JPH01212433A - 薄膜半導体装置の製造方法 - Google Patents
薄膜半導体装置の製造方法Info
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- JPH01212433A JPH01212433A JP3782588A JP3782588A JPH01212433A JP H01212433 A JPH01212433 A JP H01212433A JP 3782588 A JP3782588 A JP 3782588A JP 3782588 A JP3782588 A JP 3782588A JP H01212433 A JPH01212433 A JP H01212433A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Thin Film Transistor (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はアモルファス半導体と多結晶薄膜の特性を活用
した薄膜半導体装置の製造方法に関する。
した薄膜半導体装置の製造方法に関する。
アモルファス半導体は、結晶体に比較して光学的に優れ
た特性をもっている反面、電子正札の移動度等の電気特
性が結晶体には及ばない、このアモルファス半導体の電
気特性の欠点を改善する方法として真空熱処理による多
結晶化があるが、この場合、光学的特性が劣化する０例
えばアモルファスシリコンでは加熱にするとダングリン
グボンドに結合している水素原子が熱によって離脱し、
欠陥密度が増加する。
た特性をもっている反面、電子正札の移動度等の電気特
性が結晶体には及ばない、このアモルファス半導体の電
気特性の欠点を改善する方法として真空熱処理による多
結晶化があるが、この場合、光学的特性が劣化する０例
えばアモルファスシリコンでは加熱にするとダングリン
グボンドに結合している水素原子が熱によって離脱し、
欠陥密度が増加する。
よって、光学的特性を利用する例えば光センサと、電気
特性を利用する例えばＦＥＴとをアモルファス半導体で
同一基板上形成した半導体装置では、ＦＥＴ部の特性が
劣化する。反対に両機能部を多結晶体で形成すれば光セ
ンサ部の性能が良好とならない。このため、両機能部が
同時に良好な性能を発揮する半導体装置を製造すること
が困難であった。
特性を利用する例えばＦＥＴとをアモルファス半導体で
同一基板上形成した半導体装置では、ＦＥＴ部の特性が
劣化する。反対に両機能部を多結晶体で形成すれば光セ
ンサ部の性能が良好とならない。このため、両機能部が
同時に良好な性能を発揮する半導体装置を製造すること
が困難であった。
また、光センサをアモルファス半導体で、ＦＥＴを多結
晶体で各々個別に製造した後、これらを合体する方法も
考えられるが、その方法によって形成される装置は信頼
性とコストの点で難点がある。
晶体で各々個別に製造した後、これらを合体する方法も
考えられるが、その方法によって形成される装置は信頼
性とコストの点で難点がある。
そこで光センサ等を形成するアモルファス半導体膜とＦ
ＥＴ等を形成する多結晶膜とを同一基板に形成した薄膜
半導体装置の製造方法が提案されている。この製造方法
では、基板上にプラズマＣＶＤでアモルファス半導体膜
を形成し、そのアモルファス半導体膜の所定部分（ＦＥ
Ｔとなる部分）をレーザ照射で多結晶化した後、電極等
のパターン形成を行っている。
ＥＴ等を形成する多結晶膜とを同一基板に形成した薄膜
半導体装置の製造方法が提案されている。この製造方法
では、基板上にプラズマＣＶＤでアモルファス半導体膜
を形成し、そのアモルファス半導体膜の所定部分（ＦＥ
Ｔとなる部分）をレーザ照射で多結晶化した後、電極等
のパターン形成を行っている。
ところが、このようにアモルファス半導体膜の一部をレ
ーザ照射で多結晶化することは製造工程を複雑化すると
共にレーザ照射装置等を必要とする等の問題があった。
ーザ照射で多結晶化することは製造工程を複雑化すると
共にレーザ照射装置等を必要とする等の問題があった。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、製造
工程の簡略化とレーザ照射装置を不要とすることを可能
とした薄膜半導体装置の製造方法を提供することである
。
工程の簡略化とレーザ照射装置を不要とすることを可能
とした薄膜半導体装置の製造方法を提供することである
。
このために、本発明の薄膜半導体装置の製造方法は、ア
モルファス半導体でなる第１素子部と多結晶薄膜でなる
第２素子部とを同一基板上に形成する薄膜半導体装置の
製造方法であって、上記基板の片側面のほぼ半面をマス
クで遮蔽して他のほぼ半面にＣＶＤ法で多結晶膜を積層
形成する工程と、上記マスクを移動して上記多結晶膜を
遮蔽して上記基板の他のほぼ半面にＣＶＤ法でアモルフ
ァス半導体膜を積層形成する工程とを有するようにした
。
モルファス半導体でなる第１素子部と多結晶薄膜でなる
第２素子部とを同一基板上に形成する薄膜半導体装置の
製造方法であって、上記基板の片側面のほぼ半面をマス
クで遮蔽して他のほぼ半面にＣＶＤ法で多結晶膜を積層
形成する工程と、上記マスクを移動して上記多結晶膜を
遮蔽して上記基板の他のほぼ半面にＣＶＤ法でアモルフ
ァス半導体膜を積層形成する工程とを有するようにした
。
以下、本発明の一実施例の薄膜半導体装置の製造方法に
ついて説明する。第１図（ａ） （ｂ） （Ｃ） （ｄ
ｌはその製造方法の説明図である。まず、ガラス或いは
セラミック等からなる基板１の上側にその上面のほぼ半
面を遮蔽するようにマスク２を配置し、該マスク２が配
置されていない側の半面をプラズマＣＶＤ法によって多
結晶シリコン膜３を積層形成する（第１図（ａ）参照）
。
ついて説明する。第１図（ａ） （ｂ） （Ｃ） （ｄ
ｌはその製造方法の説明図である。まず、ガラス或いは
セラミック等からなる基板１の上側にその上面のほぼ半
面を遮蔽するようにマスク２を配置し、該マスク２が配
置されていない側の半面をプラズマＣＶＤ法によって多
結晶シリコン膜３を積層形成する（第１図（ａ）参照）
。
次に、マスク２を移動して多結晶膜３の上側を遮蔽して
、基板１の他の半面をプラズマＣＶＤ法によってアモル
ファスシリコン膜４を積層形成する（第１図中）参照）
、この結果、シリコン多結晶膜３とアモルファスシリコ
ン膜４とは連続する同一面をなすように形成される。
、基板１の他の半面をプラズマＣＶＤ法によってアモル
ファスシリコン膜４を積層形成する（第１図中）参照）
、この結果、シリコン多結晶膜３とアモルファスシリコ
ン膜４とは連続する同一面をなすように形成される。
なお、アモルファスシリコン膜４を形成するためのプラ
ズマＣＶＤ法の代表的作成条件は次表のとうりである。
ズマＣＶＤ法の代表的作成条件は次表のとうりである。
原料ガス ・・・・・・モノシラン（ＳｉＨ４）原
料ガスの流量・・・・・・５〜３０ （ＳＣＣＭ））圧
力 ・・・・・・０．０５〜０．１ （Ｔｏｒ
ｒ）電源 ・・・・・・１３．５６ＭＨｚ 、
０．０１〜０．０５Ｗ／ａＪ 基板温度 ・・・・・・２００〜３００℃また、多
結晶シリコン膜３を形成する場合のプラズマＣＶＤ法の
作成条件はアモルファスシリコン膜４の作成条件に比較
して次のようにする。
料ガスの流量・・・・・・５〜３０ （ＳＣＣＭ））圧
力 ・・・・・・０．０５〜０．１ （Ｔｏｒ
ｒ）電源 ・・・・・・１３．５６ＭＨｚ 、
０．０１〜０．０５Ｗ／ａＪ 基板温度 ・・・・・・２００〜３００℃また、多
結晶シリコン膜３を形成する場合のプラズマＣＶＤ法の
作成条件はアモルファスシリコン膜４の作成条件に比較
して次のようにする。
入力電力・・・・・・高くする。
基板温度・・・・・・高くする（４００〜６００℃）原
料ガス・・・・・・モノシラン（ＳｉＨａ）を水素（Ｈ
８）で希釈して希釈率を高くする。
料ガス・・・・・・モノシラン（ＳｉＨａ）を水素（Ｈ
８）で希釈して希釈率を高くする。
次に、このようにして形成した多結晶シリコン膜３とア
モルファスシリコン膜４の上面に真空蒸着によってアル
ミニュウム等の金属の導体膜５を、積層形成する（第２
図（Ｃ））、、そして、該導体膜５をフォトリソエツチ
ングにより所定のパターンに加工して電極５ａ、５ｂ、
５Ｃにする。即ち、電極５ａはアモルファスシリコン膜
４の外側端部に、電極５ｂはアモルファスシリコン、膜
４と多結晶シリコン膜３に渡るようにその境界部に、電
極５Ｃは多結晶シリコン膜３の外側端部に各々形成する
（第２図（ｄ）参照）。
モルファスシリコン膜４の上面に真空蒸着によってアル
ミニュウム等の金属の導体膜５を、積層形成する（第２
図（Ｃ））、、そして、該導体膜５をフォトリソエツチ
ングにより所定のパターンに加工して電極５ａ、５ｂ、
５Ｃにする。即ち、電極５ａはアモルファスシリコン膜
４の外側端部に、電極５ｂはアモルファスシリコン、膜
４と多結晶シリコン膜３に渡るようにその境界部に、電
極５Ｃは多結晶シリコン膜３の外側端部に各々形成する
（第２図（ｄ）参照）。
次に、電極５ｂと電極５Ｃとの間の多結晶シリコン膜３
の上面及びこれら電極５ｂと電極５Ｃの相互に対向する
各々の縁部にプラズマＣＶＤ法によりシリコン酸化膜（
ＳｉＯ□）等の絶縁膜６を形成し、さらに該絶縁膜４の
上面に真空蒸着法等により導体膜を積層形成して電極７
をパターン形成する。
の上面及びこれら電極５ｂと電極５Ｃの相互に対向する
各々の縁部にプラズマＣＶＤ法によりシリコン酸化膜（
ＳｉＯ□）等の絶縁膜６を形成し、さらに該絶縁膜４の
上面に真空蒸着法等により導体膜を積層形成して電極７
をパターン形成する。
以上のようにして形成された半導体装置Ａは、アモルフ
ァスシリコン膜４が形成されている側が光を良好な特性
で感知する光センサ部となると共に、多結晶、シリコン
膜３が形成されている側か電気的に作用するＦＥＴとな
る。すなわち、電極５ａは例えば電源端子、５ｂはソー
ス、５Ｃはドレイン、電極７はゲートとなる。
ァスシリコン膜４が形成されている側が光を良好な特性
で感知する光センサ部となると共に、多結晶、シリコン
膜３が形成されている側か電気的に作用するＦＥＴとな
る。すなわち、電極５ａは例えば電源端子、５ｂはソー
ス、５Ｃはドレイン、電極７はゲートとなる。
以上から本発明によれば、多結晶膜の形成工程において
レーザを不要にしたので、薄膜半導体装置の製造方法及
びその装置の簡略化を図ることができる。
レーザを不要にしたので、薄膜半導体装置の製造方法及
びその装置の簡略化を図ることができる。
第１図（ａ） （ｂ） （Ｃ１（ｄ）は本発明の一実施
例の薄膜半導体装置の製造工程を示す説明図である。 １・・・基板、２・・・遮蔽板、３・・・多結晶シリコ
ン膜、４・・・アモルファスシリコン膜、５・・・導体
、５ａ。 ５ｂ、５Ｃ・・・電極、６・・・絶縁膜、７・・・電極
。
例の薄膜半導体装置の製造工程を示す説明図である。 １・・・基板、２・・・遮蔽板、３・・・多結晶シリコ
ン膜、４・・・アモルファスシリコン膜、５・・・導体
、５ａ。 ５ｂ、５Ｃ・・・電極、６・・・絶縁膜、７・・・電極
。
Claims (1)
- （１）、アモルファス半導体でなる第１素子部と多結晶
薄膜でなる第２素子部とを同一基板上に形成する薄膜半
導体装置の製造方法であって、 上記基板の片側面のほぼ半面をマスクで遮蔽して他のほ
ぼ半面にＣＶＤ法で多結晶膜を積層形成する工程と、上
記マスクを移動して上記多結晶膜を遮蔽して上記基板の
他のほぼ半面にＣＶＤ法でアモルファス半導体膜を積層
形成する工程とを有する薄膜半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3782588A JPH01212433A (ja) | 1988-02-20 | 1988-02-20 | 薄膜半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3782588A JPH01212433A (ja) | 1988-02-20 | 1988-02-20 | 薄膜半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01212433A true JPH01212433A (ja) | 1989-08-25 |
Family
ID=12508300
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3782588A Pending JPH01212433A (ja) | 1988-02-20 | 1988-02-20 | 薄膜半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01212433A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS577925A (en) * | 1980-06-18 | 1982-01-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture of thin film integrated circuit |
| JPS60127724A (ja) * | 1983-12-15 | 1985-07-08 | Toshiba Corp | 不純物濃度分布測定用半導体の成長方法 |
-
1988
- 1988-02-20 JP JP3782588A patent/JPH01212433A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS577925A (en) * | 1980-06-18 | 1982-01-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture of thin film integrated circuit |
| JPS60127724A (ja) * | 1983-12-15 | 1985-07-08 | Toshiba Corp | 不純物濃度分布測定用半導体の成長方法 |
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