JPH01150152A - 電子写真用感光体 - Google Patents
電子写真用感光体Info
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- JPH01150152A JPH01150152A JP30859687A JP30859687A JPH01150152A JP H01150152 A JPH01150152 A JP H01150152A JP 30859687 A JP30859687 A JP 30859687A JP 30859687 A JP30859687 A JP 30859687A JP H01150152 A JPH01150152 A JP H01150152A
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
[技術分野]
本発明は、電子写真用感光体、さらに詳しくは表面保護
層を有する電子写真用感光体に関する。
層を有する電子写真用感光体に関する。
[従来技術]
電子写真用感光体の光導電性材料として、無機系光導電
性物質の非晶質セレン、酸化亜鉛、酸化チタン、硫化カ
ドミニウム、非晶質シリコン、有機光導電化合物のポリ
−N−ビニルカルバゾール、オキサジアゾール、フタロ
シアニン等、様々な物が用いられている。しかし、これ
らを用いた感光層が感光体表面に露出している場合、複
写機内のコロナ帯電・露光、現像、転写、クリーニング
、除電というプロセスにより、感光体表面には電気的、
機械的外力が直接加わり、感光体は損傷を受は易い。例
えば銅フタロシアニンを結着樹脂中に分散した感光体は
耐摩耗性など物理的強度が弱く、複写に伴ない感光体表
面が削られ、感光体の特性が劣化する。物理的強度の強
いヒ索セレン系感光体でさえも複写に伴い表面にキズが
発生し11画像上に白スジを発生してしまう。そこで、
近年、感光体表面に表面保護層を設は感光体の耐久性を
向上させる研究が行われている。例えば特開昭58−1
21045に開示されている様に、光導電層上にジルコ
ニウム錯体とシランカップリング剤とを含む中間層と、
平均粒径が0.3μl以下の金属酸化物を樹脂中に分散
した低抵抗保護層とを順次積層することにより、耐久性
、耐摩耗性に優れた電子写真用感光体が得られることが
知られている。
性物質の非晶質セレン、酸化亜鉛、酸化チタン、硫化カ
ドミニウム、非晶質シリコン、有機光導電化合物のポリ
−N−ビニルカルバゾール、オキサジアゾール、フタロ
シアニン等、様々な物が用いられている。しかし、これ
らを用いた感光層が感光体表面に露出している場合、複
写機内のコロナ帯電・露光、現像、転写、クリーニング
、除電というプロセスにより、感光体表面には電気的、
機械的外力が直接加わり、感光体は損傷を受は易い。例
えば銅フタロシアニンを結着樹脂中に分散した感光体は
耐摩耗性など物理的強度が弱く、複写に伴ない感光体表
面が削られ、感光体の特性が劣化する。物理的強度の強
いヒ索セレン系感光体でさえも複写に伴い表面にキズが
発生し11画像上に白スジを発生してしまう。そこで、
近年、感光体表面に表面保護層を設は感光体の耐久性を
向上させる研究が行われている。例えば特開昭58−1
21045に開示されている様に、光導電層上にジルコ
ニウム錯体とシランカップリング剤とを含む中間層と、
平均粒径が0.3μl以下の金属酸化物を樹脂中に分散
した低抵抗保護層とを順次積層することにより、耐久性
、耐摩耗性に優れた電子写真用感光体が得られることが
知られている。
しかし、この電子写真用感光体は電荷を保持し静電コン
トラストを高めるための中間層が必要であり、この中間
層を設けない場合には帯電能が著るしく劣り、電子写真
用感光体としては実質的に使用できない。更に表面保護
層中に金属酸化物が分散されているため、光の吸収、散
乱が生じ画像特性上解像力が低下する。また製造上の技
術課題として微粒子の樹脂中への均一分散、分散液の経
時安定性等があり、簡便に製造することはできない。
トラストを高めるための中間層が必要であり、この中間
層を設けない場合には帯電能が著るしく劣り、電子写真
用感光体としては実質的に使用できない。更に表面保護
層中に金属酸化物が分散されているため、光の吸収、散
乱が生じ画像特性上解像力が低下する。また製造上の技
術課題として微粒子の樹脂中への均一分散、分散液の経
時安定性等があり、簡便に製造することはできない。
【口 的]
本発明の目的は、表面保護層を有する電子写真用感光体
において、耐久性に優れ、かつ高透光性の表面保護層を
簡便に形成し得る電子写真用感光体を提供することにあ
る。
において、耐久性に優れ、かつ高透光性の表面保護層を
簡便に形成し得る電子写真用感光体を提供することにあ
る。
[構 成]
本発明者は、従来より上記課題解決のため研究を重ねて
きたが、表面保護層中に特定のシランカップリング剤を
組合せて含有されることが有効であることを見出し、本
発明に至った。
きたが、表面保護層中に特定のシランカップリング剤を
組合せて含有されることが有効であることを見出し、本
発明に至った。
すなわち、本発明は表面保護層ををする電子写真用感光
体において、該表面保護層中に窒素を含有するシランカ
ップリング剤と、メルカプト基を含有するシランカップ
リング剤および/またはエポキシ基を含有するシランカ
ップリング剤とを含むことを特徴とする電子写真用感光
体である。
体において、該表面保護層中に窒素を含有するシランカ
ップリング剤と、メルカプト基を含有するシランカップ
リング剤および/またはエポキシ基を含有するシランカ
ップリング剤とを含むことを特徴とする電子写真用感光
体である。
本発明に係わる表面保護層は窒素を含有するシランカッ
プリング剤とメルカプト基を含有するシランカップリン
グ剤および、/またはエポキシ基を含有するシランカッ
プリング剤とを結石樹脂中に混合し、これを浸漬塗布、
スプレー塗布等の方法で塗布後、乾燥あるいは加熱硬化
させることによって得られる。
プリング剤とメルカプト基を含有するシランカップリン
グ剤および、/またはエポキシ基を含有するシランカッ
プリング剤とを結石樹脂中に混合し、これを浸漬塗布、
スプレー塗布等の方法で塗布後、乾燥あるいは加熱硬化
させることによって得られる。
窒素を含有するシランカップリング剤はアミノ基、イミ
ノ基、もしくはニトリル基を少なくとも1個とアルコキ
シ基が2乃至3個結合したケイ素原子を有する有機ケイ
素化合物であり、具体的にはγ−(2−アミノエチル)
アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−(2−アミノ
エチル)アミノプロピルアミノジメトキシシラン、N−
β−(N−ビニルベンジルアミノエチル)−γ−アミノ
プロピルトリメトキシシラン塩酸塩、γ−アニリノプロ
ピルトリメトキシラン、オクタデシルジメチル[3−(
トリメトキ ′シシリル)プロピル〕アンモニウムクロ
ライド等が例示できる。
ノ基、もしくはニトリル基を少なくとも1個とアルコキ
シ基が2乃至3個結合したケイ素原子を有する有機ケイ
素化合物であり、具体的にはγ−(2−アミノエチル)
アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−(2−アミノ
エチル)アミノプロピルアミノジメトキシシラン、N−
β−(N−ビニルベンジルアミノエチル)−γ−アミノ
プロピルトリメトキシシラン塩酸塩、γ−アニリノプロ
ピルトリメトキシラン、オクタデシルジメチル[3−(
トリメトキ ′シシリル)プロピル〕アンモニウムクロ
ライド等が例示できる。
メルカプト、基を含有するシランカップリング剤はメル
カプト基を含む有機基を少なくとも1個と、アルコキシ
基が2乃至3個結合したケイ素原子を有する有機ケイ素
化合物であり、代表例としてγ−メルカプトプロピルト
リメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルメチルジメ
トキシシランを挙げることができる。
カプト基を含む有機基を少なくとも1個と、アルコキシ
基が2乃至3個結合したケイ素原子を有する有機ケイ素
化合物であり、代表例としてγ−メルカプトプロピルト
リメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルメチルジメ
トキシシランを挙げることができる。
エポキシ基を含有するシランカップリング剤はエポキシ
基を含む有機基を少なくとも1個と、アルコキシ基が2
乃至3個結合したケイ素原子を有する有機ケイ素化合物
であり、代表例としてγ−グリシドキシプロビルトリメ
トキシシランを挙げることができる。
基を含む有機基を少なくとも1個と、アルコキシ基が2
乃至3個結合したケイ素原子を有する有機ケイ素化合物
であり、代表例としてγ−グリシドキシプロビルトリメ
トキシシランを挙げることができる。
結石樹脂としては可視光に対して実質上透明で、電気絶
縁性、強度、接着性に優れたものが望ましい。例えばポ
リスチレン、MMA、n−BMA、ポリアミド、ポリエ
ステル、ポリウレタン、ポリカーボネート、ポリビニル
ホルマール、ポリシリコーン、ポリビニルアセタール、
ポリビニルブチラール、エチルセルロース、メラミン樹
脂及びそれらの共重合体、混合物等が用いられる。
縁性、強度、接着性に優れたものが望ましい。例えばポ
リスチレン、MMA、n−BMA、ポリアミド、ポリエ
ステル、ポリウレタン、ポリカーボネート、ポリビニル
ホルマール、ポリシリコーン、ポリビニルアセタール、
ポリビニルブチラール、エチルセルロース、メラミン樹
脂及びそれらの共重合体、混合物等が用いられる。
表面保護層中には接着性、平、滑性°等を向上させる目
的で種々添加剤を加えてもかまわない。
的で種々添加剤を加えてもかまわない。
表面保護層の比抵抗はtOS〜to+)Ω・811%好
ましくは10−〜10口Ω・emであり、選択する樹脂
と窒素を含有するシランカップリング剤との組み合せに
より、最適な混合比が異なる。
ましくは10−〜10口Ω・emであり、選択する樹脂
と窒素を含有するシランカップリング剤との組み合せに
より、最適な混合比が異なる。
表面保護層の膜厚は任意に設定できるが0.5〜lOμ
■好ましくは1〜5μ虐が適当である。
■好ましくは1〜5μ虐が適当である。
本発明で用いられる光導電層はセレン、セレンテルル、
ヒ素セレン等のセレン合金を蒸着させたもの、酸化亜鉛
、硫化カドミウム等の■−■族化合物の粒子を樹脂中に
分散させたもの、ポリ−N−ビニルカルバゾール等の有
機光導電材料あるいは非晶質シリコン等が用いられる。
ヒ素セレン等のセレン合金を蒸着させたもの、酸化亜鉛
、硫化カドミウム等の■−■族化合物の粒子を樹脂中に
分散させたもの、ポリ−N−ビニルカルバゾール等の有
機光導電材料あるいは非晶質シリコン等が用いられる。
光導電層の構成には特に制約がなく、単層型であっても
電荷発生層と電荷輸送層とに分離された積層型であって
もかまわない。
電荷発生層と電荷輸送層とに分離された積層型であって
もかまわない。
本発明で用いられる導電性支持体は導電体あるいは導電
処理を施した絶縁体が用いられる。
処理を施した絶縁体が用いられる。
例えばアルミ、ニッケル、鉄、銅、金等の金属、あるい
はポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリ
エチレンテレフタレート、ガラス等の絶縁性基体上にア
ルミ、銀、金等の金属あるいは酸化スズ等の導電材料の
薄膜を形成したもの、導電処理を施した紙等が例示でき
る。
はポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリ
エチレンテレフタレート、ガラス等の絶縁性基体上にア
ルミ、銀、金等の金属あるいは酸化スズ等の導電材料の
薄膜を形成したもの、導電処理を施した紙等が例示でき
る。
導電性支持体の形状には特に制約がなく、必要に応じて
板状、ドラム状、ベルト状のものが用いられる。
板状、ドラム状、ベルト状のものが用いられる。
以下、実施例を挙げて本発明の説明をする。
(以下の実施例、比較例中のエステル架橋型スチレン−
MMA樹脂はMMA−S t−AA・N・MAAMがG
O:35:5と88: t7: 15のもので、トルエ
ン:ブタノール−9:1の混合溶媒溶液として洪した) 比較例1 アルミニウム素管(80φX340L)に前処理(洗浄
)を施した後、真空蒸着装置内にセットしAs2Se3
合金を支持体上の膜厚が60μmになる様に下記条件で
抵抗加熱蒸着を行ない光導電層を作製した。
MMA樹脂はMMA−S t−AA・N・MAAMがG
O:35:5と88: t7: 15のもので、トルエ
ン:ブタノール−9:1の混合溶媒溶液として洪した) 比較例1 アルミニウム素管(80φX340L)に前処理(洗浄
)を施した後、真空蒸着装置内にセットしAs2Se3
合金を支持体上の膜厚が60μmになる様に下記条件で
抵抗加熱蒸着を行ない光導電層を作製した。
蒸着条件 真空度 3 X 10’ To、rr支持体
温度 200℃ ボート温度 450℃ 次にこの光導電層上に下記に示す条件で作製した中間層
形成液を塗布し、100℃2時間で乾燥し、0.2μm
の膜厚を持つ中間層を作製した。
温度 200℃ ボート温度 450℃ 次にこの光導電層上に下記に示す条件で作製した中間層
形成液を塗布し、100℃2時間で乾燥し、0.2μm
の膜厚を持つ中間層を作製した。
中間層形成液
ジルコニウムアセチルアセトネート
2重量部
γ−メタアクリロキシプロピル。
トリメトキシシラン
(信越化学製KBM 503) 1重量部n−ブタノ
ール 40重量部更にこの中間層上に下記
に示す条件で作製した保護層形成液を塗布し、130℃
30分の乾燥を行い、膜厚5μmの表面保護層を形成し
サンプルAとした。
ール 40重量部更にこの中間層上に下記
に示す条件で作製した保護層形成液を塗布し、130℃
30分の乾燥を行い、膜厚5μmの表面保護層を形成し
サンプルAとした。
保護層形成液
エステル架橋型スチレン−M M A 樹脂(固形分濃
度40%)40重量部 抵抗制御剤SnO2微粉末 (三菱金属製)24重量部 トルエン 1087重量部n−ブタ
ノール 12重量部ボールミルにて120
時間分散。
度40%)40重量部 抵抗制御剤SnO2微粉末 (三菱金属製)24重量部 トルエン 1087重量部n−ブタ
ノール 12重量部ボールミルにて120
時間分散。
比較例2
比較例1と全く同様な方法で光導電層を形成したサンプ
ルの上に中間層を形成せず、比較例1と同様な方法で表
面保護層を形成しサンプルBとした。
ルの上に中間層を形成せず、比較例1と同様な方法で表
面保護層を形成しサンプルBとした。
比較例3
比較例1と全く同様な方法で光導電層を形成したサンプ
ルの上に下記に示す条件で作製した表面保護層形成液を
加熱撹拌後塗布し、 130℃30分の乾燥を行い膜厚
が5μmの表面保護層を形成し、サンプルCとした。
ルの上に下記に示す条件で作製した表面保護層形成液を
加熱撹拌後塗布し、 130℃30分の乾燥を行い膜厚
が5μmの表面保護層を形成し、サンプルCとした。
表面保護層形成液
γ−(2−アミノエチル)アミノプロピルトリメトキシ
シラン(東し シリコーン製 S H6020) 7重量部エステル
架橋型スチレン−、M、 M A樹脂(固形分濃度40
%)30重量部 トルエン 45重量部n−ブタノー
ル 5重量部実施例1 比較例1と全く同様な方法で光導電層を形成したサンプ
ルの上に下記に示す条件で作製した表面保護層形成液を
加熱撹拌後塗布し、130℃30分の乾燥を行い膜厚が
5μ曙の表面保護層を形成し、サンプルDとした。
シラン(東し シリコーン製 S H6020) 7重量部エステル
架橋型スチレン−、M、 M A樹脂(固形分濃度40
%)30重量部 トルエン 45重量部n−ブタノー
ル 5重量部実施例1 比較例1と全く同様な方法で光導電層を形成したサンプ
ルの上に下記に示す条件で作製した表面保護層形成液を
加熱撹拌後塗布し、130℃30分の乾燥を行い膜厚が
5μ曙の表面保護層を形成し、サンプルDとした。
表面保護層形成液
γ−(2−アミノエチル)アミノ
プロピルトリメトキシシラン
(東しシリコーン製S H6020) 7ffl量部
γ−メルカプトプロピルトリメトキシ シラン(東しシリコーン製S H8062)6重量部 エステル架橋型スチレン−MMA樹脂 (固形分濃度40%)3oIi量部 トルエン 45ffi量部n−ブタ
ノール 5重量部得られたサンプルA%B
、CSDについて静電特性を評価した結果を表−1に画
像特性を評価した結果を表−2に示す。また、サンプル
A1Dを形成する際に用いた保護層形成液を使ってそれ
ぞれガラス板上に表面保護層を形成し、順にサンプルA
″、D−とじ、それぞれについて分光透過率を測定した
結果を表−3に示す。
γ−メルカプトプロピルトリメトキシ シラン(東しシリコーン製S H8062)6重量部 エステル架橋型スチレン−MMA樹脂 (固形分濃度40%)3oIi量部 トルエン 45ffi量部n−ブタ
ノール 5重量部得られたサンプルA%B
、CSDについて静電特性を評価した結果を表−1に画
像特性を評価した結果を表−2に示す。また、サンプル
A1Dを形成する際に用いた保護層形成液を使ってそれ
ぞれガラス板上に表面保護層を形成し、順にサンプルA
″、D−とじ、それぞれについて分光透過率を測定した
結果を表−3に示す。
表−1静電特性
illll性:放tt1電圧6kV 。
露光量11.5μV/cm2、
光源はタングステンランプ使用
最高電位:帯電50秒後の表面電位
暗減衰比:帯電終了後20秒後の暗中帯電保持率感度
:表面電位が100OVか、ら200vになるでに要
した露光量 残留電位:露光後15秒後の表面電位 表−3分光透過率 表−1の静電特性の結果から、比較品の中では中間層を
設けたサンプルAだけが静電特性を満足し、中間層を設
けなかったサナンプル81Cは帯電能が低く、電子写真
用感光体として使用し得るものではなかった。ところが
本発明品のサンプルDは中間層を設けないという簡単な
構成にもかかわらず、サンプルCに比べ著しい帯電能の
向上が認められ、その帯電能は中間層を設けたサンプル
Aと同等であった。
:表面電位が100OVか、ら200vになるでに要
した露光量 残留電位:露光後15秒後の表面電位 表−3分光透過率 表−1の静電特性の結果から、比較品の中では中間層を
設けたサンプルAだけが静電特性を満足し、中間層を設
けなかったサナンプル81Cは帯電能が低く、電子写真
用感光体として使用し得るものではなかった。ところが
本発明品のサンプルDは中間層を設けないという簡単な
構成にもかかわらず、サンプルCに比べ著しい帯電能の
向上が認められ、その帯電能は中間層を設けたサンプル
Aと同等であった。
表−3の分光透過率の結果、本発明品のサンプルD″は
表面保護層中に微粒子が存在しないため、光の吸収、散
乱が無く、サンプルA′に比べ波長400n■から70
0rvの範囲でフラットでかつ高い透過率を示し、その
ことが画像特性上の解像力の向上、静電特性上の感度の
向上をもたらしている。
表面保護層中に微粒子が存在しないため、光の吸収、散
乱が無く、サンプルA′に比べ波長400n■から70
0rvの範囲でフラットでかつ高い透過率を示し、その
ことが画像特性上の解像力の向上、静電特性上の感度の
向上をもたらしている。
比較例4
比較例1と全く同様な方法で光導電層を形成したサンプ
ルの上に下記に示す条件で作製した表面保護層形成液、
を加熱撹拌後塗布し、130℃30分の乾燥を行い膜厚
が5μ−の表面保護層を形成し、サンプルEとした。
ルの上に下記に示す条件で作製した表面保護層形成液、
を加熱撹拌後塗布し、130℃30分の乾燥を行い膜厚
が5μ−の表面保護層を形成し、サンプルEとした。
表面保護層形成液
γ−(2−アミノエチル)アミノプロピルトリメトキシ
シラン(東し シリコーン製 5H6020) 7重量部γ−メタク
リロキシプロピ、ルドリ メトキシシラン(信越化学製 KBM503) 8重量部 エステル架橋型スチレン−MMA樹脂 (固形分濃度40%)30重量部 トルエン 45重量部n−ブタノー
ル 5ffi量部実施例2 比較例1と全く同様な方法で光導電層を形成したサンプ
ルの上に下記に示す条件で作製した表面保護層形成液を
加熱撹拌後塗布し、130℃30分の乾燥を行い膜厚が
5μlの表面保護層を形成し、サンプルFとした。
シラン(東し シリコーン製 5H6020) 7重量部γ−メタク
リロキシプロピ、ルドリ メトキシシラン(信越化学製 KBM503) 8重量部 エステル架橋型スチレン−MMA樹脂 (固形分濃度40%)30重量部 トルエン 45重量部n−ブタノー
ル 5ffi量部実施例2 比較例1と全く同様な方法で光導電層を形成したサンプ
ルの上に下記に示す条件で作製した表面保護層形成液を
加熱撹拌後塗布し、130℃30分の乾燥を行い膜厚が
5μlの表面保護層を形成し、サンプルFとした。
表面保護層形成液
γ−(2−アミノエチル)アミノ
プロピルメチルジメトキシシラン
(東L/ シIJ コ−ンTA S H8023)
BiRW部γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラ
ン(東しシリコーン製S H8040)6重量部 エステル架橋型スチレン−MMA樹脂 (固形分濃度4096)30重量部 トルエン 45重量部n−ブタノー
ル 5重量部得られたサンプルA(前記
比較例1)、B(前記比較例2) 、C(前記比較例3
) 、E。
BiRW部γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラ
ン(東しシリコーン製S H8040)6重量部 エステル架橋型スチレン−MMA樹脂 (固形分濃度4096)30重量部 トルエン 45重量部n−ブタノー
ル 5重量部得られたサンプルA(前記
比較例1)、B(前記比較例2) 、C(前記比較例3
) 、E。
Fについて静電特性を評価した結果を表−4に、画像特
性を評価した結果を表−5に示す。また、サンプルA、
Fを形成する際に用いた保護層形成液を使ってそれぞれ
ガラス板上に表面保護層を形成し、順にサンプルA″、
F″とし、それぞれについて分光透過率を測定した結果
を表−6に示す。
性を評価した結果を表−5に示す。また、サンプルA、
Fを形成する際に用いた保護層形成液を使ってそれぞれ
ガラス板上に表面保護層を形成し、順にサンプルA″、
F″とし、それぞれについて分光透過率を測定した結果
を表−6に示す。
表−4静電特性
測定条件:放電電圧GkV、
露光量LL、5μW/cI12、
光源はタングステンランプ使用
最高電位:帯電50秒後の表面電位
暗減衰比:帯電終了後20秒後の暗中帯電保持率感度
二表面電位が100OVから200vになるでに要し
た露光量 残留電位:露光後15秒後の表面電位 表−5画像特性 表−4の静電特性の結果がら、比較品の中では中間層を
設けたサンプルAだけが静電特性を満足し、中間層を設
けながったサンプルBSC。
二表面電位が100OVから200vになるでに要し
た露光量 残留電位:露光後15秒後の表面電位 表−5画像特性 表−4の静電特性の結果がら、比較品の中では中間層を
設けたサンプルAだけが静電特性を満足し、中間層を設
けながったサンプルBSC。
Eは帯電能が低く、電子写真用感光体として使用し得る
ものではなかった。ところが本発明品のサンプルFは中
間層を設けないという簡単な構成にもかかわらず、サン
プルB、C,Hに比べ著しい帯電能の向上が認められ、
その帯電能は中間層を設けたサンプルAと同等であった
。
ものではなかった。ところが本発明品のサンプルFは中
間層を設けないという簡単な構成にもかかわらず、サン
プルB、C,Hに比べ著しい帯電能の向上が認められ、
その帯電能は中間層を設けたサンプルAと同等であった
。
表−6の分光透過率の結果、本発明品のサンプルF′は
表面保:jI!層中に微粒子が存在しないため、光の吸
収、散乱が無く、サンプルA′に比べ波長400na+
から700rvの範囲でフラットでかつ高い透過率を示
し、そのことが表−5の画像特性における解像力の向上
、表−4の静電特性における感度の向上をもたらしてい
る。
表面保:jI!層中に微粒子が存在しないため、光の吸
収、散乱が無く、サンプルA′に比べ波長400na+
から700rvの範囲でフラットでかつ高い透過率を示
し、そのことが表−5の画像特性における解像力の向上
、表−4の静電特性における感度の向上をもたらしてい
る。
[効 果]
以上説明したように、本発明の構成による感光体は、耐
久性にすぐれ、かつ、高透光性をもつ表面保護層を簡便
に形成することができる。
久性にすぐれ、かつ、高透光性をもつ表面保護層を簡便
に形成することができる。
Claims (1)
- 表面保護層を有する電子写真用感光体において、該表面
保護層中に窒素を含有するシランカップリング剤と、メ
ルカプト基を含有するシランカップリング剤および/ま
たはエポキシ基を含有するシランカップリング剤とを含
むことを特徴とする電子写真用感光体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30859687A JPH01150152A (ja) | 1987-12-08 | 1987-12-08 | 電子写真用感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30859687A JPH01150152A (ja) | 1987-12-08 | 1987-12-08 | 電子写真用感光体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01150152A true JPH01150152A (ja) | 1989-06-13 |
Family
ID=17982943
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP30859687A Pending JPH01150152A (ja) | 1987-12-08 | 1987-12-08 | 電子写真用感光体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01150152A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03129361A (ja) * | 1989-10-14 | 1991-06-03 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用感光体 |
JP2008096528A (ja) * | 2006-10-06 | 2008-04-24 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真感光体、画像形成装置及びプロセスカートリッジ |
-
1987
- 1987-12-08 JP JP30859687A patent/JPH01150152A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03129361A (ja) * | 1989-10-14 | 1991-06-03 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用感光体 |
JP2008096528A (ja) * | 2006-10-06 | 2008-04-24 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真感光体、画像形成装置及びプロセスカートリッジ |
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