JP2790830B2 - 電子写真用感光体 - Google Patents
電子写真用感光体Info
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- JP2790830B2 JP2790830B2 JP63312072A JP31207288A JP2790830B2 JP 2790830 B2 JP2790830 B2 JP 2790830B2 JP 63312072 A JP63312072 A JP 63312072A JP 31207288 A JP31207288 A JP 31207288A JP 2790830 B2 JP2790830 B2 JP 2790830B2
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- Japan
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- tin oxide
- titanate
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
- G03G5/147—Cover layers
- G03G5/14704—Cover layers comprising inorganic material
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［技術分野］ 本発明は、電子写真用感光体、特に光導電層の表面に
表面保護層を有する電子写真用感光体の改良に関する。
表面保護層を有する電子写真用感光体の改良に関する。
［従来技術］ 従来、電子写真用感光体としては、導電性支持体上に
セレンないしセレン合金を主体とする光導電層を設けた
もの、酸化亜鉛、硫化カドミウムなどの無機光導電材料
をバインダー中に分散させたもの、ポリ−Ｎ−ビニルカ
ルバゾールとトリニトロフルオレノンあるいはアゾ顔料
などの有機光導電材料を用いたもの及び非晶質シリコン
を用いたもの等が一般に知られている。
セレンないしセレン合金を主体とする光導電層を設けた
もの、酸化亜鉛、硫化カドミウムなどの無機光導電材料
をバインダー中に分散させたもの、ポリ−Ｎ−ビニルカ
ルバゾールとトリニトロフルオレノンあるいはアゾ顔料
などの有機光導電材料を用いたもの及び非晶質シリコン
を用いたもの等が一般に知られている。
これらの感光体に対して長時間高画質を保つ信頼性の
要求が年々高まっている。しかし光導電層が露出してい
る場合、帯電過程のコロナ放電による損傷と複写プロセ
スで受ける他部材との接触による物理的あるいは化学的
な損傷が感光体の寿命を損うものであった。
要求が年々高まっている。しかし光導電層が露出してい
る場合、帯電過程のコロナ放電による損傷と複写プロセ
スで受ける他部材との接触による物理的あるいは化学的
な損傷が感光体の寿命を損うものであった。
このような欠点を解消する方法として感光体表面に保
護層を設ける技術が知られている。具体的には感光層の
表面に有機フィルムを設ける方法（特公昭38−1544
6）、無機酸化物を設ける方法（特公昭43−14517）、接
着層を設けた後絶縁層を積層する方法（特公昭43−2759
1）、或いはプラズマCVD法・光CVD法等によってａ−Si
層、ａ−Si:N:H層、ａ−Si:O:H層等を積層する方法（特
開昭57−179859、特開昭59−58437）が開示されてい
る。
護層を設ける技術が知られている。具体的には感光層の
表面に有機フィルムを設ける方法（特公昭38−1544
6）、無機酸化物を設ける方法（特公昭43−14517）、接
着層を設けた後絶縁層を積層する方法（特公昭43−2759
1）、或いはプラズマCVD法・光CVD法等によってａ−Si
層、ａ−Si:N:H層、ａ−Si:O:H層等を積層する方法（特
開昭57−179859、特開昭59−58437）が開示されてい
る。
しかしながら保護層が電子写真的に高抵抗（1014Ω・
cm以上）になると、残留電位の増大、繰り返し時の蓄積
等が問題となり、実用上好ましくない。
cm以上）になると、残留電位の増大、繰り返し時の蓄積
等が問題となり、実用上好ましくない。
上記欠点を補う技術として保護層を光導電層とする方
法（特公昭48−38427、特公昭43−16198、特公昭48−10
258、USP−2901348）、保護層中に色素やルイス酸に代
表される移動剤を添加する方法（特公昭44−834、特開
昭53−133444）、或いは金属や金属酸化物微粒子の添加
により保護層の抵抗を制御する方法（特開昭53−3338）
等が提案されている。
法（特公昭48−38427、特公昭43−16198、特公昭48−10
258、USP−2901348）、保護層中に色素やルイス酸に代
表される移動剤を添加する方法（特公昭44−834、特開
昭53−133444）、或いは金属や金属酸化物微粒子の添加
により保護層の抵抗を制御する方法（特開昭53−3338）
等が提案されている。
しかし、このような場合には保護層による光の吸収が
生じ感光層へ到達する光量が減少するため結果として、
感光体の感度が低下するという問題が生じる。
生じ感光層へ到達する光量が減少するため結果として、
感光体の感度が低下するという問題が生じる。
このような観点から特開昭57−30846に提案されてい
るように平均粒径0.3μｍ以下の金属酸化物微粒子を抵
抗制御剤として保護層中に分散させることにより、可視
光に対し実質的に透明にする方法がある。これらの保護
層を持った感光体は感度低下も少なく、保護層の機械的
強度も増し、耐久性が向上する。しかし長期使用した場
合、高湿あるいは急激な湿度変化の環境下で画像流れが
生ずるという欠点を持つことが判明した。
るように平均粒径0.3μｍ以下の金属酸化物微粒子を抵
抗制御剤として保護層中に分散させることにより、可視
光に対し実質的に透明にする方法がある。これらの保護
層を持った感光体は感度低下も少なく、保護層の機械的
強度も増し、耐久性が向上する。しかし長期使用した場
合、高湿あるいは急激な湿度変化の環境下で画像流れが
生ずるという欠点を持つことが判明した。
［目的］ 本発明は、こうした実情に鑑み、高い透明性と機械的
強度を備え、かつ特に湿度等の環境条件の変化に対して
も安定な保護層を有し、品質の高い画像を長期にわたっ
て安定して形成し得る電子写真用感光体を提供すること
を目的とするものである。
強度を備え、かつ特に湿度等の環境条件の変化に対して
も安定な保護層を有し、品質の高い画像を長期にわたっ
て安定して形成し得る電子写真用感光体を提供すること
を目的とするものである。
［構成］ 上記の目的を達成する為、本発明の第１発明の構成は
導電性支持体上にコロナ放電により帯電する光導電層お
よび表面保護層を順次積層した電子写真用感光体におい
て、表面保護層が金属酸化物微粉末を結着樹脂中に分散
した層からなり、かつ金属酸化物微粉末がチタネート系
カップリング剤で表面処理されていることを特徴とする
ものであり、また第２発明の構成は導電性支持体上にコ
ロナ放電により帯電する光導電層および表面保護層を順
次積層した電子写真感光体において表面保護層が金属酸
化物微粉末を結着樹脂中に分散した層から成り、かつ金
属酸化物微粉末がフッ素含有シランカップリング剤およ
び／またはアセトアルコキシアルミニウムジイソプロピ
レートで表面処理されていることを特徴とするものであ
る。
導電性支持体上にコロナ放電により帯電する光導電層お
よび表面保護層を順次積層した電子写真用感光体におい
て、表面保護層が金属酸化物微粉末を結着樹脂中に分散
した層からなり、かつ金属酸化物微粉末がチタネート系
カップリング剤で表面処理されていることを特徴とする
ものであり、また第２発明の構成は導電性支持体上にコ
ロナ放電により帯電する光導電層および表面保護層を順
次積層した電子写真感光体において表面保護層が金属酸
化物微粉末を結着樹脂中に分散した層から成り、かつ金
属酸化物微粉末がフッ素含有シランカップリング剤およ
び／またはアセトアルコキシアルミニウムジイソプロピ
レートで表面処理されていることを特徴とするものであ
る。
本発明に用いられる金属酸化物微粉末としては酸化ス
ズ、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化インジウム、酸化アン
チモン、酸化ビスマス、アンチモンをドープした酸化ス
ズ、スズをドープした酸化インジウム等の微粉末を用い
ることができる。これら金属酸化物微粉末は２種以上混
合してもまわない。金属酸化物微粉末の平均粒径は0.3
μｍ以下好ましくは0.1μｍ以下にあることが保護層の
透過率の点から好ましい。
ズ、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化インジウム、酸化アン
チモン、酸化ビスマス、アンチモンをドープした酸化ス
ズ、スズをドープした酸化インジウム等の微粉末を用い
ることができる。これら金属酸化物微粉末は２種以上混
合してもまわない。金属酸化物微粉末の平均粒径は0.3
μｍ以下好ましくは0.1μｍ以下にあることが保護層の
透過率の点から好ましい。
表面処理の方法は、処理剤を0.1〜10％程度の濃度と
なるように適当な溶媒で希釈し、その中に金属酸化物微
粉末を混ぜ撹拌し充分撹拌した後、溶媒を除去し乾燥す
れば良い。さらに処理液中に反応促進の為の触媒を添加
してもかまわない。
なるように適当な溶媒で希釈し、その中に金属酸化物微
粉末を混ぜ撹拌し充分撹拌した後、溶媒を除去し乾燥す
れば良い。さらに処理液中に反応促進の為の触媒を添加
してもかまわない。
本発明に用いられるフッ素含有シランカップリング剤
としては、 C4F9CH2CH2Si(OCH3)3、 C8F17CH2CH2Si(OCH3)3、 C7F15COOCH2CH2CH2Si(OCH3)3、 C7F15COSCH2CH2CH2Si(OCH3)3、 C7F15CONHCH2CH2CH2Si(OC2H5)3、 C7F15CONHCH2CH2CH2Si(OCH3)3、 C8F17SO2NHCH2CH2CH2Si(OC2H5)3、 C8F17CH2CH2SCH2CH2Si(OCH3)3、 C10F21CH2CH2SCH2CH2Si(OCH3)3、 等が例示できる。
としては、 C4F9CH2CH2Si(OCH3)3、 C8F17CH2CH2Si(OCH3)3、 C7F15COOCH2CH2CH2Si(OCH3)3、 C7F15COSCH2CH2CH2Si(OCH3)3、 C7F15CONHCH2CH2CH2Si(OC2H5)3、 C7F15CONHCH2CH2CH2Si(OCH3)3、 C8F17SO2NHCH2CH2CH2Si(OC2H5)3、 C8F17CH2CH2SCH2CH2Si(OCH3)3、 C10F21CH2CH2SCH2CH2Si(OCH3)3、 等が例示できる。
また、本発明に用いられるチタネート系カップリング
剤とは、 イソプロピルトリイソステアロイルチタネート、 イソプロピルトリス（ジオクチルパイロホスフェート）
チタネート、 イソプロピルトリ（Ｎ−アミノエチル−アミノエチル）
チタネート、 テトラオクチルビス（ジトリデシルホスファイト）チタ
ネート、 テトラ（2,2−ジアリルオキシメチル−１−ブチル）ビ
ス（ジトリデシル）ホスファイトチタネート、 ビス（ジオクチルパイロホスフェート）オキシアセテー
トチタネート、 ビス（ジオクチルパイロホスフェート）エチレンチタネ
ート、 イソプロピルトリオクタノイルチタネート、 イソプロピルジメタクリルイソステアロイルチタネー
ト、 イソプロピルトリドデシルベンゼンスルホニルチタネー
ト、 イソプロピルイソステアロイルジアクリルチタネート、 イソプロピルトリ（ジオクチルホスフェート）チタネー
ト、 イソプロピルトリクミルフェニルチタネート、 テトライソプロピルビス（ジオクチルホスファイト）チ
タネート 等が例示できる。
剤とは、 イソプロピルトリイソステアロイルチタネート、 イソプロピルトリス（ジオクチルパイロホスフェート）
チタネート、 イソプロピルトリ（Ｎ−アミノエチル−アミノエチル）
チタネート、 テトラオクチルビス（ジトリデシルホスファイト）チタ
ネート、 テトラ（2,2−ジアリルオキシメチル−１−ブチル）ビ
ス（ジトリデシル）ホスファイトチタネート、 ビス（ジオクチルパイロホスフェート）オキシアセテー
トチタネート、 ビス（ジオクチルパイロホスフェート）エチレンチタネ
ート、 イソプロピルトリオクタノイルチタネート、 イソプロピルジメタクリルイソステアロイルチタネー
ト、 イソプロピルトリドデシルベンゼンスルホニルチタネー
ト、 イソプロピルイソステアロイルジアクリルチタネート、 イソプロピルトリ（ジオクチルホスフェート）チタネー
ト、 イソプロピルトリクミルフェニルチタネート、 テトライソプロピルビス（ジオクチルホスファイト）チ
タネート 等が例示できる。
本発明に用いられるアセトアルコキシAlジイソプロピ
レートとしては、アセトメトキシAlジイソプロピレー
ト、アセトエトキシAlジイソプロピレート、アセトプロ
ポキシAlジイソプロピレート等が例示できる。
レートとしては、アセトメトキシAlジイソプロピレー
ト、アセトエトキシAlジイソプロピレート、アセトプロ
ポキシAlジイソプロピレート等が例示できる。
本発明に用いられる結着樹脂としては、シリコーン樹
脂、ポリウレタン樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹
脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、エポキ
シ樹脂等が例示できる。本発明に於いて保護層はフッ素
含有シランカップリング剤、チタネート系カップリング
剤、および／またはアセトアルコキシアルミニウムジイ
ソプロピレートで表面処理した金属酸化物微粉末を結着
樹脂溶液に分散し、光導電層上に塗布乾燥することによ
り得ることができる。なお、保護層中には分散性、接着
性あるいは平滑性を向上させる目的で種々の添加剤を加
えても良い。
脂、ポリウレタン樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹
脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、エポキ
シ樹脂等が例示できる。本発明に於いて保護層はフッ素
含有シランカップリング剤、チタネート系カップリング
剤、および／またはアセトアルコキシアルミニウムジイ
ソプロピレートで表面処理した金属酸化物微粉末を結着
樹脂溶液に分散し、光導電層上に塗布乾燥することによ
り得ることができる。なお、保護層中には分散性、接着
性あるいは平滑性を向上させる目的で種々の添加剤を加
えても良い。
本発明に用いられる光導電層としてはSe、Se−Te、As
2Se3等のSe合金、ZnO、CdS、CdSe等のII−VI族化合物の
粒子を樹脂に分散させたもの、ポリビニルカルバゾール
等の有機光導電材料あるいはａ−Si等が用いられる。
2Se3等のSe合金、ZnO、CdS、CdSe等のII−VI族化合物の
粒子を樹脂に分散させたもの、ポリビニルカルバゾール
等の有機光導電材料あるいはａ−Si等が用いられる。
光導電層の構成は特に制約がなく、単層でも電荷発生
層と電荷輸送層の積層であってもかまわない。
層と電荷輸送層の積層であってもかまわない。
さらに保護層と光導電層との間に密着性を高めるため
の接着層や電荷注入を阻止するための電気的バリアー層
を設けてもよい。
の接着層や電荷注入を阻止するための電気的バリアー層
を設けてもよい。
導電性支持体としては導電体あるいは導電処理をした
絶縁体が用いられる。たとえばAl、Ni、Fe、Cu、Auなど
の金属あるいは合金、ポリエステル、ポリカーボネー
ト、ポリイミド、ガラス等の絶縁性基体上にAl、Ag、Au
等の金属あるいはIn2O3、SnO2等の導電材料の薄膜を形
成したもの、導電処理をした紙等が例示できる。
絶縁体が用いられる。たとえばAl、Ni、Fe、Cu、Auなど
の金属あるいは合金、ポリエステル、ポリカーボネー
ト、ポリイミド、ガラス等の絶縁性基体上にAl、Ag、Au
等の金属あるいはIn2O3、SnO2等の導電材料の薄膜を形
成したもの、導電処理をした紙等が例示できる。
また導電性支持体の形状は特に制約はなく必要に応じ
て板状、ドラム状、ベルト状のものが用いられる。
て板状、ドラム状、ベルト状のものが用いられる。
以下本発明に於ける実施例および比較例を示す。
比較例１ アルミニウム素管（80mmφ×340mmL）を前処理（洗
浄）を施した後、真空蒸着装置内にセットし、As2Se3合
金を支持体上の膜厚が60μｍになるように下記条件で抵
抗加熱蒸着を行い光導電層を作製した。
浄）を施した後、真空蒸着装置内にセットし、As2Se3合
金を支持体上の膜厚が60μｍになるように下記条件で抵
抗加熱蒸着を行い光導電層を作製した。
蒸着条件 真空度 ３×10-6Torr 支持体温度 200℃ ボート温度 450℃ 次にこの光導電層上にシリコーン樹脂（東レシリコー
ン社製AY42−441）のリグロイン溶液を乾燥後0.2μｍの
厚さになるように塗布し中間層を作製した。
ン社製AY42−441）のリグロイン溶液を乾燥後0.2μｍの
厚さになるように塗布し中間層を作製した。
さらにこの上にスチレン−メタクリレート−アクリル
酸−Ｎ−メチロールアクリルアミド樹脂液（固形分40wt
％）30重量部と、酸化スズ18重量部と適当量の溶媒を加
え、ボールミルにて100時間分散した分散液を浸漬塗布
し、120℃で30分間乾燥し、５μｍの保護層を設けて電
子写真感光体とした。
酸−Ｎ−メチロールアクリルアミド樹脂液（固形分40wt
％）30重量部と、酸化スズ18重量部と適当量の溶媒を加
え、ボールミルにて100時間分散した分散液を浸漬塗布
し、120℃で30分間乾燥し、５μｍの保護層を設けて電
子写真感光体とした。
比較例２ γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン（信
越化学工業社製KBM−503）５重量部、水495重量部、酢
酸0.5重量部からなる溶液に酸化スズ50重量部を加え、
２時間撹拌し、続いて濾過し溶媒を除去した後、120
℃、２時間の乾燥を行ってシランカップリング剤で発水
処理した酸化スズ微粉末を得た。
越化学工業社製KBM−503）５重量部、水495重量部、酢
酸0.5重量部からなる溶液に酸化スズ50重量部を加え、
２時間撹拌し、続いて濾過し溶媒を除去した後、120
℃、２時間の乾燥を行ってシランカップリング剤で発水
処理した酸化スズ微粉末を得た。
酸化スズを上記シランカップリング剤で発水処理した
酸化スズ微粉末にかえた他は比較例１と全く同様にして
感光体を作製した。
酸化スズ微粉末にかえた他は比較例１と全く同様にして
感光体を作製した。
実施例１ C7F15CO2(CH2)3Si(OCH3)3（三菱金属社製）５重量
部、メタノール495重量部からなる溶液に酸化スズ50重
量部を加え、２時間撹拌し、続いて濾過し、溶媒を除去
した後、120℃、２時間の乾燥を行ってC7F15・CO2(CH2)
3Si(OCH3)3で表面処理した酸化スズ微粉末を得た。
部、メタノール495重量部からなる溶液に酸化スズ50重
量部を加え、２時間撹拌し、続いて濾過し、溶媒を除去
した後、120℃、２時間の乾燥を行ってC7F15・CO2(CH2)
3Si(OCH3)3で表面処理した酸化スズ微粉末を得た。
酸化スズを上記フッ素含有シランカップリング剤で表
面処理した酸化スズ微粉末にかえた他は比較例と全く同
様にして感光体を作製した。
面処理した酸化スズ微粉末にかえた他は比較例と全く同
様にして感光体を作製した。
実施例２ （三菱金属社製）５重量部、メタノール495重量部から
なる溶液に酸化スズ50重量部を加え、２時間撹拌し、続
いて濾過し、溶媒を除去した後120℃、２時間の乾燥を
行って で表面処理した酸化スズ微粉末を得た。
なる溶液に酸化スズ50重量部を加え、２時間撹拌し、続
いて濾過し、溶媒を除去した後120℃、２時間の乾燥を
行って で表面処理した酸化スズ微粉末を得た。
酸化スズを上記フッ素含有シランカップリング剤で表
面処理した酸化スズ微粉末にかえた他は比較例と全く同
様にして感光体を作製した。
面処理した酸化スズ微粉末にかえた他は比較例と全く同
様にして感光体を作製した。
実施例３ イソプロピルトリイソステアロイルチタネート（味の
素社製KR TTS）５重量部、ヘキサン495重量部からなる
溶液に酸化スズ50重量部を加え２時間撹拌し、続いて濾
過し溶媒を除去した後、120℃、２時間の乾燥を行って
チタネート系カップリング剤で表面処理した酸化スズ微
粉末を得た。
素社製KR TTS）５重量部、ヘキサン495重量部からなる
溶液に酸化スズ50重量部を加え２時間撹拌し、続いて濾
過し溶媒を除去した後、120℃、２時間の乾燥を行って
チタネート系カップリング剤で表面処理した酸化スズ微
粉末を得た。
酸化スズを上記チタネート系カップリング剤で表面処
理した酸化スズ微粉末にかえた他は比較例と全く同様に
して感光体を作製した。
理した酸化スズ微粉末にかえた他は比較例と全く同様に
して感光体を作製した。
実施例４ イソプロピルトリス（ジオクチルパイロホスフェー
ト）チタネート（味の素社製KR38S）５重量部、ヘキサ
ン495重量部からなる溶液に酸化スズ50重量部を加え２
時間撹拌し、続いて溶媒を濾過し除去した後、120℃２
時間の乾燥を行ってチタネート系カップリング剤で表面
処理した酸化スズ微粉末を得た。
ト）チタネート（味の素社製KR38S）５重量部、ヘキサ
ン495重量部からなる溶液に酸化スズ50重量部を加え２
時間撹拌し、続いて溶媒を濾過し除去した後、120℃２
時間の乾燥を行ってチタネート系カップリング剤で表面
処理した酸化スズ微粉末を得た。
酸化スズを上記チタネート系カップリング剤で表面処
理した酸化スズ微粉末にかえた他は比較例と全く同様に
して感光体を作製した。
理した酸化スズ微粉末にかえた他は比較例と全く同様に
して感光体を作製した。
実施例５ アセトエトキシアルミニウムジイソプロピレート（味
の素社製AL−Ｍ）５重量部、ヘキサン495重量部からな
る溶液に酸化スズ50重量部を加え２時間撹拌し、続いて
濾過し溶媒を除去した後、120℃２時間の乾燥を行って
アセトアルコキシジイソプロピレートで表面処理した酸
化スズ微粉末を得た。
の素社製AL−Ｍ）５重量部、ヘキサン495重量部からな
る溶液に酸化スズ50重量部を加え２時間撹拌し、続いて
濾過し溶媒を除去した後、120℃２時間の乾燥を行って
アセトアルコキシジイソプロピレートで表面処理した酸
化スズ微粉末を得た。
酸化スズを上記アセトアルコキシアルミニウムジイソ
プロピレートで表面処理した酸化スズ微粉末にかえた他
は比較例と全く同様にして感光体を作製した。
プロピレートで表面処理した酸化スズ微粉末にかえた他
は比較例と全く同様にして感光体を作製した。
実施例６ ビス（ジオクチルパイロホスフェート）オキシアセテ
ートチタネート（味の素社製KR 138S）10重量部、ヘキ
サン490重量部からなる溶液に酸化スズ50重量部を加え5
0℃にて５時間撹拌し続いて濾過し溶媒を除去した後、1
20℃２時間の乾燥を行ってチタネート系カップリング剤
で表面処理した酸化スズ微粉末を得た。
ートチタネート（味の素社製KR 138S）10重量部、ヘキ
サン490重量部からなる溶液に酸化スズ50重量部を加え5
0℃にて５時間撹拌し続いて濾過し溶媒を除去した後、1
20℃２時間の乾燥を行ってチタネート系カップリング剤
で表面処理した酸化スズ微粉末を得た。
酸化スズを上記チタネート系カップリング剤で表面処
理した酸化スズ微粉末にかえた他は比較例と全く同様に
して感光体を作製した。
理した酸化スズ微粉末にかえた他は比較例と全く同様に
して感光体を作製した。
実施例７ ビス（ジオクチルパイロホスフェート）エチレンチタ
ネート（味の素社製KR 238S）10重量部ヘキサン490重量
部からなる溶液に酸化スズ50重量部を加え50℃にて５時
間撹拌し続いて、濾過し溶媒を除去した後、120℃２時
間の乾燥を行ってチタネート系カップリング剤で表面処
理した酸化スズ微粉末を得た。
ネート（味の素社製KR 238S）10重量部ヘキサン490重量
部からなる溶液に酸化スズ50重量部を加え50℃にて５時
間撹拌し続いて、濾過し溶媒を除去した後、120℃２時
間の乾燥を行ってチタネート系カップリング剤で表面処
理した酸化スズ微粉末を得た。
酸化スズを上記チタネート系カップリング剤で表面処
理した酸化スズ微粉末にかえた他は比較例と全く同様に
して感光体を作製した。
理した酸化スズ微粉末にかえた他は比較例と全く同様に
して感光体を作製した。
上記のようにして得た本発明の感光体を用いて30℃、
90％の環境下で複写枚数100000枚の画像テストを行い30
℃、90％の環境下の解像力と20℃、65％の環境下の残留
電位を評価した。これらの結果を下表に示す。
90％の環境下で複写枚数100000枚の画像テストを行い30
℃、90％の環境下の解像力と20℃、65％の環境下の残留
電位を評価した。これらの結果を下表に示す。
この結果より本発明は残留電位が小さく高湿下の環境
において解像力の低下を引起すことがなく、良好な画像
特性を示すことがわかる。
において解像力の低下を引起すことがなく、良好な画像
特性を示すことがわかる。
［効果］ 以上説明したように、本発明の電子写真用感光体は、
高湿下での長期使用に耐え、しかも高品質の画像を安定
して形成することができる。
高湿下での長期使用に耐え、しかも高品質の画像を安定
して形成することができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小島 成人 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株 式会社リコー内 (72)発明者 納所 伸二 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株 式会社リコー内 (72)発明者 大嶋 孝一 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株 式会社リコー内 (72)発明者 井手 由紀雄 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株 式会社リコー内 (56)参考文献 特開 昭60−213958（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−205950（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】導電性支持体上にコロナ放電により帯電す
る光導電層および表面保護層を順次積層した電子写真用
感光体において、表面保護層が金属酸化物微粉末を結着
樹脂中に分散した層からなり、金属酸化物微粉末がチタ
ネート系カップリング剤で表面処理されていることを特
徴とする電子写真用感光体。 - 【請求項２】導電性支持体上にコロナ放電により帯電す
る光導電層および表面保護層を順次積層した電子写真用
感光体において、表面保護層が金属酸化物微粉末を結着
樹脂中に分散した層からなり、金属酸化物微粉末がフッ
素含有シランカップリング剤および／またはアセトアル
コキシアルミニウムジイソプロピレートで表面処理され
ていることを特徴とする電子写真用感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63312072A JP2790830B2 (ja) | 1988-05-26 | 1988-12-12 | 電子写真用感光体 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63-126949 | 1988-05-26 | ||
| JP12694988 | 1988-05-26 | ||
| JP63312072A JP2790830B2 (ja) | 1988-05-26 | 1988-12-12 | 電子写真用感光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0250167A JPH0250167A (ja) | 1990-02-20 |
| JP2790830B2 true JP2790830B2 (ja) | 1998-08-27 |
Family
ID=26463024
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63312072A Expired - Fee Related JP2790830B2 (ja) | 1988-05-26 | 1988-12-12 | 電子写真用感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2790830B2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| US6492081B2 (en) | 2000-06-21 | 2002-12-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member, and process cartridge and electrophotographic apparatus including the photosensitive member |
| US6806009B2 (en) | 2001-12-21 | 2004-10-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member, process cartridge and electrophotographic apparatus |
| KR100586963B1 (ko) * | 2004-05-04 | 2006-06-08 | 삼성전기주식회사 | 유전체 형성용 조성물, 이로 제조된 캐패시터층 및 이를포함하는 인쇄회로기판 |
| JP4840064B2 (ja) * | 2006-10-06 | 2011-12-21 | 富士ゼロックス株式会社 | 電子写真感光体、画像形成装置及びプロセスカートリッジ |
| JP2011128380A (ja) * | 2009-12-17 | 2011-06-30 | Canon Inc | 画像形成装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60213958A (ja) * | 1984-04-09 | 1985-10-26 | Canon Inc | 表示装置 |
| JPS61205950A (ja) * | 1985-03-11 | 1986-09-12 | Canon Inc | 像保持部材 |
-
1988
- 1988-12-12 JP JP63312072A patent/JP2790830B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0250167A (ja) | 1990-02-20 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |