JPH01205714A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JPH01205714A JPH01205714A JP2923788A JP2923788A JPH01205714A JP H01205714 A JPH01205714 A JP H01205714A JP 2923788 A JP2923788 A JP 2923788A JP 2923788 A JP2923788 A JP 2923788A JP H01205714 A JPH01205714 A JP H01205714A
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Landscapes
- Lubricants (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は耐久性属優れた磁気記録媒体に関するものであ
る。
る。
従来の技術
一般に強磁性金属もしくは合金を真空蒸着、スパッタリ
ング等によって高分子フィルム上に被着するか、又は磁
性粉末を結合剤成分とともに基体上に結着して作られる
磁気記録媒体は、記録再生時に、磁気ヘッドと激しく摺
接するため、磁性層が摩耗しやすく、特に真空蒸着等罠
よって形成される強磁性金属薄膜層は、高密度記録に適
した特性を有する反面、磁気ヘッドとの高速摺接で摩耗
や損傷を受は易く、耐久性に劣るという難点があった。
ング等によって高分子フィルム上に被着するか、又は磁
性粉末を結合剤成分とともに基体上に結着して作られる
磁気記録媒体は、記録再生時に、磁気ヘッドと激しく摺
接するため、磁性層が摩耗しやすく、特に真空蒸着等罠
よって形成される強磁性金属薄膜層は、高密度記録に適
した特性を有する反面、磁気ヘッドとの高速摺接で摩耗
や損傷を受は易く、耐久性に劣るという難点があった。
仁のため、従来から磁性層上に種々の保護膜層を設ける
などして耐摩耗性を改善する努力が払われておシ、例え
ば、膨化水素系化合物を用いて炭素を主成分とする皮膜
を設けたり、ダイアモンド構造をもつカーボン膜を設け
ること等が提案されている。
などして耐摩耗性を改善する努力が払われておシ、例え
ば、膨化水素系化合物を用いて炭素を主成分とする皮膜
を設けたり、ダイアモンド構造をもつカーボン膜を設け
ること等が提案されている。
発明が解決しようとする課題
しかし、これらの炭素を主成分とする皮膜を設けたもの
や、ダイアモンド状硬質炭素膜やＢＮ膜等の硬質膜をＧ
ｏ−１ｘ等の合金系垂直磁化膜上に配し、十分な耐久性
を得るには、その膜厚が２００〜３００人と厚く、スペ
ーシング損失で短波長域でのＣ／Ｎ低下が目立つのと、
部分酸化強磁性金属薄膜上に配したものは、膜厚が１０
０人近く薄゛くできるが、酸化層によるスペーシング損
失もあるので、やはり短波長域での０７Ｎ低下が問題で
改善が望まれていた。
や、ダイアモンド状硬質炭素膜やＢＮ膜等の硬質膜をＧ
ｏ−１ｘ等の合金系垂直磁化膜上に配し、十分な耐久性
を得るには、その膜厚が２００〜３００人と厚く、スペ
ーシング損失で短波長域でのＣ／Ｎ低下が目立つのと、
部分酸化強磁性金属薄膜上に配したものは、膜厚が１０
０人近く薄゛くできるが、酸化層によるスペーシング損
失もあるので、やはり短波長域での０７Ｎ低下が問題で
改善が望まれていた。
本発明は上記した事情に鑑みなされたもので、耐久性と
短波長域でのＣ／Ｎをバランスよく改善した磁気記録媒
体を提供するものである。
短波長域でのＣ／Ｎをバランスよく改善した磁気記録媒
体を提供するものである。
τ：二：’、ａ：：：：’：＊ａｂ、８４．。７６記録
媒体は、部分酸化強磁性金属薄膜を積層構造とし、その
上に硬質膜、潤滑剤層を順に配したものである。
媒体は、部分酸化強磁性金属薄膜を積層構造とし、その
上に硬質膜、潤滑剤層を順に配したものである。
作用
本発明の磁気記録媒体は、上記した構成によシ、部分酸
化強磁性金属薄膜が微粒子で構成されることから、硬さ
が動的に増大し、その上に配された硬質膜と硬さの差が
小さくなシ、耐久性が改善されるので、硬質膜を薄くす
ることができ、短波長域での出力低下を改善し、磁性薄
膜の微粒子化で雑音が改善されることとで、Ｃ／Ｎが改
善されることになる。
化強磁性金属薄膜が微粒子で構成されることから、硬さ
が動的に増大し、その上に配された硬質膜と硬さの差が
小さくなシ、耐久性が改善されるので、硬質膜を薄くす
ることができ、短波長域での出力低下を改善し、磁性薄
膜の微粒子化で雑音が改善されることとで、Ｃ／Ｎが改
善されることになる。
実施例
以下、図面を参照しながら、本発明の一実施例について
詳しく説明する。図は本発明の一実施例の磁気記録媒体
の拡大断面図で、図において１はポリエチレンテレフタ
レート、ボリフェニレンサ、ルファイド、ポリイミド等
の高分子フィルム、２はム１ｔ２０． 、ＣａＯ、Ｃａ
Ｃ０，、ＺｕＯ、ＺｒＯ□、Ｂ１Ｔｉ０．。
詳しく説明する。図は本発明の一実施例の磁気記録媒体
の拡大断面図で、図において１はポリエチレンテレフタ
レート、ボリフェニレンサ、ルファイド、ポリイミド等
の高分子フィルム、２はム１ｔ２０． 、ＣａＯ、Ｃａ
Ｃ０，、ＺｕＯ、ＺｒＯ□、Ｂ１Ｔｉ０．。
Ｂａ５ＯＳｉＯＴｉＯＷＯＮｕ Ｏポリエチ４１２菅
２’３１２５ レン球、ポリイミド球等の直径２０入から３６０人の範
囲の微粒子を１（μｍ） 当９０．５ケから６ｏ。
２’３１２５ レン球、ポリイミド球等の直径２０入から３６０人の範
囲の微粒子を１（μｍ） 当９０．５ケから６ｏ。
ケの密度で配した微粒子塗布層で、微粒子の分散状態は
均一分散であってもよいし、山脈状に分散したようなも
のでもよい。３は円筒キャン等の回転支持体に沿った状
態で、酸素雰囲気でＣｏ。
均一分散であってもよいし、山脈状に分散したようなも
のでもよい。３は円筒キャン等の回転支持体に沿った状
態で、酸素雰囲気でＣｏ。
Ｃｊｏ−Ｆｅ 、Ｃｏ −Ｎｉ 、Ｇｏ −Ｏｕ 、Ｇ
ｏ−Ｔｉ 、 Ｇｏ −Ｏｒ等を電子ビーム蒸着して得
られる部分酸化強磁性金属薄膜Ｉで、４は同じ条件又は
異なる条件で構成した部分酸化強磁性金属薄膜ｌで、夫
々の膜厚は０．０３μｍから０．１６μｍの範囲が好ま
しい。
ｏ−Ｔｉ 、 Ｇｏ −Ｏｒ等を電子ビーム蒸着して得
られる部分酸化強磁性金属薄膜Ｉで、４は同じ条件又は
異なる条件で構成した部分酸化強磁性金属薄膜ｌで、夫
々の膜厚は０．０３μｍから０．１６μｍの範囲が好ま
しい。
又部分酸化の条件についても最適化する実験を２゜３回
〈シ返せば、目的に応じて好ましい設計値を得ることが
できるが、原子％で酸素が１６％から３５％の範囲が好
ましい。５はＢＮ膜、ダイアモンド状硬質炭素膜等の硬
質膜で、部分酸化強磁性金属薄膜の硬さを１とすると、
１．６から１０の範囲が好ましい。６は脂肪酸、脂肪酸
アミド、パーフルオロスルホン酸、バーフルオロポリエ
ーテル等の潤滑剤層で、天然に存在するもの、合成によ
シ得たものいずれでもよく、平均膜厚換算で３０人から
１６０人の範囲で構成するのが好ましい。
〈シ返せば、目的に応じて好ましい設計値を得ることが
できるが、原子％で酸素が１６％から３５％の範囲が好
ましい。５はＢＮ膜、ダイアモンド状硬質炭素膜等の硬
質膜で、部分酸化強磁性金属薄膜の硬さを１とすると、
１．６から１０の範囲が好ましい。６は脂肪酸、脂肪酸
アミド、パーフルオロスルホン酸、バーフルオロポリエ
ーテル等の潤滑剤層で、天然に存在するもの、合成によ
シ得たものいずれでもよく、平均膜厚換算で３０人から
１６０人の範囲で構成するのが好ましい。
以下、更に具体的に本発明の一実施例について、詳しく
説明する。厚み１１μｍのポリエチレンテレフタレート
フィルム上に直径６０ＡのＩｎ２Ｏ。
説明する。厚み１１μｍのポリエチレンテレフタレート
フィルム上に直径６０ＡのＩｎ２Ｏ。
微粒子を１ｏＯケ／（μｍ ） ２配し、その上に直径
１ｍの円筒キャンに沿わせて、最小入射角４０度で、酸
素分圧４．８ Ｘ １０ （Ｔｏｒｒ）で、 Ｃｏ
−Ｎ ｉ（Ｎｉ２２ｗｔ％）を電子ビーム蒸着し、０．
０７ｐｍのＧｏ −Ｎｉ−０膜を形成した。この膜は酸
素を原子％で１ｅ％含んでいる。入射方向を合わせて、
′２゛２回の強磁性金属薄膜を同様に直径１ｍの円筒キ
ャンに沿わせて、最小入射角４６度で酸素分圧４．４Ｘ
１０ ’（Ｔｏｒｒ）でＣｏ−Ｎ１（Ｎｉ ２２ｗｔ％
）を電子ビーム蒸着し、ｏ、ｏａμｍのＣｏ−Ｎｉ−０
膜を形成した。この膜は酸素を原子％で２４％含んでい
る。次に、カーボンをターゲットにしてＡｒ＋Ｈ２＝Ｉ
Ｘｌ ０ （Ｔｏｒｒ）人ｒ：Ｈ２＝２：３のガス
を用い、１３．ｓ ６ （ＭＨｚ） １．１ （Ｋｖｒ
）の高周波グロー放電でスパッタリングを行い、ダイア
モンド状のカーボンとアモルファスのカーボンの混合し
た炭素膜を６０人の膜厚で形成した。膜の硬さはＧｏ
−Ｎｉ−０の１層目を１とすると、２層目が１．５で１
炭素膜は４．６であった。その上にパーフルオロオクタ
ン酸を真空蒸着法により４０人の膜厚で形成した。一方
、比較例は、最小入射角４２度で４．６Ｘ１０−５（Ｔ
ｏｒｒ）（７）酸素中でＣｏ −Ｎｉ （Ｎｉ ２０ｗ
ｔ％）を電子ビーム蒸着し、０．１５μｍのＧｏ −Ｎ
ｉ −０膜（０を２１ａｔ％含む膜）を形成した上に、
炭素膜を１２０人形成し、更にパーフルオロオクタン酸
を６６人蒸着したものを用いた。両者共８ミリ幅の磁気
テープに加工し、ギャップ長０４１９μｍの積層型アモ
ルファスヘッドによシ、キャリア周波数を５（ＭＨｚ）
から７−５ （ＭＨｚ）にあげた仕様に８ミリビデオを
改造し、Ｃ／Ｎを比較した。
１ｍの円筒キャンに沿わせて、最小入射角４０度で、酸
素分圧４．８ Ｘ １０ （Ｔｏｒｒ）で、 Ｃｏ
−Ｎ ｉ（Ｎｉ２２ｗｔ％）を電子ビーム蒸着し、０．
０７ｐｍのＧｏ −Ｎｉ−０膜を形成した。この膜は酸
素を原子％で１ｅ％含んでいる。入射方向を合わせて、
′２゛２回の強磁性金属薄膜を同様に直径１ｍの円筒キ
ャンに沿わせて、最小入射角４６度で酸素分圧４．４Ｘ
１０ ’（Ｔｏｒｒ）でＣｏ−Ｎ１（Ｎｉ ２２ｗｔ％
）を電子ビーム蒸着し、ｏ、ｏａμｍのＣｏ−Ｎｉ−０
膜を形成した。この膜は酸素を原子％で２４％含んでい
る。次に、カーボンをターゲットにしてＡｒ＋Ｈ２＝Ｉ
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を用い、１３．ｓ ６ （ＭＨｚ） １．１ （Ｋｖｒ
）の高周波グロー放電でスパッタリングを行い、ダイア
モンド状のカーボンとアモルファスのカーボンの混合し
た炭素膜を６０人の膜厚で形成した。膜の硬さはＧｏ
−Ｎｉ−０の１層目を１とすると、２層目が１．５で１
炭素膜は４．６であった。その上にパーフルオロオクタ
ン酸を真空蒸着法により４０人の膜厚で形成した。一方
、比較例は、最小入射角４２度で４．６Ｘ１０−５（Ｔ
ｏｒｒ）（７）酸素中でＣｏ −Ｎｉ （Ｎｉ ２０ｗ
ｔ％）を電子ビーム蒸着し、０．１５μｍのＧｏ −Ｎ
ｉ −０膜（０を２１ａｔ％含む膜）を形成した上に、
炭素膜を１２０人形成し、更にパーフルオロオクタン酸
を６６人蒸着したものを用いた。両者共８ミリ幅の磁気
テープに加工し、ギャップ長０４１９μｍの積層型アモ
ルファスヘッドによシ、キャリア周波数を５（ＭＨｚ）
から７−５ （ＭＨｚ）にあげた仕様に８ミリビデオを
改造し、Ｃ／Ｎを比較した。
実施例は比較例に対しｓ、ｙ（ｄＢ）Ｃ／Ｎが良好であ
シ、スチル状態での再生出力の低下率は０．４〜○、ｅ
ｓ（ｄＢ）／ｈで比較例と同じであり、耐久性とＣ／Ｎ
が共にバランスよく改良されたものであることがわかる
。
シ、スチル状態での再生出力の低下率は０．４〜○、ｅ
ｓ（ｄＢ）／ｈで比較例と同じであり、耐久性とＣ／Ｎ
が共にバランスよく改良されたものであることがわかる
。
この差は実際に高速で変位を与えた時の様子が測定でき
ないので推定によるが、動的な硬さが積層化することで
、静的にみての硬さより、はるかに大きく実効的に働く
ことで、硬質膜との差が小さくなることからきていると
考えられる。
ないので推定によるが、動的な硬さが積層化することで
、静的にみての硬さより、はるかに大きく実効的に働く
ことで、硬質膜との差が小さくなることからきていると
考えられる。
発明の効果
以上のように本発明によれば、短波長Ｃ／Ｎと耐久性が
バランスよく改良された磁気記録媒体を得ることができ
るといったすぐれた効果を発揮するものである。
バランスよく改良された磁気記録媒体を得ることができ
るといったすぐれた効果を発揮するものである。
図は本発明の一実施例の磁気記録媒体の拡大断面図であ
る。 １・・・・・・高分子フィルム、２・・・・・・微粒子
塗布層、３・・・・・・強磁性金属薄膜Ｉ、４・・・・
・・強磁性金属薄膜■、５・・・・・・硬質膜、６・・
・・・・潤滑剤層。 −ｘ ５°−不更買扶 を−ン閏婿１１４
る。 １・・・・・・高分子フィルム、２・・・・・・微粒子
塗布層、３・・・・・・強磁性金属薄膜Ｉ、４・・・・
・・強磁性金属薄膜■、５・・・・・・硬質膜、６・・
・・・・潤滑剤層。 −ｘ ５°−不更買扶 を−ン閏婿１１４
Claims (1)
- 積層構造から成る部分酸化強磁性金属薄膜の上に硬質膜
、潤滑剤層を順に配したことを特徴とする磁気記録媒体
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2923788A JPH01205714A (ja) | 1988-02-10 | 1988-02-10 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2923788A JPH01205714A (ja) | 1988-02-10 | 1988-02-10 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01205714A true JPH01205714A (ja) | 1989-08-18 |
Family
ID=12270628
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2923788A Pending JPH01205714A (ja) | 1988-02-10 | 1988-02-10 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01205714A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6620481B2 (en) | 2000-07-06 | 2003-09-16 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium, magnetic recording medium manufacture method, and information regeneration apparatus |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61139920A (ja) * | 1984-12-12 | 1986-06-27 | Hitachi Maxell Ltd | 磁気記録媒体 |
| JPS6310315A (ja) * | 1986-07-02 | 1988-01-16 | Tdk Corp | 磁気記録方法 |
-
1988
- 1988-02-10 JP JP2923788A patent/JPH01205714A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61139920A (ja) * | 1984-12-12 | 1986-06-27 | Hitachi Maxell Ltd | 磁気記録媒体 |
| JPS6310315A (ja) * | 1986-07-02 | 1988-01-16 | Tdk Corp | 磁気記録方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6620481B2 (en) | 2000-07-06 | 2003-09-16 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium, magnetic recording medium manufacture method, and information regeneration apparatus |
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