JPS62283648A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPS62283648A JPS62283648A JP12758086A JP12758086A JPS62283648A JP S62283648 A JPS62283648 A JP S62283648A JP 12758086 A JP12758086 A JP 12758086A JP 12758086 A JP12758086 A JP 12758086A JP S62283648 A JPS62283648 A JP S62283648A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
産業上の利用分野
本発明は各種電子機器に使用される半導体装置の内部構
造に関し、詳しくは、樹脂封止型半導体装置のタブリー
ドの形状に関するものである。
造に関し、詳しくは、樹脂封止型半導体装置のタブリー
ドの形状に関するものである。
従来の技術
従来の樹脂封止型半導体装置ｌこおけるタブリード部の
構造について、第２図により説明する。同図において、
従来のタブリードの形状は、タブリード部とする金属板
を板面に対し垂直方向から打ち抜き所定のチップ搭載タ
ブ１やリード２を形成するため、チップ搭載タブ１の下
方四隅の三面錐部はほぼ直角な形状を有するものであっ
た。そして、このチップ搭載タブｌの上面に半導体のチ
ップ３を接着し、各電極部を金属細線４でリード２と接
続する。
構造について、第２図により説明する。同図において、
従来のタブリードの形状は、タブリード部とする金属板
を板面に対し垂直方向から打ち抜き所定のチップ搭載タ
ブ１やリード２を形成するため、チップ搭載タブ１の下
方四隅の三面錐部はほぼ直角な形状を有するものであっ
た。そして、このチップ搭載タブｌの上面に半導体のチ
ップ３を接着し、各電極部を金属細線４でリード２と接
続する。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、このような構造を有する樹脂封止型半導
体装置は、樹脂５の熱圧縮応力がパッケージ中心から向
かって外方向に角ばった所すなわちチップ搭載タブ１の
下方四隅の三面錐部６に最も大きく発生しやすいため、
たとえば、この半導体装置を回路基板に実装するときに
用いられるはんだディップ工程における熱応力により、
チップ搭載タブ１の下方四隅の三面錐部６の樹脂部が亀
裂７を生じ易い。この亀裂はパッケージ裏面にまで到達
することもあり、この亀裂を通り外部から水分が浸入し
、樹脂封止型半導体装置の耐湿信頼性を著しく低下させ
るという問題があった。
体装置は、樹脂５の熱圧縮応力がパッケージ中心から向
かって外方向に角ばった所すなわちチップ搭載タブ１の
下方四隅の三面錐部６に最も大きく発生しやすいため、
たとえば、この半導体装置を回路基板に実装するときに
用いられるはんだディップ工程における熱応力により、
チップ搭載タブ１の下方四隅の三面錐部６の樹脂部が亀
裂７を生じ易い。この亀裂はパッケージ裏面にまで到達
することもあり、この亀裂を通り外部から水分が浸入し
、樹脂封止型半導体装置の耐湿信頼性を著しく低下させ
るという問題があった。
本発明は上記の問題点を解消するもので、チップ搭載タ
ブ下方四隅にかかる応力を低減させ、樹脂の亀裂発生を
防止させるタブリード形状を提供しようとするものであ
る。
ブ下方四隅にかかる応力を低減させ、樹脂の亀裂発生を
防止させるタブリード形状を提供しようとするものであ
る。
問題点を解決するための手段
上記の問題点を解消するために、本発明は、チップ搭載
タブの下方の三面雄部の形状を鈍化処理した構造にした
ものである。
タブの下方の三面雄部の形状を鈍化処理した構造にした
ものである。
作用
このようにチップ搭載タブの下方の三面雄部を鈍化処理
することにより、ここにかかる熱応力集中を分散させる
ことができ、たとえば、はんだディップなどの急激な熱
変化にさらしても亀裂の発生が起こらなくなる。
することにより、ここにかかる熱応力集中を分散させる
ことができ、たとえば、はんだディップなどの急激な熱
変化にさらしても亀裂の発生が起こらなくなる。
実施例
本発明の実施例を第１図により説明する。同図において
、本発明によるタブリードは、タブリードとする金属板
を板面に対し垂直方向から打ち抜き、所定のチップ搭載
部を構成したのち、チップ搭載タブｌの下方四隅の三面
雄部を機械的に研摩することにより、湾曲部８を構成し
、その後、チップ搭載タブ１にチップ３を搭載し、金属
細線４を用いてリードフレーム部２とチップ上電極を電
気的に接続させたあと樹脂５により封止したものである
。
、本発明によるタブリードは、タブリードとする金属板
を板面に対し垂直方向から打ち抜き、所定のチップ搭載
部を構成したのち、チップ搭載タブｌの下方四隅の三面
雄部を機械的に研摩することにより、湾曲部８を構成し
、その後、チップ搭載タブ１にチップ３を搭載し、金属
細線４を用いてリードフレーム部２とチップ上電極を電
気的に接続させたあと樹脂５により封止したものである
。
このタブリード構造によって、はんだディップ工程でチ
ップ搭載タブ下部四隅の湾曲部８にかかる熱応力は低減
され、そこからの樹脂の亀裂の発生はな（なった。
ップ搭載タブ下部四隅の湾曲部８にかかる熱応力は低減
され、そこからの樹脂の亀裂の発生はな（なった。
なお、本実施例では、チップ搭載タブの下方四隅の三面
雄部のみを機械的に研摩処理して湾曲部８を形成したが
、他の隅部が同時に湾曲される結果となってもさしつか
えはなく、さらに研摩処理の方法も、化学エツチング、
プラズマエツチング等の手段も有効で同様の効果が期待
できる。
雄部のみを機械的に研摩処理して湾曲部８を形成したが
、他の隅部が同時に湾曲される結果となってもさしつか
えはなく、さらに研摩処理の方法も、化学エツチング、
プラズマエツチング等の手段も有効で同様の効果が期待
できる。
発明の詳細
な説明したように、本発明によれば、タブリードのチッ
プ搭載部下方四隅の三面雄部を鈍化処理した構造にする
ことによりたとえば、同半導体装置を回路基板に実装す
る際のはんだディップ工程で、チップ搭載部タブ下部４
隅の三面雄部にかかる樹脂の熱応力を低減させることが
でき、そこからの樹脂の亀裂の発生をなくすことでパッ
ケージの信頼性を著しく向上させた。
プ搭載部下方四隅の三面雄部を鈍化処理した構造にする
ことによりたとえば、同半導体装置を回路基板に実装す
る際のはんだディップ工程で、チップ搭載部タブ下部４
隅の三面雄部にかかる樹脂の熱応力を低減させることが
でき、そこからの樹脂の亀裂の発生をなくすことでパッ
ケージの信頼性を著しく向上させた。
第１図および第２図はそれぞれ、本発明の実施例および
従来例の樹脂封止型半導体装置の断面図である。 １・・・・・・チップ搭載タブ、２・・・・・・リード
、３・・・・・・チップ、４・・・・・・金属細線、５
・・・・・・樹脂、°６・・・・・・チップ搭載タブの
下部４隅（応力集中部）８・・・・・・湾曲部。 代理人の氏名 弁理士 中尾散見 ほか１名′！Ａ１図 第２図
従来例の樹脂封止型半導体装置の断面図である。 １・・・・・・チップ搭載タブ、２・・・・・・リード
、３・・・・・・チップ、４・・・・・・金属細線、５
・・・・・・樹脂、°６・・・・・・チップ搭載タブの
下部４隅（応力集中部）８・・・・・・湾曲部。 代理人の氏名 弁理士 中尾散見 ほか１名′！Ａ１図 第２図
Claims (1)
- チップ搭載タブの下方三面錐部を鈍化処理した構造にな
したことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12758086A JPS62283648A (ja) | 1986-06-02 | 1986-06-02 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12758086A JPS62283648A (ja) | 1986-06-02 | 1986-06-02 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62283648A true JPS62283648A (ja) | 1987-12-09 |
Family
ID=14963575
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12758086A Pending JPS62283648A (ja) | 1986-06-02 | 1986-06-02 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62283648A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5233222A (en) * | 1992-07-27 | 1993-08-03 | Motorola, Inc. | Semiconductor device having window-frame flag with tapered edge in opening |
| FR2742925A1 (fr) * | 1995-12-26 | 1997-06-27 | Mitsubishi Electric Corp | Dispositif a semiconducteur du type comportant une monture destinee a evacuer la chaleur, et son procede de fabrication |
| US5917245A (en) * | 1995-12-26 | 1999-06-29 | Mitsubishi Electric Corp. | Semiconductor device with brazing mount |
-
1986
- 1986-06-02 JP JP12758086A patent/JPS62283648A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5233222A (en) * | 1992-07-27 | 1993-08-03 | Motorola, Inc. | Semiconductor device having window-frame flag with tapered edge in opening |
| FR2742925A1 (fr) * | 1995-12-26 | 1997-06-27 | Mitsubishi Electric Corp | Dispositif a semiconducteur du type comportant une monture destinee a evacuer la chaleur, et son procede de fabrication |
| US5917245A (en) * | 1995-12-26 | 1999-06-29 | Mitsubishi Electric Corp. | Semiconductor device with brazing mount |
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