JPH01226217A - 近接センサ発振回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の分野〕 本発明は検出物体までの距離に比例した出力を与えるリ
ニア出力型の近接センリの発振回路に関し、特にその検
出物体までの距離に対応した１１１（幅レベルで発振す
る近接センサ発振回路に関するものである。

〔従来技術〕

第１１同は本発明による近接センサ発振回路の前提とな
った従来の発振回路の一例を示す回路し１である。この
発振回路はコイル■７と一７ンデンザ０から成るＬＣ共
振回路１を有しており、Ｌ　Ｃ共振回路１の十ソトエン
ド側はダイオ−１’　Ｄ　Ｉを介して定電流ｔＸ２と電
流ミラー回路３の−・方のトランジスタＴｒｌのコレク
タ端及び１〜ランシスタＴｒ３のベース端に接続される
。Ｉ−ランジスタＴｒ１はトランジスタＴｒ２と共に電
流ミラー回路３を構成しており、トランジスタＴｒ２の
ベース・コレクタの共通接続端はスイッチング用トラン
シスクＴｒ３のコレクタに接続される。ここでトランジ
スタ’Ｆｒ３のエミッタはトランジスタＴ　ｒ４　、　
Ｔ　ｒ５より構成される電流ミラー回路４の一方のトラ
ンジスタＴｒ４に接続されている。そして一方のトラン
ジスタＴｒ５のコレクタはトランジスタＴｒ４との共通
ベースに接続されると共に抵抗Ｒ１を介して電′ｒＡ端
子に接続されている。

このような従来の近接センサ発振回路によれば、電源を
投入すると定電流源２よりダイオードＤＩを介してＬＣ
共振回路１に一定の電流Ｉｌが流れ、ＬＣ共振回路１の
ボソトエント側の電圧がト昇する。そしてトランジスタ
Ｔｒ３に与えられるベース電圧はコイルＩ、の端子電圧
よりダイオードＤ１の順方向降下電圧（約０．６Ｖ）高
い電圧となるが、この電圧が所定のレヘルを越えれば第
１２図に示すようにトランジスタＴｒ３が徐々に４通し
てトランジスタＴｒ２とＴｒｌに電流が流れる。一方ト
ランジスタＴｒ５には電圧源より抵抗Ｒ］を介して一定
の電圧が与えられており、定電流■２が流れる。

従ってこれと同一の電流が電流ミラー回路４によってト
ランジスタＴｒ４、更にトランジスタＴｒ３を介してト
ランジスタＴｒ２に流れる。従ってトランジスタＴｒ３
が完全にオンとなれば第１２図に示すように、電流ミラ
ー回路３によりこれと同一の電流がトランジスタＴｒｌ
にも流れることとなってＬＣ共振回路１に帰還される。

従ってＬＣ共振回路１の電圧に対応した電流が供給され
ることとなり、正帰還ループによってＬＣ共振回路１の
損失に応じた振幅で発振が継続することとなる。ここで
トランジスタＴｒ３のベース電圧とコイルＬの端子電圧
は第１３図（ａ）、　（ｂｌに示すように、ダイオード
ＤＩの順方向降下電圧（０，６Ｖ）だけシフトしたもの
となっている。ここでトランジスタＴｒ３がオンとなる
開始時点から定電流Ｉ２が流れるまでの変化幅、即ち１
０〜９０％の間の電圧を閾（１ｉＶｒｅｆｌとすると、
この閾値Ｖｒｅｆｌは第１３図（ａｌ、　ｆｂｌに示す
ように表される。そしてコイルＬの端子電圧がこのレベ
ルを越えればトランジスタＴｒ３が完全にオンとなるた
め、ＬＣ共振回路１に流入する電流は第１３図（Ｃ１に
示すようにピーク値が一定でコイルＬの発振振幅に対応
した方形波状となり、ピーク値は電流Ｉ２＋Ｉ、　、発
振振幅が負に振れている間は定電流■１のみが流れるこ
ととなる。そしてＬＣ共振回路１の損失は金属物体まで
の距離に対応して定まるため、その両端に得られる振幅
、即ちコイルＬ（７）’ホットエンド端の振幅値が物体
までの距離に応じて変化する。それ故ＬＣ共振回路ｌの
振幅値に基づいて物体までの距離を検出することができ
る。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかるにこのような従来の発振回路によれば、トランジ
スタＴｒ３が完全にオンするにはトランジスタＴｒ３の
ベース電圧が閾値Ｖｒｅｆｌを越える必要がある。そし
て第１２図に示すようにトランジスタＴｒ３のコレクタ
電流が流れ始めるまでの電圧ＶｘはトランジスタＴｒ３
及びＴｒ４の動作状態に依存し、トランジスタＴｒ３の
ベース電圧の上昇によってトランジスタＴｒ３．　Ｔｒ
４が徐々にオンとなるため、闇値の幅Ｖｒｅｆｌが大き
くなる。従って第１３図（ｂ）。

（Ｃ１に示すように、発振開始後物体の位置によって定
まる振幅によってＬＣ共振回路に流入する電流の実効値
が変化する。即ち第１３図（ａｌ、　（ｂｌの時刻ｔ、
以後に示すように物体が遠ければ発振の振幅も大きいの
で、第１３図（Ｃ）に示すようにデユーティ比が５０％
に近くピーク値が一定（ｒ＋＋ｒｚ’）の電流波形が得
られる。しかし時刻ｔ２以後に示すように物体が近づい
て発振振幅が低下すればデユーティ比が５０％より大き
く低下する。それ故第１３図（ｄｌに示すように物体が
近づけば電流波形の実効値が低下する。従って物体まで
の距離と振幅は例えば第１４図に示すように比例関係が
なく、直線性が悪いという欠点があった。更にトランジ
スタＴｒ３のベース電圧はダイオードＤＩの電圧降下分
を含めてグランドレベルから約０．６Ｖを中心として上
下に流れる脈流となる。従って第１３図（ａｌに示すよ
うに例えば振幅が１．２ｖｐ−ｐのときには電源電圧は
トランジスタＴｒ４のＶＣＥｓａｔ　　（約０．２Ｖ）
を含めて１．４Ｖが必要になり、電圧利用率が悪いとい
う欠点があった。

本願の請求項１〜５の発明はこのような従来の近接セン
サ発振回路の問題点に鑑みてなされたものであって、物
体までの距離によってＬＣ共振回路の損失が変化しても
電流波形のデユーティ比をほとんど変化させずに距離と
振幅との直線性を向上させること、近年発振回路の低電
圧化が要望されているため低電圧で発振を可能とするこ
と、及び近くまでの物体を検出することを技術的課題と
する。

又本願の請求項２，３及び４の発明はこれらの課題に加
えて、この発振回路をＩＣ化する際に必要な端子数を少
なくすることを技術的課題とする。

更に本願の請求項５の発明はこれらの課題に加えて、電
源電圧の上昇に応じて発振振幅を大きくできるようにす
ることを技術的課題とする。

〔発明の構成と効果〕

（課題を解決するための手段） 本願の請求項１の発明はコイル及びコンデンサから成り
一端が接地されたＬＣ共振回路と、ＰＮＰ型の第１．第
２のトランジスタから成りＬＣ共振回路の他端に第１の
トランジスタが接続され、ＬＣ共振回路に電流を正帰還
する電流ミラー回路と、コレクタが接地され、ＬＣ共振
回路のコイルにベースが接続されたＰＮＰ型の第３のト
ランジスタと、エミッタが接地され、第３のトランジス
タのエミッタにベースが接続され、電流ミラー回路の第
２のトランジスタに流れる電流を制御するＮ、ＰＮ型の
第４のトランジスタと、を有することを特徴とするもの
である。

本願の請求項２の発明はコイル及びコンデン″リ−から
成り一端が接地されたＬＣ共振回路と、ＰＮＰ型の第１
．第２のトランジスタから成りＬＣ共振回路の他端に第
１の１−ランシスタが接続され、ＬＣ共振回路に電流を
正帰還する第１の電流ミラー回路と、コレクタが接地さ
れ、Ｉ２Ｃ共振回路のコイルにベースが接続されたＰＮ
Ｐ型の第３のトランジスタと、第１の電流ミラー回路の
第２のＩ・ランジスタのコレクタにコレクタが接続され
第３のトランジスタのエミッタに一＼−スが接続された
ＮＰＮ型の第４のトランジスタ及び該第３の１〜ランジ
スタのエミッタとアース間に接続された第５の１〜ラン
ジスタを有する第２の電流ミラー回路と、第３のトラン
ジスタのエミッタと電源間に接続された電流調整用抵抗
と、を有することを特徴とするものである。

本願の請求項３の発明はコイル及びコンデンサから成り
一端が接地されたＬ　Ｃ共振回路と、ＰＮＰ型の第１．
第２のトランジスタから成りＬＣ共振回路の他端に第１
のトランジスタが接続され、ＬＣ共振回路に電流を正帰
還する電流ミラー回路と、コレクタが接地され、Ｌ　Ｃ
共振回路のコイルにベースが接続されたＰＮＰ型の第３
のトランジスタと、エミッタが接地され、第３のトラン
ジスタのエミッタにベースが接続された第４のトランジ
スタと、第４のトランジスタの出力を反転させる第６の
トランジスタと、コレクタが電流ミラー回路の第２のト
ランジスタに接続され、第６のトランジスタの出力を反
転させる第７のトランジスタと、第７のトランジスタと
接地端間に設けられた電流調整用抵抗と、を有すること
を特徴とするものである。

本願の請求項４の発明はコイル及びコンデンサから成り
一端が接地されたＬＣ共振回路と、ＰＨＰ型の第１．第
２のトランジスタから成りＬ　Ｃ共振回路の他端に第１
のトランジスタが接続され、ＬＣ共振回路に電流を正帰
還する第１の電流ミラー回路と、コレクタが接地され、
ＬＣ共振回路の他端にベースが接続されたＰ　Ｎ　ｌ）
型の第３のトランジスタと、エミッタが接地され、第３
のトランジスタのエミッタにベースが接続された第４の
トランジスタと、第４のトランジスタの二ルクタに共通
エミンク端が接続され一〇ｆｉが第１の電流ミラー回路
の第２のトランジスタに接続された第３の電流ミラー回
路と、第３の電流ミラー回路の他端と電源端間に接続さ
れた電流調整用抵抗と、有することを特徴とするもので
ある。

又この近接センサ発振回路をＩＣ化した際に振幅値が制
限されないようにするためにコイルに中点タップを形成
し、第３のトランジスタのベースをこの中点タップに接
続するものとする。

（作用） このような特徴を有する本願の請求項１の発明によれば
、第３のトランジスタのベースをＬＣ共振回路のコイル
に接続しているため、その端子電圧のわずかな」二昇に
よって第３のトランジスタがオフとなり第４のトランジ
スタが導通ずる。従って電流ミラー回路を介してＬ　Ｃ
共振回路に電流が帰還され、発振が開始される。そして
振幅に応じて第３．第４のトランジスタが交互に導通ず
ることとなる。そして第３のトランジスタのベース電圧
のわずかな上昇によって第４のトランジスタがオンオフ
することとなるため、その闇値電圧が極めて低いレベル
となる。

又本願の請求項２の発明によれば、電流調整用抵抗を第
３のトランジスタのエミッタと電源端間に接続するよう
にしている。こうずれば第３のトランジスタがオフ状態
では第５のトランジスタと電流調整用可変抵抗の抵抗値
によって定まる定電流が第２及び第１の電流ミラー回路
を介してＬＣ共振回路に帰還され、第３のｊ・ランジス
タがオン状態では帰還電流がなくなる。そして第３のト
ランジスタのベース電圧がそのまま闇値となるため闇値
レベルが極めて低いレベルとなる。

又本願の請求項３の発明によれば、第４のトランジスタ
の出力を反転させる第６のトランジスタ及びその出力を
反転させる第７のトランジスタを介して電流ミラー回路
の第２のトランジスタのコレクタ電流を断続するように
している。そしてそのコレクタ電流は第７のトランジス
タのエミッタ・アース間に接続された電流調整用抵抗に
よって制御している。この場合にもＬ　Ｃ共振回路に第
３のトランジスタのベースを接続しているため、闇値レ
ベルが極めて低いレベルとなる。

更に本願の請求項４の発明によれば、第４の１〜ランジ
スタに第３の電流ミラー回路を接続しその一方の電流値
を電流調整用抵抗によって制御してＬＣ共振回路の電流
を制御している。この場合にもＬＣ共振回路の一端に第
３のトランジスタのベースを接続することによって閾値
レベルを大幅に低下させている。

更に本願の請求項５の発明によれば、第３のトランジス
タのベースを中点タップを設けたコイルの中点に接続す
るようにしているため、ＬＣ共振回路の共振振幅値は第
３のトランジスタのベース電圧に対してコイルの昇圧比
に比例して上昇することとなる。

〔発明の効果〕

そのため本願の請求項１の発明によれば、発振開始時の
闇値が極めて低いレベルとなりその闇値を越えれば一定
の電流が流れることとなるため、物体が近接しているか
どうかにかかわらずほぼデユーティが５０％の電流波形
を得ることができる。

従って電流の実効値は物体の位置にかかわらずほとんど
一定であり、一方ＬＣ共振回路の損失は物体検出領域付
近までの距離にほぼ比例するため物体までの距離と発振
の振幅の直線性を向上させることができる。更に発振開
始が容易であるため極めて近い位置まで発振を継続させ
ることができ、検出範囲を広げることができるという効
果が得られる。又ＬＣ共振回路に得られる振幅には直流
成分が含まれないため、電源電圧を必要な正方向への振
幅値に第１のトランジスタの順方向飽和電圧を加えた値
以上とすれば足りる。従って電源電圧が低い場合にも充
分な振幅値が得られ、電圧利用率が向上するという効果
も得られる。

又本願の請求項２の発明によれば、これらの効果に加え
て第４のトランジスタに流れる電流値を第４のトランジ
スタと共に電流ミラー回路を構成する第５のトランジス
タのコレクタと電源間に接続された電流調整用抵抗によ
って変化させるようにしている。従って電流調整用抵抗
の一方の端子は電源と共通となりＩＣ化する際に接続端
子数を減少させることができる。

又本願の請求項３及び請求項４の発明においても同様に
電流調整用抵抗の一方が電源又はアース端に接続されて
いるため、ＩＣ化する際それらの接続点を少なくするこ
とができるという効果が得られる。

更に本願の請求項５の発明によれば、第３のトランジス
タのベース電圧がＬＣ共振回路の一端に直接接続されず
中点タップに接続されているため、その端子電圧がコイ
ルによって昇圧されることとなる。そのためこの発振回
路をＩＣ化した際に生しる第３のトランジスタの寄生ダ
イオードによるクランプにかかわらず、電源電圧を上昇
させることによって大きい振幅値を得ることができると
いう効果が得られる。

〔実施例の説明〕

（第１実施例の説明） 第１図は本願の請求項１の近接スイッチ発振回路の一実
施例を示す回路図である。本図において従来例と同一部
分は同一符号を付している。本実施例は前述した発振回
路と同様にコイルＬとコンデンサＣから成るＬＣ共振回
路１のホットエンド側が電流ミラー回路１１を構成する
ＰＮＰ型の第１のトランジスタＴｒ６のコレクタ端に接
続される。

トランジスタＴｒ６はＰＮＰ型の第２のトランジスタＴ
ｒ７と共に第１の電流ミラー回路１１を構成しており、
それらのトランジスタのエミッタは電源に接続されてい
る。そしてトランジスタＴｒ７のコレクタは電流調整用
の可変抵抗Ｒ２を介してＮＰＮ型の第４の１−ランジス
クＴｒ８のコレクタに接続され、トランジスタＴｒ８の
エミッタは接地されている。そして検出コイルＬのボッ
トエンド側はＰＮＰ型の第３のｌ・ランジスタＴｒ９の
ベースに接続される。トランジスタＴｒ９のコレクタは
接地され、エミッタはトランジスタＴｒ８のベースと共
通接続されて抵抗Ｒ３を介して電源端に接続されている
。

次に第１実施例の近接スイッチの発振回路の動作につい
て第２図のタイムチャー１・を参照しつつ説明する。電
源を投入するとｌ・ランシスタＴｒ６を介してＬＣ共振
回路１及びトランジスタＴｒ９に電圧が供給される。そ
してトランジスタ１゛ｒ９のエミッタ電圧は約０．６Ｖ
以上とはならないため、ＬＣ共振回路１の端子電圧が所
定の閾値レベルＶｒｅｆ２を越えればトランジスタＴｒ
９が非導通状態となる。

そうすればトランジスタＴｒ８のベースに抵抗Ｒ３を介
してベース電圧が供給され１〜ランジスクＴｒ８がオン
となり、電流ミラー回路１１のトランジスタＴｒ７には
電流調整用の可変抵抗Ｒ２で定まる電流■３が流れるこ
ととなる。この電流が電流ミラー回路１１を介してＬＣ
共振回路１に帰還されるため発振が開始される。そして
ＬＣ共振回路１の端子電圧が負となればトランジスタＴ
ｒ９にエミッタ電流が流れるため、そのエミッタ電圧が
第２図（Ｃ）に示すように０．６Ｖ以下となりトランジ
スタＴｒ８がオフとなって電流ミラー回路１１を介して
電流帰還が停止される。このようにＬＣ共振回路１の両
端の電圧によってトランジスタＴｒ９及びＴｒ８が交互
に断続されることとなるが、第２図（８１，［ｂｌに示
すようにＬＣ共振回路１のホントエンド端、即ちトラン
ジスタＴｒ９のベース電圧がわずかに上昇すれば直ちに
一定の電流Ｉ３が流入することとなるため、定電流■３
が流れる周期は発振のほぼ半周期となる。そしてトラン
ジスタＴｒ９のベース電圧とトランジスタＴｒ８のコレ
クタ電流との関係は、第３図に示すようにトランジスタ
Ｔｒ９のベース電圧がわずかに上昇したときにはトラン
ジスタＴｒ８に一定のコレクタ電流が流れる。ここでこ
の飽和電流の１０％〜９０％への上昇分を閾値Ｖｒｅｆ
２として表すと、この閾値Ｖｒｅｆ２は例えば０．１Ｖ
程度の値となる。そして物体が遠い場合（時刻Ｌ３〜１
１）、近い場合（時刻Ｌ５〜ｔ６）にはｌ−Ｃ共振回路
１の振幅は夫々第２図（ａｌに示すように変化しＩ・ラ
ンジスタＴｒ９のエミッタ電圧も第２図（Ｃ１に示すよ
うに変化するが、電流波形は第２図（ｂｌに示すように
ほとんど変化せずその実効値はほとんど一定となる。

一方ＬＣ共振回路１の損失は物体までの位置によって定
まるが、電流の実効値が一定であるので発振回路の振幅
値は第４図に示すように物体までの距離、即ちＬＣ共振
回路の損失にほぼ比例したレベルとなる。それ故ＬＣ共
振回路１のポットエンド側に得られる発振信号を検波す
ることによって振幅レベルに応じた直流信号となって物
体までの距離を検出することができる。ここで可変抵抗
Ｒ２の抵抗値によってトランジスタＴｒ？、　　Ｔｒ８
を流れる電流値１３が変化する。そしてこの電流が電流
ミラー回路１１を介してＬ　Ｃ共振回路１に帰還される
ため、可変抵抗Ｒ２を調整するごとによってその電流値
及び電流値に対応して変化する振幅値を調整することが
できる。

又Ｌ　Ｃ共振回路１の端子電圧は第２図＋ａ＋に示すよ
うに直流成分を含ます、グランドレベルを中心として正
負に振れる信号となる。従ってトランジスタＴｒ６の飽
和電圧■。い、、を０．２■とすると、ＬＣ共振回路の
正方向の振幅値に飽和電圧を加えた値で駆動することが
できる。例えば発振振幅を１．２ｖｐ−ｐとすると必要
な電源電圧は０．６Ｖ　＋０．２Ｖ、即ち０．８Ｖ以上
とすれば足りる。従って従来の発振回路に比べて同一の
振幅値を得るために必要な電源電圧を大幅に低くするこ
とができる。

（第２実施例の説明） さて第１実施例による発振回路をＩＣ化する際には、第
５図に示すようにＰ型サブストレートにＰＮＰ型トトラ
ンジスタ９を形成する必要がある。

従ってサブストレートとトランジスタＴｒ９のベース間
でＰＮ接合部が生じ寄生ダイオードとなる。

従って第１図に破線で示すように等価的にダイオードＤ
２がアースとベース間に接続された状態となっている。

それ故トランジスタＴｒ９のベース電圧はグランドレベ
ルより約−０，６Ｖにクランプされる。従って発振回路
の振幅値は±０．６ｖを越えることができない。そこで
第６図に示すように、ＬＣ共振回路１のコイルＬに中点
タップを設け、トランジスタＴｒ９のベースをこの中点
タップに接続するようにしてもよい。ごうずればコイル
Ｌの巻数比Ｎによって昇圧されるため、第６図ではＬＣ
共振回路１の振幅値の上限はコイルＬの巻数比Ｎに比例
して上昇することとなる。

（第３実施例の説明） 次に本願の請求項２の近接センサ発振回路を具体化した
第３実施例について第７図を参照しつつ説明する。本実
施例は、この近接センサ発振回路をＩＣ化する際の接続
用端子を少なくするようにしたものであって、第７図に
おいて前述した実施例と同一部分は同一符号を付してい
る。本実施例はＬＣ共振回路１の一端に電流ミラー回路
１１のトランジスタＴｒ６とトランジスタＴｒ９のベー
スを接続すると共に、トランジスタＴｒ７のコレクタと
アース間にトランジスタＴｒ８を接続すること、及びト
ランジスタＴｒ９のエミッタにｌ・ランジスタＴｒ８の
ベースを接続し、トランジスタＴｒ８を介してトランジ
スタＴｒ７より電流を流出させることは前述した第１実
施例と同様である。さて本実施例ではトランジスタＴｒ
９のエミッタにＮＰＮ型の第５のトランジスタＴｒｉｏ
のベース・コレクタを接続し、このトランジスタＴ　ｒ
ｌＯのエミッタを接地する。

そしてトランジスタＴｒｉｏのベース・コレクク共通接
続点と電源との間に可変抵抗Ｒ４を接続する。

可変抵抗Ｒ４はトランジスタＴ　ｒｌＯに流れる電流を
制御するものである。又トランジスタＴ　ｒｌｏは第４
のトランジスタＴｒ８と共に第２の電流ミラー回路を構
成している。

本実施例においてもＬＣ共振回路１の端子電圧がトラン
ジスタＴｒ９のベースで定まる閾値Ｖｒｅｆ２を越えた
場合には、トランジスタＴ　ｒｌｏに抵抗Ｒ４で設定さ
れる電流が流れる。従って電流ミラー回路１１によりト
ランジスタＴｒ８にも同一の電流が流れることとなって
トランジスタ１゛ｒ７及びＴｒ６を介してＬＣ共振回路
１にその電流が帰還される。

このように正帰還ループが形成されるため、可変抵抗Ｒ
４によってＬＣ共振回路１の振幅が決定されることとな
る。

本実施例において発振回路をｒｃ化する場合には可変抵
抗Ｒ４はＩＣチップ外の外付部品として接続されるが、
回路上可変抵抗Ｒ４の一端は電源に接続されているため
、他端のみを振幅調整用端子Ｐとして外部に取出すよう
に構成する。こうすればＩＣ化する際に調整用抵抗Ｒ２
の両端に端子を設けなければならない前述した第１実施
例に比べて端子数を少なくすることができるという効果
が得られる。

又本実施例においてもトランジスタＴｒ９のベースがＬ
Ｃ共振回路１のホットエンドに直接接続されているため
、その発振振幅の最大値は１．２Ｖｐ−ｐに制限される
。従って第６図に示すようにコイルＬに中点タップを設
はトランジスタＴｒ９のベースを中点タップに接続する
ようにすれば、供給する電源電圧に応じた大きい振幅の
信号を得ることができる。

（第４実施例の説明） 次に第８図を参照しつつ本願の請求項３の近接センサ発
振回路を具体化した第４実施例について説明する。本図
において前述の実施例と同一部分は同一符号を付してい
る。さて本実施例ではＬＣ共振回路１の一端にＰＮＰ型
トランジスタ１゛ｒ９のベースを接続してそのエミッタ
と電源端間に抵抗Ｒ３を接続すること、及びエミッタと
接地端間にトランジスタＴｒ８のベース・エミッタ端間
を接続することは第１実施例と同様である。本実施例で
はトランジスタＴｒ８のコレクタを抵抗Ｒ５，、Ｒ６の
分圧回路の中点に接続する。そしてその中点には第６の
トランジスタＴｒｌｌのベースを接続する。

トランジスタＴｒｌｌのエミッタを接地し、そのコレク
タを抵抗Ｒ７，Ｒ８の分圧回路の中点に接続する。そし
て抵抗Ｒ７，Ｒ８の中点に更に第７のトランジスタＴ　
ｒ１２のベースを接続し、そのエミッタとアース端間に
電流調整用の可変抵抗Ｒ９を接続する。トランジスタＴ
　ｒ１２のコレクタは電流ミラー回路１１のトランジス
タＴｒ７のコレクタに接続するものとする。

ここでトランジスタＴｒｌｌ、　Ｔｒ１２はトランジス
タＴｒ８の出力を夫々反転させるものであり、トランソ
スタＴｒ１２のエミソク抵抗Ｒ９を電流調整用抵抗とし
ている。こうすれば電流調整用抵抗Ｒ９の一端は接地さ
れているためその他端を調整用う：）；子Ｐとすること
ができｒｃ化する際の端子数を減少させることができる
。又本実施例では第９１ヌＩ（）１１〜（ｅ）に各部の
波形を示すように、１〜ランシスタＴｒｌＬ　Ｔ　ｒｌ
２ば交互にオンオフのスイッチング動作をすることとな
る。

（第５実施例の説明） 次に第１０図は本考案の請求項４の近接センサ発振回路
を具体化した第５実施例を示す回路図である。本実施例
においても前述した第１実施例と同一部分は同一符号を
伺している。本実施例では第１実施例のトランジスタＴ
ｒ８のコレクタにＩ・ランジスタＴ　ｒｌ、３．　Ｔ　
ｒｌ４から成る第３の電流ミラー回路１３の共通エミッ
タを接続している。そしてトランジスタＴｒ１３のコレ
クタと電源端間に可変抵抗Ｒ１０、他方のトランジスタ
Ｔｒ１４のコレクタに電流ミラー回路１１のＩ−ランジ
スタ”Ｆｒ７のコレクタを接続するようにしたものであ
る。この場合にも調整用抵抗Ｒ１０は一端が電源に接続
されているため、調整用端子Ｐを１つとすることができ
、ＩＣ化する際の端子数が少なくなるという効果が得ら
れる。

【図面の簡単な説明】 第１図は本発明の第１実施例による近接センサ発振回路
を示す回路図、第２図はその各部の波形を示す波形図、
第３図はトランジスタＴｒ９のへ一ス電圧に対するトラ
ンジスタＴｒ８のコレクタ電流の変化を示す図、第４図
は１勿体までの距離に対する発振振幅の変化を示すグラ
フ、第５図はこの発振回路をＩＣ化する際のチップ内の
構成を示す図、第６図は本発明の第２実施例による近接
センサ発振回路を示す回路図、第７図、第８図及び第１
０図は夫々本発明の第３．第４及び第５実施例による近
接セン→ノ゛発振回路を示す回路図、第９図は第４実施
例の各部の波形を示す波形図、第１１図は従来の近接セ
ンサ発振回路の一例を示す回路図、第１２図はトランジ
スタＴｒ３のベース電圧に対するトランジスタＴｒｌの
コレクタ電流の変化を示すグラフ、第１３図はその各部
の波形を示す波形図、第１４図は従来の発振回路の物体
までの距離に対する発振振幅の変化を示すグラフである
。 １−−−Ｌ　Ｃ共振回路　　３，４．１１．１２．１３
−−一−−−−電流ミラー回路　　Ｌ−−−−コイル　
　Ｃ−コンデンサ　　Ｔｒｌ〜Ｔｒ１４トランシスクＲ
１，Ｒ３，Ｒ５−Ｒ８−−−−抵抗　　Ｒ２，Ｒ４゜Ｒ
９，Ｒ１０−−可変抵抗　　ＤＩ−ダイオード　　Ｄ２
−−−−一寄生ダイオード 特許出願人　　　立石電機株式会社 代理人　弁理士　岡本官喜（他１名） 第１図 １−−−−−−ＬＣ恢微口路 １１−−−−−−ｔ；免ミラー日烙 第６図 第７図 第８図 第１０図 第１１図 第１２図 第１４図 距離

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）コイル及びコンデンサから成り一端が接地された
   ＬＣ共振回路と、 ＰＮＰ型の第１、第２のトランジスタから成り前記ＬＣ
   共振回路の他端に第１のトランジスタが接続され、前記
   ＬＣ共振回路に電流を正帰還する電流ミラー回路と、 コレクタが接地され、前記ＬＣ共振回路のコイルにベー
   スが接続されたＰＮＰ型の第３のトランジスタと、 エミッタが接地され、前記第３のトランジスタのエミッ
   タにベースが接続され、前記電流ミラー回路の第２のト
   ランジスタに流れる電流を制御するＮＰＮ型の第４のト
   ランジスタと、を有することを特徴とする近接センサ発
   振回路。
2. （２）コイル及びコンデンサから成り一端が接地された
   ＬＣ共振回路と、 ＰＮＰ型の第１、第２のトランジスタから成り前記ＬＣ
   共振回路の他端に第１のトランジスタが接続され、前記
   ＬＣ共振回路に電流を正帰還する第１の電流ミラー回路
   と、 コレクタが接地され、前記ＬＣ共振回路のコイルにベー
   スが接続されたＰＮＰ型の第３のトランジスタと、 前記第１の電流ミラー回路の第２のトランジスタのコレ
   クタにコレクタが接続され前記第３のトランジスタのエ
   ミッタにベースが接続されたＮＰＮ型の第４のトランジ
   スタ及び該第３のトランジスタのエミッタとアース間に
   接続された第５のトランジスタを有する第２の電流ミラ
   ー回路と、前記第３のトランジスタのエミッタと電源間
   に接続された電流調整用抵抗と、を有することを特徴と
   する近接センサ発振回路。
3. （３）コイル及びコンデンサから成り一端が接地された
   ＬＣ共振回路と、 ＰＮＰ型の第１、第２のトランジスタから成り前記ＬＣ
   共振回路の他端に第１のトランジスタが接続され、前記
   ＬＣ共振回路に電流を正帰還する電流ミラー回路と、 コレクタが接地され、前記ＬＣ共振回路のコイルにベー
   スが接続されたＰＮＰ型の第３のトランジスタと、 エミッタが接地され、前記第３のトランジスタのエミッ
   タにベースが接続された第４のトランジスタと、 前記第４のトランジスタの出力を反転させる第６のトラ
   ンジスタと、 コレクタが前記電流ミラー回路の第２のトランジスタに
   接続され、前記第６のトランジスタの出力を反転させる
   第７のトランジスタと、 前記第７のトランジスタと接地端間に設けられた電流調
   整用抵抗と、を有することを特徴とする近接センサ発振
   回路。
4. （４）コイル及びコンデンサから成り一端が接地された
   ＬＣ共振回路と、 ＰＮＰ型の第１、第２のトランジスタから成り前記ＬＣ
   共振回路の他端に第１のトランジスタが接続され、前記
   ＬＣ共振回路に電流を正帰還する第１の電流ミラー回路
   と、 コレクタが接地され、前記ＬＣ共振回路の他端にベース
   が接続されたＰＮＰ型の第３のトランジスタと、 エミッタが接地され、前記第３のトランジスタのエミッ
   タにベースが接続された第４のトランジスタと、 前記第４のトランジスタのコレクタに共通エミッタ端が
   接続され一端が前記第１の電流ミラー回路の第２のトラ
   ンジスタに接続された第３の電流ミラー回路と、 前記第３の電流ミラー回路の他端と電源端間に接続され
   た電流調整用抵抗と、有することを特徴とする近接セン
   サ発振回路。
5. （５）前記ＬＣ共振回路のコイルに中点タップを形成し
   前記第３のトランジスタのベースを該中点タップに接続
   したことを特徴とする請求項１〜４項のいずれか１項に
   記載の近接センサ発振回路。