JPH01243345A - Ｘ線イメージ管 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） この発明は、Ｘ線イメージ管とその製造方法に係り、特
に出力蛍光膜の改良に関する。

（従来の技術） 一般に、ｘ４イメージ管は第２図に示すように構成され
、真空外囲器１内の入力側には入力面２が設けられ、出
力側には陽極３及び出力面４が設けられている。更に、
真空外囲器１内の側壁に沿って集束電極５が配設されて
いる。

このようなＸ線イメージ管の出力面４は、従来。

第９図に示すように構成され、真空外囲器１の後部であ
るフェースプレート１１上に出力蛍光膜１２が形成され
、この出力蛍光膜１２上にアルミニウム層１３が施され
ている。

このような出力面４を製造するには、従来１次のような
工程により行なわれている。

■フェースプレート１１上に、スラリー塗布法等により
粒径１乃至３μｓの（Ｚｎ、Ｃｄ）Ｓ　：　Ａｇ蛍光体
を厚さ５乃至１０ｕｍコーティングする。

■ニトロセルロースの被覆を形成する。

■上記ニトロセルロースの被覆上に、厚さ約１０００人
の第１層目のアルミニウム層を蒸着法等により形成する
。

■フェースプレート１１を加熱して、ニトロセルロース
の被覆を分解する０分解したニトロセルロースの被覆は
、第１層目のアルミニウム層の膜を通して蒸発する。

■第１層目のアルミニウム層の上に、厚さ２０００乃至
３０００人の第２層目のアルミニウム層を形成すること
により、第９図のアルミニウム層１３を形成する。

■　蛍光物質の発光のうち電子線源方向への光を反射し
て輝度を向上する。

■　出力蛍光膜１２の帯電を防ぐ。

■　管内のアルカリ雰囲気から出力蛍光膜１２を保護す
る。

これらの目的のために、アルミニウム層１３の膜厚は４
０００乃至５０００人必要である。

ここで、従来の出力蛍光膜１２の場合、蛍光体の粒径が
１乃至３μｓであるため、出力蛍光膜１２の上から直接
アルミニウムを蒸着すると、出力蛍光膜１２中にアルミ
ニウム粒子が混入する。従って、前述のようにニトロセ
ルロースを被覆する工程が必要となる。又、　４０００
乃至５０００人のアルミニウム層１３形成後には、その
隙間が小さくなり、ニトロセルロースの加熱分解↓こよ
る除去が困難となるため、前述のように２命階に分けた
アルミニウム層１３の形成が必要となる。

述 従来の出力面においては、ここに葉べたニトロセルロー
スの形成及び除去の工程、及びそれに伴う工程の複雑化
が問題となっていた。

次に、従来の出力面の特性について述べる。

一般に、出力面の特性としては、カソードルミネッセン
ス輝度、解像度、コントラスト、粒状性、残光性などが
ある。ここで近年、出方面に対しては、解像度及び構造
ノイズの低減につながる粒状性の改善が強く望まれてい
る。しかるに、従来の出力面では、粒径が１乃至３１５
１（Ｑ蛍光体粉を塗布するという方法のために、膜の構
造上、解像度と粒状性は限界に近い。

ここで、解像度と粒状性を向上させるため、例えば特開
昭４７−３８６８３号公報に記載（マンガン付活けい酸
亜鉛薄膜蛍光面の製造方法）の技術が知られている。こ
れは、弗化亜鉛とマンガン又はマンガン化合物の混合粉
末を石英ガラス基板上に蒸着し、これを空気中１０００
乃至１２００’Ｃで焼成することにより、　　Ｚｎ、Ｓ
ｉＯ，：Ｍｎ蛍光体から成る出方蛍光膜を形成する方法
である。

この従来例の方法に従って、本発明者等は出方蛍光膜を
形成し、加速電圧３０ＫＶ　、　、ビーム電流密度０．
０１μＡ／ｃｄの条件でカソードルミネッセンス輝度を
測定したところ、１０乃至２０ｃｄ／ｒｒｒの輝度が得
られたが、実用レベルには不充分であった。

これらの理由として、１つは粒状蛍光体に比べ、薄膜蛍
光体では蛍光の取出し効率が低いことがある。　また、
Ｚｎ、５ｉｎ４：Ｍｎ蛍光体は材料自体の発光効率（発
光エネルギー／入射エネルギー）が６〜８％程度と低い
為、薄膜タイプでは実用レベルの輝度を得ることは難し
いと考えられる。

（発明が解決しようとするＩＩＩＩＭ）以上述べたよう
に、従来の技術のうち粉体状の蛍光体を基板に被着させ
た場合には、輝度面での特性は充分であるものの、解像
度と粒状性の面で劣る。また、薄膜蛍光体で特にＺｎ２
５ｉｏ、：Ｍｎ蛍光体を用いたものは、解像度や粒状性
は向上するものの、実用レベルの輝度が得られていない
。

本発明は上記課題を解決し、優れた特性を有するＸ線イ
メージ管およびその製造方法を提供することを目的とす
る。

〔発明の構成〕− （課題を解決するための手段） 本発明のＸ線イメージ管は、ＺｎＳ又は（Ｚｎ。

Ｃ：ｄ）　Ｓを母材とし、　　Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、ＡＱ
、Ｃｒｔの中から選ばれた少なくとも一種を付活元素と
する出方蛍光膜をフェースプレート上に形成してなる出
力面を備えたＸ線イメージ管において、前記出力蛍光膜
は、六方晶（ウルツ鉱型結晶）の（００２）面又は立方
晶（閃亜鉛鉱型結晶）の（１１１）面の少なくとも一方
が前記フェースプレート面と実質的平行に結晶配向して
いることを特徴とするものである。

また、本発明のＸ線イメージ管の製造方法は、フェース
プレート上に化学的蒸着法又はガス圧１Ｐａ以上の不活
性ガス雰囲気中での物理的蒸着法によって、ＺｎＳ又は
（Ｚｎ、Ｃｄ）Ｓを母材とし。

Ｃｕ、　Ａｇｅ　Ａｕ、　ＡＱｔ　ＣＱの中から選ばれ
た少なくとも一種を付活元素とする出力蛍光膜を形成し
、その後熱処理することを特徴とするものである。

（作用） 本発明者等は、第１に高解像度と低構造ノイズを確保す
るために、薄膜タイプで粒状性の良好な膜構造を検討し
た。すなわち、蛍光体の粉体をスラリー塗布法、沈降法
、電着法等で耐囃礒フェースプレート（基板）上に被着
形成させる方法では、現状レベル以上の薄膜化および粒
状性の向上は困難と考え、蒸着法に代表される薄膜技術
を採用するに至った。

第２に薄膜構造にすることにより、一般的に輝度が低下
する傾向があるため１発光効率の高い蛍光材料を用いる
ことにより、所望の輝度を確保することを検討した。す
なわち、２０％以上の発光効率（発光エネルギー／入射
エネルギー）が期待されるＺｎＳ、又は（Ｚｎ、Ｃｄ）
Ｓ系の蛍光体を用いることにした。なお、付活元素とし
て、Ｃｕ、　ＡｇｔＡｕ、Ａｊ！、ＣＱの中から選ばれ
た少なくとも１種を添加した。これらは、一般に知られ
ているように、Ｃｕ、ＡｇＩ　Ａｕ、ｋＱはＺｎ又はＣ
ｄと置換し、ＣＱはＳ　と置換してそれぞれ置換した原
子との原子価の違いからドナー型（１！、　ＣＩ２の場
合）又はアクセプター型ＣＣｕｅ　Ａｇ、Ａｕの場合）
の不純物準位を形成し、発光に寄与するものである。

第３に結晶性の良好な蛍光膜を形成すると共に、付活元
素を母体中に均一に分散させ、さらに活性化により効果
的に発光中心を形成する有効な方法を検討した。これは
、前述した蛍光体材料に期待される発光効率を得るため
の必要条件である。すなわち、母体材料と付活元素の材
料を多重に積層蒸着して付活元素の分散性を高め、かつ
蒸着後熱処理を行い、拡散、結晶性の改善および活性化
を計った。また、雰囲気蒸着法を用い、蒸発源材料の分
解による選択蒸発を抑えることによって、ストイキオメ
トリ−（化学量論的組成）と結晶性の良好な蛍光膜を得
ることができた。

次に結晶配向性に関する優位点について説明する。

本発明の出力面では、出力蛍光膜が六方晶（ウルツ鉱型
結晶）の（００２）面又は立方晶（閃亜鉛鉱型結晶）の
（１１１）面の少なくとも一方がフェースプレート面と
実質的に平行になる様結晶配向している。また膜は概ね
柱状に成長している。

すなわち、蛍光膜は実質的にフェースプレート面に垂直
で、かつ結晶方向のそろった柱状結晶となっている。膜
の配向性に関しては、結晶面内の原子の配列が最も単純
な六方晶（ウルツ鉱型結晶）の（００２）面、又は立方
晶（閃亜鉛鉱型結晶）の（１１１）面が最も形成され易
く、従ってこれらの面が積層する方向に膜成長している
と推定される。結晶方向がそろって膜成長する為には、
最も安定に実現する前記の配向が好適と考えられる。

以上述べた本発明の出力面の構造上の作用効果を第７図
を参照して説明する。第７図（ａ）は本発明の出力蛍光
面の模式図である。電子は出力面に対してほぼ垂直に入
射し、最表面の非発光部（ｄｅａｄ　１ａｙｅｒ）を通
過した後は、概ね単一結晶内を進行し、以後は非発光部
である結晶界面及びその近傍を通過する可能性が低い。

一方、結晶方向がランダムな微結晶の集合膜や粉体の塗
布膜（第７図（ｂ））あるいは結晶面が実質的にフェー
スプレートに垂直でない場合、すなわち斜め方向に結晶
成長している様な場合（第７図（Ｃ））には、入射電子
は結晶界面の非発光部を複数回通過する可能性が大きく
、従って入射電子のエネルギーが無効に消費されやすい
。

従って本発明に係る出力蛍光面の構造では他に比べて入
射電子の持つエネルギーの利用効率が向上し、蛍光輝度
が向上する。また、結晶界面の不連続性に由来する電子
の散乱の確率も低くなり。

解像度の向上にも寄与する。

（実施例） 以下１図面を参照して、この発明の一実施例を詳細に説
明する。

先ず、この発明により得られる出力面について述べると
、この出力面は第１図に示すように構成され、真空外囲
器の後部に相当する耐熱性フェースプレート２１上には
、後述の方法により出力蛍光膜２２が形成されている。

この出力蛍光膜２２上には、後述の方法によりアルミニ
ウム層２３が形成されている。

上記の場合、耐熱性フェースプレート２１としては、軟
化点が５００℃以上で且つ波長が４５０ｎｍ乃至６００
ｎｎ＋の範囲の少なくとも一部が透光性の物質である例
えば石英、サファイア、サイアロン及び耐熱ガラスが用
いられる。

出力蛍光膜２２は（Ｚｎ、Ｃｄ）Ｓ、又はＺｎＳを母材
とし、且つ発光中心となる微量の添加材を含んでいる。

一般に、同一の添加材を用いた場合、ＣｄＳの割合が大
きくなる程、蛍光スペクトルは長波長側にシフトする。

この添加材としては、　Ｃｕ、　Ａｇ、　Ａｕ、　ＣＱ
、　ＡＱのうち１種又は２種以上の組合わせのいずれに
おいても、有効であり、それぞれに特徴的な蛍光がＮａ
Ｃｊ！ 得られる。更に、融材として世旺ミ＃、Ｋ（１゜ＭｇＣ
Ｏ，等を添加しても良い。

添加材の母材に対する濃度は、０．ＯＯ１ｍｏＱ％乃至
５　ｍｏｆｆｉ％の範囲に設定されている。なお、輝度
特性上、好ましくは０．０１乃至１ｍｏＱ％の範囲が良
い。

又、（Ｚｎ、Ｃｄ）Ｓ中のＣｄ原子のＺｎ原子に対する
割合が４：１（４倍）以下に設定されている。

このような出力蛍光膜２２の膜厚は、３０００人乃至８
−の範囲に設定されている。即ち、出力蛍光膜２２の膜
厚は、薄過ぎると電子線が透過してしまうため、効率が
悪く、又、厚過ぎる場合は１発光域から耐熱性フェース
プレート２１までの距離が長くなるため、光の減衰が大
きくなり、やはり効率が低下する。従って、電子線の加
速電圧、アルミニウムのメタルバック膜厚によっても、
出力蛍光膜２２の最適膜厚は異なるが、３０００人乃至
８−の範囲であれば必要な輝度は得られる。

なお、３０ＫＶ程度の加速電圧で使用する場合には。

１乃至３仰の範囲が好適である。

次に、上記出力面の具体的な製造方法について説明する
。

耐熱性フェースプレート２１として、直径４０ｍｍ、厚
さ１．０ｍｍで両面を光学研磨した透明石英板を用いる
。そして、この耐熱性フェースプレート２１を温度２２
０℃に保持し、物理的蒸着法例えば抵抗加熱蒸着法によ
り、約４０ＰａのＡｒ雰囲気中で出力蛍光膜２２を成膜
する。

この場合、蒸着源は３源で、それぞれるつぼにＺｎＳを
２．０ｇ、ＣｄＳを１．４ｇ、Ａｇを３．０■づつ充填
する。

耐熱性フェースプレート２１は支持治具上にセットされ
ており、これが真空チャンバー内を回転することでそれ
ぞれのるつぼの上をフェースプレートが順に通過する。

支持治具の回転数は約６Ｏｒ、ｐ、ｍでＺ　ｎ　Ｓ　ｙ
　Ｃｄ　Ｓ　＊　Ａ　ｇが１秒間にそれぞれ１層づつ積
層に蒸着される。るつぼ温度と蒸着速度との関係は予め
求めておき、　　ＺｎＳ、ＣｄＳ、Ａｇの蒸着速度がｒ
ａｏＱ比で２　：　１　：　０．００３となるように、
るつぼ温度を調節した。約２時間の蒸着で、出力蛍光膜
２２が形成され、　その膜厚は１．５μｓであった。

ＳＥＭＩｉ察によれば、表面は１０００Å以下の凹凸が
あり、又、断面で見ると耐熱性フェースブーレート２１
と垂直方向に柱状に結晶成長していることがわかった。

次にデイフラクトメーターにより膜のＸ線回折を行なっ
た。回折パターンは従来例のスラリー塗布品の場合（第
８図）の様に複数個の回折ピークが林立するパターンに
はならず、第４図に示す様にメインピーク１本と他の数
本の微弱な回折ピークが現れる形となった。解析の結果
、メインピークは六方晶（ウルツ鉱型結晶）の（００２
）面か又は立方晶（閃亜鉛鉱型結晶）の（１１１）面に
対応することがわかった。ＺｎＳ、ＣｄＳとも六方晶と
立方晶の主な回折ピークがほとんど同じ回折角に現れる
為、どちらかの結晶型と同定することは困難であった。

回折角より求めたそれぞれの結晶面間隔は、ＺｎＳ、Ｃ
ｄＳの対応する面間隔を約２：１の割合で荷重平均した
値とほぼ一致した。

次の工程として蛍光膜の活性化を行なう為にアルゴン気
流中７００℃、３時間の熱処理を施した。

昇温と降温は熱処理炉の温度調節プログラムにより各々
２時間ずつとした。（Ｚｎ、Ｃｄ）Ｓを母材とする膜で
はＣｄＳ　の蒸発を避ける為熱処理温度は６００℃〜８
００℃程度の範囲が望ましい。

蛍光体材料の異なる実施例として　ＺｎＳを母材とし、
Ｃｕ、ＣＱを付活元素とした蛍光膜についても成膜及び
熱処理を行なった。母体のＺｎＳに対する付活剤Ｃｕ、
ＣＩＡの割合はｍｏＱ比で約１７１０００で他の成膜条
件は上記実施例とほぼ同様で、膜厚も同様の約１．５−
である。

蒸着膜のＸ線回折の結果を第３図に示す、六方晶の（０
０２）面又は立方晶の（１１１）面がメインの回折ピー
クとして現れ、他にメインピークに対する強度比１％以
下の微弱な回折ピークが数本現れた。前例と同様、前述
の面が基板面と平行になるように強く結晶配向している
ことがわかった。

また回折ピークはシャープで、結晶性が良好であること
がわかった。雰囲気蒸着は蒸発源物質の分解による選択
蒸発を抑えストイキオメトリ−を確保するのに効果的で
あったと考えられる。

熱処理温度は蒸気圧が高いＣｄＳ　　が含まれていない
ことから８００℃〜１０００℃の範囲が望ましい。

本実施例では上記実施例より高い８００℃で３時間行な
った。昇温及び降温の時間はいずれも２時間とした。

なおここに述べた２つの実施例の母材及び添加元素の組
合せでは、いずれも５２０〜５４０ｎｍに発光スペクト
ルのピークを有する緑色の蛍光が得られることが知られ
ている。

以上で本発明において、実施例として２種類の蛍光面を
完成させた。

蒸着後及び熱処理後の膜につき、２００ＫＶの加速電圧
でＴＥＭ及び電子線回折を行なった。蒸着後の膜は粒径
数百人大の微結晶より成り、熱処理品は粒径数千人大の
柱状結晶となっている。各結晶の電子線回折パターンに
は六方晶タイプのものと立方晶タイプのものが見られ、
両方のタイプが混在していると思われる。

熱処理で微結晶の再配列が起こり結晶形が大きくなるこ
とが以上の結果から推察され、熱処理による蛍光輝度向
上の一因と考えられる。

次に陰極線を照射してのカソードルミネッセンス輝度、
解偉度、構造ノイズを評価する為に蛍光膜上に図中２３
に示すＡＱのメタルバックを約４０００人の膜厚で蒸着
した。評価には電子線評価装置を用い、従来例のスラリ
ー塗布タイプ及び特開昭４７−３８６８３号公報に示さ
れたマンガン付活ケイ酸亜鉛の蒸着膜タイプと同一条件
で比較した。第１表に結果を示す。

（以下余白） 第　　１　　表 解像度は解像度チャートを用い４０倍〜ｌｏｏ倍の光学
顕微鏡で評価した。また構造ノイズは同じく４０倍〜１
００倍の光学顕微鏡で目視検査した。

第１表かられかる様に本実施例は、Ｚ　ｎ　ｚ　Ｓ　１
０４：Ｍｎ蒸着膜と同レベルの解像度を有し、　かつ実
用化されている（Ｚｎ、Ｃｄ）Ｓ　：　Ａｇタイプに近
い高輝度が得られている。また構造ノイズも少ない。

以下、他の実施例について述べる。

ＺｎＳとＣｄＳの割合を変化させて蒸着した場合、また
付活剤をＡ　ｇ　ＣＱ　ｖ　Ａ　ｇ　−Ａ　Ｑ　＊　Ａ
　ｇとＮａＣＱ。

Ｃｕ、ＣｕＣＱ、、ＣｕとＡｇとＡｕ、ＡｇとＢａＣＱ
２゜ＡｇとＫＣＱ、ＡｇとＭｇＣ０，等に変えテ同様な
成膜及び熱処理を行なうことにより、同様な特性を有す
る蛍光面が得られた。

ここで熱処理に最適な温度と時間は、母材及び添加材に
より異なる。温度が低過ぎると、添加材の拡散、母材原
子との置換が起こらず、効果がなく、概ね５００℃以上
の熱処理温度で活性化が進行する。従って、５００℃以
上の熱処理に耐えるように耐熱性フェースプレート２１
の材質が選ばれている。

熱処理温度が高過ぎると、膜剥がれ、構成物質の再蒸発
、欠陥の形成、不純物の混入等の問題が発生するため、
１１００℃以下の温度が好ましい。特に母剤がＣｄＳ　
　を含むものは６００℃乃至８００”Ｃ，母材がＺｎＳ
　のみのものは７００”Ｃ乃至９００”Ｃの範囲がより
好ましい。

又、熱処理は真空中又は不活性ガス雰囲気中、又は還元
ガス雰囲気中で行なうことも可能であるが、通常は、取
扱い容易なＡｒ又はＮ２ガス中での熱処理を行う。但し
、熱処理中に出力蛍光膜の母材（Ｚｎ、Ｃｄ）Ｓ、又は
ＺｎＳ中のＳが抜けることを防ぐためには、Ｈ２Ｓガス
を含んだＨ２ガスを用いると良い。　この場合、Ｈ，Ｓ
は１％程度含有させれば充分である。

母材に対する添加材の濃度は特に輝度面に及ぼす影響が
大きい、添加材濃度の有効範囲は０．００１社％乃至５
ｍｏ１２％の範囲にあるが特に０．０１乃至１ｍｏＱ％
の濃度範囲で輝度特性が一般に良好であった。

膜厚についての好適範囲は約５０００人〜４μｓである
。膜厚が薄すぎるか又は厚過ぎるとカソードルミネッセ
ンス輝度が低下する。また膜厚が厚くなると解像度も低
下する方向となる。

上述した実施例では、いずれも出力蛍光膜２２の形成を
物理的蒸着法である抵抗加熱蒸着法を用いて行なったが
、物理的蒸着法としては抵抗加熱蒸着法の他に、電子線
加熱蒸着法、レーザー加熱蒸着法、スパッタリング法が
あり、且つ出力蛍光膜２２の構成元素を共蒸着、多源蒸
着、又は積層蒸着することが出来る。

尚、抵抗加熱蒸着法、電子線加熱蒸着法、レーザー加熱
蒸着法では、蛍光輝度の高い膜を得るため、不活性ガス
雰囲気中で蒸着する方が良い、これは選択蒸発を抑制す
るため、また蒸着粒子の平均自由行程を短くし、粒子間
の衝突を多くすることにより、Ｚｎ原子、Ｓ原子単独で
（又はＣｄ原子、ＳＭ子単独で）フェースプレート上に
堆積することなく、ＺｎＳ　（又はＣｄ５）の形で堆積
する確率を大きくするためである。単独原子の混入が多
いと結晶構造上の特異点の数が増え、特に輝度特性に悪
影響を及ぼす。

又、上記抵抗加熱蒸着法、電子線加熱蒸着法、レーザー
加熱蒸着法で成膜した出力面では、蒸着時の不活性ガス
雰囲気の圧力が１Ｐａ以上の場合に実用レベルのカソー
ドルミネッセンス輝度が得られた。そして、電子線加熱
蒸着法では差動排気の構造を用い、電子銃近傍のみ高真
空に維持した。

更に、スパッタリング法の場合も、蒸着と同様の理由で
スパッタリングガス圧が１Ｐａ以上の場合に、実用レベ
ルのカソードルミネッセンス輝度が得られた。

又、物理的蒸着法以外に化学的蒸着法を使用しても良く
、この化学的蒸着法としては、化学気相成長法（ＣＶＤ
法）、金属有機物化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）、原
子層エピタキシー法（ＡＬＥ法）、分子層エピタキシー
法（ＭＬＥ法）があり、これらの中から選ばれた一種を
用いれば良い。特に、化学的蒸着法では、結晶性の良い
膜が容易に得られる。以下２つの実施例を簡単に述べる
。

化学的蒸着法の１つであるＡＬＥ法を用いた実施例につ
いて説明する。まずＺｎとＳの原料ガスを交互にチャン
バー内に導入し、チャンバー内で加熱保持されたフェー
スプレート上に　ＺｎＳ膜を単原子層ずつ成長させる。

フェースプレートの温度は５５０℃としＺｎの原料ガス
にＺｎＣＱ、、Ｓの原料ガスにＨ２Ｓを用いた。できた
ＺｎＳ膜上にＣｕＣＱを蒸発源にしてＣｕ、ＣＱを追蒸
着する。さらにＡｒ雰囲気中で加熱処理し、付活元素で
あるＣｕ、ＣＱのＺｎＳ膜中への拡散と活性化を行なっ
た６次に他の化学的蒸着法の１つであるＭＯＣＶＤ法に
よる実施例について説明する。フェースプレート温度を
３００℃以上に保持し、Ｚｎの原料ガスジメチルジンク
（ＤＭＺ）ど、Ｓの原料ガスジエチルイオウ（ＤＥＳ）
を用いてＺｎＳ膜を成膜する。

ＣｕＣｌ２の追蒸着及び熱処理は上記の実施例と同様で
ある。

とができた。

以上の実施例で述べた蛍光面をＸ線イメージ管の出力面
に用い他は従来のＸ線入力面、加速電極を用いて、イメ
ージ管として特性を評価した結果、スラリー塗布タイプ
出力面を用いた従来品に比較して、空間周波数特性、限
界解像度が改善され、構造ノイズが低減した。また、カ
ソードルミネッセンス輝度を従来の蒸着膜タイプより約
５倍向上させ、実用レベルにすることができた。

〔発明の効果〕

本発明のＸ線イメージ管によれば、出力面を薄膜タイプ
とすることで解像度と粒状性が著しく向上すると共に、
構造ノイズが減少する。また、従来の薄膜タイプ出力面
に比べ、カソードルミネッセンス輝度が大幅に向上し、
実用レベルの輝度が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明のＸ線イメージ管の一実施例に係る出力
蛍光面を示す断面図、第２図は一般的なＸ線イメージ管
の全体を示す概略断面図、第３図は本発明に係る出力蛍
光面でのＺｎＳ　：　Ｃｕ、ＣＱ蒸着膜タイプのＸ線回
折パターンを示しカウント数と回折角度との関係をグラ
フで示す図、第４図は本発明に係る出力蛍光面での（Ｚ
ｎ、　Ｃｄ）Ｓ　：　Ａｇの蒸着膜タイプのＸ線回折パ
ターンを示しカウント数と回折角度との関係をグラフで
示す図、第５図（ａ）はウルツ鉱型結晶の（００２）面
を示す模式図で第５図（ｂ）は基板に対する膜の＜００
１＞軸（Ｃ軸）方向を説明するための模式図、第６図（
ａ）は閃亜鉛鉱型の（１１１）面を示す模式図で第６図
（ｂ）は基板に対する膜の＜１１１＞軸方向を説明する
ための模式図、第７図は結晶構造に対する入射電子の状
態を示しくａ）は本発明の結晶構造を示す図（ｂ）は結
晶の方向がランダムな微結晶の集合膜を示す図（ｃ）は
結晶の成長方向がフェースプレートに対して垂直でない
場合を示す図、第８図は従来の出力蛍光面での（Ｚｎ、
　Ｃｄ）Ｓ　：　Ａｇのスラリー塗布タイプのＸ線回折
パターンを示しカウント数と回折角度との関係をグラフ
で示す図。 第９図は従来の製造方法により得られた出力蛍光面を示
す断面図である。 ２１・・・耐熱性フェースプレート ２２・・・出力蛍光膜　　　２３・・・アルミニウム層
２４−・・ウルツ鉱型結晶　２５−・・閃亜鉛鉱型結晶
代理人　弁理士　則　近　憲　佑 同　　　　竹　花　喜久男 第１図 第２図 ２θ（凹所角度） 第　ａ　　ｔ”Ｅｉ 第　４　図 （ａ）　　　　　　　　　　（ｂ） 第５０ 第６図 ２６１　（ｃｌｍ） 第　８　図 第９図

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）ＺｎＳ又は（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓを母材とし、Ｃｕ、
   Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｌの中から選ばれた少なくとも一
   種を付活元素とする出力蛍光膜をフェースプレート上に
   形成してなる出力面を備えたＸ線イメージ管において、 前記出力蛍光膜は、六方晶（ウルツ鉱型結晶）の（００
   ２）面又は立方晶（閃亜鉛鉱型結晶）の（１１１）面の
   少なくとも一方が前記フェースプレート面と実質的平行
   に結晶配向していることを特徴とするＸ線イメージ管。
2. （２）フェースプレート上に化学的蒸着法又はガス圧１
   Ｐａ以上の不活性ガス雰囲気中での物理的蒸着法によっ
   て、ＺｎＳ又は（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓを母材とし、Ｃｕ、Ａ
   ｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｌの中から選ばれた少なくとも一種
   を付活元素とする出力蛍光膜を形成し、その後熱処理す
   ることを特徴とするＸ線イメージ管の製造方法。