JPH01208852A - 電子装置 - Google Patents
電子装置Info
- Publication number
- JPH01208852A JPH01208852A JP63032685A JP3268588A JPH01208852A JP H01208852 A JPH01208852 A JP H01208852A JP 63032685 A JP63032685 A JP 63032685A JP 3268588 A JP3268588 A JP 3268588A JP H01208852 A JPH01208852 A JP H01208852A
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- JP
- Japan
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- solder
- leads
- lead
- cross
- electronic device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 27
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims 2
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 11
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 abstract description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は絶縁物封止電子装置における外部リード構造に
関し、主として、樹脂封止半導体装置であって外部リー
ドに半田コーティングさせる半導体装置を対象とする。
関し、主として、樹脂封止半導体装置であって外部リー
ドに半田コーティングさせる半導体装置を対象とする。
樹脂封止半導体装置はリードフレーム上に半導体素子を
接続し、樹脂モールド後に外部リードの半田による実装
基板の配線との接続性を良好とするためのコーティング
を行っている。かかるリードフレームについては特開昭
６０（特願昭６Ｏ−５８３６１）等に記載されている。
接続し、樹脂モールド後に外部リードの半田による実装
基板の配線との接続性を良好とするためのコーティング
を行っている。かかるリードフレームについては特開昭
６０（特願昭６Ｏ−５８３６１）等に記載されている。
上記の外部リードのコーティング手段として半田デイツ
プと半田メツキとがあるが、後者はメツキ設備が大がか
りとなるために、工場内で主として処理し易い半田デイ
ツプ法が多用されている。
プと半田メツキとがあるが、後者はメツキ設備が大がか
りとなるために、工場内で主として処理し易い半田デイ
ツプ法が多用されている。
なお、リードフレームは第５図に示すように一枚の金属
板をプレスにより打抜いたもので、外枠（フレーム）２
と、樹脂封止される内部リード（インナーリード）３及
び外側に突出する外部リード（アウタリード）１からな
り、外部リード１は第６図に示すように樹脂成形体４に
より封止後、一方向（下方向）に折り曲げられ、実装基
板５に取付けられる前に半“田コーティングがなされる
。
板をプレスにより打抜いたもので、外枠（フレーム）２
と、樹脂封止される内部リード（インナーリード）３及
び外側に突出する外部リード（アウタリード）１からな
り、外部リード１は第６図に示すように樹脂成形体４に
より封止後、一方向（下方向）に折り曲げられ、実装基
板５に取付けられる前に半“田コーティングがなされる
。
従来のリードフレームは、第７図に示すようにその断面
形状が正方形乃至長方形であり、半田メツキでは特に問
題なかったが、半田デイツプの場合、半田デイツプ特性
より、第８図に示すようにリードコーナ一部６の半田厚
さが極端に薄くなってしまい、半田デイツプ後のマーク
・エージング等の熱処理（１６０Ｃ２〜３時間）が行わ
れると、リードコーナー周辺部の半田７がリードフレー
ム素材と反応を起して第９図に示すように一部が合金化
し、その部分の半田付性が著じるしく低下する問題があ
った。
形状が正方形乃至長方形であり、半田メツキでは特に問
題なかったが、半田デイツプの場合、半田デイツプ特性
より、第８図に示すようにリードコーナ一部６の半田厚
さが極端に薄くなってしまい、半田デイツプ後のマーク
・エージング等の熱処理（１６０Ｃ２〜３時間）が行わ
れると、リードコーナー周辺部の半田７がリードフレー
ム素材と反応を起して第９図に示すように一部が合金化
し、その部分の半田付性が著じるしく低下する問題があ
った。
本発明の課題は、上述の如き従来の半導体装置における
リードフレームの欠点を解消し、実装置の半田付を低下
させることのない信頼性の高い半導体装置を提供する目
的でなされたものである。
リードフレームの欠点を解消し、実装置の半田付を低下
させることのない信頼性の高い半導体装置を提供する目
的でなされたものである。
上記目的は半導体リードフレームにおいて、少なくとも
外部リードの断面における４つのコーナ部を大きく面取
りし、半田デイツプの際、リード上下面にできる限り半
田が幅広く厚く付くような構造とするものである。
外部リードの断面における４つのコーナ部を大きく面取
りし、半田デイツプの際、リード上下面にできる限り半
田が幅広く厚く付くような構造とするものである。
リードを半田デイツプした際、外部リードは面取りされ
ているため、その上・下面の面積が大きくなると共に側
面は逆に小さくなったので、半田がリードに良く回り込
み、全面の半田厚を厚くすることができる。
ているため、その上・下面の面積が大きくなると共に側
面は逆に小さくなったので、半田がリードに良く回り込
み、全面の半田厚を厚くすることができる。
以下実施例について述べる。
第１図は本発明の一実施態様によるリードフレーム図、
第２図はその断面図である。
第２図はその断面図である。
半導体のアウターリード１は外枠（フレーム）２、イン
ナーリード３との間に存在し、プレス加工により同時に
成形される。通常この部分の断面形状は前述したように
加工がしやすい形状、たとえば正方形・長方形であるが
、本実施例においては予めプレス金型アウターリード部
形状を第２図のように加工し、フレーム材打ち抜き後、
従来フレームに対し大きく面取りをした六角形に加工し
た。このような断面形状によれば、ＩＡ部の面積が広が
るとともにコーナーの角度が鈍角となり、第４図に示す
ようにコーナ一部６近傍の半田７の薄い部分を少なくす
ることができる様になった。
ナーリード３との間に存在し、プレス加工により同時に
成形される。通常この部分の断面形状は前述したように
加工がしやすい形状、たとえば正方形・長方形であるが
、本実施例においては予めプレス金型アウターリード部
形状を第２図のように加工し、フレーム材打ち抜き後、
従来フレームに対し大きく面取りをした六角形に加工し
た。このような断面形状によれば、ＩＡ部の面積が広が
るとともにコーナーの角度が鈍角となり、第４図に示す
ようにコーナ一部６近傍の半田７の薄い部分を少なくす
ることができる様になった。
第３図は他の実施例を示したもので、アウターリード断
面形状を楕円形に変更することにより、半田を周辺部に
完全に均一に付けることができ、これにより半田付性を
半田メツキ並忙することができる。
面形状を楕円形に変更することにより、半田を周辺部に
完全に均一に付けることができ、これにより半田付性を
半田メツキ並忙することができる。
本発明はエージングな必要とする半田デイツプコートの
半導体装置（ＩＣ，たとえば２５６ｋＤ−ＲＡＭなど）
に適用した場合もっとも効果がある。
半導体装置（ＩＣ，たとえば２５６ｋＤ−ＲＡＭなど）
に適用した場合もっとも効果がある。
本発明は抵抗、コンデンサのごとき一般の電子部品のリ
ードに適用して同様の効果が得られる。
ードに適用して同様の効果が得られる。
上述した本発明によれば、極めて簡単な加工により外部
リードの半田付性低下を効果的に解消することができ、
信頼性の高い電子装置を得ることができる。
リードの半田付性低下を効果的に解消することができ、
信頼性の高い電子装置を得ることができる。
第１図は本発明の一実施例を示す半導体装置のリードフ
レームの一部斜面図である。 第２図は第１図における外部リードの拡大断面図である
。 第３図は本発明の他の実施例における外部リードの拡大
断面図である。 第４図は本発明の効果を示すリードの拡大断面図である
。 第５図はリードフレームの形状を示す一部平面図である
。 第６図は半導体装置の実装形態の例を示す断面図である
。 第７図は従来の外部リードの拡大断面図である。 第８図及び第９図は従来の外部リードにおける半田付着
形態を示す一部拡大断面図である。 １・・・外部（アウター）リード、２・・・外枠（フレ
ーム）、３・・・インナーリード、４・・・樹脂成形体
、５・・・実装基板、６・・・コーナ一部、７・・・半
田。 第 １ 図 第 ２ 図 ＊３ｖ！Ｊ 第４図 第 ５ 図
レームの一部斜面図である。 第２図は第１図における外部リードの拡大断面図である
。 第３図は本発明の他の実施例における外部リードの拡大
断面図である。 第４図は本発明の効果を示すリードの拡大断面図である
。 第５図はリードフレームの形状を示す一部平面図である
。 第６図は半導体装置の実装形態の例を示す断面図である
。 第７図は従来の外部リードの拡大断面図である。 第８図及び第９図は従来の外部リードにおける半田付着
形態を示す一部拡大断面図である。 １・・・外部（アウター）リード、２・・・外枠（フレ
ーム）、３・・・インナーリード、４・・・樹脂成形体
、５・・・実装基板、６・・・コーナ一部、７・・・半
田。 第 １ 図 第 ２ 図 ＊３ｖ！Ｊ 第４図 第 ５ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、電子素子と、上記素子を封止する絶縁物封止体と、
素子に接続され絶縁物の外側へ導出された複数のリード
から成る電子装置であって、複数のリードの少なくとも
外部へ導出された部分の断面形状がその内部を大きく面
取りした多角形乃至楕円形であることを特徴とする電子
装置。 ２、上記電子素子はリード部に半田ディップコートが施
される請求項１に記載の電子装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63032685A JPH01208852A (ja) | 1988-02-17 | 1988-02-17 | 電子装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63032685A JPH01208852A (ja) | 1988-02-17 | 1988-02-17 | 電子装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01208852A true JPH01208852A (ja) | 1989-08-22 |
Family
ID=12365728
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63032685A Pending JPH01208852A (ja) | 1988-02-17 | 1988-02-17 | 電子装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01208852A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5925927A (en) * | 1996-12-18 | 1999-07-20 | Texas Instruments Incoporated | Reinforced thin lead frames and leads |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61275365A (ja) * | 1985-05-31 | 1986-12-05 | Dainippon Ink & Chem Inc | 反応性表面改質剤およびその組成物 |
| JPH04323275A (ja) * | 1991-04-23 | 1992-11-12 | Nippon Kayaku Co Ltd | 印刷インキ用組成物及びその硬化物 |
-
1988
- 1988-02-17 JP JP63032685A patent/JPH01208852A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61275365A (ja) * | 1985-05-31 | 1986-12-05 | Dainippon Ink & Chem Inc | 反応性表面改質剤およびその組成物 |
| JPH04323275A (ja) * | 1991-04-23 | 1992-11-12 | Nippon Kayaku Co Ltd | 印刷インキ用組成物及びその硬化物 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5925927A (en) * | 1996-12-18 | 1999-07-20 | Texas Instruments Incoporated | Reinforced thin lead frames and leads |
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