JPH0250167A - 電子写真用感光体 - Google Patents
電子写真用感光体Info
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- JPH0250167A JPH0250167A JP31207288A JP31207288A JPH0250167A JP H0250167 A JPH0250167 A JP H0250167A JP 31207288 A JP31207288 A JP 31207288A JP 31207288 A JP31207288 A JP 31207288A JP H0250167 A JPH0250167 A JP H0250167A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
- G03G5/147—Cover layers
- G03G5/14704—Cover layers comprising inorganic material
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［技術分野］
本発明は、電子写真用感光体、特に光導電層の表面に表
面保護層を有する電子写真用感光体の改良に関する。
面保護層を有する電子写真用感光体の改良に関する。
［従来技術］
従来、電子写真用感光体としては、導電性支持体上にセ
レンないしセレン合金を主体とする光導電層を設けたも
の、酸化亜鉛、硫化カドミウムなどの無機光導電材料を
バインダー中に分散させたもの、ポリ−Ｎ−ビニルカル
バゾールとトリニトロフルオレノンあるいはアゾ顔料な
どの有機光導電材料を用いたもの及び非晶質シリコンを
用いたもの等が一般に知られている。
レンないしセレン合金を主体とする光導電層を設けたも
の、酸化亜鉛、硫化カドミウムなどの無機光導電材料を
バインダー中に分散させたもの、ポリ−Ｎ−ビニルカル
バゾールとトリニトロフルオレノンあるいはアゾ顔料な
どの有機光導電材料を用いたもの及び非晶質シリコンを
用いたもの等が一般に知られている。
これらの感光体に対して長時間高画質を保つ信頼性の要
求が年々高まっている。しかし光導電層が露出している
場合、帯電過程のコロナ放電による損傷と複写プロセス
で受ける他部材との接触による物理的あるいは化学的な
損傷が感光体の寿命を損うものであった。
求が年々高まっている。しかし光導電層が露出している
場合、帯電過程のコロナ放電による損傷と複写プロセス
で受ける他部材との接触による物理的あるいは化学的な
損傷が感光体の寿命を損うものであった。
このような欠点を解消する方法として感光体表面に保護
層を設ける技術が知られている。具体的には感光層の表
面に有機フィルムを設ける方法（特公昭３８−１５４４
６）、無機酸化物を設ける方法（特公昭４３−１４５１
７）、接青層を設けた後絶縁層を積層する方法（特公昭
４３−２７５９１）、或いはプラズマＣＶＤ法・光ＣＶ
Ｄ法等によってａ−３ｔ層、ａ−Ｓｔ：Ｎ：Ｈ層、ａ−
３ｔ：Ｏ：Ｈ層等を積層する方法（特開昭５７−１７９
８５９、特開昭５９−５８４３７）が開示されている。
層を設ける技術が知られている。具体的には感光層の表
面に有機フィルムを設ける方法（特公昭３８−１５４４
６）、無機酸化物を設ける方法（特公昭４３−１４５１
７）、接青層を設けた後絶縁層を積層する方法（特公昭
４３−２７５９１）、或いはプラズマＣＶＤ法・光ＣＶ
Ｄ法等によってａ−３ｔ層、ａ−Ｓｔ：Ｎ：Ｈ層、ａ−
３ｔ：Ｏ：Ｈ層等を積層する方法（特開昭５７−１７９
８５９、特開昭５９−５８４３７）が開示されている。
しかしながら保護層が電子写真的に高抵抗（１０１４Ω
・８１１以上）になると、残留電位の増大、繰り返し時
の蓄積等が問題となり、実用上好ましくない。
・８１１以上）になると、残留電位の増大、繰り返し時
の蓄積等が問題となり、実用上好ましくない。
上記欠点を補う技術として保護層を光導電層とする方法
（特公昭４８−３８４２７ 、特公昭４３−１６１９８
、特公昭４８−’ １０２５ｇ 、Ｕ Ｓ Ｐ −２
９０１３４８）、保護層中に色素やルイス酸に代表され
る移動剤を添加する方法（特公昭４４−８３４ 、特開
昭５３−１３３４４４） 、或いは金属や金属酸化物微
粒子の添加により保護層の抵抗を制御する方法（特開昭
５３−３３３８）等が提案されている。
（特公昭４８−３８４２７ 、特公昭４３−１６１９８
、特公昭４８−’ １０２５ｇ 、Ｕ Ｓ Ｐ −２
９０１３４８）、保護層中に色素やルイス酸に代表され
る移動剤を添加する方法（特公昭４４−８３４ 、特開
昭５３−１３３４４４） 、或いは金属や金属酸化物微
粒子の添加により保護層の抵抗を制御する方法（特開昭
５３−３３３８）等が提案されている。
しかし、このような場合には保護層による光の吸収が生
じ感光層へ到達する光量が減少するため結果として、感
光体の感度が低下するという問題が生じる。
じ感光層へ到達する光量が減少するため結果として、感
光体の感度が低下するという問題が生じる。
このような観点から特開昭５７−３０８４８に提案され
ているように平均粒径０．３μｌ以下の金属酸化物微粒
子を抵抗制御剤として保護層中に分散させることにより
、可視光に対し実質的に透明にする方法がある。これら
の保護層を持った感光体は感度低下も少なく、保護層の
機械的強度も増し、耐久性が向上する。しかし長期使用
した場合、高湿あるいは急激な湿度変化の環境下で画像
流れが生ずるという欠点を持つことが判明した。
ているように平均粒径０．３μｌ以下の金属酸化物微粒
子を抵抗制御剤として保護層中に分散させることにより
、可視光に対し実質的に透明にする方法がある。これら
の保護層を持った感光体は感度低下も少なく、保護層の
機械的強度も増し、耐久性が向上する。しかし長期使用
した場合、高湿あるいは急激な湿度変化の環境下で画像
流れが生ずるという欠点を持つことが判明した。
［口 的］
本発明は、こうした実情に鑑み、高い透明性と機械的強
度を備え、かつ特に湿度等の環境条件の変化に対しても
安定な保護層を有し、品質の高い画像を長期にわたって
安定して形成し得る電子写真用感光体を提供することを
目的とするものである。
度を備え、かつ特に湿度等の環境条件の変化に対しても
安定な保護層を有し、品質の高い画像を長期にわたって
安定して形成し得る電子写真用感光体を提供することを
目的とするものである。
［構 成］
上記の目的を達成する為、本発明の第１発明の構成は導
電性支持体上に光導電層および表面保護層を順次積層し
た電子写真用感光体において、表面保護層が金属酸化物
微粉末を結着樹脂中に分散した層からなり、かつ金属酸
化物微粉末がチタネート系カップリング剤で表面処理さ
れていることを特徴とするものであり、また第２発明の
構成は導電性支持体上に光導電層および表面保護層を順
次積層した電子写真感光体において表面保護層が金属酸
化物微粉末を結着樹脂中に分散した層から成り、かつ金
属酸化物微粉末がフッ素含有シランカップリング剤およ
び／またはアセトアルコキシアルミニウムジイソプロピ
レートで表面処理されていることを特徴とするものであ
る。
電性支持体上に光導電層および表面保護層を順次積層し
た電子写真用感光体において、表面保護層が金属酸化物
微粉末を結着樹脂中に分散した層からなり、かつ金属酸
化物微粉末がチタネート系カップリング剤で表面処理さ
れていることを特徴とするものであり、また第２発明の
構成は導電性支持体上に光導電層および表面保護層を順
次積層した電子写真感光体において表面保護層が金属酸
化物微粉末を結着樹脂中に分散した層から成り、かつ金
属酸化物微粉末がフッ素含有シランカップリング剤およ
び／またはアセトアルコキシアルミニウムジイソプロピ
レートで表面処理されていることを特徴とするものであ
る。
本発明に用いられる金属酸化物微粉末としては酸化スズ
、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化インジウム、酸化アンチ
モン、酸化ビスマス、アンチモンをドープした酸化スズ
、スズをドープした酸化インジウム等の微粉末を用いる
ことができる。これら金属酸化物微粉末は２種以上混合
してもまわない。金属酸化物微粉末の平均粒径は０．３
μｍ以下好ましくは０．１μｍ以下にあることが保護層
の透過率の点から好ましい。
、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化インジウム、酸化アンチ
モン、酸化ビスマス、アンチモンをドープした酸化スズ
、スズをドープした酸化インジウム等の微粉末を用いる
ことができる。これら金属酸化物微粉末は２種以上混合
してもまわない。金属酸化物微粉末の平均粒径は０．３
μｍ以下好ましくは０．１μｍ以下にあることが保護層
の透過率の点から好ましい。
表面処理の方法は、処理剤を０，１〜１０％程度の濃度
となるように適当な溶媒で希釈し、その中に金属酸化物
微粉末を混ぜ撹拌し充分撹拌した後、溶媒を除去し乾燥
すれば良い。さらに処理液中に反応促進の為の触媒を添
加してもかまわない。
となるように適当な溶媒で希釈し、その中に金属酸化物
微粉末を混ぜ撹拌し充分撹拌した後、溶媒を除去し乾燥
すれば良い。さらに処理液中に反応促進の為の触媒を添
加してもかまわない。
本発明に用いられるフッ素含有シランカップリング剤と
しては、 Ｃ４Ｐ ｓ Ｃ１１２ＣｌＩ２５ｔ（ＯＣＩＩ３）
３、Ｃｓ Ｆ ａ Ｃ１１２ＣｌＩ２５ｔ（ＯＣＩＩｚ
） ３、Ｃｒ Ｆ ｒｓ ＣＯＯＣｌＩ２ ０
１＋２ Ｃ１１ｚ ５１（ＯＣＩ（３） コ
、Ｃｒ Ｆ ＋ｓ ＣＯ３Ｃ１１２Ｃ１１２ＣｌＩ２
５ｌ（ＯＣＩ＋３ ） ３Ｃ７Ｆ ＋ｓ Ｃ０Ｎ
ＩＩＣＩＩ２ ＣｌＩ２ ＣｌＩ２ Ｓｔ ’（
ＯＣ２ＨＳ ） コ 、Ｃｒ Ｆ ＋ｓ Ｃ０
ＮＩＩＣ１１２Ｃ１１２Ｃｌ１２ ８ｉ（ＯＣＩＩコ
） ３ 、Ｃｓ Ｆ １７３０２ ＮｌＩＣ１１２Ｃ
１１２０１１２３１（００２Ｈ５） ３、Ｃａ Ｆ
＋ｙ ＣｌＩ２ Ｃ！１２８０１１２ Ｃ１ｔ２Ｓ１
（ＯＣ１１３） ３ 、Ｃｏｏ Ｆ ２１Ｃ１１２Ｃ
ｌ１２ Ｓ Ｃ！１２ Ｃ１２５ｌ（ＯＣＨ３） ３
、等が例示できる。
しては、 Ｃ４Ｐ ｓ Ｃ１１２ＣｌＩ２５ｔ（ＯＣＩＩ３）
３、Ｃｓ Ｆ ａ Ｃ１１２ＣｌＩ２５ｔ（ＯＣＩＩｚ
） ３、Ｃｒ Ｆ ｒｓ ＣＯＯＣｌＩ２ ０
１＋２ Ｃ１１ｚ ５１（ＯＣＩ（３） コ
、Ｃｒ Ｆ ＋ｓ ＣＯ３Ｃ１１２Ｃ１１２ＣｌＩ２
５ｌ（ＯＣＩ＋３ ） ３Ｃ７Ｆ ＋ｓ Ｃ０Ｎ
ＩＩＣＩＩ２ ＣｌＩ２ ＣｌＩ２ Ｓｔ ’（
ＯＣ２ＨＳ ） コ 、Ｃｒ Ｆ ＋ｓ Ｃ０
ＮＩＩＣ１１２Ｃ１１２Ｃｌ１２ ８ｉ（ＯＣＩＩコ
） ３ 、Ｃｓ Ｆ １７３０２ ＮｌＩＣ１１２Ｃ
１１２０１１２３１（００２Ｈ５） ３、Ｃａ Ｆ
＋ｙ ＣｌＩ２ Ｃ！１２８０１１２ Ｃ１ｔ２Ｓ１
（ＯＣ１１３） ３ 、Ｃｏｏ Ｆ ２１Ｃ１１２Ｃ
ｌ１２ Ｓ Ｃ！１２ Ｃ１２５ｌ（ＯＣＨ３） ３
、等が例示できる。
また、本発明に用いられるチタネート系力・ノブリング
剤とは、 イソプロピルトリイソステアロイルチタネート、 イソプロピルトリス（ジオクチルパイロホスフェート）
チタネート、 イソプロピルトリ（Ｎ−アミノエチル−アミノエチル）
チタネート、 テトラオクチルビス（ジトリデシルホスファイト）チタ
ネート、 テトう（２，２−ジアリルオキシメチル−１−ブチル）
ビス（ジトリデシル）ホスファイトチタネート、 ビス（ジオクチルパイロホスフェート）オキシアセテー
トチタネート、 ビス（ジオクチルパイロホスフェート）エチレンチタネ
ート、 イソプロピルトリオクタノイルチタネート、イソプロピ
ルジメタクリルイソステアロイルチタネート、 イソプロピルトリドデシルベンゼンスルホニルチタネー
ト、 イソプロピルイソステアロイルジアクリルチタネート、 イソプロピルトリ（ジオクチルホスフェート）チタネー
ト、 イソプロピルトリクミルフェニルチタネート、テトライ
ソプロピルビス（ジオクチルホスファイト）チタネート 等が例示できる。
剤とは、 イソプロピルトリイソステアロイルチタネート、 イソプロピルトリス（ジオクチルパイロホスフェート）
チタネート、 イソプロピルトリ（Ｎ−アミノエチル−アミノエチル）
チタネート、 テトラオクチルビス（ジトリデシルホスファイト）チタ
ネート、 テトう（２，２−ジアリルオキシメチル−１−ブチル）
ビス（ジトリデシル）ホスファイトチタネート、 ビス（ジオクチルパイロホスフェート）オキシアセテー
トチタネート、 ビス（ジオクチルパイロホスフェート）エチレンチタネ
ート、 イソプロピルトリオクタノイルチタネート、イソプロピ
ルジメタクリルイソステアロイルチタネート、 イソプロピルトリドデシルベンゼンスルホニルチタネー
ト、 イソプロピルイソステアロイルジアクリルチタネート、 イソプロピルトリ（ジオクチルホスフェート）チタネー
ト、 イソプロピルトリクミルフェニルチタネート、テトライ
ソプロピルビス（ジオクチルホスファイト）チタネート 等が例示できる。
本発明に用いられるアセトアルコキシＡｌジイソプロピ
レートとしては、アセトメトキシＡ１ジイソプロピレー
ト、アセトエトキシＡｌジイソプロピレート、アセトプ
ロポキシＡｔジイソプロピレート等が例示できる。
レートとしては、アセトメトキシＡ１ジイソプロピレー
ト、アセトエトキシＡｌジイソプロピレート、アセトプ
ロポキシＡｔジイソプロピレート等が例示できる。
本発明に用いられる結着樹脂としては、シリコーン樹脂
、ポリウレタン樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂
、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、エポキシ
樹脂等が例示できる。
、ポリウレタン樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂
、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、エポキシ
樹脂等が例示できる。
本発明に於いて保護層はフッ素含有シランカップリング
剤、チタネート系カップリング剤、および／またはアセ
トアルコキシアルミニウムジイソプロピレートで表面処
理した金属酸化物微粉末を結着樹脂溶液に分散し、光導
電層上に塗布乾燥することにより得ることができる。な
お、保護層中には分散性、接着性あるいは平滑性を向上
させる目的で種々の添加剤を加えても良い。
剤、チタネート系カップリング剤、および／またはアセ
トアルコキシアルミニウムジイソプロピレートで表面処
理した金属酸化物微粉末を結着樹脂溶液に分散し、光導
電層上に塗布乾燥することにより得ることができる。な
お、保護層中には分散性、接着性あるいは平滑性を向上
させる目的で種々の添加剤を加えても良い。
本発明に用いられる光導電層としてはＳｅ。
５ｅ−ＴｅＳＡｓ２Ｓｅ３等のＳｅ合金、ＺｎＯ１Ｃｄ
Ｓ、ＣｄＳｅ等のＩＩ−Ｖｌ族化合物の粒子を樹脂に分
散させたもの、ポリビニルカルバゾール等の有機光導電
材料あるいはａ−８ｉ等が用いられる。
Ｓ、ＣｄＳｅ等のＩＩ−Ｖｌ族化合物の粒子を樹脂に分
散させたもの、ポリビニルカルバゾール等の有機光導電
材料あるいはａ−８ｉ等が用いられる。
光導電層の構成は特に制約がな（、単層でも電荷発生層
と電荷輸送層の積層であってもかまわない。
と電荷輸送層の積層であってもかまわない。
さらに保護層と光導電層との間に密着性を高めるだめの
接着層や電荷注入を阻止するための電気的バリアー層を
設けてもよい。
接着層や電荷注入を阻止するための電気的バリアー層を
設けてもよい。
導電性支持体としては導電体あるいは導電処理をした絶
縁体が用いられる。たとえばＡＩ。
縁体が用いられる。たとえばＡＩ。
Ｎ ｔ ｓ Ｆ ｅ ＳＣｕ ｓ Ａ ｕなどの金属あ
るいは合金、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリイ
ミド、ガラス等の絶縁性基体上にＡｌ、Ａｇ。
るいは合金、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリイ
ミド、ガラス等の絶縁性基体上にＡｌ、Ａｇ。
Ａｕ等の金属あるいはＩ ｎ２０３．５ｎ０２等の導電
材料の薄膜を形成したもの、導電処理をした紙等が例示
できる。
材料の薄膜を形成したもの、導電処理をした紙等が例示
できる。
また導電性支持体の形状は特に制約はなく必要に応じて
板状、ドラム状、ベルト状のものが用いられる。
板状、ドラム状、ベルト状のものが用いられる。
以下本発明に於ける実施例および比較例を示す。
比較例１
アルミニウム素管（８０■φＸ ３４０ａｎＬ）を前処
理（洗浄）を施した後、真空蒸着装置内にセットし、Ａ
ｓｚＳ８３合金を支持体上の膜厚がＢＯμ腸になるよう
に下記条件で抵抗加熱蒸着を行い光導電層を作製した。
理（洗浄）を施した後、真空蒸着装置内にセットし、Ａ
ｓｚＳ８３合金を支持体上の膜厚がＢＯμ腸になるよう
に下記条件で抵抗加熱蒸着を行い光導電層を作製した。
蒸着条件
真空度 ３ Ｘ １０’ Ｔｏｒｒ
支持体温度 ２００℃
ボート温度 ４５０℃
次にこの光導電層上にシリコーン樹脂（東しシリコーン
社製ＡＹ４２−４４１）のりグロイン溶液を乾燥後０，
２μ−の厚さになるように塗布し中間層を作製した。
社製ＡＹ４２−４４１）のりグロイン溶液を乾燥後０，
２μ−の厚さになるように塗布し中間層を作製した。
さらにこの上にスチレン−メタクリレート−アクリル酸
−Ｎ−メチロールアクリルアミド樹脂液（固形分４０ｖ
ｔ％）３０重量部と、酸化スズ１Ｂｆｆｆ量部と適当量
の溶媒を加え、ボールミルにて１００時間分散した分散
液を浸漬塗布し、１２０℃で３０分間乾燥し５μｍの保
護層を設けて電子写真感光体とした。
−Ｎ−メチロールアクリルアミド樹脂液（固形分４０ｖ
ｔ％）３０重量部と、酸化スズ１Ｂｆｆｆ量部と適当量
の溶媒を加え、ボールミルにて１００時間分散した分散
液を浸漬塗布し、１２０℃で３０分間乾燥し５μｍの保
護層を設けて電子写真感光体とした。
比較例２
γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン（信越
化学工業社製ＫＢＭ−５０３）５重量部、水４９５重量
部、酢酸０．５重量部からなる溶液に酸化スズ５０重量
部を加え、２時間撹拌し、続いて濾過し溶媒を除去した
後、１２０℃、２時間の乾燥を行ってシランカップリン
グ剤で充水処理した酸化スズ微粉末を得た。
化学工業社製ＫＢＭ−５０３）５重量部、水４９５重量
部、酢酸０．５重量部からなる溶液に酸化スズ５０重量
部を加え、２時間撹拌し、続いて濾過し溶媒を除去した
後、１２０℃、２時間の乾燥を行ってシランカップリン
グ剤で充水処理した酸化スズ微粉末を得た。
酸化スズを上記シランカップリング剤で充水処理した酸
化スズ微粉末にかえた他は比較例１と全く同様にして感
光体を作製した。
化スズ微粉末にかえた他は比較例１と全く同様にして感
光体を作製した。
実施例Ｉ
Ｃｒ ＦＩＳ ＣＯ２（ＣＩ＋２ ） ３５ｔ（ＯＣＩ
Ｉ３） ３ （三菱金属社製）５重量部、メタノール４
９５重量部からなる溶液に酸化スズ５０重量部を加え、
２時間撹拌し、続いて濾過し、溶媒を除去した後、１２
０℃、２時間の乾燥を行ってＣ７Ｆ ＋５ＣＯ２（ＣＨ
２） ３５ｌ（ＯＣＨ３） ３で表面処理した酸化スズ
微粉末を得た。
Ｉ３） ３ （三菱金属社製）５重量部、メタノール４
９５重量部からなる溶液に酸化スズ５０重量部を加え、
２時間撹拌し、続いて濾過し、溶媒を除去した後、１２
０℃、２時間の乾燥を行ってＣ７Ｆ ＋５ＣＯ２（ＣＨ
２） ３５ｌ（ＯＣＨ３） ３で表面処理した酸化スズ
微粉末を得た。
酸化スズを上記フッ素含有シランカップリング剤で表面
処理した酸化スズ微粉末にかえた他は比較例と全く同様
にして感光体を作製した。
処理した酸化スズ微粉末にかえた他は比較例と全く同様
にして感光体を作製した。
実施例２
金属社製）５重量部、メタノール４９５重量部からなる
溶液に酸化スズ５０重量部を加え、２時間撹拌し、続い
て濾過し、溶媒を除去した後 １２０℃、２時間の乾燥
を行ってＣ＊ Ｆ Ｉ７３０２ Ｎ（ＣＨ２） ３９１
（ＱＣ）Ｉ３） ３で表面部ＣＨ２ＣＨ２０Ｈ３ 理した酸化スズ微粉末を得た。
溶液に酸化スズ５０重量部を加え、２時間撹拌し、続い
て濾過し、溶媒を除去した後 １２０℃、２時間の乾燥
を行ってＣ＊ Ｆ Ｉ７３０２ Ｎ（ＣＨ２） ３９１
（ＱＣ）Ｉ３） ３で表面部ＣＨ２ＣＨ２０Ｈ３ 理した酸化スズ微粉末を得た。
酸化スズを上記フッ素含有シランカップリング剤で表面
処理した酸化スズ微粉末にかえた他は比較例と全く同様
にして感光体を作製した。
処理した酸化スズ微粉末にかえた他は比較例と全く同様
にして感光体を作製した。
実施例３
イソプロピルトリイソステアロイルチタネート（味の素
社製ＫＲＴＴＳ）５重量部、ヘキサン４９５重量部から
なる溶液に酸化スズ５０重量部を加え２時間撹拌し、続
いて濾過し溶媒を除去した後、１２０℃、２時間の乾燥
を行ってチタネート系カップリング剤で表面処理した酸
化スズ微粉末を得た。
社製ＫＲＴＴＳ）５重量部、ヘキサン４９５重量部から
なる溶液に酸化スズ５０重量部を加え２時間撹拌し、続
いて濾過し溶媒を除去した後、１２０℃、２時間の乾燥
を行ってチタネート系カップリング剤で表面処理した酸
化スズ微粉末を得た。
酸化スズを上記チタネート系カップリング剤で表面処理
した酸化スズ微粉末にかえた他は比較例と全く同様にし
て感光体を作製した。
した酸化スズ微粉末にかえた他は比較例と全く同様にし
て感光体を作製した。
実施例４
イソプロピルトリス（ジオクチルパイロホスフェート）
チタネート（味の素社製ＫＲ３８Ｓ）５重量部、ヘキサ
ン４９５重量部からなる溶液に酸化スズ５０重量部を加
え２時間撹拌し、続いて溶媒を濾過し除去した後１２０
℃２時間の乾燥を行ってチタネート系カップリング剤で
表面処理した酸化スズ微粉末を得た。
チタネート（味の素社製ＫＲ３８Ｓ）５重量部、ヘキサ
ン４９５重量部からなる溶液に酸化スズ５０重量部を加
え２時間撹拌し、続いて溶媒を濾過し除去した後１２０
℃２時間の乾燥を行ってチタネート系カップリング剤で
表面処理した酸化スズ微粉末を得た。
酸化スズを上記チタネート系カップリング剤で表面処理
した酸化スズ微粉末にかえた他は比較例と全く同様にし
て感光体を作製した。
した酸化スズ微粉末にかえた他は比較例と全く同様にし
て感光体を作製した。
実施例５
アセトエトキシアルミニウムジイソプロピレート（味の
素社製ＡＬ−Ｍ）５重量部、ヘキサン４９５重量部から
なる溶液に酸化スズ５０重量部を加え２時間撹拌し、続
いて濾過し溶媒を除去した後１２０℃２時間の乾燥を行
ってアセトアルコキシジイソプロピレートで表面処理し
た酸化スズ微粉末を得た。
素社製ＡＬ−Ｍ）５重量部、ヘキサン４９５重量部から
なる溶液に酸化スズ５０重量部を加え２時間撹拌し、続
いて濾過し溶媒を除去した後１２０℃２時間の乾燥を行
ってアセトアルコキシジイソプロピレートで表面処理し
た酸化スズ微粉末を得た。
酸化スズを上記アセトアルコキシアルミニウムジイソプ
ロピレートで表面処理した酸化スズ微粉末にかえた他は
比較例と全く同様にして感光体を作製した。
ロピレートで表面処理した酸化スズ微粉末にかえた他は
比較例と全く同様にして感光体を作製した。
実施例６
ビス（ジオクチルパイロホスフェート）オキシアセテー
トチタネート（味の素社製ＫＲ１３８Ｓ）１０重二部、
ヘキサン４９０重口部からなる溶液に酸化スズ５０重量
部を加え５０℃にて５時間撹拌し続いて濾過し溶媒を除
去【７た後、 １２０℃２時間の乾燥を行ってチタネー
ト系カップリング剤で表面処理した酸化スズ微粉末を得
た。
トチタネート（味の素社製ＫＲ１３８Ｓ）１０重二部、
ヘキサン４９０重口部からなる溶液に酸化スズ５０重量
部を加え５０℃にて５時間撹拌し続いて濾過し溶媒を除
去【７た後、 １２０℃２時間の乾燥を行ってチタネー
ト系カップリング剤で表面処理した酸化スズ微粉末を得
た。
酸化スズを上記チタネート系カップリング剤で表面処理
した酸化スズ微粉末にかえた他は比較例と全く同様にし
て感光体を作製した。
した酸化スズ微粉末にかえた他は比較例と全く同様にし
て感光体を作製した。
実施例７
ビス（ジオクチルパイロホスフェート）エチレンチタネ
ート（味の素社製ＫＲ２３８Ｓ） １０重量部ヘキサン
４９０重一部からなる溶液に酸化スズ５０重量部を加え
５０℃にて５時間撹拌し続いて、濾過し溶媒を除去した
後１２０℃２時間の乾燥を行ってチタネート系カップリ
ング剤で表面処理した酸化スズ微粉末を得た。
ート（味の素社製ＫＲ２３８Ｓ） １０重量部ヘキサン
４９０重一部からなる溶液に酸化スズ５０重量部を加え
５０℃にて５時間撹拌し続いて、濾過し溶媒を除去した
後１２０℃２時間の乾燥を行ってチタネート系カップリ
ング剤で表面処理した酸化スズ微粉末を得た。
酸化スズを上記チタネート系カップリング剤で表面処理
した酸化スズ微粉末にかえた他は比較例と全く同様にし
て感光体を作製した。
した酸化スズ微粉末にかえた他は比較例と全く同様にし
て感光体を作製した。
上記のようにして得た本発明の感光体を用いて３０℃、
９０％の環境下で複写枚数１０００００枚の画像テスト
を行い３０℃、９０％の環境下の解像力と２０°Ｃ１６
５％の環境下の残留電位を評価した。これらの結果を下
表に示す。
９０％の環境下で複写枚数１０００００枚の画像テスト
を行い３０℃、９０％の環境下の解像力と２０°Ｃ１６
５％の環境下の残留電位を評価した。これらの結果を下
表に示す。
表１
光体は、高湿下での長期使用に耐え、しがち高品質の画
像を安定して形成することができる。
像を安定して形成することができる。
Claims (2)
- （１）導電性支持体上に光導電層および表面保護層を順
次積層した電子写真用感光体において、表面保護層が金
属酸化物微粉末を結着樹脂中に分散した層からなり、金
属酸化物微粉末がチタネート系カップリング剤で表面処
理されていることを特徴とする電子写真用感光体。 - （２）導電性支持体上に光導電層および表面保護層を順
次積層した電子写真用感光体において、表面保護層が金
属酸化物微粉末を結着樹脂中に分散した層からなり、金
属酸化物微粉末がフッ素含有シランカップリング剤およ
び／またはアセトアルコキシアルミニウムジイソプロピ
レートで表面処理されていることを特徴とする電子写真
用感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63312072A JP2790830B2 (ja) | 1988-05-26 | 1988-12-12 | 電子写真用感光体 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12694988 | 1988-05-26 | ||
| JP63-126949 | 1988-05-26 | ||
| JP63312072A JP2790830B2 (ja) | 1988-05-26 | 1988-12-12 | 電子写真用感光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0250167A true JPH0250167A (ja) | 1990-02-20 |
| JP2790830B2 JP2790830B2 (ja) | 1998-08-27 |
Family
ID=26463024
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63312072A Expired - Fee Related JP2790830B2 (ja) | 1988-05-26 | 1988-12-12 | 電子写真用感光体 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2790830B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6492081B2 (en) | 2000-06-21 | 2002-12-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member, and process cartridge and electrophotographic apparatus including the photosensitive member |
| US6555279B2 (en) | 2000-06-21 | 2003-04-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member, process cartridge and electrophotographic apparatus |
| US6664014B1 (en) | 1993-01-06 | 2003-12-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member electrophotographic apparatus using same and device unit using same |
| US6806009B2 (en) | 2001-12-21 | 2004-10-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member, process cartridge and electrophotographic apparatus |
| JP2008096528A (ja) * | 2006-10-06 | 2008-04-24 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真感光体、画像形成装置及びプロセスカートリッジ |
| US7531112B2 (en) * | 2004-05-04 | 2009-05-12 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Composition for forming dielectric, capacitor produced using composition, and printed circuit board provided with capacitor |
| CN102103340A (zh) * | 2009-12-17 | 2011-06-22 | 佳能株式会社 | 图像形成装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60213958A (ja) * | 1984-04-09 | 1985-10-26 | Canon Inc | 表示装置 |
| JPS61205950A (ja) * | 1985-03-11 | 1986-09-12 | Canon Inc | 像保持部材 |
-
1988
- 1988-12-12 JP JP63312072A patent/JP2790830B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
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|---|---|---|---|---|
| JPS60213958A (ja) * | 1984-04-09 | 1985-10-26 | Canon Inc | 表示装置 |
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| US6492081B2 (en) | 2000-06-21 | 2002-12-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member, and process cartridge and electrophotographic apparatus including the photosensitive member |
| US6555279B2 (en) | 2000-06-21 | 2003-04-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member, process cartridge and electrophotographic apparatus |
| US6806009B2 (en) | 2001-12-21 | 2004-10-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member, process cartridge and electrophotographic apparatus |
| US7531112B2 (en) * | 2004-05-04 | 2009-05-12 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Composition for forming dielectric, capacitor produced using composition, and printed circuit board provided with capacitor |
| JP2008096528A (ja) * | 2006-10-06 | 2008-04-24 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真感光体、画像形成装置及びプロセスカートリッジ |
| CN102103340A (zh) * | 2009-12-17 | 2011-06-22 | 佳能株式会社 | 图像形成装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2790830B2 (ja) | 1998-08-27 |
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