜とを含んで構成されることを特徴とする半導体集積回
路装置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9051188A JPH01261847A (ja) | 1988-04-12 | 1988-04-12 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9051188A JPH01261847A (ja) | 1988-04-12 | 1988-04-12 | 半導体集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01261847A true JPH01261847A (ja) | 1989-10-18 |
Family
ID=14000497
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9051188A Pending JPH01261847A (ja) | 1988-04-12 | 1988-04-12 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01261847A (ja) |
-
1988
- 1988-04-12 JP JP9051188A patent/JPH01261847A/ja active Pending
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