JPS6378326A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JPS6378326A JPS6378326A JP22316986A JP22316986A JPS6378326A JP S6378326 A JPS6378326 A JP S6378326A JP 22316986 A JP22316986 A JP 22316986A JP 22316986 A JP22316986 A JP 22316986A JP S6378326 A JPS6378326 A JP S6378326A
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Landscapes
- Lubricants (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は高密度磁気記録に適する垂直磁化膜を磁気記鎌
層とする磁気記録媒体に関する。
層とする磁気記録媒体に関する。
従来の技術
次の世代を担う磁気記録技術として新しい垂直磁気記録
方式７＞ｆ注目されている〔外国論文誌：アイイーイー
イートランザクション オン マグネｆ イクス（ＩＥ
ＥＥ ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳ ＯＮＭＡＧＮＥＴＩ
Ｃ８）ｖｏｌｊ、ＭＡＧ−１３，Ｎｏ、５．Ｐ、Ｐ。
方式７＞ｆ注目されている〔外国論文誌：アイイーイー
イートランザクション オン マグネｆ イクス（ＩＥ
ＥＥ ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳ ＯＮＭＡＧＮＥＴＩ
Ｃ８）ｖｏｌｊ、ＭＡＧ−１３，Ｎｏ、５．Ｐ、Ｐ。
１２７２〜１２７７（１９７７）。〕
垂直記録では媒体面に垂直な反平行磁化転移を形成させ
るので、磁化転移が極めて狭いものとなり高密度の記録
が可能になるが、この方式の実現には、垂直異方性を有
する媒体の使用が不可欠で、耐久性のある、信号出力対
雑音比１（以下Ｃ／Ｎと記す）の大きな媒体が量産規模
で得られることが鍵といえる〔応用磁気セミナ、垂首謀
気記録方式％式％） 現状ではＣｏ−ＣｒｌＣ代表される垂直磁化膜上に７タ
ロシアニン系の化合物を真空蒸着した潤滑層を配するこ
とや、ラングミュア−プロジェット膜を配すること等が
試みられている〔日本＠滑学会。
るので、磁化転移が極めて狭いものとなり高密度の記録
が可能になるが、この方式の実現には、垂直異方性を有
する媒体の使用が不可欠で、耐久性のある、信号出力対
雑音比１（以下Ｃ／Ｎと記す）の大きな媒体が量産規模
で得られることが鍵といえる〔応用磁気セミナ、垂首謀
気記録方式％式％） 現状ではＣｏ−ＣｒｌＣ代表される垂直磁化膜上に７タ
ロシアニン系の化合物を真空蒸着した潤滑層を配するこ
とや、ラングミュア−プロジェット膜を配すること等が
試みられている〔日本＠滑学会。
全国大会予稿集２．Ａ−ｓ 、Ａ−１１（１９８５））
。
。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら上記した構成では、ハードディスクとして
の十分な耐Ｃ５Ｓ性（ｃｏｎｔａｃｔ ５ｔａｒｔｓｔ
ｏｐ ）や、ビデオフロッピーとしての耐久性などが、
未だ不満足であり改善が望まれている。
の十分な耐Ｃ５Ｓ性（ｃｏｎｔａｃｔ ５ｔａｒｔｓｔ
ｏｐ ）や、ビデオフロッピーとしての耐久性などが、
未だ不満足であり改善が望まれている。
本発明は上記した事情に鑑みなされたもので、耐Ｃ３Ｓ
性や高速連続摺動下での耐久性能の改良された磁気記録
媒体を提供するものである。
性や高速連続摺動下での耐久性能の改良された磁気記録
媒体を提供するものである。
問題点を解決するための手段
本発明の磁気記録媒体は上記した問題点を解決するため
Ｃｏ −Ｍ ｏ −Ｐ −Ｓ強磁性金属薄膜上にＭｏＳ
２スパッタ膜及びＰ含有潤滑剤又はＳ含有潤滑剤を保護
膜として配するか、保護膜としてＭｏ Ｓ ２微粒子を
含むＰ含有潤滑剤又はＳ含有潤滑剤を配したものである
。
Ｃｏ −Ｍ ｏ −Ｐ −Ｓ強磁性金属薄膜上にＭｏＳ
２スパッタ膜及びＰ含有潤滑剤又はＳ含有潤滑剤を保護
膜として配するか、保護膜としてＭｏ Ｓ ２微粒子を
含むＰ含有潤滑剤又はＳ含有潤滑剤を配したものである
。
作 用
本発明の磁気記録媒体は、上記した構成により、強磁性
金属薄膜自身の極圧潤滑性が向上するのと、潤滑剤が強
磁性金属薄膜と強固に付着しているので持続性がでるの
と、瞬間に大きな衝撃が加わった時もＭＯ８２膜又はＭ
Ｏ５２微粒子が極圧をかん和吸収するので、Ｃ８Ｓ性能
は勿論、常時ヘッドが摺動する使用状態下でも十分な耐
久性を示すことになる。
金属薄膜自身の極圧潤滑性が向上するのと、潤滑剤が強
磁性金属薄膜と強固に付着しているので持続性がでるの
と、瞬間に大きな衝撃が加わった時もＭＯ８２膜又はＭ
Ｏ５２微粒子が極圧をかん和吸収するので、Ｃ８Ｓ性能
は勿論、常時ヘッドが摺動する使用状態下でも十分な耐
久性を示すことになる。
実施例
以下、図面を参照しながら本発明の実施例について説明
する。
する。
第１図は本発明の第１の実施例の磁気ディスクの拡大断
面図である。第１図で１は厚み１．９間のＡｌ −Ｍｑ
合金基板で、２は厚み０ 、１５μｍのＣｏ−Ｍｏ
−Ｐ−８垂直磁化膜で、垂直方向の拡磁力は５４００ｓ
である。該垂直磁化膜はＣｏ−Ｍｏ（Ｃｏ：８４ａｔチ
）をターゲットとして、１３．５６ＭＨｚの高周波を用
いた高周波スパッタリング法で形成したもので、ＰとＳ
はＡ ｒ ＋Ｈ，Ｓ ＋ＰＨ，の混合ガスを放電ガスと
して用いることで含有量を制御し、かつ表面に偏析する
よう工夫した。全体で分析した原子チ比は ＣＯ：ＭＯ：Ｐ：Ｓ：８１ ：１５：２：２とした。３
は厚み（均一に形成されたとしての計算値）９０人のＭ
ｏ Ｓｚノくツタ膜で、４は硫黄系潤滑剤としてジラウ
リルチオジプロピオネート、リン系潤滑剤としてトリフ
ェニルフォスファイトを１：１で混合して溶液塗布法で
形成した計算厚み６０人の潤滑剤層である。
面図である。第１図で１は厚み１．９間のＡｌ −Ｍｑ
合金基板で、２は厚み０ 、１５μｍのＣｏ−Ｍｏ
−Ｐ−８垂直磁化膜で、垂直方向の拡磁力は５４００ｓ
である。該垂直磁化膜はＣｏ−Ｍｏ（Ｃｏ：８４ａｔチ
）をターゲットとして、１３．５６ＭＨｚの高周波を用
いた高周波スパッタリング法で形成したもので、ＰとＳ
はＡ ｒ ＋Ｈ，Ｓ ＋ＰＨ，の混合ガスを放電ガスと
して用いることで含有量を制御し、かつ表面に偏析する
よう工夫した。全体で分析した原子チ比は ＣＯ：ＭＯ：Ｐ：Ｓ：８１ ：１５：２：２とした。３
は厚み（均一に形成されたとしての計算値）９０人のＭ
ｏ Ｓｚノくツタ膜で、４は硫黄系潤滑剤としてジラウ
リルチオジプロピオネート、リン系潤滑剤としてトリフ
ェニルフォスファイトを１：１で混合して溶液塗布法で
形成した計算厚み６０人の潤滑剤層である。
比較例としてステアリン酸Ｚｎを同じ（６０人塗布した
ものを準備した。
ものを準備した。
両者のＣ８Ｓ試験を周速２０ ｒｎ／ ＩＩ ６０でＮ
ｉ−Ｚｎのフェライトヘッドを用いて行い、実施例は１
００にサイクルで全く問題なかったのに対して比較例は
９にサイクルで傷が発生した。
ｉ−Ｚｎのフェライトヘッドを用いて行い、実施例は１
００にサイクルで全く問題なかったのに対して比較例は
９にサイクルで傷が発生した。
第２図は本発明の第２の実施例の磁気ディスクの拡大断
面図である。第２図で５はミミズ状の下塗９層６（高さ
１００人）を６己したポリエチレンテレフタレートフィ
ルムよりなる高分子フィルムで、厚みは２７μｍである
。
面図である。第２図で５はミミズ状の下塗９層６（高さ
１００人）を６己したポリエチレンテレフタレートフィ
ルムよりなる高分子フィルムで、厚みは２７μｍである
。
７はＣｏ −Ｍｏ −Ｐ −Ｓ垂直磁化膜、０．１６／
ｌｊｍで垂直方向の抗磁力は８０５０ｅ、Ｃｏ：Ｍｏ：
Ｐ：Ｓは原子チ比で７８：１４：５：３とした。′８は
保護膜で、平均粒子２００人のＭ ｏ Ｓ ２微粒子９
を重量で、潤滑層１０に対して０．０６％含ませた平均
厚み１３０人のものである。潤滑剤層１０として、ジラ
ウリルチオジプロピオネートを選んだものをＡ、ブトキ
シエチルホスフェートを用いたものをＢ、１ ：１で両
者を混合したものをＣとし、比較例はノく−フロロアル
キルエーテルを潤滑剤として用いたものを準備した。
ｌｊｍで垂直方向の抗磁力は８０５０ｅ、Ｃｏ：Ｍｏ：
Ｐ：Ｓは原子チ比で７８：１４：５：３とした。′８は
保護膜で、平均粒子２００人のＭ ｏ Ｓ ２微粒子９
を重量で、潤滑層１０に対して０．０６％含ませた平均
厚み１３０人のものである。潤滑剤層１０として、ジラ
ウリルチオジプロピオネートを選んだものをＡ、ブトキ
シエチルホスフェートを用いたものをＢ、１ ：１で両
者を混合したものをＣとし、比較例はノく−フロロアル
キルエーテルを潤滑剤として用いたものを準備した。
ギャップ長０．１７μｍのフェライトヘッドで０．６μ
ｍの記録波長を記録し、同一トラックをトレースしてＣ
／Ｎが２ｄＢ低下するまでの時間を比較したところ、実
施例Ａ、Ｂ、Ｃは夫々１４６分、１４４分、１’６７分
であったが比較例は２１分であった。
ｍの記録波長を記録し、同一トラックをトレースしてＣ
／Ｎが２ｄＢ低下するまでの時間を比較したところ、実
施例Ａ、Ｂ、Ｃは夫々１４６分、１４４分、１’６７分
であったが比較例は２１分であった。
上記した実施例はいずれもディスク状であるが、本発明
はこれらに限定されるものではなく、テープ状であって
も勿論、同様の効果が得られるものである。
はこれらに限定されるものではなく、テープ状であって
も勿論、同様の効果が得られるものである。
上記した実施例で、基板はＡｌ −Ｍｇ 合金、ポリ
エチレンテレ７タレ゛−トとしたが他に、Ａｌ−８層合
金、 Ａｌ−Ｔｉ合金、ポリサル７オン、ポリフェニレ
ンサルファイド、ポリアミドイミド、ポリエチレンナフ
タレート等としてもよく、必要に応じて、各種の下塗り
層を配してもよい。
エチレンテレ７タレ゛−トとしたが他に、Ａｌ−８層合
金、 Ａｌ−Ｔｉ合金、ポリサル７オン、ポリフェニレ
ンサルファイド、ポリアミドイミド、ポリエチレンナフ
タレート等としてもよく、必要に応じて、各種の下塗り
層を配してもよい。
強磁性金属薄膜としてはＮｉを加えてもよいが、飽和磁
束密度が低下するので、得られる他のメリット、例えば
耐食性の若干の向上などる勘案しても、Ｎｉ添加は適宜
選択事項で必須の要件ではない。
束密度が低下するので、得られる他のメリット、例えば
耐食性の若干の向上などる勘案しても、Ｎｉ添加は適宜
選択事項で必須の要件ではない。
硫黄系潤滑剤、燐系潤滑剤については、公知の各種材料
、或いは変性により得られるもの、合成しかつ置換して
得られるものから必要量、塗布法。
、或いは変性により得られるもの、合成しかつ置換して
得られるものから必要量、塗布法。
真空蒸着法などで形成すればよい。
発明の効果
以上のように本発明によれば、耐Ｃ５Ｓ性の向上や、ス
チル特性の改良を図った上で、十分な短波長でのＣ／Ｎ
を与えることができるといったすぐれた効果がある。
チル特性の改良を図った上で、十分な短波長でのＣ／Ｎ
を与えることができるといったすぐれた効果がある。
第１図は本発明の第１の実施例に係る磁気ディスクの拡
大断面図、第２図は本発明の第２の実施例に係る磁気デ
ィスク拡大断面図である。 １・・・・・・Ａｌ−Ｍｑ基板、２，７・・・・・・Ｃ
ｏ−Ｍｏ−Ｐ−３垂直磁化膜・３゛°°°°°８・８２
スパツタ膜、５・・・・・・高分子フィルム、９・・・
・・・Ｍｏ Ｓ２微粒子、４，１ｏ・・・・・・潤滑剤
層。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名／
−−−ＡＩ！−Ｍｇ合鋭五仮 ２−−− Ｑ）−ＭＯ−Ｐ−３皇し＊ｉ’ｃ筏３−−−
Ｍ０３２スペヘ７タ展 ７１０ ４−潤滑膏１１ Ｓ−−−トフィルム ７−−−Ｃ（）−ＭＯ−Ｐ−３Ｆｍｌｌｉａｌ 醸９−
−−Ｍ０３ｚ籾亭ト
大断面図、第２図は本発明の第２の実施例に係る磁気デ
ィスク拡大断面図である。 １・・・・・・Ａｌ−Ｍｑ基板、２，７・・・・・・Ｃ
ｏ−Ｍｏ−Ｐ−３垂直磁化膜・３゛°°°°°８・８２
スパツタ膜、５・・・・・・高分子フィルム、９・・・
・・・Ｍｏ Ｓ２微粒子、４，１ｏ・・・・・・潤滑剤
層。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名／
−−−ＡＩ！−Ｍｇ合鋭五仮 ２−−− Ｑ）−ＭＯ−Ｐ−３皇し＊ｉ’ｃ筏３−−−
Ｍ０３２スペヘ７タ展 ７１０ ４−潤滑膏１１ Ｓ−−−トフィルム ７−−−Ｃ（）−ＭＯ−Ｐ−３Ｆｍｌｌｉａｌ 醸９−
−−Ｍ０３ｚ籾亭ト
Claims (2)
- （１）Ｃｏ−Ｍｏ−Ｐ−Ｓ強磁性金属薄膜上にＭｏＳ＿
２スパッタ膜及びＰ含有潤滑剤又はＳ含有潤滑剤を積層
した保護膜を配したことを特徴とする磁気記録媒体。 - （２）保護膜がＭｏＳ＿２微粒子を含むＰ含有又はＳ含
有潤滑剤であることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22316986A JPS6378326A (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22316986A JPS6378326A (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6378326A true JPS6378326A (ja) | 1988-04-08 |
Family
ID=16793880
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22316986A Pending JPS6378326A (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6378326A (ja) |
-
1986
- 1986-09-19 JP JP22316986A patent/JPS6378326A/ja active Pending
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