JPH06111271A - 磁気記録媒体及び磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体及び磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPH06111271A JPH06111271A JP26333392A JP26333392A JPH06111271A JP H06111271 A JPH06111271 A JP H06111271A JP 26333392 A JP26333392 A JP 26333392A JP 26333392 A JP26333392 A JP 26333392A JP H06111271 A JPH06111271 A JP H06111271A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁気記録再生機器に使用される磁気記録媒体
にあって、耐久性と記録性能共に改善されたものの提供
を目的とする。 【構成】 高分子フィルム６の上に強磁性金属薄膜８と
同一の元素の種類からなる構成の凹凸層７を配した上に
強磁性金属薄膜を配し、微視的な均一性の改善と付着強
度を改善する。
にあって、耐久性と記録性能共に改善されたものの提供
を目的とする。 【構成】 高分子フィルム６の上に強磁性金属薄膜８と
同一の元素の種類からなる構成の凹凸層７を配した上に
強磁性金属薄膜を配し、微視的な均一性の改善と付着強
度を改善する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は高密度磁気記録に適する
強磁性金属薄膜を磁性層とする磁気記録媒体とその製造
方法に関するものである。
強磁性金属薄膜を磁性層とする磁気記録媒体とその製造
方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】情報化社会の進展に伴い、記録すべき情
報量の増大は著しく、磁気記録についても可能な限り記
録密度を高める対応が要請され、短波長化、狭トラック
化に耐える高性能磁気記録媒体の開発が盛んになってき
ている。多くの提案がなされているが、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｏ
斜め蒸着膜、Ｃｏ−Ｏ垂直磁化膜に代表される強磁性金
属薄膜を磁性層とする磁気記録媒体が有望である。
報量の増大は著しく、磁気記録についても可能な限り記
録密度を高める対応が要請され、短波長化、狭トラック
化に耐える高性能磁気記録媒体の開発が盛んになってき
ている。多くの提案がなされているが、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｏ
斜め蒸着膜、Ｃｏ−Ｏ垂直磁化膜に代表される強磁性金
属薄膜を磁性層とする磁気記録媒体が有望である。
【０００３】以下に従来の磁気記録媒体について説明す
る。図３は従来の磁気記録媒体の拡大断面を示すもので
ある。図３において１はポリエチレンテレフタレート、
ポリエチレンナフタレート等の高分子フィルムでＳｉＯ
2，ＺｎＯ等の無機超微粒子やイミド等の有機超微粒子
等を分散塗布したいわゆる微粒子塗布層を配したものが
用いられることが多い。２は連続的に変化する入射角で
の斜め蒸着で形成されるＣｏ−Ｎｉ−Ｏの単層または多
層構成の強磁性金属薄膜、Ｃｏ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｏの傾斜
蒸着による垂直磁化膜等の磁性層で、３は酸化膜、窒化
膜、プラズマ重合膜等の保護膜、４は脂肪酸、フッ素オ
イル等の潤滑層で、５は平滑性の良好な、特に薄い磁気
テープに良くみられるバックコート層である。以上のよ
うに構成の磁気記録媒体において磁性層の形成は、回転
キャンや回転ベルトに沿って移動する、別工程にて溶液
塗布法で微粒子塗布層を形成された高分子フィルム上に
酸素雰囲気でＣｏ，Ｃｏ−Ｎｉ等をある範囲の入射角で
電子ビーム蒸着することによる場合が多い。
る。図３は従来の磁気記録媒体の拡大断面を示すもので
ある。図３において１はポリエチレンテレフタレート、
ポリエチレンナフタレート等の高分子フィルムでＳｉＯ
2，ＺｎＯ等の無機超微粒子やイミド等の有機超微粒子
等を分散塗布したいわゆる微粒子塗布層を配したものが
用いられることが多い。２は連続的に変化する入射角で
の斜め蒸着で形成されるＣｏ−Ｎｉ−Ｏの単層または多
層構成の強磁性金属薄膜、Ｃｏ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｏの傾斜
蒸着による垂直磁化膜等の磁性層で、３は酸化膜、窒化
膜、プラズマ重合膜等の保護膜、４は脂肪酸、フッ素オ
イル等の潤滑層で、５は平滑性の良好な、特に薄い磁気
テープに良くみられるバックコート層である。以上のよ
うに構成の磁気記録媒体において磁性層の形成は、回転
キャンや回転ベルトに沿って移動する、別工程にて溶液
塗布法で微粒子塗布層を形成された高分子フィルム上に
酸素雰囲気でＣｏ，Ｃｏ−Ｎｉ等をある範囲の入射角で
電子ビーム蒸着することによる場合が多い。
【０００４】以上のように構成された磁気記録媒体につ
いて、以下その動作について説明する。たとえば帯状の
磁気記録媒体はカセット内に収納された状態で保存さ
れ、アクセスが必要な時に、カセットの一部の密閉性を
解放し引き出され、一定の速度で移動し記録再生に利用
される。引き出された磁気記録媒体は、高速で回転する
回転シリンダーに搭載されたリング型の磁気ヘッドによ
り電気信号を残留酸化パターンに変換して磁性層に記録
し、逆変換によって再生するもので、磁束微分の原理を
用いていることから磁気ヘッド、テープ間の高速相対速
度確保のための繰り返し摺動に耐えることが要求され
る。そこで強磁性金属薄膜からなる磁性層の凝着摩耗防
止のため摺動相手との摩擦を緩和する目的で各種の保護
潤滑系が提案されている。中でも硬度を高めた炭素膜
（特開昭５３−１４３０２６号公報）による凝着防止が
注目され、強磁性金属薄膜との接着性向上を図り、ビデ
オテープとしてのスチル耐久性を改善するためにＳｉＯ
2膜を介してアモルファスカーボン膜を配したもの（特
開昭６１−２４２３２３号公報）、有機プラズマ重合膜
を介してアモルファスカーボン膜を配したもの（特開昭
６２−１６７６１６号公報）、炭化ホー素膜を介して炭
素膜を配したもの（特開昭６４−７９９３２号公報）等
が提案されている。
いて、以下その動作について説明する。たとえば帯状の
磁気記録媒体はカセット内に収納された状態で保存さ
れ、アクセスが必要な時に、カセットの一部の密閉性を
解放し引き出され、一定の速度で移動し記録再生に利用
される。引き出された磁気記録媒体は、高速で回転する
回転シリンダーに搭載されたリング型の磁気ヘッドによ
り電気信号を残留酸化パターンに変換して磁性層に記録
し、逆変換によって再生するもので、磁束微分の原理を
用いていることから磁気ヘッド、テープ間の高速相対速
度確保のための繰り返し摺動に耐えることが要求され
る。そこで強磁性金属薄膜からなる磁性層の凝着摩耗防
止のため摺動相手との摩擦を緩和する目的で各種の保護
潤滑系が提案されている。中でも硬度を高めた炭素膜
（特開昭５３−１４３０２６号公報）による凝着防止が
注目され、強磁性金属薄膜との接着性向上を図り、ビデ
オテープとしてのスチル耐久性を改善するためにＳｉＯ
2膜を介してアモルファスカーボン膜を配したもの（特
開昭６１−２４２３２３号公報）、有機プラズマ重合膜
を介してアモルファスカーボン膜を配したもの（特開昭
６２−１６７６１６号公報）、炭化ホー素膜を介して炭
素膜を配したもの（特開昭６４−７９９３２号公報）等
が提案されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の従
来の構成では、炭素膜が薄くなると耐久性が十分ではな
くなり、その現象は磁気記録媒体の厚みが薄くなるほど
顕著になる。特に狭トラック化による記録密度向上の為
には高出力で耐久性の良好な磁気記録媒体が必要であ
り、炭素膜の膜厚を厚くして耐久性を向上させてもＳ／
Ｎ比が低下することから高密度化が不十分となるといっ
た問題点を有していた。
来の構成では、炭素膜が薄くなると耐久性が十分ではな
くなり、その現象は磁気記録媒体の厚みが薄くなるほど
顕著になる。特に狭トラック化による記録密度向上の為
には高出力で耐久性の良好な磁気記録媒体が必要であ
り、炭素膜の膜厚を厚くして耐久性を向上させてもＳ／
Ｎ比が低下することから高密度化が不十分となるといっ
た問題点を有していた。
【０００６】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で、狭トラック高密度記録を可能にする、耐久性と高出
力特性を兼ね備えた薄型の磁気記録媒体を提供すること
を目的とする。
で、狭トラック高密度記録を可能にする、耐久性と高出
力特性を兼ね備えた薄型の磁気記録媒体を提供すること
を目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の磁気記録媒体は、高分子フィルム上に磁性層
構成元素と同一元素によって構成された微細凹凸上に磁
性層を配したものである。
に本発明の磁気記録媒体は、高分子フィルム上に磁性層
構成元素と同一元素によって構成された微細凹凸上に磁
性層を配したものである。
【０００８】
【作用】この構成によって磁性層に微粒子化した構造を
持たせた時に、凹凸と磁性層の構成元素が同一であるこ
とによって均一性が局所レベルでも確保され、磁性層の
付着強度も、磁性ノイズも共に顕著に改善され、機械特
性に対しての補強効果も薄型になるほど相対的に大きく
なり、炭素膜を薄くしても耐久性が確保されるようにな
り、耐久性と高Ｓ／Ｎ比を兼ね備えた薄型の磁気記録媒
体を実現できる。
持たせた時に、凹凸と磁性層の構成元素が同一であるこ
とによって均一性が局所レベルでも確保され、磁性層の
付着強度も、磁性ノイズも共に顕著に改善され、機械特
性に対しての補強効果も薄型になるほど相対的に大きく
なり、炭素膜を薄くしても耐久性が確保されるようにな
り、耐久性と高Ｓ／Ｎ比を兼ね備えた薄型の磁気記録媒
体を実現できる。
【０００９】
（実施例１）以下本発明の一実施例について、図面を参
照しながら説明する。
照しながら説明する。
【００１０】図１において、６はポリエチレンテレフタ
レート、ポリエチレンナフタレート、ポリフェニレンサ
ルファイド、アラミド、ポリイミド等の高分子フィルム
で必要に応じて内在粒子による微細な凹凸を形成したも
のや、２層押し出しによる複合構成のもの等でもよく、
厚みは３〜７μｍの範囲で、表面粗さや機械強度は適宜
最適化検討によって得られる値で構成すれば良い。７は
磁性層と同一の構成元素からなる凹凸層で、構成元素の
比率は非磁性とするのが好ましい。この構成要件は作用
効果からくるものでは無く、磁気的な雑音源となること
を防ぐためのものである。この凹凸は圧力と放電条件の
調整で最適化したスパッタリング法や、イオンプレーテ
ィング法等によって形成出来る。８は強磁性金属薄膜
で、磁化容易軸の方向、構成層数、形成方法等について
は特に限定はなく、Ｃｏ−Ｏ，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｏ，Ｃｏ−
Ｃｒ−Ｏ，Ｃｏ−Ｐｔ−Ｏ等で生産性の点から電子ビー
ム蒸着法が適している。９は硬質炭素膜であるが実効的
な厚みが変わらない範囲でプラズマ重合膜、酸化膜等を
介した構成であっても良い。硬質炭素膜は高々１５０Å
以下で優れた耐久性をもつように形成出来る方法、条件
で作製することが必要である。１０はパーフルオロカル
ボン酸、パーフルオロポリエーテル等の潤滑剤層で、基
本構成として硬質炭素膜は他の保護膜に置き換えても良
い。炭素膜の形成はグラファイトをターゲットにしての
スパッターリング、メタンガス等のプラズマＣＶＤが適
している。潤滑剤層は湿式塗布、真空蒸着いずれの方法
で形成しても良い。
レート、ポリエチレンナフタレート、ポリフェニレンサ
ルファイド、アラミド、ポリイミド等の高分子フィルム
で必要に応じて内在粒子による微細な凹凸を形成したも
のや、２層押し出しによる複合構成のもの等でもよく、
厚みは３〜７μｍの範囲で、表面粗さや機械強度は適宜
最適化検討によって得られる値で構成すれば良い。７は
磁性層と同一の構成元素からなる凹凸層で、構成元素の
比率は非磁性とするのが好ましい。この構成要件は作用
効果からくるものでは無く、磁気的な雑音源となること
を防ぐためのものである。この凹凸は圧力と放電条件の
調整で最適化したスパッタリング法や、イオンプレーテ
ィング法等によって形成出来る。８は強磁性金属薄膜
で、磁化容易軸の方向、構成層数、形成方法等について
は特に限定はなく、Ｃｏ−Ｏ，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｏ，Ｃｏ−
Ｃｒ−Ｏ，Ｃｏ−Ｐｔ−Ｏ等で生産性の点から電子ビー
ム蒸着法が適している。９は硬質炭素膜であるが実効的
な厚みが変わらない範囲でプラズマ重合膜、酸化膜等を
介した構成であっても良い。硬質炭素膜は高々１５０Å
以下で優れた耐久性をもつように形成出来る方法、条件
で作製することが必要である。１０はパーフルオロカル
ボン酸、パーフルオロポリエーテル等の潤滑剤層で、基
本構成として硬質炭素膜は他の保護膜に置き換えても良
い。炭素膜の形成はグラファイトをターゲットにしての
スパッターリング、メタンガス等のプラズマＣＶＤが適
している。潤滑剤層は湿式塗布、真空蒸着いずれの方法
で形成しても良い。
【００１１】以下更に具体例と従来例を比較して本実施
例の効果について明確にする。厚み６．８μｍで、長手
方向、幅方向夫々５４０，５９０［kg／mm2］のヤング
率で、平均粗さ３０Åのポリエチレンテレフタレートフ
ィルムを用い高周波２極スパッター法でＡｒと酸素の混
合ガスを放電ガスとして、１３．５６ＭHz，２．４kWの
高周波パワーをＣｏターゲットに投入し、放電ガス導入
量を２水準交互に変えて製膜が支配する条件とエッチン
グが支配する条件を繰り返し凸部の高さが２００Åで、
平均密度が１６個／μｍ2（テープＡ）、高さが１３０
Åで、平均密度が７８個／μｍ2（テープＢ）のＣｏ−
Ｏ層を形成した。又比較例として直径１８０ÅのＳｉＯ
2の超微粒子を平均密度２０個／μｍ2（テープＣ）配し
た塗布層を形成した。３種類のテープ共、直径１ｍの回
転キャンに沿わせて巻き取りながら酸素を導入してＣｏ
を電子ビーム蒸着して磁性層を０．１８μ形成した。磁
性層のタイプとして入射角４０〜１２度の成分で得たい
わゆる垂直磁化膜（タイプａ）、入射角９０〜３５度の
成分で得たいわゆる斜め蒸着膜（タイプｂ）の２種類を
準備した。磁性層の上に、プラズマＣＶＤ法でダイヤモ
ンド状炭素膜を１００Å配し、その上に更に潤滑剤とし
てパーフルオロポリエーテルを４０Å溶液塗布法で配
し、バックコート層を０．４５μｍ形成し８mm幅の磁気
テープを試作して特性比較した。夫々の磁気テープの特
性比較は、ハイバンド８ミリビデオデッキを改造して記
録波長０．４７μｍ、トラックピッチ９μｍでＳ／Ｎ比
の相対比較で行った。磁気テープの長さは１００ｍと
し、ランダムに５巻選び出して５巻の平均値で表示し
た。スチル特性はテンションを２５ｇに増加させて４０
℃、５％ＲＨで比較した。本実施例による磁気記録媒体
の特性と比較例の磁気記録媒体の特性を（表１）に比較
して示している。
例の効果について明確にする。厚み６．８μｍで、長手
方向、幅方向夫々５４０，５９０［kg／mm2］のヤング
率で、平均粗さ３０Åのポリエチレンテレフタレートフ
ィルムを用い高周波２極スパッター法でＡｒと酸素の混
合ガスを放電ガスとして、１３．５６ＭHz，２．４kWの
高周波パワーをＣｏターゲットに投入し、放電ガス導入
量を２水準交互に変えて製膜が支配する条件とエッチン
グが支配する条件を繰り返し凸部の高さが２００Åで、
平均密度が１６個／μｍ2（テープＡ）、高さが１３０
Åで、平均密度が７８個／μｍ2（テープＢ）のＣｏ−
Ｏ層を形成した。又比較例として直径１８０ÅのＳｉＯ
2の超微粒子を平均密度２０個／μｍ2（テープＣ）配し
た塗布層を形成した。３種類のテープ共、直径１ｍの回
転キャンに沿わせて巻き取りながら酸素を導入してＣｏ
を電子ビーム蒸着して磁性層を０．１８μ形成した。磁
性層のタイプとして入射角４０〜１２度の成分で得たい
わゆる垂直磁化膜（タイプａ）、入射角９０〜３５度の
成分で得たいわゆる斜め蒸着膜（タイプｂ）の２種類を
準備した。磁性層の上に、プラズマＣＶＤ法でダイヤモ
ンド状炭素膜を１００Å配し、その上に更に潤滑剤とし
てパーフルオロポリエーテルを４０Å溶液塗布法で配
し、バックコート層を０．４５μｍ形成し８mm幅の磁気
テープを試作して特性比較した。夫々の磁気テープの特
性比較は、ハイバンド８ミリビデオデッキを改造して記
録波長０．４７μｍ、トラックピッチ９μｍでＳ／Ｎ比
の相対比較で行った。磁気テープの長さは１００ｍと
し、ランダムに５巻選び出して５巻の平均値で表示し
た。スチル特性はテンションを２５ｇに増加させて４０
℃、５％ＲＨで比較した。本実施例による磁気記録媒体
の特性と比較例の磁気記録媒体の特性を（表１）に比較
して示している。
【００１２】
【表１】
【００１３】この（表１）から明らかなように、本実施
例による磁気記録媒体は、狭トラック記録での高密度記
録で耐久性と高いＳ／Ｎ比を実現出来るといった優れた
効果が得られる。
例による磁気記録媒体は、狭トラック記録での高密度記
録で耐久性と高いＳ／Ｎ比を実現出来るといった優れた
効果が得られる。
【００１４】以上の様に本実施例によれば、高分子フィ
ルム上に磁性層構成元素と同一元素によって構成された
微細凹凸上に磁性層を配したことで狭トラック化した高
密度記録で優れたＳ／Ｎ比を繰り返し使用においても安
定に得ることが出来る。
ルム上に磁性層構成元素と同一元素によって構成された
微細凹凸上に磁性層を配したことで狭トラック化した高
密度記録で優れたＳ／Ｎ比を繰り返し使用においても安
定に得ることが出来る。
【００１５】（実施例２）以下本発明の第２の実施例に
ついて図面を参照しながら説明する。図２は本発明の第
２の実施例の磁気記録媒体の製造方法を実施するための
磁気記録媒体の製造装置の要部構成図である。図２にお
いて１１ａ，１１ｂは平滑なポリエチレンテレフタレー
ト、ポリエチレンナフタレート、アラミド、ポリイミド
等の高分子フィルムで、１２ａ，１２ｂはステンレス
箔、チタン箔などのシームレスベルトからなる回転支持
体で、１３ａ，１３ｂは巻だし軸、１４ａ，１４ｂは巻
き取り軸、１５は蒸発源容器、１６は電子線発生器、１
７は電子線、１８ａ，１８ｂは蒸気の角度を限定するマ
スク、１９ａ，１９ｂはガス導入ノズル、２０はガス導
入ポート、２１はバリアブルリークバルブで、この装置
で重要な構成条件は回転支持体の対向ギャップ、ｇの距
離、傾斜度合い、とガス導入ポートからのガス導入条件
の最適化で、蒸発源容器はギャップの直下でなくても良
いし、回転支持体の蒸着部の傾きは対称でなくても良い
のは勿論である。蒸発源は２元であっても良い。尚フィ
ルムを静電気によって回転支持体に密着させる機構、前
処理、後処理等は適宜工夫すれば良い。上記した要部構
成をもった装置を用い本発明の方法で、実際に製造され
た磁気記録媒体の特性を従来例と対比し具体的に詳しく
説明する。
ついて図面を参照しながら説明する。図２は本発明の第
２の実施例の磁気記録媒体の製造方法を実施するための
磁気記録媒体の製造装置の要部構成図である。図２にお
いて１１ａ，１１ｂは平滑なポリエチレンテレフタレー
ト、ポリエチレンナフタレート、アラミド、ポリイミド
等の高分子フィルムで、１２ａ，１２ｂはステンレス
箔、チタン箔などのシームレスベルトからなる回転支持
体で、１３ａ，１３ｂは巻だし軸、１４ａ，１４ｂは巻
き取り軸、１５は蒸発源容器、１６は電子線発生器、１
７は電子線、１８ａ，１８ｂは蒸気の角度を限定するマ
スク、１９ａ，１９ｂはガス導入ノズル、２０はガス導
入ポート、２１はバリアブルリークバルブで、この装置
で重要な構成条件は回転支持体の対向ギャップ、ｇの距
離、傾斜度合い、とガス導入ポートからのガス導入条件
の最適化で、蒸発源容器はギャップの直下でなくても良
いし、回転支持体の蒸着部の傾きは対称でなくても良い
のは勿論である。蒸発源は２元であっても良い。尚フィ
ルムを静電気によって回転支持体に密着させる機構、前
処理、後処理等は適宜工夫すれば良い。上記した要部構
成をもった装置を用い本発明の方法で、実際に製造され
た磁気記録媒体の特性を従来例と対比し具体的に詳しく
説明する。
【００１６】厚み５μｍのポリイミドフィルム（平均粗
さ２０Å、ヤング率長手６００、幅６５０kg／mm2）と
厚み８μｍのポリエチレンナフタレートフィルム（平均
粗さ１５Å、ヤング率長手５７０、幅６３０kg／mm2）
を用い対向ベルト部の間隙を１mmに制御して酸素ガス
０．４ｌ／minとキセノンガス０．３ｌ／minを上部ノズ
ルより混合して流しながら、同時に下部ノズルより酸素
ガスを導入してＣｏを夫々電子ビーム蒸着してポリイミ
ドフィルム上にＣｏ−Ｏ微粒子層、Ｃｏ−Ｏ垂直磁化膜
を形成し、ポリエチレンナフタレートフィルム上にＣｏ
−Ｏ微粒子層、Ｃｏ−Ｏ斜め磁化膜を形成した。Ｃｏ−
Ｏ垂直磁化膜は入射角４０度から２０度の範囲で蒸着
し、入射角２０度を規制するマスクの先端から酸素ガス
を０．６ｌ／min導入して形成した厚み０．１７μｍ、
垂直保磁力１２００エルステッド、飽和磁束密度８６０
０ガウスの膜で、微粒子層の粗さは７０Å、で粒状突起
は平均１７個／μ2である。またＣｏ−Ｏ斜め磁化膜は
入射角９０度から３０度で、入射角２０度を規制するマ
スクの先端から酸素ガスを０．７ｌ／min導入して形成
した厚み０．１２μｍ、磁化容易軸方向３７度、磁化容
易軸方向保磁力１４００エルステッド、飽和磁束密度６
５００ガウスの膜である。夫々磁化膜の上にプラズマＣ
ＶＤ法で、メタンガスを放電ガスとしてダイヤモンド状
硬質炭素膜を７０Å形成した後パーフルオロアラキン酸
を３０Å配し、０．５μｍのバックコート層を配して夫
々８mm幅の磁気テープに加工した。従来法はあらかじめ
夫々のフィルムに直径１５０ÅのＳｉＯ2微粒子を平均
３０個／μｍ2塗布し、夫々直径１ｍのキャンに沿わせ
て入射角と酸素導入量を調整してＣｏ−Ｏ垂直磁化膜と
Ｃｏ−Ｏ斜め磁化膜を形成し、他の処理は実施例と同一
とした。
さ２０Å、ヤング率長手６００、幅６５０kg／mm2）と
厚み８μｍのポリエチレンナフタレートフィルム（平均
粗さ１５Å、ヤング率長手５７０、幅６３０kg／mm2）
を用い対向ベルト部の間隙を１mmに制御して酸素ガス
０．４ｌ／minとキセノンガス０．３ｌ／minを上部ノズ
ルより混合して流しながら、同時に下部ノズルより酸素
ガスを導入してＣｏを夫々電子ビーム蒸着してポリイミ
ドフィルム上にＣｏ−Ｏ微粒子層、Ｃｏ−Ｏ垂直磁化膜
を形成し、ポリエチレンナフタレートフィルム上にＣｏ
−Ｏ微粒子層、Ｃｏ−Ｏ斜め磁化膜を形成した。Ｃｏ−
Ｏ垂直磁化膜は入射角４０度から２０度の範囲で蒸着
し、入射角２０度を規制するマスクの先端から酸素ガス
を０．６ｌ／min導入して形成した厚み０．１７μｍ、
垂直保磁力１２００エルステッド、飽和磁束密度８６０
０ガウスの膜で、微粒子層の粗さは７０Å、で粒状突起
は平均１７個／μ2である。またＣｏ−Ｏ斜め磁化膜は
入射角９０度から３０度で、入射角２０度を規制するマ
スクの先端から酸素ガスを０．７ｌ／min導入して形成
した厚み０．１２μｍ、磁化容易軸方向３７度、磁化容
易軸方向保磁力１４００エルステッド、飽和磁束密度６
５００ガウスの膜である。夫々磁化膜の上にプラズマＣ
ＶＤ法で、メタンガスを放電ガスとしてダイヤモンド状
硬質炭素膜を７０Å形成した後パーフルオロアラキン酸
を３０Å配し、０．５μｍのバックコート層を配して夫
々８mm幅の磁気テープに加工した。従来法はあらかじめ
夫々のフィルムに直径１５０ÅのＳｉＯ2微粒子を平均
３０個／μｍ2塗布し、夫々直径１ｍのキャンに沿わせ
て入射角と酸素導入量を調整してＣｏ−Ｏ垂直磁化膜と
Ｃｏ−Ｏ斜め磁化膜を形成し、他の処理は実施例と同一
とした。
【００１７】これらのテープを改造した８ミリビデオに
よって５μトラック、ビット長０．２μのディジタル記
録を行いエラーレートを相対比較した。耐久性について
も５℃，８５％ＲＨで１００パス履歴を加えた後のエラ
ーレートで評価した。
よって５μトラック、ビット長０．２μのディジタル記
録を行いエラーレートを相対比較した。耐久性について
も５℃，８５％ＲＨで１００パス履歴を加えた後のエラ
ーレートで評価した。
【００１８】本実施例による磁気記録媒体の特性と従来
磁気記録媒体の特性を（表２）に比較して示している。
磁気記録媒体の特性を（表２）に比較して示している。
【００１９】
【表２】
【００２０】この（表２）から明らかなように、本実施
例によって製造される磁気記録媒体は、狭トラック条件
での高密度ディジタル記録を良好なエラー率で行うこと
が出来るといった優れた効果がある。
例によって製造される磁気記録媒体は、狭トラック条件
での高密度ディジタル記録を良好なエラー率で行うこと
が出来るといった優れた効果がある。
【００２１】以上のように本実施例によれば対向するベ
ルト搬送体が狭ギャップを構成し、そのギャップを見込
む位置に配した一個の蒸発源で電子ビーム蒸着すること
により、凹凸と磁性層の構成元素を同一とできることに
よって均一性が局所レベルでも確保され、磁性層の付着
強度も、磁性ノイズも共に顕著に改善され、機械特性に
対しての補強効果も薄型になるほど相対的に大きくな
り、炭素膜を薄くしても耐久性が確保されるようにな
り、耐久性と高Ｓ／Ｎ比を兼ね備えた薄型の磁気記録媒
体を製造出来ることになる。
ルト搬送体が狭ギャップを構成し、そのギャップを見込
む位置に配した一個の蒸発源で電子ビーム蒸着すること
により、凹凸と磁性層の構成元素を同一とできることに
よって均一性が局所レベルでも確保され、磁性層の付着
強度も、磁性ノイズも共に顕著に改善され、機械特性に
対しての補強効果も薄型になるほど相対的に大きくな
り、炭素膜を薄くしても耐久性が確保されるようにな
り、耐久性と高Ｓ／Ｎ比を兼ね備えた薄型の磁気記録媒
体を製造出来ることになる。
【００２２】なお第１の実施例、第２の実施例いずれも
磁気テープとしたが、磁気ディスクであっても良く、そ
の状態はハード、フレキシブルを問わず高密度記録での
優れた記録特性と耐久性をバランス良く得られる点は同
様である。
磁気テープとしたが、磁気ディスクであっても良く、そ
の状態はハード、フレキシブルを問わず高密度記録での
優れた記録特性と耐久性をバランス良く得られる点は同
様である。
【００２３】また第２の実施例で２種類のテープを製造
する例について説明したが、同一種類のものであっても
良いし、積層構成の磁性層の形成に応用しても良い。
する例について説明したが、同一種類のものであっても
良いし、積層構成の磁性層の形成に応用しても良い。
【００２４】
【発明の効果】以上の様に本発明によれば、高分子フィ
ルム上に磁性層構成元素と同一元素によって構成された
微細凹凸上に磁性層を配したことで狭トラック化した高
密度記録で優れたＳ／Ｎ比を繰り返し使用においても安
定に得ることが出来る。
ルム上に磁性層構成元素と同一元素によって構成された
微細凹凸上に磁性層を配したことで狭トラック化した高
密度記録で優れたＳ／Ｎ比を繰り返し使用においても安
定に得ることが出来る。
【図１】本発明の第１の実施例における磁気記録媒体の
拡大断面図
拡大断面図
【図２】本発明の第２の実施例における磁気記録媒体の
製造に用いた蒸着装置の要部構成図
製造に用いた蒸着装置の要部構成図
【図３】従来の磁気記録媒体の拡大断面図
【符号の説明】 ６ 高分子フィルム ７ 凹凸層 ８ 強磁性金属薄膜 １２ａ，１２ｂ 回転支持体 １５ 蒸発源容器 ２０ ガス導入ポート
Claims (2)
- 【請求項１】高分子フィルム上に磁性層構成元素と同一
元素によって構成された微細凹凸上に磁性層を配した磁
気記録媒体。 - 【請求項２】対向するベルト搬送体が狭ギャップを構成
し、そのギャップを見込む位置に配した一個の蒸発源で
電子ビーム蒸着する磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26333392A JPH06111271A (ja) | 1992-10-01 | 1992-10-01 | 磁気記録媒体及び磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26333392A JPH06111271A (ja) | 1992-10-01 | 1992-10-01 | 磁気記録媒体及び磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06111271A true JPH06111271A (ja) | 1994-04-22 |
Family
ID=17388022
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26333392A Pending JPH06111271A (ja) | 1992-10-01 | 1992-10-01 | 磁気記録媒体及び磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06111271A (ja) |
-
1992
- 1992-10-01 JP JP26333392A patent/JPH06111271A/ja active Pending
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