JPS63133156A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
- Publication number
- JPS63133156A JPS63133156A JP27980086A JP27980086A JPS63133156A JP S63133156 A JPS63133156 A JP S63133156A JP 27980086 A JP27980086 A JP 27980086A JP 27980086 A JP27980086 A JP 27980086A JP S63133156 A JPS63133156 A JP S63133156A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- intermediate layer
- layer
- silane coupling
- coupling agent
- gamma
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 44
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 claims abstract description 8
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 claims abstract description 5
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 claims description 19
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 3
- FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N silanamine Chemical compound [SiH3]N FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- ZYAASQNKCWTPKI-UHFFFAOYSA-N 3-[dimethoxy(methyl)silyl]propan-1-amine Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCCN ZYAASQNKCWTPKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropan-1-amine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCN SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 abstract 1
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 abstract 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 abstract 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- PHQOGHDTIVQXHL-UHFFFAOYSA-N n'-(3-trimethoxysilylpropyl)ethane-1,2-diamine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNCCN PHQOGHDTIVQXHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropane-1-thiol Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCS UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910000967 As alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017000 As2Se3 Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 125000000129 anionic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000002216 antistatic agent Substances 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 1
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- MQWFLKHKWJMCEN-UHFFFAOYSA-N n'-[3-[dimethoxy(methyl)silyl]propyl]ethane-1,2-diamine Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCCNCCN MQWFLKHKWJMCEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005486 organic electrolyte Substances 0.000 description 1
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
- G03G5/142—Inert intermediate layers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
狡生分更
本発明はS e −A s系光導電層、中間層及び低抵
抗保護層を有する電子写真用感光体に関する。るゎ 従】1月1 従来、電子写真感光体として導電性支持体上にアモルフ
ァスS e 、 S e ” T e 、 S e −
A s等のカルコゲナイド系感光層を設けたものが使用
されている。中でもS e = A s系感光体はSe
、 5e−Te系等に比べて長波長側まで高感度である
という利点がある。一方、このようなSe系感光体に限
らず、無機光導電体(CdS、ZnO等)〜樹脂分散系
、有機光導電体(ポリビニルカルバゾール、アゾ顔料等
)系等の感光体に対して長時間高画質を保つ信頼性の要
求が年々高まっている。しかし感光層が露出している場
合、帯電過程のコロナ放電によるダメージと複写プロセ
スで受ける他部材との接触による物理的あるいは化学的
なダメージが感光体の寿命を損うものであった。そこで
従来この欠点を解消するため、Se系感光体表面に感光
層とは異なる表面保護層を設ける試みがなされている。
抗保護層を有する電子写真用感光体に関する。るゎ 従】1月1 従来、電子写真感光体として導電性支持体上にアモルフ
ァスS e 、 S e ” T e 、 S e −
A s等のカルコゲナイド系感光層を設けたものが使用
されている。中でもS e = A s系感光体はSe
、 5e−Te系等に比べて長波長側まで高感度である
という利点がある。一方、このようなSe系感光体に限
らず、無機光導電体(CdS、ZnO等)〜樹脂分散系
、有機光導電体(ポリビニルカルバゾール、アゾ顔料等
)系等の感光体に対して長時間高画質を保つ信頼性の要
求が年々高まっている。しかし感光層が露出している場
合、帯電過程のコロナ放電によるダメージと複写プロセ
スで受ける他部材との接触による物理的あるいは化学的
なダメージが感光体の寿命を損うものであった。そこで
従来この欠点を解消するため、Se系感光体表面に感光
層とは異なる表面保護層を設ける試みがなされている。
例えば、特開昭57−30843号に提案されているよ
うに表面保護層として低抵抗層を設けた場合、保護層の
膜厚を厚くすることが可能となり、十分な強度を持つ保
護層が得られる。
うに表面保護層として低抵抗層を設けた場合、保護層の
膜厚を厚くすることが可能となり、十分な強度を持つ保
護層が得られる。
このような感光体に於いては、感光層と保護層との間に
中間層を必要とする。中間層は、感光層への電荷注入の
阻止及び接着層としての機能を持っている。これらの中
間層としては、特開昭57−30843号に示される無
機化合物や特開昭58−140752号に示される有機
金属化合物があるが、このような中間層を持った感光体
では高湿下で帯電性等の電子写真特性の劣化を引き起こ
し、画像流れ等を生じる欠点があった。
中間層を必要とする。中間層は、感光層への電荷注入の
阻止及び接着層としての機能を持っている。これらの中
間層としては、特開昭57−30843号に示される無
機化合物や特開昭58−140752号に示される有機
金属化合物があるが、このような中間層を持った感光体
では高湿下で帯電性等の電子写真特性の劣化を引き起こ
し、画像流れ等を生じる欠点があった。
且−一孜
本発明の目的は耐久性に優れ、しかも高湿下でも良好な
電子写真特性を維持し、従って常に高品質の画像を形成
できる電子写真感光体を提供することである。
電子写真特性を維持し、従って常に高品質の画像を形成
できる電子写真感光体を提供することである。
棗−一双
本発明の電子写真感光体は導電性支持体上にSe〜As
系光導電層、中間層及び低抵抗保護層を設けた電子写真
感光体において、中間層がアミノ基含有シランカップリ
ング剤を主成分とすることを特徴とするものである。
系光導電層、中間層及び低抵抗保護層を設けた電子写真
感光体において、中間層がアミノ基含有シランカップリ
ング剤を主成分とすることを特徴とするものである。
導電性支持体としては、導電体あるいは導電処理した絶
縁体が用いられる。例えば、AQ。
縁体が用いられる。例えば、AQ。
Ni、Fe、Cu、Auなどの金属あるいは合金;ポリ
エステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリアミド
、ガラス等の絶縁性支持体上に八〇。
エステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリアミド
、ガラス等の絶縁性支持体上に八〇。
A g 、A u等の金属あるいはIn2O3,Sn○
2等の導電材料の薄膜を形成したもの;導電処理した紙
等が例示できる。
2等の導電材料の薄膜を形成したもの;導電処理した紙
等が例示できる。
また導電性支持体の形状は特に制約はなく、必要に応じ
て板状、ドラム状、ベルト状のものが用いられる。
て板状、ドラム状、ベルト状のものが用いられる。
Se、Asを主体とする感光層はSe及びAs原子の組
成がS e : 55−99.9wt%、As : 0
.1〜45wt%の範囲内にあることが好ましい。この
ようなSe〜As感光層は単層でも多層でもよく、多層
の場合は例えばSe層上にSe〜As層を積層する。
成がS e : 55−99.9wt%、As : 0
.1〜45wt%の範囲内にあることが好ましい。この
ようなSe〜As感光層は単層でも多層でもよく、多層
の場合は例えばSe層上にSe〜As層を積層する。
またこのS e = A s感光層はSe、As以外に
ハロゲン、Te、Sb、Bi等の添加物の1種又は2種
以上の元素を含有してもよい。感光層の形成は5s−A
s合金を導電性支持体上に蒸着するか、あるいは複数の
蒸発源にSe及びAsの各金属単体あるいはS e =
A s合金を入れて共蒸着することにより達成される
。感光層の厚さは10〜100μm、好ましくは50〜
70の範囲が良い。
ハロゲン、Te、Sb、Bi等の添加物の1種又は2種
以上の元素を含有してもよい。感光層の形成は5s−A
s合金を導電性支持体上に蒸着するか、あるいは複数の
蒸発源にSe及びAsの各金属単体あるいはS e =
A s合金を入れて共蒸着することにより達成される
。感光層の厚さは10〜100μm、好ましくは50〜
70の範囲が良い。
本発明の中間層はアミノ基含有シランカップリング剤を
主成分として構成される。このようなシランカップリン
グ剤としては、アミノシラン、γ−(2−アミノエチル
)アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−(2−アミ
ノエチル)アミノプロピルメチルジメトキシシラン、N
−β−(N−ビニルベンジルアミノエチル)−γ−アミ
ノプロピルトリメトキシシラン等が例示できる。これら
は単独でもあるいは2種以上の混合物として用いること
もできる。なお中間層の形成はこれらの化合物を含有す
る塗布液を感光層上にスプレー塗布あるいは浸漬塗布等
の適当な方法で塗布し、加熱乾燥することにより達成さ
れる。中間層の厚さは0.01μm〜1μm、好ましく
は0.1μm〜0.3μmの範囲が良い。
主成分として構成される。このようなシランカップリン
グ剤としては、アミノシラン、γ−(2−アミノエチル
)アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−(2−アミ
ノエチル)アミノプロピルメチルジメトキシシラン、N
−β−(N−ビニルベンジルアミノエチル)−γ−アミ
ノプロピルトリメトキシシラン等が例示できる。これら
は単独でもあるいは2種以上の混合物として用いること
もできる。なお中間層の形成はこれらの化合物を含有す
る塗布液を感光層上にスプレー塗布あるいは浸漬塗布等
の適当な方法で塗布し、加熱乾燥することにより達成さ
れる。中間層の厚さは0.01μm〜1μm、好ましく
は0.1μm〜0.3μmの範囲が良い。
低抵抗保護層は結着樹脂及び低抵抗制御剤を主成分とし
て構成される。こへて結着樹脂としてはスチレン樹脂、
ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリカーボネー
ト樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、けい素樹脂等が
例示できる。また低抵抗制御剤としては、一般にプラス
チック用の帯電防止剤として用いられるカーボンブラッ
ク;アルミニウム、銅、銀等の金属;酸化亜鉛、酸化錫
等の金属酸化物;アニオン系。
て構成される。こへて結着樹脂としてはスチレン樹脂、
ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリカーボネー
ト樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、けい素樹脂等が
例示できる。また低抵抗制御剤としては、一般にプラス
チック用の帯電防止剤として用いられるカーボンブラッ
ク;アルミニウム、銅、銀等の金属;酸化亜鉛、酸化錫
等の金属酸化物;アニオン系。
カチオン系又は非イオン系の有機電解質等があり、これ
らの混合物も用いられる。これらは通常、結着樹脂10
0重量部当り10〜90重量部使用される。この保護層
の形成は結着樹脂及び低抵抗制御剤を含む塗布液を中間
層上に適当な方法で塗布し、加熱乾燥することにより達
成される。
らの混合物も用いられる。これらは通常、結着樹脂10
0重量部当り10〜90重量部使用される。この保護層
の形成は結着樹脂及び低抵抗制御剤を含む塗布液を中間
層上に適当な方法で塗布し、加熱乾燥することにより達
成される。
保護層の厚さは0.1〜10μm、好ましくは2〜7μ
mの範囲が良い。
mの範囲が良い。
以下に本発明を実施例によって説明する。
比較例
アルミニウム基板に前処理を施した後、真空蒸着装置内
にセットしAs2Se3合金を膜厚が60μmになるよ
うに真空度3 X 1O−GTorr及び支持体温度2
00℃の条件で抵抗加熱による蒸着を行ない感光層を形
成した。次にこの感光層上に下記に示す中間層液及び保
護層を順次塗布し加熱乾燥して0.2μm厚の中間層及
び5μm厚の保護層を形成し、比較用感光体とした。
にセットしAs2Se3合金を膜厚が60μmになるよ
うに真空度3 X 1O−GTorr及び支持体温度2
00℃の条件で抵抗加熱による蒸着を行ない感光層を形
成した。次にこの感光層上に下記に示す中間層液及び保
護層を順次塗布し加熱乾燥して0.2μm厚の中間層及
び5μm厚の保護層を形成し、比較用感光体とした。
中間層形成液:
γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン1重量部n
−ブタノール 40重量部保
護層形成液: 5nO2(Sb、03ドープ)微粉末
10重量部実施例1 中間層液を下記組成に変えた他は比較例と全く同様にし
て感光体を作成した。
−ブタノール 40重量部保
護層形成液: 5nO2(Sb、03ドープ)微粉末
10重量部実施例1 中間層液を下記組成に変えた他は比較例と全く同様にし
て感光体を作成した。
中間層形成液:
γ−(2−アミノエチル)アミノプロピルトリメトキシ
シラン 1重量部 n−ブタノール 40重量部
実施例2 中間層液を下記組成に変えた他は比較例と全く同様にし
て感光体を作成した。
シラン 1重量部 n−ブタノール 40重量部
実施例2 中間層液を下記組成に変えた他は比較例と全く同様にし
て感光体を作成した。
中間層形成液:
n−ブタノール 40重量部
次に以上の各感光体について高湿下(90%RH)での
電子写真特性を評価した。まず各感光体に対し、静電特
性試験装置((株)川口@機製作所製、5P428型)
を用いて+6KVのコロナ放電を20秒間行なって正に
帯電せしめ、この時の表面電位Vmを測定した。続いて
20秒間暗中放電し、その時の表面電位Voを測定し、
暗減衰Vo/Vmを求めた。次いで6Quxの露光量で
タングステン光を照射し、表面電位が1/2になるまで
の時間を求め半減露光量E1/2を算出した。また露光
後30秒後の残留電位VRも測定した。以上の結果を下
表に示す。
次に以上の各感光体について高湿下(90%RH)での
電子写真特性を評価した。まず各感光体に対し、静電特
性試験装置((株)川口@機製作所製、5P428型)
を用いて+6KVのコロナ放電を20秒間行なって正に
帯電せしめ、この時の表面電位Vmを測定した。続いて
20秒間暗中放電し、その時の表面電位Voを測定し、
暗減衰Vo/Vmを求めた。次いで6Quxの露光量で
タングステン光を照射し、表面電位が1/2になるまで
の時間を求め半減露光量E1/2を算出した。また露光
後30秒後の残留電位VRも測定した。以上の結果を下
表に示す。
この表から判るように本発明の感光体は比較品に比べて
高湿下で良好な電子写真特性を示している。
高湿下で良好な電子写真特性を示している。
力−−−果
以上の如く本発明の電子写真感光体は中間層にアミノ基
含有シランカップリング剤を用いたので、電気的、物理
的又は化学的ダメージに対する抵抗力、従って耐久性が
向上することは勿論、実施例からも明らかなように高湿
下でも良好な電子写真特性、特に帯電性を維持し、従っ
て常に高品質の画像を形成できる。
含有シランカップリング剤を用いたので、電気的、物理
的又は化学的ダメージに対する抵抗力、従って耐久性が
向上することは勿論、実施例からも明らかなように高湿
下でも良好な電子写真特性、特に帯電性を維持し、従っ
て常に高品質の画像を形成できる。
特許出願人 株式会社リ コ −
代理人 弁理士 月 村 茂
外1名
=8−
Claims (1)
- 1、導電性支持体上にSe〜As系光導電層、中間層及
び低抵抗保護層を設けた電子写真感光体において、中間
層がアミノ基含有シランカップリング剤を主成分とする
ことを特徴とする電子写真用感光体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27980086A JPS63133156A (ja) | 1986-11-26 | 1986-11-26 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27980086A JPS63133156A (ja) | 1986-11-26 | 1986-11-26 | 電子写真感光体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63133156A true JPS63133156A (ja) | 1988-06-04 |
Family
ID=17616088
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27980086A Pending JPS63133156A (ja) | 1986-11-26 | 1986-11-26 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63133156A (ja) |
-
1986
- 1986-11-26 JP JP27980086A patent/JPS63133156A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0057532A1 (en) | Electrophotographic light-sensitive member | |
JPS62100765A (ja) | 静電写真式像形成部材 | |
US4409309A (en) | Electrophotographic light-sensitive element | |
US4407920A (en) | Silicone ammonium salts and photoresponsive devices containing same | |
JPS62295066A (ja) | 電子写真用感光体 | |
JP2675035B2 (ja) | 電子写真用感光体 | |
US3856548A (en) | Strippable overcoating for improved xerographic plates | |
JPS63133156A (ja) | 電子写真感光体 | |
JPH01219754A (ja) | 感光体 | |
JPH0250167A (ja) | 電子写真用感光体 | |
JPS5858556A (ja) | 電子写真用感光体 | |
JP2742264B2 (ja) | 電子写真用感光体 | |
JPH04278957A (ja) | 電子写真用感光体とその製造方法 | |
JPS58121045A (ja) | 電子写真感光体 | |
JP2659396B2 (ja) | 電子写真感光体 | |
JPH01217352A (ja) | 電子写真感光体 | |
JPH02156252A (ja) | 電子写真用感光体 | |
JPH01150152A (ja) | 電子写真用感光体 | |
JPH02293885A (ja) | 像形成装置 | |
JPS63292149A (ja) | 電子写真用感光体 | |
JPH0317655A (ja) | 電子写真用感光体 | |
JP2707649B2 (ja) | 電子写真感光体 | |
JPS63254463A (ja) | 電子写真感光体 | |
JPS6343162A (ja) | 電子写真感光体 | |
JPS63293553A (ja) | 電子写真用感光体 |