JPH01241888A - 多層配線基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明はテレビチューナ、ＣＡＴＶコンバータ。

Ｄ　１３　Ｓ受信ユニッ１へ等小型化薄型化のための高
密度実装を必要とする電子機器全般に用いられる多層配
線基板に関する。

（従来の技術） 従来の多層配線基板は以下に述べるか如きであった。第
５図は従来の多層配線基板の組み）γてを示すものであ
る。第５図において、第５図（１）は組立斜視図、第５
図（２）はサブ基板の斜視図、１はメイン基板、２はス
ルーホール、３はパターン、４は部品、５はサブ基板、
６は足、７は角孔、８はフレーム、９は受、］Ｏは爪で
ある。

組み立ては第５図（１）に示す如く、パターン：３、部
品４を有しかつ表面と裏面はスルーホールで接続されて
いるメイン基板］に、サブ基板５の足６を挿入すること
によって装着する。サブ基板は第５図（２）矢視Ｇて示
す如くメイン基板と同様の構成である。さらに、上記メ
イン基板とサブ基板のアッセンブリしたものをフレーム
８へ受９の位置まで挿入し爪１０にてかしめ」１・めし
て第５図（１）の矢印の方向へＩ）　ｉ　ｐ半１−１１
付をする。また、１−記の如く組みｑてた第５図（１，
）の断面Ｉバード（１）に示し、第６図（１）の矢視Ｔ
−Ｉを第６図（２）に示す。第６図において、１〜≦］
は第５図と同様であり、１１は部品半１］１付部、】２
は接続半田付部である。

第６図（１）に示す如く、サブ基板５の裏面とメイン基
板↓の表面のそれぞれのパターン３は、接続ハンダ部１
２に手半田付することによって接続されている。

第７図は多層配線基板組み立てのフローを示す。

（第７図は簡略化のためフレーム８は省略しである）１
〜５及び７．１１．１２は第６図と同様である。

組み立て順序を説明すると、ます、メイン基板１の裏面
、サブ基板５の表面の各々に部品４を挿入する。そして
サブ基板５の方はＤｉｐをして部品４に部品半ＦＴ１部
１１によって半田付けする。ここで、サブ基板５を９０
度回転してメイン基板１に挿入し、組み込みして接続半
田付けすることによってサブ基板５をメイン基板］に接
続している。

次に、サブ基板５を組み込んだままメイン基板１をＩ）
ｊｐして、部品４を部品半［■細部１１によって半田付
けする。

第８図及び第９図は他の従来例であり、第７図ではメイ
ン基板］の表面でサブ基板５と接続したが、第８図及び
第９図ではメイン基板１の裏面でサブ基板５と接続した
例である。第８図（１）、　（２）は多層配線基板の組
立斜視図、第９図（１）は第８図（１）の断面１．−　
Ｉ、第９図（２）は第９図（１）ノ矢視Ｊを示すもので
ある。１〜１ｚは第５図及び第６図と同様である。メイ
ン基板１とサブ基板５の接続がメイン基板１−の表面か
ら裏面に変った以外は、基本的に第５図〜第７図と同様
なので説明を省略する。

（発明が解決しようとする課題） しかしながら、上記従来の多層配線基板では次のような
問題がある。

（１）メイン基板とサブ基板を接続するために、各々の
パターンは互いに接続部（メイン基板は角孔ヘサブ基板
は足へ）までひきまねしてくる必要があるという規制に
より、パターン酸Ｈ１におけるスペース効率を損なう。

（２）第５図〜第９図に示す如く、フレームにおける受
けの深さｄ、サブ基板の高さ１１において、ｈはｄより
大きくできないというサブ基板の有効面積における規制
がある。

上記（１）及び（２）によってメイン基板、サブ基板の
各基板単体の回路の高密度実装化か損なわれる。

したがって、一定の大きさのフレームに対し一定承以上
の回路を実装すべく、その密度を向」ニするためにはサ
ブ基板の数量を増やすことが必要であり、その結果、部
品点数槽、組立工数増によるコストアップが生ずる。

本発明は上記問題を解決するものであり、メイン基板、
サブ基板のパターン酸ｉ−１における規制、サブ基板の
有効面積における規制を減らして、メイン基板、サブ基
板の各基板単体の回路実装効率をあげ、それによって一
定の大きさのフレームに対して一定量の回路実装をすべ
く、その密度向上が求められる際、サブ基板の数量槽と
いう方法を採るケースを減らし、手記方法に伴う部品点
数槽、組み立て工数増というコストアップを最小限にお
さえることを目的とするものである。

（課題を解決するための手段） 本発明は上記目的を達成するために、２枚の両面積層基
板を２重に重ね合わせ、第一の両面基板と第二の両面基
板の対向する部分に共通のパターンもしくはランドを形
成する一方で、それぞれの基板で上記共通パターンもし
くはラン１（により、配線パターン及びスルーホールを
介して第一、第二）部品取付パターン面に接続するとと
もに、共通ランドのパターンもしくはランド部にクリー
ム半田を塗布し熱溶融により２枚の基板殻半田接続した
ものである。

（作　用） 本発明は上記のような構成により次のような作用を有す
る。

（１）メイン基板とサブ基板の接続は任意の位置で行え
るため、メイン基板、サブ基板の相方とも接続位置まで
パターンを引きまわすというパターン酸Ａ１におけるス
ペース効率を損なう親制御−っをなくすことができる。

（２）サブ基板の大きさはメイン基板の平面面積まで拡
大可能で、フレームの薄型化が進む中でのサブ基板の有
効面積に関する規制は、従来例に比して緩和することが
できる。

（実施例） 第１図は本発明の一実施例の組立斜視１ｇ＋である。

第１図において、１はメイン基板、２はスルーホール、
：３はパターン、４は部品、５はサブ基板、８はフレー
ム、９は受、１０は爪、１３は接続用ラン１〜である。

第２図（１）は第１図の断面Ｂ−Ｂを示すものであり、
第２図（２）は第２図（１）の矢視Ｃである。また、第
３図（１）は第１図の断面Ａ−Ａを示すものであり、第
３図（′ｌ）は第３図（１）の矢視りである。

なお、第４図は実施例の組み立てフローを示すものであ
る。第２ド１〜第４図の１〜５，８，９，１０゜１：３
は第１図と同様であり、１１は部品半田付部、１４はク
リーム半田である。

次に、第１図〜第４図により本実施例の構成および組み
立てについてのべる。パターン３２部品４、接続用ラン
ド１：３を有し、かつ表面と裏面はスルーホール２で接
続されているメイン基板１に、第２図（１）、　（２）
に断面Ｂ−Ｂ、矢視Ｃ’ｔＦ示すところの、同様な構成
のサブ基板５を互いの接続用ラン１〜１３が対向する位
置で装着し、」二記アッセンブリを第１図のフレーム８
の受９の位置まで挿入し、爪１０でかしめどめして図中
の矢印方向へＤ　ｉ　ｐ半田付けをする。ここで第３図
（１）に示す如くメイン基板１．サブ基板５は各々の接
続ランド１３においてクリーム半田１４で接続されてい
る。

第４図の組み立てフローにおいて（フレーム８は簡略化
のため第４図では省略しである）、まずメイン基板１の
裏面、サブ基板５表面の各々に部品４を装着する。そし
てサブ基板５のほうはＤ］ｐ’＆して部品４を部品半田
付部１１によって半田付けする一方で、メイン基板１の
接続ラン１〜１３にクリーム手口」１４を印刷する。こ
こで、サブ基板５を反転して、メイン基板１．サブ基板
５の各々の接続ラン１〜１：３を対向させつつメイン基
板１へ装着する。そしてＤｉｐの前処理であるプリヒー
ト工程でクリーム半田１４を溶融して、メイン基板１．
サブ基板５各々の接続ランド１３間を接続し、その後Ｄ
ｉｐをしてメイン基板１の部品４を部品半田付１１によ
って半田付けする。上記構成により下記の効果をうる。

（１）メイン基板とサブ基板の接続は任意の位置で行え
ることは明らかで、それ故［メイン基板とサブ基板の相
方とも接続位置までパターンをひきまねす」という、パ
ターン設計におけるスペース効率を損なう規制の１つを
なくすることができる。

（２）サブ基板の大きさは、メイン基板の平面面積まで
拡大可能なことは明らかで、それ故フレーム８の薄型化
が進み深さかさらに少なくなる方向のなかでのサブ基板
の有効面積に関する規制は従来より緩和できる。

（発明の効果） 本発明は」−記実施例より明らかなように、また上記で
ものべた如く、パターン設計におけるスペース効率を損
なう規制及びサブ基板の大きさの拡大によるフレームの
薄型化の効果が得られ、その結果メイン基板・サブ基板
の各々の基板単位の実装効率が向上する。よって、一定
の大きさのフレームに対し、一定量以上の回路を実装す
べく実装密度向」−が求められる際、サブ基板の数量増
という方法をとるケースを減らし、サブ基板の数量増に
伴う部品点数増、組立工数増というコストアップを最小
限におさえることができるという効果が得られる。また
従来例のようにサブ基板がメイン基板の表面に手生ＩＩ
Ｉ付けされている場合では、本発明によって手半田付け
が廃止でき、手早ＩＢ付けに伴う品質不良も低減できる
という効果も併せて得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明一実施例の組立斜視図、第２図（１）は
第１　＋ｇ＋における断面Ｂ−Ｂ図、第２　図（２）　
ハ第２図（１）の矢視Ｃ１第３図（１）は第１図の断面
Ａ−Ａ図、第３図（２）は第３図（１）ノ矢視Ｄ、第４
図は本発明の実施例の組み立てフローを示す図、第５図
（１）は従来例の組立斜視図、第５図（２）は第５図（
１）矢視Ｇ、第６１！２＋（１）は第５図（１）の断面
Ｉバード従来例の組み立てフローを示す図、第８図（１
）は他の従来例の組立斜視図、第８図（２）は第８図（
１）の矢視Ｇ、第９図（１）は第８図（１）の断面Ｉ−
Ｉ図、第９図（２）は第９図（１）の矢視Ｊである。 １　・・メイン基板、２・・　スルーホール、３　・・
　パターン、４　・・・部品、５　・・ザフ基板、６　
・・・足、７　・　角孔、８　・・フレーム、９　・・
受、１０・　爪、１１　　・部品半田付部、１２・・　
接続半田付部、Ｉ３・　接続用ラント、】４・・クリー
ム半田。 特許出願人　松下電器産業株式会社 １ｌ− ＬＩｉｌＢ　　冒　　ゴ 晒　岨璽 〈　鰯含 ゼ　− Ｏ６ 毘

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. ２枚の両面積層基板を２重に重ね合わせ、第一の両面基
   板と第二の両面基板の対向する部分に共通のパターンも
   しくはランドを形成する一方で、それぞれの基板で上記
   共通パターンもしくはランドにより、配線パターン及び
   スルーホールを介して第一，第二の部品取付パターン面
   に接続するとともに、共通ランドのパターンもしくはラ
   ンド部にクリーム半田を塗布し熱溶融により２枚の基板
   を半田接続したことを特徴とする多層配線基板。