JPH01237666A - 電子写真用感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［技術分野］ 本発明は電子写真用感光体、特に、光源として半導体レ
ーザーが使えるように、長波長増感をしたレーザープリ
ンター、デジタル複写機用のセレン系電子写真用感光体
に関する。

［従来技術］ レーザープリンターやＬＤを光源とした複写機にも使用
できるように、長波長増感した感光体にはＦ記の例がみ
られる。

（１）Ｓｅ−Ａｓ層（例えばＡｓ２５８３層）上にＡｓ
２Ｓｅ３−、Ｔｅ、層を形成したもの（特開昭５７−２
４９４８　、同５８−１７２８５１）（２）　Ａ　Ｓ　
２　Ｓ　ｅ　３層の上にＸＡｓ２Ｓｅｚ・ＹＡｓ２Ｔｅ
３層（Ｘ　／　Ｙ　−１１〜Ｉ／８）を形成したもの（
特開昭５６−５７０４０）（３）　Ｓ　ｅ　Ａ　ｓ　ｗ
　Ｔ　ｌ　ｙ層上にＳｅ系金属層をつけたもの（特開昭
８０−８３５４０）、等があるが帯電性、耐久性が不充
分であるというような欠点があった。

（４）また、第２感光層の上にシリコーン系中間層およ
び保護層を積層したものも提案されているが、画像の安
定性がなく、帯電性も充分ではないという欠点があった
。

［口　的］ 本発明は、繰返し使用した時の表面電位の不安定性を抑
制し、更に、帯電能を向上させた感光体を提供すること
を目的としている。

［構　成］ 上記目的を達成するための本発明の構成は、感光層の構
成が、導電性支持体側より順に第１のＡｓ−Ｓｅ層、Ａ
ｓ−Ｓｅ−Ｔｅ層および第２のＡｓ−Ｓｅ層の３層から
成り、更に、この上に第２のＡｓ−Ｓｅ層に対する正電
荷の注入を阻ＩＬ、、するようなバリアー層を有する電
子写真用感光体である。

上記構成を図面を参照して具体的に説明すると、第１図
に示すように、導電性支持体１の上に、順にＡｓ−Ｓｅ
層２、Ａｓ−Ｓｅ−Ｔｅ層３、Ａｓ−３ｅ層４、中間層
５があり、この中間層５と第２のＡｓ−Ｓｅ層４との接
触面にバリアー層６が形成され、最表面に保護層７を有
する電子写真用感光体である。

以下、各層の作用について説明する。

導電性支持体１の材料は導電性を示すものであれば殆ど
使用可能であるが、Ａｓ−Ｓｅ層２との接合時、負電荷
の感光層への注入を比較的良好に阻止するバリアー層が
形成されるアルミニウム系の金属、特にＭｎを多く含む
アルミニウム（ＪＩ８３００３）が加工性にもすぐれて
おり、好ましい材料である。

また支持体表面の加工処理は感光層の表面性、感光層の
支持体側の構造変化、モアレ現象、感光層との接着性等
を左右する重要な因子となるので、その加工法について
は特に注意が必要である。

好ましい面荒さとしては＃　１０００〜＃　４０００番
の砥石を用いて加工した時、平均表面荒さが３００００
〜３０００人であり、特には　ｔｏｏｏｏ〜４０００人
が好ましい範囲である。

なお感光層を形成するにあたっては十分に脱脂、洗浄し
、支持体表面に均一な酸化膜が形成される様配慮するの
は当然である。

Ａｓ−Ｓｅ層２は感光体全体の静電容量を小さくし、帯
電電位を大きくするために必要な層で本感光体の様に機
能分離型感光体の場合、−般には電荷輸送層（ＣＴ　Ｌ
）と呼ばれるものである。

このＣＴＬを十分に機能させるためには、ＣＴＬに用い
られる層の比抵抗が大きく、例えば１０１１Ω・ｃＩＢ
オーダー以上であり、また比誘電率がＢ〜１３、そして
正孔の移動度が１０°５ｃＩ１２／ｖｏｌｔ　”　Ｓ０
８以上、さらに耐結晶性が大きく、光学的にも電気的に
も均質な層であること等の条件が必要となる。

これらの条件を満たす感光材料としてはＡｓ−３ｅで構
成される層が好ましく、Ａｓは耐結晶性、耐熱性を大き
くすることが知られている。

通常は０．５〜４０νｔ％の範囲でＳｅとの合金化をお
こなうが、本発明の様にＡｓ−３ｅ層２上にさらに電荷
発生層（ＣＧＬ）としてＡｓ−３ｅ−Ｔｅ層をもうける
場合、蒸着時の支持体温度を使用する材料に応じて１２
０〜１８０　”Ｃの間に設定する必要があるため、Ａｓ
−Ｓｅ層は十分に耐結晶性、耐熱性を有している必要が
ある。

すなわち、ガラス転移温度、結晶化温度が十分大きな材
料であることが望ましい。Ａｓ−Ｓｅ合金はＡｓの添加
量が高い程ガラス転移点、結晶化温度共高くなるが、示
差熱分析の結果（第２図参照）から約２０〜４０ｗｔ％
Ａｓ−Ｓｅ合金を使用すれば良い。

なお４０ｖｔ％以上のＡｓ−Ｓｅ合金では急激に暗抵抗
が低下するので電子写真感光体としては使いづらい。

２０〜４０ｗｔ％の間でのＡｓ添加量ではあまり正孔移
動度に差を生じないことから化学量論的−な構成（Ａｓ
２Ｓｅ３）にする方が構造的な安定面で望ましい。ただ
特性安定面からすると、化学量論的な構成より若干ずら
した方が望ましく、！Ｉ！ｌａ％（ｖＬ％）で示すと３
５〜３８ｗｔ％Ａｓ−３ｅが構造、特性両面にわたって
良い結果を示すことが実験の結果明らかである。

一方膜厚は帯電性、繰返し特性、画像品質等から制限を
受けるが一般的な感光層としては４０〜１００μｌあれ
ば問題なく使用できる。望ましくは５０〜８０μｍ１さ
らに望ましくは５５〜７０μｍの範囲内であれば十分で
ある。

Ａｓ−Ｓｅ−Ｔｅ層３は現在レーザープリンターやレー
ザー複写機等で多用されている　７８０〜８２０ｎｉに
発光ピークをもつ半導体レーザー（ＬＤ）に感色性をも
たせるための感光層であり、構造は化学量論的な構成と
するためＡＳ２Ｓｅ３−ｘ　Ｔｅａ　　（ｘは必要な感
度を得るためＯ〜３の範囲で自由に選定できる）の形を
とる。

７ｇ０ｎＩｌのＬＤを用いるとするとＡｓ−Ｓｅ−Ｔｅ
層の光学的バンド幅（ＥｇｏｐＬ）は１．５９　ｅＶ。

また８２０ｎｍではり、５１　ｅＶが必要となる。第３
図に示すＥ　ｇｏｐＬとＡｓ−３ｅ−Ｔｅ層に用いる材
中のＴｅ′ａ度の関係から６〜２０シｔ％（この時のＡ
ｓは３７〜３４ｖｔ％）であれば所期目的が達成される
。

しかしＴｅの添加量の増加と共に長波長の増感は可能と
なるが比抵抗が低下するので、Ｔｅの添加量が高くなる
にしたがって、帯電能を確保できなくなる。

この問題の改善方法としては耐熱性、耐結晶性カ大ｔｓ
　＜　Ａ　ｓ　−Ｓ　ｅ−Ｔ　ｅ層に較べ比抵抗ρが大
きく、静電容量Ｃが小さく、かつ中間層を塗膜した際、
その界面に良好な均一なバリアー層（正電Ｇｊに対し）
を形成する様な感光層が望ましい。

耐熱性、耐結晶性の大きい層としてはａ−５ｉ　Ｃ５ａ
−５ｉ　Ｎ５ａ−Ｃ，ａ−ＢＮ等の他、非晶質Ｓｅ−Ａ
ｓＳＳｅ−８ｂ、Ｓｅ−Ｂｉ等のＳｅ系の材料がある。

この内ａ−ＳｉＣからａ−ＢＮ系の層は比抵抗が１０”
−１０＋１Ω’　ｃｍ、静電容量が６００ＰＦ／ｃｓ　
２以上であり、またこの層の上に中間層を形成してもバ
リアー層が形成されず帯電改善効果は殆ど見られない。

一方Ｓｅ−３ｂ系はＳｅ−Ａｓ系に較べ材料の蒸発がむ
づかしく、Ｓｅ−ＢｉはＢｉの効果が急峻で、添加量が
少しでも多いと結晶化が促進される。また、比抵抗が比
較的低く、成膜も容易でない。

Ａｓ−３ｅ系はこれらの材料に較べ比較的容易に所期特
性が得られ易い。

Ａｓ−３ｅ−Ｔｅ層上に形成するＡｓ−Ｓｅ層は特に厚
い必要は無く、数μｍ具体的には０．５〜５μ１１好ま
しくは１〜３μ讃で目的が達成される。厚くすると残留
電位Ｖ、上昇の原因となるので、厚いのは好ましくない
。

また、合金化するためのＡｓの量は中間層、保ｊ層の材
料、溶媒の種類、硬化条件等、さらにＡｓ−３ｅ層の電
気特性、電気、構造安定性等で決定されねばならない。

中間層５にアルコール、リグロイン等の溶媒を使用する
常温硬化型の化合物、あるいは樹脂等を用いれば、Ｓｅ
に対し　１〜２　ｗｔ％以上のＡｓを添加したＡｓ−Ｓ
ｅ合金層であれば良く、！００〜１３０℃程度の温度で
硬化する場合、２０シｔ％以上４０シｔ％以下のＡｓ−
３ｅ層を形成すれば良い。

なおＡｓ添加量の上限値は第１図の層２と同じ理由によ
る。Ａｓ−３ｅ−Ｔｅ層上にＡｓ−３ｅ層を形成するこ
とで帯電能が改善されるがＡｓ濃度が高くなる程、帯電
能が悪くなるため、帯電能向上、および帯電能安定性の
ための中間層５が必要となる。この場合の中間層材料の
条件としては、 （１）カールソンプロセスで使用するため中間層が残留
電荷を有する様な材料ではないこと、（２）Ａｓ−Ｓｅ
層上に塗布することにより中間層とＡｓ−Ｓｅ層界面に
均一な、正電荷を阻止する様なバリアー層８を形成する
こと、（８）中間層材料は塗膜硬化後、機械的耐久性を
向上させるために、その上に保護層を形成するが、その
ため溶解や膨潤等の化学変化、溶媒の浸透等が生じない
こと、 （４）光透過率が高く、均質な膜であること、（５）上
、下層との接着性がよいこと、（Ｂ）　２［）〜９０％
Ｒ１（の環境下で異常画像を生じない様な電気特性を有
すること、 、９゛である。

上記条件（２）で言及したバリアー層６は、帯電能を向
上し、電荷疲労を生じさせないために、止７は荷を阻止
し負電荷が通過し易い様な電気的性質を有するものが望
ましく、Ａｓ−Ｓｅ層との間では良質な砒素酸化物（Ａ
８２０５など）が形成される中間層材料を塗布するのが
良い。

上記第２の帯電能を改善するための中間層材料としては
トリメチルシリルイソシアネート、ジメチルシリルジイ
ソシアネート、メチルシリルトリイソシアネート、ビニ
ルシリルトリイソシアネート等のシリルイソシアネート
化合物、テトラｎ−ブチルチタネート、チタンアセチル
アセトネート、ジルコニウムｎ−ブチレート、ジルコニ
ウムアセチルアセトネート等の有機金属化合物またはγ
−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン等のシラ
ンカップリング剤との混合物、シリコーン系樹脂、Ｓｉ
Ｏ等の材料が用いられる。

しかし、前記イソシアネート系化合物を感光体上に塗布
した場合常温では全く問題ない画像品質を示すにもかか
わらず、高湿環境では画像品質の低下が著るしく回復性
がおそく実用性が無い。また有機金属化合物はインシア
ネート系化合物に較べれば、高湿環境での画像品質低下
は小さいが、それでも実用レベル以下に画像品質が低下
することがあり、回復性も悪い。

一方シリコーン系樹脂およびＳｉＯは４０００人などの
厚みで感光体上に塗布した場合、高湿環境下ではイソシ
アネート系化合物に近い画像品質を示す。しかし、２５
０〜２０００人程度の薄膜にすると、この膜厚がうすい
程、画像品質の低下が少く、２５０〜１０００人のもの
では常温の画像と全く同等の画像を示し、２００ＯＡで
も実用上充分な画像品質を示す。

本感光体の場合、中間層の上に更に保護層を形成するが
、この様にすることによって膜厚を５０００　Ｘ程度に
厚くしても画像品質は常湿時と殆ど同品質を示し、膜厚
の適用範囲が広がる。しかしあまり厚くすると中間層と
保護層間の接若性が低下するし、また逆にうすい場合、
中間層にピンホールが多くなり画像品質が低下するので
実用上問題ない膜厚は８００〜３０００　Ａである。

なお、シリコーン樹脂にも色々の社類があるが、特に好
ましいものとして塗膜、乾燥後の成分が次に示す元素で
構成されるものが本発明における感光体特性を満足する
ものである。すなわち、 （１）けい素および酸素の含有量が５５〜８８ｖｔ％（
２）炭素および酸素の含有量がｌＯ〜８０ｗＬ％（３）
水素および酸素の含有量がｌ〜ｔＯｗｔ％（４）窒素お
よび酸素の含有量が１〜ｆｏｗ１％である。

成膜法としてはシリコーン樹脂の場合、スプレー法やデ
ィッピング法が一般的であり、ＳｉＯの場合、真空蒸着
法やスパッター法、電子ビーム法が一般的な用いられる
。

この様にＡｓ−３ｅ−Ｔｅ層上にＡｓ−３ｅ層、中間層
とする層構成の感光体はＡｓ−Ｓｅ−Ｔｅ層の上に中間
層をもうけた従来の感光体に較べ、より帯電能が改善さ
れ、蒸発材料あるいは蒸着条件のバラツキで生じるＡｓ
−３ｅ−Ｔｅ層中のＴｅａ度によって影響を受ける帯電
位のあばれ、および繰返し電位変動をより小さくする。

その結果帯電用チャージャーのコロナ電流はより低く抑
えることができ、また繰返し使用時の画像濃度が安定す
る好結果が生まれる。

しかし以上に述べた中間層は機械的に弱いため、実使用
上は保護層が必要である。

保護層において耐環境特性が優れていることは言うまで
もなく、以下に示す諸条件を満足する必要がある。

（１）耐擦性、耐摩耗性および耐疵性に優れていること
、 （２）クリーニング性が優れていること、（３）電位減
衰の時定数が小さく、かつ残留電荷が小さいこと、 （４）全波長、特に７００ｔｖ以上の波長光に対しての
透過率が高いこと、 （５）トナーフィルミングを生じないこと、（６）耐溶
剤性を有すること、 （７）オゾンや紫外線照射による劣化がないこと、等の
特性を有することは複写したときの耐用枚数を上げる上
で重要である。

これらの特性を満足する保護層材として１０繻〜１ＱＩ
２Ω・ｃｓ程度の比抵抗を有するａ−ＣＳａ−８ｉ　Ｃ
，ａ−５ｉ　Ｎ、　ａ−ＢＮ等の無機層、−欠粒径が０
．０５〜０．２　μｒａ程度の５ｎ０２．５ｎ０２にｓ
ｂを含んだもの、ＴｉＯ２、Ａｕ等の微粉末を３０〜７
０ｖＬ％含有したエステルあるいはウレタン架橋タイプ
のスチレン−Ｍ　Ｍ　Ａ樹脂さらにはフッ素系の樹脂な
どがある。

樹脂中に導電性粉末、例えば、金属微粉末を入れる理由
は比抵抗を下げ、残留電荷を実用的な範囲内に小さくす
るためと、機械的特性、クリーニング特性を向上させる
ためで、金属微粉末がないと残留電荷のためにかぶりが
ひどく、また、いくら架橋度を上げて硬くしても削れ易
くクリーニング性も著るしく悪くなる。

例えば０．１μｍの５ｎ０２をウレタン架橋タイプスチ
レン−ＭＭＡ樹脂中に８０ｖｔ％分散した保護層をＳｅ
−Ａｓ系感光体の上に形成することによって、残留電位
は低く抑制され、帯電、露光、現像、クリーニングとい
う一連のフリーランプロセスモードで１００万枚フリー
ランを行っても、保護層の摩耗量は１μ■以下である。

また１００万枚終了後の画像品質は初期画像と殆ど同じ
であり、非晶質シリコン感光体（ａ　−３ｉ感光体）の
耐久性に匹敵する耐久性を示す。

以下実施例、比較例によって、本発明を具体的に説明す
る。

実施例１ Ａｓ２Ｓｅ２用の第１ボート、Ａｓ−Ｓｅ−Ｔｅ用の第
２ボート、そしてＡｓ−Ｓｅ用の第３ボートを配した真
空蒸着装置を用いた。

支持体として十分に脱脂したＪ　Ｉ　Ｓ　１０５０系の
Ａｌ板、第１ボートにＡｇ３　Ｓｅ３材を１２０ｇ。

第２ボートにＡｓ　２　Ｓｅ２．ｂ　Ｔｅｏ、４　（Ｔ
ｅ　：１２．７ｖｔ％、Ａ　ｓ　：　３Ｇ、５ｖｔ％）
を８ｇｒ、さらに第３ボートにＡ　ｓ　−Ｓ　ｅ　（Ａ
　ｓ　：　３５．５ｖｔ％）を３ｇｒ投入した。

まず真空度をＩ　Ｘ　１Ｇ−ｓｔｏｒｒ以下、支持体温
度１８０℃、ボート温度４００℃、蒸若時間約５３分で
約５５μｍ相当のＡｓ２Ｓｅ２層を形成した。

次に支持体温度１８０℃、ボート温度４００℃の作製条
件で約８分間の蒸着時間で約３μｍ相当のＡｓ−Ｓｅ−
Ｔｅ層を形成した。

さらに、支持体温度１８０℃、ボート温度４００℃の作
製条件下約８分間の蒸着時間で約２．５μｌ相当のＡｓ
−Ｓｅ層を形成した。

この様にして作製された感光体を濃度７％に希釈したシ
リコーン樹脂（東しシリコーン製Ａ　Ｙ　４２−４４１
）液中にディッピングし、７＋ｇｍ／ｓｅｃの引上げ速
度で塗布し、１２０℃１時間乾燥後約１８００人の中間
層を得た。

さらに試作ウレタン架橋型スチレン−ＭＭＡ樹脂（ＨＭ
Ａ／５ｔ−６／４　、ＮＧＯｌｏＨ−１／ｌ　、　　２
ＨＥＭＡ−３０ｖｔ％）にＳｎＯ２の微粉末（三菱金属
製）を８０ｗｔ％、さらにトルエン：酢酸セルロース：
メチルイソブチルケトン−３：４：３の割合で混合した
溶媒を加え、ボールミル法で約１２０時間分散した。そ
して塗工前に架橋剤として脂肪酸ポリイソシアネート（
スミジュールＨＴ、住友バイエル社）を加え、さらに分
散した。この樹脂液を用いてディッピング法にて塗工し
、１２５℃、３０分間加熱乾燥し、約３μｍの保護層を
作製した。

この様にして得られた感光体を川口電機製のペーパーア
ナライザー５Ｐ−４２８を用いて通常の初期静電特性お
よび疲労特性を測定し、さらに分光感度ｎ１定器を用い
て、分光感度をｎ１定した。

その結果を表−１に示す。

実施例２ 実施例１と同じ真空蒸着装置を用いて、第１ボートにＡ
ｓｚＳｅ３材１２０ｇｒ、第２ボートにＡｓ２Ｓｅ２．
６Ｔｅｏ、ａ材８　ｇ　ｒ　ｓ第３ボートにＡｓ−３ｅ
材（Ａｓ：２ｖｔ％）　　３ｇｒ投入した。

まず真空度をｌＸ１Ｏ°’　ｔｏｒｒ以下、支持体温度
１８０℃、ボート温度４００℃の作製条件で５５μ■相
当のＡｓ２Ｓｅｚ層を、ついで支持体温度１６０℃ボー
ト温度４００℃の作製条件で約３μｍのＡｓ−Ｓｅ−Ｔ
ｅ層を形成した。

さらに支持体温度を８０℃、ボート温度２６０”Ｃの作
製条件で約２．５μｍ相当のＡｓ−Ｓｅ層を形成した。

この様にして作製された感光体を７％液に希釈したシリ
コーン樹脂（東レシリコーン製ＡＹ４２−４４１）中に
ディッピングし、４■／ｓｅｃの引上げ速度で塗布し、
４０℃にて２時間乾燥し、約１０００人の中間層を得た
。

さらに実施例１に示すウレタン架橋型スチレン−ＭＭＡ
樹脂をスプレー法で塗布し、４０℃にて乾燥し、約２．
５μｍの保護層を形成した。

この様にして得られた感光体を実施例１と同じ１ｌｌｌ
Ｊ定法で電子写真特性を測定した。その結果を表−１に
示す。

実施例３ 実施例１と同じ真空蒸る装置を使用して、第１ボートに
Ａｓ２Ｓｅｚ材１２０ｇｒ、第２ボートにＡ　Ｓ　２　
Ｓ　ｅ　２．５　Ｔ　ｅ　ｏ、ｓ材（Ａ　ｓ　：　３５
．９ｗＬ％、Ｔ　ｅ　：　１５．５ｖＬ％）８ｇ「、第
３ボートにＡｓ−Ｓｅ材（Ａｓ：５ｗＬ％）５ｇ「を投
入した。

まず真空度をＩ　Ｘ　ｔｏ’　Ｌｏｒｒ以下、支持体温
度１８０℃、ボート温度４００℃の作製条件で、５５μ
■相当のＡｓ２Ｓｅ３層を形成した。ついで支持体温度
１３５℃、ボート温度３６０℃の作製条件で約３μＩの
Ａｓ−Ｓｅ−Ｔｅ層を形成した。

さらに支持体温度８０℃、ボート温度２８０℃の作製条
件で約２．７μｍ相当のＡｓ−Ｓｅ層を形成した。

この様にして得られた感光体に実施例２に示す方法で中
間層および保護層を形成した。

以下実施例１と同じ方法で電子写真特性を測定した。そ
の結果を表−１に示す。

実施例４ 実施例１と同じ真空蒸着装置を用いて、第１ボートにＡ
ｓ２Ｓｅ３材１２０ｇｒ、第２ボートにＡｓｚＳｅ、、
、４Ｔｅａ、ｂ　　（Ａ　ｓ　：　３５．５ｗｔ％、Ｔ
　ｅ　：　１ｇ、４ｗｔ％）　　Ｂｇｒ、第３ボートに
Ａｓ−３ｅ材（Ａ　ｓ　：　３５．５ｗｔ％）　　３ｇ
ｒを投入した。

まず真空度をＩ　Ｘ　１０’　ｔｏｒｒ以下、支持体温
度１８０℃、ボート温度４００℃の作製条件で５５μｍ
相当のＡｓ２Ｓｅ３層を形成した。ついで支持体温度１
４５℃ボート温度３８０℃の作製条件で約３μ−相当の
Ａｓ−Ｓｅ−Ｔｅ層を形成した。

さらに支持体温度１８０℃、ボート温度４００℃の作製
条件で約２．５μ囮相当のＡｓ−Ｓｅ層を作製した。

この様にして作製された感光体を別の真空蒸着装置にセ
ットし蒸着ボートに５ｉｎ（フルウチ化学９９．９９％
）を約４９０Ｂ投入し、真空度ＩＸ　１Ｏ−ｓＬｏｒｒ
以下、支持体温度室温の条件でボートに通電し、約５５
０人のＳｉＯ膜を形成した。

さらに実施例１と同じ方法で保護層を約３μ■形成し、
電子写真特性を測定した。

比較例１ 実施例１と同じ真空蒸着装置を用いて、第１ボートにＡ
ｓ２Ｓｅ３材１２０ｇｒ、第２ボートにＡｓ　２　Ｓ　
ｅ２．ａ　Ｔｅｏ、ｂ　　（Ａｓ　：　３５．５ｖｔ％
、Ｔ　ｅ　：　１Ｂ、４ｖｔ％）　　Ｂｇｒを投入した
。

まず真空度をＩ　Ｘ　ＩＱ’　ｔｏｒｒ以下、支持体温
度１８０℃、ボート温度４００℃の作製条件にて、約５
３分で５５μ■相当のＡｓ２Ｓｅ３層を形成した。

次に支持体温度１６０℃、ボート温度４ｉ］０℃の作製
条件にて約８分間の蒸着時間で約３μｍ相当のＡｓ−３
ｅ−Ｔｅ層を形成した。

この様にして作製された感光体を濃度７％に希釈したシ
リコーン樹脂（東しシリコーン製Ａ　Ｙ　４２−４４１
）液中にディッピングし、７ｍｍ／ｓｅｃの引上げ速度
で塗布し、１２０℃、１時間乾燥後、約１８００人の中
間層を得た。

さらに試作ウレタン架橋型スチレン−ＭＭＡ樹脂（ＭＭ
＾／５Ｌ−８／４　、ＮＧＯｌｏＨ−１／Ｉ　、　　２
Ｏ２ＭＡ−３０ｖＬ％）にＳｎＯ２の微粉末（三菱金属
製）を６０ｖＬ９６、さらにトルエン：酢酸セルロース
：メチルイソブチルケトン−３：４：３の割合で混合し
た溶媒を加え、ボールミル法で約１２０時間分散した。

そして塗工前に架橋剤として脂肪酸ポリイソシアネート
（スミジュールＨＴ、住友バイエル社）を加え、さらに
分散した。そしてこの樹脂液を用いてディッピング法で
塗工し、１２５℃、３０分間の加熱乾燥を行い、約３μ
ｍの保護層を形成した。

この様にして得られた感光体を川口電機型のペーパーア
ナライザーＳＰ−４２ｇを用いて通常の初期静電特性お
よび疲労特性を測定し、さらに分光感度測定器を用いて
、分光感度をｉｌＮ定した。

その結果を表−１に示す。

比較例２ 第１ボートにＡｓ２Ｓｅ３材を１２０ｇ、第２ボートに
Ａｓ　２　Ｓ　ｅ２．Ｔｅａ、材（Ａ　ｓ　：　３５．
９ｗｔ％、Ｔ　ｅ　：　１５．５ｖｔ％）６ｇ「を投入
した。

まず真空度を１×ｌＯ°’　ｔｏｒｒ以下、支持体温度
１８０℃、ボート温度４００℃の作製条件にて５５μｌ
相当のＡｓ２Ｓｅ３層を形成した。

ついで支持体温度１３５℃、ボート温度３８０℃の作製
条件で約３μｍのＡｓ−Ｓｅ−Ｔｅ層を形成した。

この様にして作製された感光体に実施例１に示す方法に
て中間層ついで保護層を形成し、オーバーコート感光体
を作製した。

この感光体を川口電機型のペーパーアナライザー５Ｐ−
４２８を用いて静電特性および疲労特性を測定し、さら
に分光感度測定器を用いて、分光感度を測定した。その
結果を下記表−１に示す。

表−１ Ｖｏ　：　＋８．５ＫＶ印加２０秒ノ表面電位ＤＤ：Ｖ
。より２０秒後の電位保持率 ＶＲ：　４．５１ｕｘ　（２８５６ｋ）、照射３０秒後
の残留電位？＋１０ｎｉ感度：　７８０ｕノ聰・１時（
’）　８００ＶＪ、す１００ＶＩ：光減衰時の感度ΔＶ
ｏ　：　１．０４ＸｌＯ−’ｅ／ｃｍ’の電荷はを感光
体に与えた場合の電位低下量ΔＶ睨：　１．０４Ｘｌｏ
−’ｃ／ｃｍ’の電荷量を感光体に与えた場合の蓄積電
位［効　果］ 以上説明したように本発明の構成にすることにより次の
様な効果が生じる。

（１）蒸着や材料のバラツキのためＡｓ−３ｅ−Ｔｅ中
のＴｅ１１度が変化しても帯電位が従来に較べより安定
化する。

（２）またリピートにともなう電位変動が小さくなり、
それにともなう画像濃度の変化も低くおさえられる。

（３）帯電位に余裕が出てくるので、帯電電流も低くお
さえられ電源にも余裕を生じる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一例である電子写真用感光体の構成を
示すための断面の模式図、 第２図は、Ａｓ−３ｅ合全中のＡｓの含有量とガラス転
移温度および結晶化温度との関係を示すグラフ、 第３図はＡｓ−３ｅ−Ｔｅ層の材料のＴｅ濃度とＡｓ−
３ｅ−Ｔｅ層のＥｇｏｐｔとの関係を示すグラフである
。 ｌ・・・導電性支持体、２および４・・・Ａｓ−Ｓｅ層
、３・−Ａｓ−Ｓｅ−Ｔｅ層、５・・・中間層、６・・
・バリアー層、７・・・保護層。 第１図 第２図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 感光層の構成が、導電性支持体側より順に第１のＡｓ−
   Ｓｅ層、Ａｓ−Ｓｅ−Ｔｅ層および第２のＡｓ−Ｓｅ層
   の３層から成り、更に、この上に第２のＡｓ−Ｓｅ層に
   対する正電荷の注入を阻止するようなバリアー層を有す
   ることを特徴とする電子写真用感光体。