JPH02293885A - 像形成装置 - Google Patents
像形成装置Info
- Publication number
- JPH02293885A JPH02293885A JP11416289A JP11416289A JPH02293885A JP H02293885 A JPH02293885 A JP H02293885A JP 11416289 A JP11416289 A JP 11416289A JP 11416289 A JP11416289 A JP 11416289A JP H02293885 A JPH02293885 A JP H02293885A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- image forming
- protective layer
- cleaning
- layer
- forming device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 36
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 20
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 26
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 claims description 19
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 11
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 11
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 9
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 7
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 claims description 7
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 5
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 20
- -1 nitric acid ions Chemical class 0.000 abstract description 12
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 3
- 238000007599 discharging Methods 0.000 abstract 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 17
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000012217 deletion Methods 0.000 description 5
- 230000037430 deletion Effects 0.000 description 5
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 description 3
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- PUPZLCDOIYMWBV-UHFFFAOYSA-N (+/-)-1,3-Butanediol Chemical compound CC(O)CCO PUPZLCDOIYMWBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HXDLWJWIAHWIKI-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxyethyl acetate Chemical compound CC(=O)OCCO HXDLWJWIAHWIKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SVTBMSDMJJWYQN-UHFFFAOYSA-N 2-methylpentane-2,4-diol Chemical compound CC(O)CC(C)(C)O SVTBMSDMJJWYQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910017000 As2Se3 Inorganic materials 0.000 description 2
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001370 Se alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WERYXYBDKMZEQL-UHFFFAOYSA-N butane-1,4-diol Chemical compound OCCCCO WERYXYBDKMZEQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol monomethyl ether acetate Natural products COCCOC(C)=O XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005562 fading Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- YPFDHNVEDLHUCE-UHFFFAOYSA-N propane-1,3-diol Chemical compound OCCCO YPFDHNVEDLHUCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- URAYPUMNDPQOKB-UHFFFAOYSA-N triacetin Chemical compound CC(=O)OCC(OC(C)=O)COC(C)=O URAYPUMNDPQOKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- AGYUOJIYYGGHKV-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(2-chloroethoxy)ethane Chemical compound ClCCOCCOCCCl AGYUOJIYYGGHKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LZDKZFUFMNSQCJ-UHFFFAOYSA-N 1,2-diethoxyethane Chemical compound CCOCCOCC LZDKZFUFMNSQCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GDXHBFHOEYVPED-UHFFFAOYSA-N 1-(2-butoxyethoxy)butane Chemical compound CCCCOCCOCCCC GDXHBFHOEYVPED-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QWOZZTWBWQMEPD-UHFFFAOYSA-N 1-(2-ethoxypropoxy)propan-2-ol Chemical class CCOC(C)COCC(C)O QWOZZTWBWQMEPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RPUJTMFKJTXSHW-UHFFFAOYSA-N 1-(methoxymethoxy)ethanol Chemical compound COCOC(C)O RPUJTMFKJTXSHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RWNUSVWFHDHRCJ-UHFFFAOYSA-N 1-butoxypropan-2-ol Chemical compound CCCCOCC(C)O RWNUSVWFHDHRCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RRQYJINTUHWNHW-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxy-2-(2-ethoxyethoxy)ethane Chemical compound CCOCCOCCOCC RRQYJINTUHWNHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CNJRPYFBORAQAU-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxy-2-(2-methoxyethoxy)ethane Chemical compound CCOCCOCCOC CNJRPYFBORAQAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxypropan-2-ol Chemical compound CCOCC(C)O JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FKNIDKXOANSRCS-UHFFFAOYSA-N 2,3,4-trinitrofluoren-1-one Chemical compound C1=CC=C2C3=C([N+](=O)[O-])C([N+]([O-])=O)=C([N+]([O-])=O)C(=O)C3=CC2=C1 FKNIDKXOANSRCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KMZHZAAOEWVPSE-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydroxypropyl acetate Chemical compound CC(=O)OCC(O)CO KMZHZAAOEWVPSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOCCOC(C)=O VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FPZWZCWUIYYYBU-UHFFFAOYSA-N 2-(2-ethoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCOCCOCCOC(C)=O FPZWZCWUIYYYBU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XXXFZKQPYACQLD-UHFFFAOYSA-N 2-(2-hydroxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CC(=O)OCCOCCO XXXFZKQPYACQLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxyethoxy)ethanol Chemical compound COCCOCCO SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NCHBYORVPVDWBJ-UHFFFAOYSA-N 2-(3-methylbutoxy)ethanol Chemical compound CC(C)CCOCCO NCHBYORVPVDWBJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RWLALWYNXFYRGW-UHFFFAOYSA-N 2-Ethyl-1,3-hexanediol Chemical compound CCCC(O)C(CC)CO RWLALWYNXFYRGW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFSMVVDJSNMRAR-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-ethoxyethoxy)ethoxy]ethanol Chemical compound CCOCCOCCOCCO WFSMVVDJSNMRAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WAEVWDZKMBQDEJ-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-methoxypropoxy)propoxy]propan-1-ol Chemical class COC(C)COC(C)COC(C)CO WAEVWDZKMBQDEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JTXMVXSTHSMVQF-UHFFFAOYSA-N 2-acetyloxyethyl acetate Chemical compound CC(=O)OCCOC(C)=O JTXMVXSTHSMVQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NQBXSWAWVZHKBZ-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOC(C)=O NQBXSWAWVZHKBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SZIFAVKTNFCBPC-UHFFFAOYSA-N 2-chloroethanol Chemical compound OCCCl SZIFAVKTNFCBPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl acetate Chemical compound CCOCCOC(C)=O SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UPGSWASWQBLSKZ-UHFFFAOYSA-N 2-hexoxyethanol Chemical compound CCCCCCOCCO UPGSWASWQBLSKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CRWNQZTZTZWPOF-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-4-phenylpyridine Chemical compound C1=NC(C)=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 CRWNQZTZTZWPOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCDWFXQBSFUVSP-UHFFFAOYSA-N 2-phenoxyethanol Chemical compound OCCOC1=CC=CC=C1 QCDWFXQBSFUVSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHFKYDMBUMLWDA-UHFFFAOYSA-N 2-phenoxyethyl acetate Chemical compound CC(=O)OCCOC1=CC=CC=C1 WHFKYDMBUMLWDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CUZKCNWZBXLAJX-UHFFFAOYSA-N 2-phenylmethoxyethanol Chemical compound OCCOCC1=CC=CC=C1 CUZKCNWZBXLAJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCAHUFWKIQLBNB-UHFFFAOYSA-N 3-(3-methoxypropoxy)propan-1-ol Chemical class COCCCOCCCO QCAHUFWKIQLBNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PSJBSUHYCGQTHZ-UHFFFAOYSA-N 3-Methoxy-1,2-propanediol Chemical compound COCC(O)CO PSJBSUHYCGQTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100411591 Dictyostelium discoideum rab8B gene Proteins 0.000 description 1
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 1
- UXDDRFCJKNROTO-UHFFFAOYSA-N Glycerol 1,2-diacetate Chemical compound CC(=O)OCC(CO)OC(C)=O UXDDRFCJKNROTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004348 Glyceryl diacetate Substances 0.000 description 1
- 239000004347 Glyceryl monoacetate Substances 0.000 description 1
- 239000002841 Lewis acid Substances 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 101700004678 SLIT3 Proteins 0.000 description 1
- 101100148749 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) SAS2 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910018110 Se—Te Inorganic materials 0.000 description 1
- 102100027339 Slit homolog 3 protein Human genes 0.000 description 1
- UWHCKJMYHZGTIT-UHFFFAOYSA-N Tetraethylene glycol, Natural products OCCOCCOCCOCCO UWHCKJMYHZGTIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane Chemical compound CCC(CO)(CO)CO ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 229910000410 antimony oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 229910000416 bismuth oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- OWBTYPJTUOEWEK-UHFFFAOYSA-N butane-2,3-diol Chemical compound CC(O)C(C)O OWBTYPJTUOEWEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- XENVCRGQTABGKY-ZHACJKMWSA-N chlorohydrin Chemical class CC#CC#CC#CC#C\C=C\C(Cl)CO XENVCRGQTABGKY-ZHACJKMWSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N dibismuth;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Bi+3].[Bi+3] TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940019778 diethylene glycol diethyl ether Drugs 0.000 description 1
- 229940028356 diethylene glycol monobutyl ether Drugs 0.000 description 1
- XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol monoethyl ether Chemical compound CCOCCOCCO XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940075557 diethylene glycol monoethyl ether Drugs 0.000 description 1
- SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N diglyme Chemical compound COCCOCCOC SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N dipropylene glycol Chemical compound OCCCOCCCO SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 229960005082 etohexadiol Drugs 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 1
- 229960005150 glycerol Drugs 0.000 description 1
- 235000019443 glyceryl diacetate Nutrition 0.000 description 1
- 235000019442 glyceryl monoacetate Nutrition 0.000 description 1
- 239000001087 glyceryl triacetate Substances 0.000 description 1
- 235000013773 glyceryl triacetate Nutrition 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 210000004013 groin Anatomy 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229940051250 hexylene glycol Drugs 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 150000007517 lewis acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- RIEABXYBQSLTFR-UHFFFAOYSA-N monobutyrin Chemical compound CCCC(=O)OCC(O)CO RIEABXYBQSLTFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N oxoantimony Chemical compound [Sb]=O VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N oxolane-2,4-dione Chemical compound O=C1COC(=O)C1 JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960005323 phenoxyethanol Drugs 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920005990 polystyrene resin Polymers 0.000 description 1
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 1
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 description 1
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 229960002622 triacetin Drugs 0.000 description 1
- ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N triethylene glycol Chemical compound OCCOCCOCCO ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JLGLQAWTXXGVEM-UHFFFAOYSA-N triethylene glycol monomethyl ether Chemical compound COCCOCCOCCO JLGLQAWTXXGVEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G2221/00—Processes not provided for by group G03G2215/00, e.g. cleaning or residual charge elimination
- G03G2221/0026—Cleaning of foreign matter, e.g. paper powder, from imaging member
- G03G2221/0031—Type of foreign matter
- G03G2221/0042—Paper powder and other dry foreign matter
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G2221/00—Processes not provided for by group G03G2215/00, e.g. cleaning or residual charge elimination
- G03G2221/0026—Cleaning of foreign matter, e.g. paper powder, from imaging member
- G03G2221/0047—Type of cleaning device
- G03G2221/0063—Cleaning device for foreign matter separate from residual toner cleaning device
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G2221/00—Processes not provided for by group G03G2215/00, e.g. cleaning or residual charge elimination
- G03G2221/0026—Cleaning of foreign matter, e.g. paper powder, from imaging member
- G03G2221/0068—Cleaning mechanism
- G03G2221/0084—Liquid
Landscapes
- Discharging, Photosensitive Material Shape In Electrophotography (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Cleaning In Electrography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は電子写真複写機における画像流れを防止した像
形成装置に関する。
形成装置に関する。
[従来の技術]
従来、電子写真用感光体としては、導電性支持体上にセ
レンまたはセレン合金を主体とすーる光導電層を設けた
もの、酸化亜鉛、硫化カドミウムなどの無機光導電材料
をバインダー中に分散させたもの、ポリーN−ビニル力
ルバゾールとトリニトロフルオレノン或いはアゾ顔料な
どの有機光導電材料を用いたもの及び非晶質シリコンを
用いたもの等が一般に知られている。
レンまたはセレン合金を主体とすーる光導電層を設けた
もの、酸化亜鉛、硫化カドミウムなどの無機光導電材料
をバインダー中に分散させたもの、ポリーN−ビニル力
ルバゾールとトリニトロフルオレノン或いはアゾ顔料な
どの有機光導電材料を用いたもの及び非晶質シリコンを
用いたもの等が一般に知られている。
これらの感光体に対して長時間高画質を保つ信顆性の要
求が年々高まっている。しかし光導電層が露出している
場合、帯電過程のコロナ放電による損傷と複写プロセス
で受ける他部材との接触による物理的あるいは化学的な
損傷が感光体の寿命を損うものであった。
求が年々高まっている。しかし光導電層が露出している
場合、帯電過程のコロナ放電による損傷と複写プロセス
で受ける他部材との接触による物理的あるいは化学的な
損傷が感光体の寿命を損うものであった。
このような欠点を解消する方法として感光体表面に保護
層を設ける技術が知られている。具体的には感光層の表
面に有機フィルムを設ける方法(特公昭38− 154
46)、無機酸化物を設ける方法(特公昭43− 14
517)、接着層を設けた後絶縁層を積層する方法(特
公昭43− 27591)、或いはプラズマCVD法、
光CVD法等によってa−Si層、a−Si:N:H層
、a−Si:O:H層等を積層する方法(特開昭57−
179859、特開昭59−18437)が開示され
ている。
層を設ける技術が知られている。具体的には感光層の表
面に有機フィルムを設ける方法(特公昭38− 154
46)、無機酸化物を設ける方法(特公昭43− 14
517)、接着層を設けた後絶縁層を積層する方法(特
公昭43− 27591)、或いはプラズマCVD法、
光CVD法等によってa−Si層、a−Si:N:H層
、a−Si:O:H層等を積層する方法(特開昭57−
179859、特開昭59−18437)が開示され
ている。
しかしながら保護層が電子写真的に高抵抗(to”Ω・
cI1以上)になると、残留電位の増大、繰返し時の蓄
積等が問題となり、実用上好ましくない。
cI1以上)になると、残留電位の増大、繰返し時の蓄
積等が問題となり、実用上好ましくない。
上記欠点を補う技術として保護層を光導電層とする方法
(特公昭4B−38427 、特公昭43−16198
、特公昭4g−10258、米国特許第290134
8)、保護層中に色素やルイス酸に代表される移動剤を
添加する方法(特公昭44− 834、特開昭53−1
33444) 、或いは金属や金属酸化物微粒子の添加
により保護層の抵抗を制御する方法(特開昭53− 3
338)等が提案されている。
(特公昭4B−38427 、特公昭43−16198
、特公昭4g−10258、米国特許第290134
8)、保護層中に色素やルイス酸に代表される移動剤を
添加する方法(特公昭44− 834、特開昭53−1
33444) 、或いは金属や金属酸化物微粒子の添加
により保護層の抵抗を制御する方法(特開昭53− 3
338)等が提案されている。
しかし、このような場合には保護層による光の吸収が生
じ感光層へ到達する光量が減少するため結果として、感
光体の感度が低下するという問題が生じる。
じ感光層へ到達する光量が減少するため結果として、感
光体の感度が低下するという問題が生じる。
このような観点から特開昭57− 30848に提案さ
れているように平均粒径0.3μm以下の金属酸化物微
粒子を抵抗制御剤として保護層中に分散させることによ
り、可視光に対し実質的に透明にする方法がある。これ
らの保護層を持った感光体は感度低下も少く、保:Il
層の機械的強度も増し、耐久性が向上する。しかし長期
使用した場合、高湿あるいは急激な湿度変化の環境下で
画像流れが生ずるという欠点を持つことが判明した。
れているように平均粒径0.3μm以下の金属酸化物微
粒子を抵抗制御剤として保護層中に分散させることによ
り、可視光に対し実質的に透明にする方法がある。これ
らの保護層を持った感光体は感度低下も少く、保:Il
層の機械的強度も増し、耐久性が向上する。しかし長期
使用した場合、高湿あるいは急激な湿度変化の環境下で
画像流れが生ずるという欠点を持つことが判明した。
これはコロナ放電により生成する放電生成物(硝酸イオ
ン、アンモニウムイオン等)が保護層表面に吸着され、
この放電生成物が大気中の水分を吸湿すると保護層表面
方向の電気抵抗が低下し静電潜像が維持できなくなって
しまうためである。この画像流れを防止する方法として
特開昭82− 295068に提案されているように保
護層に分散する金属及び金属酸化物微粉末を撥水処理す
る方法が提案されているが効果が充分でなく、残留電位
が上昇する等の副作用が生じる。
ン、アンモニウムイオン等)が保護層表面に吸着され、
この放電生成物が大気中の水分を吸湿すると保護層表面
方向の電気抵抗が低下し静電潜像が維持できなくなって
しまうためである。この画像流れを防止する方法として
特開昭82− 295068に提案されているように保
護層に分散する金属及び金属酸化物微粉末を撥水処理す
る方法が提案されているが効果が充分でなく、残留電位
が上昇する等の副作用が生じる。
又、特開昭51−85941 ,特開昭52− 129
434、特開昭53− 32744に開示されているよ
うにヒーターを用いて感光体の表面を高温にすることで
吸着水分を飛散させ、画像流れを防止する方法も提案さ
れているが、感光体表面へのトナー固着が生じるという
不都合が生じる。
434、特開昭53− 32744に開示されているよ
うにヒーターを用いて感光体の表面を高温にすることで
吸着水分を飛散させ、画像流れを防止する方法も提案さ
れているが、感光体表面へのトナー固着が生じるという
不都合が生じる。
さらに特開昭61− 112153、特開昭62− 1
19567、特開昭63− 60477に開示されてい
るように研磨剤を用いて放電生成物を除去する方法も提
案されているが、該保護層を有する感光体では研磨゛す
ることにより活性な金属、あるいは金属酸化物が表面に
出現し、放電生成物の吸着が起りゃすく画像流れが生じ
やすいという欠点が生じる。
19567、特開昭63− 60477に開示されてい
るように研磨剤を用いて放電生成物を除去する方法も提
案されているが、該保護層を有する感光体では研磨゛す
ることにより活性な金属、あるいは金属酸化物が表面に
出現し、放電生成物の吸着が起りゃすく画像流れが生じ
やすいという欠点が生じる。
[発明が解決しようとする課題]
本発明の目的は、上記従来技術の問題点に鑑み、保護層
表面に付着しているコロナ放電生成物(硝酸イオン、ア
ンモニウムイオン等)を除去する手段を備え、保護層表
面を新鮮な状態に保つことにより達成される画像流れを
防止した像形成装置を提供することにある。
表面に付着しているコロナ放電生成物(硝酸イオン、ア
ンモニウムイオン等)を除去する手段を備え、保護層表
面を新鮮な状態に保つことにより達成される画像流れを
防止した像形成装置を提供することにある。
[課題を解決するための手段]
本発明者らは、前記目的に鑑み、検討の結果、画像ボケ
の主要因である硝酸イオン、アンモニウムイオン等のコ
ロナ放電生成物が容昌に多価アルコールまたはその誘導
体に溶解し得ることを見出し、本発明を完成した。
の主要因である硝酸イオン、アンモニウムイオン等のコ
ロナ放電生成物が容昌に多価アルコールまたはその誘導
体に溶解し得ることを見出し、本発明を完成した。
すなわち、本発明は、
(1)導電性支持体上に光導電層および表面保護層を順
次積層した電子写真用感光体の周囲に、静電潜像形成手
段、この静電潜像を現像する現像手段、現像した像を転
写する手段、転写後前記感光体表面に残留したトナーを
クリーニングする手段を配置した像形成装置において、
さらに、該感光体表面に付着した放電生成物を多価アル
コールまたはその誘導体によりクリーニングする手段を
設けたことを特徴とする像形成装置。
次積層した電子写真用感光体の周囲に、静電潜像形成手
段、この静電潜像を現像する現像手段、現像した像を転
写する手段、転写後前記感光体表面に残留したトナーを
クリーニングする手段を配置した像形成装置において、
さらに、該感光体表面に付着した放電生成物を多価アル
コールまたはその誘導体によりクリーニングする手段を
設けたことを特徴とする像形成装置。
(2)表面保護層が、金属あるいは金属酸化物の微粉末
を結着樹脂中に分散させた層から成る上記(1)記載の
像形成装置である。
を結着樹脂中に分散させた層から成る上記(1)記載の
像形成装置である。
以下、本発明を更に詳しく説明する。
本発明に用いられる電子写真用感光体の構成は、導電性
支持体上に光導電層および表面保護層を順次積層した電
子写真用感光体において、表面保護層が金属あるいは金
属酸化物粉末を結着樹脂中に分散した層からなる。
支持体上に光導電層および表面保護層を順次積層した電
子写真用感光体において、表面保護層が金属あるいは金
属酸化物粉末を結着樹脂中に分散した層からなる。
本発明に用いられる金属あるいは金属酸化物微粉末とし
ては銅、スズ、アルミニウム、インジウム等の金属ある
いは酸化スズ、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化インジウム
、酸化アンチモン、酸化ビスマス、アンチモンをドーブ
した酸化スズ、スズをドープした酸化インジウム等の金
属酸化物微粉末を用いることができる。これら金属ある
いは金属酸化物微粉末は2種以上混合してもかまわない
。これら微粉末の平均粒径は0.3μI以下好ましくは
0.1μm以下にあることが保護層の透過率の点から好
ましい。
ては銅、スズ、アルミニウム、インジウム等の金属ある
いは酸化スズ、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化インジウム
、酸化アンチモン、酸化ビスマス、アンチモンをドーブ
した酸化スズ、スズをドープした酸化インジウム等の金
属酸化物微粉末を用いることができる。これら金属ある
いは金属酸化物微粉末は2種以上混合してもかまわない
。これら微粉末の平均粒径は0.3μI以下好ましくは
0.1μm以下にあることが保護層の透過率の点から好
ましい。
本発明に用いられる結着樹脂としては、シリコーン樹脂
、ポリウレタン樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂
、ポリカーボネート樹脂、ボリスチレン樹脂、エボキシ
樹脂等が例示できる。
、ポリウレタン樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂
、ポリカーボネート樹脂、ボリスチレン樹脂、エボキシ
樹脂等が例示できる。
金属酸化物微粉末を結着樹脂溶液に分散し、光導電層上
に塗布乾燥することにより得ることができる。なお、保
護層中には分散性、接着性あるいは平滑性を向上させる
目的で種々の添加剤を加えても良い。
に塗布乾燥することにより得ることができる。なお、保
護層中には分散性、接着性あるいは平滑性を向上させる
目的で種々の添加剤を加えても良い。
本発明に用いられる光導電層としてはSe,Se−Te
SAS2 Se3等のSe合金、ZnOSCdSSCd
Se等の■−■族化合物の粒子を樹脂に分散させたもの
、ポリビニル力ルバゾール等の有機光導電材料あるいは
a一Si等が用いられる。
SAS2 Se3等のSe合金、ZnOSCdSSCd
Se等の■−■族化合物の粒子を樹脂に分散させたもの
、ポリビニル力ルバゾール等の有機光導電材料あるいは
a一Si等が用いられる。
光導電層の構成は特に制約がなく、単層でも電荷発生層
と電荷輸送層の積層であってもかまわない。
と電荷輸送層の積層であってもかまわない。
さらに保護層と光導電層との間に密着性を高めるための
接着層や電荷注入を阻止するための電気的バリアー層を
設けてもよい。
接着層や電荷注入を阻止するための電気的バリアー層を
設けてもよい。
導電性支持体としては導電体あるいは導電処理をした絶
縁体が用いられる。たとえばA1、NiSFe,Cus
Auなどの金属あるいは合金、ポリエステル、ポリカ
ーボネート、ポリイミド、ガラス等の絶縁性基体上にA
ISAg,Au等の金属あるいはI rz 03、Sn
02等の導電材料の薄膜を形成したもの、導電処理をし
た紙等が例示できる。
縁体が用いられる。たとえばA1、NiSFe,Cus
Auなどの金属あるいは合金、ポリエステル、ポリカ
ーボネート、ポリイミド、ガラス等の絶縁性基体上にA
ISAg,Au等の金属あるいはI rz 03、Sn
02等の導電材料の薄膜を形成したもの、導電処理をし
た紙等が例示できる。
また導電性支持体の形状は特に制約はなく、必要に応じ
て板状、ドラム状、ベルト状のものが用いられる。
て板状、ドラム状、ベルト状のものが用いられる。
本発明の像形成装置における表面保護層に付着した放電
生成物の除去は、ローラー、ベルトあるいはブラシ等を
介して多価アルコールあるいはその誘導体を保護層表面
に供給する放電生成物クリーニング手段によって、放電
生成物を溶解清掃することによって達成される。
生成物の除去は、ローラー、ベルトあるいはブラシ等を
介して多価アルコールあるいはその誘導体を保護層表面
に供給する放電生成物クリーニング手段によって、放電
生成物を溶解清掃することによって達成される。
本発明に使用するこのような多価アルコールあるいはそ
の誘導体としては、例えば、エチレングリコール、ジエ
チレングリコール、トリエチレングリコール、テトラエ
チレングリコール、ポリエチレングリコール、プロピレ
ングリコール、ジプロピレングリコール、ポリブロビレ
ングリコール、トリメチレングリコール、ヘキシレング
リコール、オクチレングリコール、グリセリン、エチレ
ングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコール
モノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモ
ノエチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテ
ル、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート
、エチレングリコールイソブロビルエーテル、エチレン
グリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールジ
ブチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテ
ルアセテート、エチレングリコールイソアミルエーテル
、エチレングリコールモノフエニルエーテル、エチレン
グリコールモノフェニルエーテルアセテート、エチレン
グリコールベンジルエーテル、エチレングリコールモノ
ヘキシルエーテル、メトキシメトキシエタノール、エチ
レングリコールモノアセテート、エチレングリコールジ
アセテート、エチレングリコールエステル、エチレンク
ロルヒドリン、ジエチレングリコールモノメチルエーテ
ル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチ
レングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチ
レングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコ
ールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコ
ールジメチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエ
チルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル
、ジエチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレン
グリコールモノアセテート、トリエチレングリコールモ
ノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチル
エーテル、トリグリコールジクロリド、プロピレングリ
コールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノ
エチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエー
テル、■−ブトキシエトキシブ口バノール、プロビレン
グリコールモノアセテ−ト、ブロビレンクロルヒドリン
、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロ
ピレングリコールモノエチルエーテル、トリプロピレン
グリコールモノメチルエーテル、ポリ(オキシエチレン
ーオキシプロピレン)誘導体、1.3−ブタンジオール
、2,3−ブタンジオール、1.4−ブタンジオール、
■,5−ペンタンジオール、グリセリルモノアセテート
、グリセリルジアセテート、グリセリルトリアセテート
、グリセリルモノブチレート、グリセリンーα−モノメ
チルエーテル、グリセリンーα,γ−ジメチルエーテル
、グリセリンーα−モノブチルエーテル、グリセリンー
α−モノイソアミルエーテル、グリセリンーα,β−ジ
イソアミルエーテル、グリセリンーα−モノクロルヒド
リン、グリセリンーα.γ−ジクロルヒドリン、トリメ
チロールプロパン、l.2.I3−ヘキサントリオール
、及びこれらの混合物を挙げることができる。
の誘導体としては、例えば、エチレングリコール、ジエ
チレングリコール、トリエチレングリコール、テトラエ
チレングリコール、ポリエチレングリコール、プロピレ
ングリコール、ジプロピレングリコール、ポリブロビレ
ングリコール、トリメチレングリコール、ヘキシレング
リコール、オクチレングリコール、グリセリン、エチレ
ングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコール
モノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモ
ノエチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテ
ル、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート
、エチレングリコールイソブロビルエーテル、エチレン
グリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールジ
ブチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテ
ルアセテート、エチレングリコールイソアミルエーテル
、エチレングリコールモノフエニルエーテル、エチレン
グリコールモノフェニルエーテルアセテート、エチレン
グリコールベンジルエーテル、エチレングリコールモノ
ヘキシルエーテル、メトキシメトキシエタノール、エチ
レングリコールモノアセテート、エチレングリコールジ
アセテート、エチレングリコールエステル、エチレンク
ロルヒドリン、ジエチレングリコールモノメチルエーテ
ル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチ
レングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチ
レングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコ
ールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコ
ールジメチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエ
チルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル
、ジエチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレン
グリコールモノアセテート、トリエチレングリコールモ
ノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチル
エーテル、トリグリコールジクロリド、プロピレングリ
コールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノ
エチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエー
テル、■−ブトキシエトキシブ口バノール、プロビレン
グリコールモノアセテ−ト、ブロビレンクロルヒドリン
、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロ
ピレングリコールモノエチルエーテル、トリプロピレン
グリコールモノメチルエーテル、ポリ(オキシエチレン
ーオキシプロピレン)誘導体、1.3−ブタンジオール
、2,3−ブタンジオール、1.4−ブタンジオール、
■,5−ペンタンジオール、グリセリルモノアセテート
、グリセリルジアセテート、グリセリルトリアセテート
、グリセリルモノブチレート、グリセリンーα−モノメ
チルエーテル、グリセリンーα,γ−ジメチルエーテル
、グリセリンーα−モノブチルエーテル、グリセリンー
α−モノイソアミルエーテル、グリセリンーα,β−ジ
イソアミルエーテル、グリセリンーα−モノクロルヒド
リン、グリセリンーα.γ−ジクロルヒドリン、トリメ
チロールプロパン、l.2.I3−ヘキサントリオール
、及びこれらの混合物を挙げることができる。
なお、該多価アルコールまたはその誘導体に蒸発速度を
コントロールする目的で他の溶媒を加えても良い。
コントロールする目的で他の溶媒を加えても良い。
本発明における放電生成物の清掃除去は、必要に応じて
該多価アルコールまたはその誘導体を保護層表面に供給
し行えばよい。
該多価アルコールまたはその誘導体を保護層表面に供給
し行えばよい。
本発明によれば保護層表面に付着した放電生成物を洗浄
除去することが可能となり複写枚数が増えても常に保護
層表面を新鮮に保つことができ、前記画像流れを防止で
きる。
除去することが可能となり複写枚数が増えても常に保護
層表面を新鮮に保つことができ、前記画像流れを防止で
きる。
[実施例コ
以下本発明を実施例に基づいて具体的に説明するが、本
発明は、これらの実施例に限定されるものではない。
発明は、これらの実施例に限定されるものではない。
実施例1
アルミニウム素管( lloa+o+φX 340mm
L )を前処理(洗浄)を施した後、真空蒸着装置内
にセットし、As2Se3合金を支持体上の膜厚が60
μ一になるように下記条件で抵抗加熱蒸着を行い光導電
層を作製した。
L )を前処理(洗浄)を施した後、真空蒸着装置内
にセットし、As2Se3合金を支持体上の膜厚が60
μ一になるように下記条件で抵抗加熱蒸着を行い光導電
層を作製した。
蒸着条件
真空度3X 10’ Torr
支持体温度 200℃
ボート温度 450℃
次にこの光導電層上にシリコーン樹脂(東レシリコーン
社製AY42−441)のりグロイン溶液を乾燥後の厚
さが0.2μIになるように塗布し中間層を作製した。
社製AY42−441)のりグロイン溶液を乾燥後の厚
さが0.2μIになるように塗布し中間層を作製した。
さらにこの上にスチレンーメタクリレートーアクリル酸
一N−メチロールアクリルアミド樹脂液(固形分40v
t%)100重量部と酸化スズ10重量部と適当量の溶
媒を加え、ボールミルで100時間分散した分散液を浸
漬塗布し、120℃で30分間乾燥し、厚さ 5μ■の
保護層を設けて電子写真用感光体とした。
一N−メチロールアクリルアミド樹脂液(固形分40v
t%)100重量部と酸化スズ10重量部と適当量の溶
媒を加え、ボールミルで100時間分散した分散液を浸
漬塗布し、120℃で30分間乾燥し、厚さ 5μ■の
保護層を設けて電子写真用感光体とした。
第1図は本発明の保護層表面に付着した放電生成物の洗
浄除去を実施する像形成装置の一例を示すための概略構
成図である。
浄除去を実施する像形成装置の一例を示すための概略構
成図である。
この感光体ドラムlのまわりには帯電チャージャ 2、
露光スリット 3、現像部4、転写チャージャ 5、分
離チャージャ 6、トナーのクリーニングユニット 7
、放電生成物のクリーニングユニット 8がこの順に配
置されている。
露光スリット 3、現像部4、転写チャージャ 5、分
離チャージャ 6、トナーのクリーニングユニット 7
、放電生成物のクリーニングユニット 8がこの順に配
置されている。
放電生成物クリーニングユニットでは、エチレングリコ
ールがクリーニングベルト 9とともに保護層表面に接
触する。クリーニングベルトの移動方向は、感光体の回
転方向と同一あるいは逆方向のいずれでもよく、保護層
表面に付着した放電生成物が溶解除去される。
ールがクリーニングベルト 9とともに保護層表面に接
触する。クリーニングベルトの移動方向は、感光体の回
転方向と同一あるいは逆方向のいずれでもよく、保護層
表面に付着した放電生成物が溶解除去される。
放電生成物除去後の保護層表面に残ったエチレングリコ
ールはブレード10によって取除かれる。この工程が必
要に応じて行なわれることによって保護層表面を新鮮な
状態に保つことができる。
ールはブレード10によって取除かれる。この工程が必
要に応じて行なわれることによって保護層表面を新鮮な
状態に保つことができる。
該感光体を用い該複写プロセスにて高温、高湿下(30
℃、90%)で複写枚数30万枚の複写テストを行なっ
たところ、画像流れが発生しないことが確認された。
℃、90%)で複写枚数30万枚の複写テストを行なっ
たところ、画像流れが発生しないことが確認された。
実施例2
エチレングリコールをエチレングリコールモノメチルエ
ーテルに代えた以外は実施例1と同様な装置を用い、複
写枚数30万枚の複写テストを行ったところ、画像流れ
が発生しないことが確認された。
ーテルに代えた以外は実施例1と同様な装置を用い、複
写枚数30万枚の複写テストを行ったところ、画像流れ
が発生しないことが確認された。
[発明の効果]
本発明によれば、画像流れの主要因を溶解除去できるの
で、長期の使用に際し高湿下で生じる画像流れを防止で
きる。
で、長期の使用に際し高湿下で生じる画像流れを防止で
きる。
第1図は本発明像形成装置の一例としての複写機の構成
の概略図である。 1・・・保護層を有する感光体、 2・・・帯電チャージャ、3・・・露光スリット、4・
・・現像部、5・・・転写チャージャ、6・・・分離チ
ャージャ、 7・・・トナーのクリーニングユニット、8・・・放電
生成物のクリーニングユニット、9・・・クリーニング
ベルト、10・・・ブレード、l1・・・多価アルコー
ルまたはその誘導体。
の概略図である。 1・・・保護層を有する感光体、 2・・・帯電チャージャ、3・・・露光スリット、4・
・・現像部、5・・・転写チャージャ、6・・・分離チ
ャージャ、 7・・・トナーのクリーニングユニット、8・・・放電
生成物のクリーニングユニット、9・・・クリーニング
ベルト、10・・・ブレード、l1・・・多価アルコー
ルまたはその誘導体。
Claims (2)
- (1)導電性支持体上に光導電層および表面保護層を順
次積層した電子写真用感光体の周囲に、静電潜像形成手
段、この静電潜像を現像する現像手段、現像した像を転
写する手段、転写後前記感光体表面に残留したトナーを
クリーニングする手段を配置した像形成装置において、
さらに、該感光体表面に付着した放電生成物を多価アル
コールまたはその誘導体によりクリーニングする手段を
設けたことを特徴とする像形成装置。 - (2)表面保護層が、金属あるいは金属酸化物の微粉末
を結着樹脂中に分散させた層から成ることを特徴とする
上記請求項(1)記載の像形成装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11416289A JPH02293885A (ja) | 1989-05-09 | 1989-05-09 | 像形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11416289A JPH02293885A (ja) | 1989-05-09 | 1989-05-09 | 像形成装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02293885A true JPH02293885A (ja) | 1990-12-05 |
Family
ID=14630716
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11416289A Pending JPH02293885A (ja) | 1989-05-09 | 1989-05-09 | 像形成装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02293885A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007240577A (ja) * | 2006-03-06 | 2007-09-20 | Ricoh Co Ltd | 像担持体用保護剤、及び保護層形成装置、並びに画像形成方法、画像形成装置、及びプロセスカートリッジ |
JP2007256650A (ja) * | 2006-03-23 | 2007-10-04 | Ricoh Co Ltd | 像担持体用保護剤、及び保護層形成装置、並びに画像形成方法、画像形成装置、及びプロセスカートリッジ |
JP2008129400A (ja) * | 2006-11-22 | 2008-06-05 | Ricoh Co Ltd | 像担持体用保護剤、及び保護層形成装置、並びに画像形成方法、画像形成装置、及びプロセスカートリッジ |
-
1989
- 1989-05-09 JP JP11416289A patent/JPH02293885A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007240577A (ja) * | 2006-03-06 | 2007-09-20 | Ricoh Co Ltd | 像担持体用保護剤、及び保護層形成装置、並びに画像形成方法、画像形成装置、及びプロセスカートリッジ |
JP2007256650A (ja) * | 2006-03-23 | 2007-10-04 | Ricoh Co Ltd | 像担持体用保護剤、及び保護層形成装置、並びに画像形成方法、画像形成装置、及びプロセスカートリッジ |
JP2008129400A (ja) * | 2006-11-22 | 2008-06-05 | Ricoh Co Ltd | 像担持体用保護剤、及び保護層形成装置、並びに画像形成方法、画像形成装置、及びプロセスカートリッジ |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH0594035A (ja) | 電子写真用感光体 | |
JPS61204637A (ja) | 多層型像形成部材 | |
JPH02293885A (ja) | 像形成装置 | |
JP2675035B2 (ja) | 電子写真用感光体 | |
JP3046087B2 (ja) | 画像形成装置 | |
JP2790830B2 (ja) | 電子写真用感光体 | |
CA1174889A (en) | Imaging member including an intermediate layer of an acetal of poly(vinyl alcohol) and a photoconductive layer | |
JP2742264B2 (ja) | 電子写真用感光体 | |
JPH02293884A (ja) | 画像流れ防止方法 | |
JPH0353627B2 (ja) | ||
JPH02167558A (ja) | 画像流れ防止方法 | |
JP2844685B2 (ja) | 酸化防止に優れた有機感光体 | |
JP3100389B2 (ja) | 電子写真用感光体 | |
JPH0317655A (ja) | 電子写真用感光体 | |
JP2659396B2 (ja) | 電子写真感光体 | |
US3850632A (en) | Electrophotographic photosensitive plate | |
JP3054777B2 (ja) | 電子写真用感光体 | |
JP2705945B2 (ja) | 電子写真用感光体 | |
JP3484475B2 (ja) | 電子写真用感光体及び電子写真装置 | |
JPS63293553A (ja) | 電子写真用感光体 | |
JP2000275885A (ja) | 電子写真感光体および電子写真装置 | |
JPH01279254A (ja) | 電子写真用感光体 | |
JPH024271A (ja) | 電子写真用感光体 | |
JPH07253701A (ja) | 帯電部材、及び電子写真装置 | |
JPS603654A (ja) | 画像形成方法 |