JPH01205712A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JPH01205712A JPH01205712A JP2923588A JP2923588A JPH01205712A JP H01205712 A JPH01205712 A JP H01205712A JP 2923588 A JP2923588 A JP 2923588A JP 2923588 A JP2923588 A JP 2923588A JP H01205712 A JPH01205712 A JP H01205712A
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- film
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- amorphous carbon
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- Prior art date
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- Pending
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Landscapes
- Paints Or Removers (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は耐久性に優れた磁気記録媒体に関するものであ
る。
る。
従来の技術
一般に、強磁性金属もしくは合金を真空蒸着、スパッタ
リング等によって高分子フィルム上に被着するか、又は
磁性粉末を結合剤成分とともに基体上に結着してつくら
れる磁気記録媒体は、記録再生時に、磁気ヘッドと激し
く摺接するため、磁性層が摩耗しやすく、特に真空蒸着
等によって形成される強磁性金属薄膜層は、高密度記録
に適した特性を有する反面、磁気ヘッドとの高速摺接で
摩耗や損傷を受は易く、耐久性に劣るという難点があっ
た。このため、従来から磁性層上に種々の保護膜層を設
けるなどして耐摩耗性を改善する努力が払われており、
例えば炭化水素系化合物を用いて炭素を主成分とする皮
膜を設けたり、ダイアモンド構造をもつカーボン膜を設
けること等が提案されている。
リング等によって高分子フィルム上に被着するか、又は
磁性粉末を結合剤成分とともに基体上に結着してつくら
れる磁気記録媒体は、記録再生時に、磁気ヘッドと激し
く摺接するため、磁性層が摩耗しやすく、特に真空蒸着
等によって形成される強磁性金属薄膜層は、高密度記録
に適した特性を有する反面、磁気ヘッドとの高速摺接で
摩耗や損傷を受は易く、耐久性に劣るという難点があっ
た。このため、従来から磁性層上に種々の保護膜層を設
けるなどして耐摩耗性を改善する努力が払われており、
例えば炭化水素系化合物を用いて炭素を主成分とする皮
膜を設けたり、ダイアモンド構造をもつカーボン膜を設
けること等が提案されている。
発明が解決しようとする課題
しかし、これらの炭素を主成分とする皮膜を設けたもの
やダイアモンド状硬質炭素膜を設けても、Ｃｏ−０ｒ垂
直磁化膜等の垂直磁化膜を磁性層としている高密度磁気
記録層の耐久性は必ずしも十分とは言えないことから改
善が望まれていた。
やダイアモンド状硬質炭素膜を設けても、Ｃｏ−０ｒ垂
直磁化膜等の垂直磁化膜を磁性層としている高密度磁気
記録層の耐久性は必ずしも十分とは言えないことから改
善が望まれていた。
本発明は上記した事情に鑑みなされたもので、耐久性に
優れた磁気記録媒体を提供するものである。
優れた磁気記録媒体を提供するものである。
課題を解決するための手段
上記した問題点を解決するため、本発明の磁気記録媒体
は、Ｏｏ −Ｔ ｉ−Ｎ又はＣｏ−Ｂ−Ｎを垂直磁化膜
として形成し、その上にアモルファスカーボン薄膜を配
するようにしたものである。
は、Ｏｏ −Ｔ ｉ−Ｎ又はＣｏ−Ｂ−Ｎを垂直磁化膜
として形成し、その上にアモルファスカーボン薄膜を配
するようにしたものである。
作用
本発明の磁気記録媒体は、上記した構成により、磁性層
の硬さがアモルファスカーボン膜に近ずくことで歪みが
界面に集中しなくなるため、アモルファスカーボン膜の
破壊強度が大きくなる。このため、耐久性が改善され、
アモルファスカーボン膜を薄くできるので、短波長にな
る程太きくなるスペーシングロスを抑制でき、高密度磁
気記録特性も改善できることになる。
の硬さがアモルファスカーボン膜に近ずくことで歪みが
界面に集中しなくなるため、アモルファスカーボン膜の
破壊強度が大きくなる。このため、耐久性が改善され、
アモルファスカーボン膜を薄くできるので、短波長にな
る程太きくなるスペーシングロスを抑制でき、高密度磁
気記録特性も改善できることになる。
実施例
以下、図面を参照しながら、本発明の一実施例について
詳しく説明する。図は本発明の一実施例の磁気記録媒体
の拡大断面図である。図において１はポリエチレンテレ
フタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリフェニレ
ンサルファイド、ポリエーテルサルフォン等の高分子フ
ィルムで、必要ならば、微粒子塗布層等の下塗り層を配
したものでもよい。２はＯｏ −Ｔ ｉ−Ｎ又はＯｏ
−Ｂ −Ｎ系の垂直磁化膜で、膜厚は０．１μｍから０
．４μｍの範囲で、Ｃｏは７５＆ｔ％ 〜８６１Ｌｔ％
、Ｔｉ又はＢが８〜１６２Ｌｔ％残りがＮから成り、製
膜はスパッタリング法、プラズマＣｖＤ法、イオンブレ
ーティング法等により形成されている。３は炭化水素系
の気体を用いたプラズマＣＶＤ法、グラファイトをター
ゲットにしたスパッタリング法等により形成したアモル
ファスカーボン膜で、６０人から２００人、好ましくは
８０人から１３０人の膜厚で構成している。４は脂肪酸
、パーフルオロカルボン酸、パーフルオロポリエーテル
等の潤滑剤で、真空蒸着法、溶液塗布法等で６０人から
１００人程度に配したものが用いられる。
詳しく説明する。図は本発明の一実施例の磁気記録媒体
の拡大断面図である。図において１はポリエチレンテレ
フタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリフェニレ
ンサルファイド、ポリエーテルサルフォン等の高分子フ
ィルムで、必要ならば、微粒子塗布層等の下塗り層を配
したものでもよい。２はＯｏ −Ｔ ｉ−Ｎ又はＯｏ
−Ｂ −Ｎ系の垂直磁化膜で、膜厚は０．１μｍから０
．４μｍの範囲で、Ｃｏは７５＆ｔ％ 〜８６１Ｌｔ％
、Ｔｉ又はＢが８〜１６２Ｌｔ％残りがＮから成り、製
膜はスパッタリング法、プラズマＣｖＤ法、イオンブレ
ーティング法等により形成されている。３は炭化水素系
の気体を用いたプラズマＣＶＤ法、グラファイトをター
ゲットにしたスパッタリング法等により形成したアモル
ファスカーボン膜で、６０人から２００人、好ましくは
８０人から１３０人の膜厚で構成している。４は脂肪酸
、パーフルオロカルボン酸、パーフルオロポリエーテル
等の潤滑剤で、真空蒸着法、溶液塗布法等で６０人から
１００人程度に配したものが用いられる。
なお、本発明の磁気記録媒体は磁気テープ、磁気ディス
ク等の形態で用いられる。
ク等の形態で用いられる。
以下に更に具体的な一実施例について比較例との対比で
説明する。
説明する。
厚み１０μｍで、平均表面粗さ２６人、最大粗さ６０人
の平滑なポリエチレンテレフタレートフィルム上に溶液
塗布法で直径１６０人のＳｉＯ□微粒子を１０ケ／（μ
ｖａ）２の密度で分散塗布した微粒子塗布層を配し、そ
の上に、Ｇｏ−Ｔｉ（Ｃｏ：Ｔｉ＝８ａ：１２ａｔ％比
）をターゲットにして、１３．５６（ＭＨｚ）、１．ｅ
ｔｓ（ＫＷ）、３Ｘ１０−’（Ｔｏｒｒ） 、ムｒ：Ｈ
Ｈ，＝１：４ の条件で高周波スパッタリングにより、
Ｇｏ−Ｔ １−Ｎ（ｓｏ：１ｏ：１ｏａｔ％）垂直磁化
膜を０．２μｍの膜厚で形成した。一方、比較例は、Ｃ
ｏ−０ｒ（Ｃｏ：Ｃｒ＝７８：２２ａｔ％）をターゲッ
トにしてムｒ８ｘ１０−”（Ｔｏｒｒ）。
の平滑なポリエチレンテレフタレートフィルム上に溶液
塗布法で直径１６０人のＳｉＯ□微粒子を１０ケ／（μ
ｖａ）２の密度で分散塗布した微粒子塗布層を配し、そ
の上に、Ｇｏ−Ｔｉ（Ｃｏ：Ｔｉ＝８ａ：１２ａｔ％比
）をターゲットにして、１３．５６（ＭＨｚ）、１．ｅ
ｔｓ（ＫＷ）、３Ｘ１０−’（Ｔｏｒｒ） 、ムｒ：Ｈ
Ｈ，＝１：４ の条件で高周波スパッタリングにより、
Ｇｏ−Ｔ １−Ｎ（ｓｏ：１ｏ：１ｏａｔ％）垂直磁化
膜を０．２μｍの膜厚で形成した。一方、比較例は、Ｃ
ｏ−０ｒ（Ｃｏ：Ｃｒ＝７８：２２ａｔ％）をターゲッ
トにしてムｒ８ｘ１０−”（Ｔｏｒｒ）。
１３．５６ （ＭＨｚ） 、１．ｅ ６ （ＫＷ）でス
パッタリングして０．２μｍの垂直磁化膜を形成した。
パッタリングして０．２μｍの垂直磁化膜を形成した。
実施例と比較例は共に同じ条件でアモルファスカーボン
膜を形成した。
膜を形成した。
即ち、グラファイトをターゲットにして、８Ｘ１ ｏ−
’（Ｔｏｒｒ）、Ａｒ：Ｈ２＝１：４で、１３．５６（
ＭＨｚ）、１．２（ＫＷ）の条件でスパッタリングして
ダイアモンド状の炭素膜を夫々１００人形成した。その
抜去々に溶液塗布法でパーフルオロポリエーテルトシて
市販のモンテフルオス社製の゛フオンブリンＺ−２５″
を潤滑剤として７０人塗布し、８ミリ幅の磁気テープに
した。夫々のテープを市販の８ミリビデオを改造し比較
評価した。
’（Ｔｏｒｒ）、Ａｒ：Ｈ２＝１：４で、１３．５６（
ＭＨｚ）、１．２（ＫＷ）の条件でスパッタリングして
ダイアモンド状の炭素膜を夫々１００人形成した。その
抜去々に溶液塗布法でパーフルオロポリエーテルトシて
市販のモンテフルオス社製の゛フオンブリンＺ−２５″
を潤滑剤として７０人塗布し、８ミリ幅の磁気テープに
した。夫々のテープを市販の８ミリビデオを改造し比較
評価した。
ギャップ長０．１７μｍの積層型アモルファスヘッドに
より、０．４μｍの記録を行い、再生出力を比較した。
より、０．４μｍの記録を行い、再生出力を比較した。
比較例の初期出力を０（ｃｌＢ）とした相対比較の結果
、４０℃８０％ＲＨで再生をくり返した時、２０回目で
比較例は−３，４（ｄＢ） 、 ４ｓ回目で−４，５（
ｄＢ）であったのに対し、実施例は夫々−１，１（ｄＢ
）、−１，ｓ （ｄＢ）であった。
、４０℃８０％ＲＨで再生をくり返した時、２０回目で
比較例は−３，４（ｄＢ） 、 ４ｓ回目で−４，５（
ｄＢ）であったのに対し、実施例は夫々−１，１（ｄＢ
）、−１，ｓ （ｄＢ）であった。
ｃｏ−Ｏｒ垂直磁化膜に比べてＣｏ−Ｔｉ−Ｎは垂直配
向性が劣り特性が少し低いが、耐久性に優れていること
で、実使用上はむしろ優れた高密度記録再生特性を得る
ことができることがわかる。
向性が劣り特性が少し低いが、耐久性に優れていること
で、実使用上はむしろ優れた高密度記録再生特性を得る
ことができることがわかる。
又垂直磁化膜をＧｏ（Ｇｏ）４ガスと、Ｂ（ＮＭｅ２）
４ガスから（ｊｏ−Ｂ−Ｎ系膜を得て実施したものも、
上記した例と同様に耐久性が良好であった。
４ガスから（ｊｏ−Ｂ−Ｎ系膜を得て実施したものも、
上記した例と同様に耐久性が良好であった。
発明の効果
以上のように本発明によれば、垂直磁化膜を用いた高密
度記録再生に於ける耐久性が確保できるといったすぐれ
た効果を発揮するものである。
度記録再生に於ける耐久性が確保できるといったすぐれ
た効果を発揮するものである。
図は本発明の磁気記録媒体の一実施例を示す拡大断面図
である。 １・・・・・・高分子フィルム、２・・・・・・Ｇｏ−
Ｔｉ−Ｎ垂直磁化膜、３・・・・・・アモルファスカー
ボン膜。
である。 １・・・・・・高分子フィルム、２・・・・・・Ｇｏ−
Ｔｉ−Ｎ垂直磁化膜、３・・・・・・アモルファスカー
ボン膜。
Claims (1)
- Ｃｏ−α−Ｎ垂直磁化膜（αがＴｉ又はＢのいずれか）
上に表面保護膜としてアモルファスカーボン薄膜を配し
て成ることを特徴とする磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2923588A JPH01205712A (ja) | 1988-02-10 | 1988-02-10 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2923588A JPH01205712A (ja) | 1988-02-10 | 1988-02-10 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01205712A true JPH01205712A (ja) | 1989-08-18 |
Family
ID=12270570
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2923588A Pending JPH01205712A (ja) | 1988-02-10 | 1988-02-10 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01205712A (ja) |
-
1988
- 1988-02-10 JP JP2923588A patent/JPH01205712A/ja active Pending
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