JPH024271A - 電子写真用感光体 - Google Patents
電子写真用感光体Info
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
[技術分野]
本発明は、電子写真用感光体、さらに詳しくは表面保護
層を有する電子写真用感光体に関する。
層を有する電子写真用感光体に関する。
[従来技術]
電子写真用感光体の光導電性材料として、無機系光導電
性物質の非晶質セレン、酸化亜鉛、酸化チタン、硫化カ
ドミニウム、非晶質シリコン、6゛機先導電化合物のポ
リ−N−ビニルカルバゾール、オキサジアゾール、フタ
ロシアニン等、様々な物が用いられている。しかし、こ
れらを用いた感光層が感光体表面に露出している場合、
複写機内のコロナ帯電、露光、現像、転写、クリーニン
グ、除電というプロセスにより、感光体表面には電気的
、機械的外力が直接加わり、感光体は損傷を受は易い。
性物質の非晶質セレン、酸化亜鉛、酸化チタン、硫化カ
ドミニウム、非晶質シリコン、6゛機先導電化合物のポ
リ−N−ビニルカルバゾール、オキサジアゾール、フタ
ロシアニン等、様々な物が用いられている。しかし、こ
れらを用いた感光層が感光体表面に露出している場合、
複写機内のコロナ帯電、露光、現像、転写、クリーニン
グ、除電というプロセスにより、感光体表面には電気的
、機械的外力が直接加わり、感光体は損傷を受は易い。
例えば銅フタロシアニンを結石樹脂中に分散した感光体
は耐摩耗性など物理的強度か弱く、複写に伴ない感光体
表面が削られ、感光体の特性が劣化する。物理的強度の
強いヒ索セレン系感光体でさえも1夏写に伴ない表面に
キズか発生し、画像上に白スジを発生してしまう。そこ
で、近年、感光体表面に表面保護層を設は感光体の耐久
性を向上させる研究が行われている。例えば特開昭58
121045に開示されている様に、光導電層上にジル
コニウム錯体とシランカップリング剤とを含む中間層と
、平均粒径が0.3μm以下の金属酸化物を樹脂中に分
散した低抵抗保護層とを順次積層することにより、耐久
性、耐摩耗性に優れた電子写真用感光体か得られること
が知られている。しかし、この電子写真用感光体は保設
層11に金属酸化物が分散されているため、光の吸収、
散乱が生じ、静電特性上の感度、画像特性上の解像力が
低ドする。史に微粒子の樹脂中への均一分散という製造
技術上の課題が存在し、コストアップにもつながる。ま
た、分散液の経時安定性についても注意を要する。
は耐摩耗性など物理的強度か弱く、複写に伴ない感光体
表面が削られ、感光体の特性が劣化する。物理的強度の
強いヒ索セレン系感光体でさえも1夏写に伴ない表面に
キズか発生し、画像上に白スジを発生してしまう。そこ
で、近年、感光体表面に表面保護層を設は感光体の耐久
性を向上させる研究が行われている。例えば特開昭58
121045に開示されている様に、光導電層上にジル
コニウム錯体とシランカップリング剤とを含む中間層と
、平均粒径が0.3μm以下の金属酸化物を樹脂中に分
散した低抵抗保護層とを順次積層することにより、耐久
性、耐摩耗性に優れた電子写真用感光体か得られること
が知られている。しかし、この電子写真用感光体は保設
層11に金属酸化物が分散されているため、光の吸収、
散乱が生じ、静電特性上の感度、画像特性上の解像力が
低ドする。史に微粒子の樹脂中への均一分散という製造
技術上の課題が存在し、コストアップにもつながる。ま
た、分散液の経時安定性についても注意を要する。
「1」 的]
本発明は、こうした実情に鑑み、導電性支持体上に光等
電層及び表面保護層を順次積層した電子写真用感光体に
おいて、光感度、解像力に優れ、かつ製造が容易な電子
写真用感光体を提(共することを目的とするものである
。
電層及び表面保護層を順次積層した電子写真用感光体に
おいて、光感度、解像力に優れ、かつ製造が容易な電子
写真用感光体を提(共することを目的とするものである
。
[構 成〕
本発明の電子写真用感光体は導電性支持体上に光等電層
、表面保護層を順次積層した電子写真用感光体に於いて
、表面保護層が金属サリチル酸塩から成ることを特徴し
ている。
、表面保護層を順次積層した電子写真用感光体に於いて
、表面保護層が金属サリチル酸塩から成ることを特徴し
ている。
本発明に係わる金属サリチル酸塩としてはサリチル酸亜
鉛、サリチル酸アルミニウム、サリチル酸チタン、サリ
チル酸第−鉄、サリチル酸第二鉄、サリチル酸第二銅、
ビスサリチライト銅(II)酸塩、サリチル酸鉛、ヒド
ロオクソビスサリチライトアコアルミニウム酸塩、ビス
サリチライトジアコマンガン(III)酸塩、ビスサリ
チライトシアンミンクロム(m)酸塩、ジオクソビスサ
リチライトウラン(IV)酸塩、サリチル酸銀、サリチ
ル酸ストロンチウム、サリチル酸セシウム、サリチル酸
セリウム、サリチル酸第二水銀等が例示できる。
鉛、サリチル酸アルミニウム、サリチル酸チタン、サリ
チル酸第−鉄、サリチル酸第二鉄、サリチル酸第二銅、
ビスサリチライト銅(II)酸塩、サリチル酸鉛、ヒド
ロオクソビスサリチライトアコアルミニウム酸塩、ビス
サリチライトジアコマンガン(III)酸塩、ビスサリ
チライトシアンミンクロム(m)酸塩、ジオクソビスサ
リチライトウラン(IV)酸塩、サリチル酸銀、サリチ
ル酸ストロンチウム、サリチル酸セシウム、サリチル酸
セリウム、サリチル酸第二水銀等が例示できる。
本発明の表面保護層を形成するには上記金属サリチル酸
塩をアルコール、ケトン、エーテル、エステル等の溶剤
に溶解させ、これを光導電層上に塗布、乾燥することに
より形成できる。金属サリチル酸塩は2種以上混合して
用いてもかまわない。また、表面保護層の機械的強度、
環境安定性−9を向上させる目的で種々の添加剤を加え
てもかまわない。表面保護層の膜厚は1〜5μmが好ま
しい。
塩をアルコール、ケトン、エーテル、エステル等の溶剤
に溶解させ、これを光導電層上に塗布、乾燥することに
より形成できる。金属サリチル酸塩は2種以上混合して
用いてもかまわない。また、表面保護層の機械的強度、
環境安定性−9を向上させる目的で種々の添加剤を加え
てもかまわない。表面保護層の膜厚は1〜5μmが好ま
しい。
本発明に係わる光導電層の構成材料としてはSe1又は
5e−Te、As2Se3等のSe系合金;Zn0SC
dSSCdSe等のII−Vl族化合物の粒子を樹脂1
と分散させた系;ポリビニルカルバゾール、アントラセ
ン等の有機光導電材料;アモルファスSi等が用いられ
る。形成方法としては使用材料によって蒸着、スパッタ
リング、塗布等の方法か適宜選択される。光導電層の構
成は特に制約されず、単層であっても或いは前記光導電
材料を主成分とする電荷発生層とドナー又はアクセプタ
ーを主成分とする電荷輸送層との積層であってもよい。
5e−Te、As2Se3等のSe系合金;Zn0SC
dSSCdSe等のII−Vl族化合物の粒子を樹脂1
と分散させた系;ポリビニルカルバゾール、アントラセ
ン等の有機光導電材料;アモルファスSi等が用いられ
る。形成方法としては使用材料によって蒸着、スパッタ
リング、塗布等の方法か適宜選択される。光導電層の構
成は特に制約されず、単層であっても或いは前記光導電
材料を主成分とする電荷発生層とドナー又はアクセプタ
ーを主成分とする電荷輸送層との積層であってもよい。
厚さは単層型光導電層の場合は3〜100μm1積層型
光導電層の場合は電荷発生層については0.05〜3μ
m1電荷輸送層については3〜100μmの範囲が適当
である。
光導電層の場合は電荷発生層については0.05〜3μ
m1電荷輸送層については3〜100μmの範囲が適当
である。
さらに表面保護層と光導電層との間に接着性を高めるた
めの接着層、電荷注入を阻止するための電気的バリアー
層、表面保護層形成液中の溶剤により有機系光導電層が
侵されることを防ぐ耐溶剤層を設けることも出来るが、
本発明においては特に必要としない。
めの接着層、電荷注入を阻止するための電気的バリアー
層、表面保護層形成液中の溶剤により有機系光導電層が
侵されることを防ぐ耐溶剤層を設けることも出来るが、
本発明においては特に必要としない。
本発明に係わる導電性支持体としてはA1、Ni、Fe
、Ce、Au等の金属又は合金;ポリエステル、ポリカ
ーボネート、ポリイミド等のプラスチック又はガラス等
の絶縁性基板上にAlSAg、Au等の金属膜又は1
n203.5nOz等の金属酸化物薄膜を設けたちの;
導電処理紙等が例示できる。形状は特に制約されないが
、通常は板状、ドラム状又はベルト状である。
、Ce、Au等の金属又は合金;ポリエステル、ポリカ
ーボネート、ポリイミド等のプラスチック又はガラス等
の絶縁性基板上にAlSAg、Au等の金属膜又は1
n203.5nOz等の金属酸化物薄膜を設けたちの;
導電処理紙等が例示できる。形状は特に制約されないが
、通常は板状、ドラム状又はベルト状である。
以下に本発明を実施例によって説明する。
実施例1
80mmφX 340n+m (長さ)のAlドラム
支持体を真空蒸着装置内にセットし、またこの装置の蒸
着源ボートにAs2Se3合金を入れ、真空度3X t
o−s Torr、支持体温度200℃、ボート温度4
50℃の条件で蒸着を行い、支持体上に60μm厚の光
導電層を形成した。次にサリチル酸並鉛15重量部をテ
トラヒドロフラン35重量部中に溶解させた溶液を光導
電層上に塗布し、130℃30分間乾燥して4μm厚の
表面保護層を形成することにより電子写真用感光体を作
製した。
支持体を真空蒸着装置内にセットし、またこの装置の蒸
着源ボートにAs2Se3合金を入れ、真空度3X t
o−s Torr、支持体温度200℃、ボート温度4
50℃の条件で蒸着を行い、支持体上に60μm厚の光
導電層を形成した。次にサリチル酸並鉛15重量部をテ
トラヒドロフラン35重量部中に溶解させた溶液を光導
電層上に塗布し、130℃30分間乾燥して4μm厚の
表面保護層を形成することにより電子写真用感光体を作
製した。
実施例2
表面保護層形成液の金属サリチル酸塩をサリチル酸鉛に
代えた他は実施例1と全く同様にして電子写真用感光体
を作製した。
代えた他は実施例1と全く同様にして電子写真用感光体
を作製した。
比較例1
実施例1と全く同様にして光導電層を形成した。
次にスチレン−メタクリル酸〜アクリル酸〜N−メチロ
ールアクリルアミド共重合体の40wt%l・ルエン〜
ブタノール(9:1比)溶液30重量部とS b 20
310vt%含有SnO2粉末IO重量部と適量のトル
エン−ブタノール(9:1比)混合溶媒とをボールミル
で120時間分散し、これを前記光導電層上に塗(+i
L、130℃で30分間乾燥して4μm厚の表面保護
層を形成することにより、電子写真感光体を作製した。
ールアクリルアミド共重合体の40wt%l・ルエン〜
ブタノール(9:1比)溶液30重量部とS b 20
310vt%含有SnO2粉末IO重量部と適量のトル
エン−ブタノール(9:1比)混合溶媒とをボールミル
で120時間分散し、これを前記光導電層上に塗(+i
L、130℃で30分間乾燥して4μm厚の表面保護
層を形成することにより、電子写真感光体を作製した。
比較例2
光導電層と表面保護層の間に、ジルコニウムアセチルア
セトネート 2重量部、γ−メタクリロキシプロピルト
リメトキシシラン 1重量部、n−ブタノール40重量
部から成る溶液を塗布し、!00℃2時間乾燥して0.
1μm厚の電気的バリアー層を形成した他は比較例1と
全く同様にして電子写真用感光体を作製した。
セトネート 2重量部、γ−メタクリロキシプロピルト
リメトキシシラン 1重量部、n−ブタノール40重量
部から成る溶液を塗布し、!00℃2時間乾燥して0.
1μm厚の電気的バリアー層を形成した他は比較例1と
全く同様にして電子写真用感光体を作製した。
得られた電子写真用感光体について静電特性を評価した
結果を表−1に画像特性を評価した結果を表−2に示す
。また、実施例1及び比較例1で用いた表面保護層形成
液を使って、ガラス板上に表面保護層を形成し、それぞ
れについて分光透過率を測定した結果を表−3に示す。
結果を表−1に画像特性を評価した結果を表−2に示す
。また、実施例1及び比較例1で用いた表面保護層形成
液を使って、ガラス板上に表面保護層を形成し、それぞ
れについて分光透過率を測定した結果を表−3に示す。
表−1静電特性
測定条件:放電電圧 6kV
露光m Il、5pv/cm2
光源はタングステンランプを使用
最高電位:帯電50秒後の表面電位
感度 二表面電位が100OVから200Vになるまで
に要した露光量 表−2画像特性 とが静電特性上の感度、画像特性上の解像力の向上をも
たらしている。更に本発明によれば光導電層と表面保護
層の間に電気的バリアー層を設ける必要もない。
に要した露光量 表−2画像特性 とが静電特性上の感度、画像特性上の解像力の向上をも
たらしている。更に本発明によれば光導電層と表面保護
層の間に電気的バリアー層を設ける必要もない。
[効 果]
以上説明したように、本発明の構成による電子写真用感
光体は光感度、解像力にすぐれ、かつ製造も容易である
。
光体は光感度、解像力にすぐれ、かつ製造も容易である
。
表−3
分光透過率
Claims (1)
- 導電性支持体上に光導電層及び表面保護層を順次積層し
て成る電子写真用感光体において、表面保護層が金属サ
リチル酸塩から成ることを特徴とする電子写真用感光体
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15222688A JPH024271A (ja) | 1988-06-22 | 1988-06-22 | 電子写真用感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15222688A JPH024271A (ja) | 1988-06-22 | 1988-06-22 | 電子写真用感光体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH024271A true JPH024271A (ja) | 1990-01-09 |
Family
ID=15535844
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15222688A Pending JPH024271A (ja) | 1988-06-22 | 1988-06-22 | 電子写真用感光体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH024271A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6342324B1 (en) | 2000-02-16 | 2002-01-29 | Imation Corp. | Release layers and compositions for forming the same |
US6551752B2 (en) * | 2000-08-08 | 2003-04-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member, process cartridge and electrophotographic apparatus |
KR101067007B1 (ko) * | 2008-11-04 | 2011-09-22 | 포항공과대학교 산학협력단 | cAMP 생성 조절제를 포함하는 약학적 조성물 |
-
1988
- 1988-06-22 JP JP15222688A patent/JPH024271A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6342324B1 (en) | 2000-02-16 | 2002-01-29 | Imation Corp. | Release layers and compositions for forming the same |
US6551752B2 (en) * | 2000-08-08 | 2003-04-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member, process cartridge and electrophotographic apparatus |
KR101067007B1 (ko) * | 2008-11-04 | 2011-09-22 | 포항공과대학교 산학협력단 | cAMP 생성 조절제를 포함하는 약학적 조성물 |
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