JPH0346119A - 磁気記録媒体およびその製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体およびその製造方法Info
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- JPH0346119A JPH0346119A JP18305589A JP18305589A JPH0346119A JP H0346119 A JPH0346119 A JP H0346119A JP 18305589 A JP18305589 A JP 18305589A JP 18305589 A JP18305589 A JP 18305589A JP H0346119 A JPH0346119 A JP H0346119A
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Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、磁気記録媒体およびその製造方法に関し、特
に、薄膜型磁気記録媒体を用いたフレキシブル磁気ディ
スクに関する。
に、薄膜型磁気記録媒体を用いたフレキシブル磁気ディ
スクに関する。
（従来の技術）
近年、フレキシブル磁気ディスク装置、オーディオ用磁
気テープ装置、ＶＴＲ用磁気テープ装置等、各種の磁気
記録装置の小型化、高密度化が進められている。磁気記
録における高密度化は主として磁気記録媒体の磁性層の
高保磁力化と薄膜化とによって実現されている。従来使
用されている媒体は、磁性体微粒子を高分子バインダ中
に分散させたものをベースフィルム上に塗布した、いわ
ゆる塗布型磁気記録媒体である。
気テープ装置、ＶＴＲ用磁気テープ装置等、各種の磁気
記録装置の小型化、高密度化が進められている。磁気記
録における高密度化は主として磁気記録媒体の磁性層の
高保磁力化と薄膜化とによって実現されている。従来使
用されている媒体は、磁性体微粒子を高分子バインダ中
に分散させたものをベースフィルム上に塗布した、いわ
ゆる塗布型磁気記録媒体である。
最近これらの記憶密度を１〜２桁はど向上できる垂直磁
気記録方式が注目されている。ここに用いられる記録媒
体としてスパッタまたは蒸着などによって形成されるＣ
ｏＣｒ合金薄膜の単層媒体及びＣｏＣｒ膜／ＮｉＦｅ軟
磁性膜の２層媒体が主に開発されている。これらの高密
度磁気記録用の薄膜型磁気媒体をフレキシブル磁気ディ
スク、磁気テープ等として実用化するためには機械的耐
久性、特にパスウェア耐久性を保証する必要がある。
気記録方式が注目されている。ここに用いられる記録媒
体としてスパッタまたは蒸着などによって形成されるＣ
ｏＣｒ合金薄膜の単層媒体及びＣｏＣｒ膜／ＮｉＦｅ軟
磁性膜の２層媒体が主に開発されている。これらの高密
度磁気記録用の薄膜型磁気媒体をフレキシブル磁気ディ
スク、磁気テープ等として実用化するためには機械的耐
久性、特にパスウェア耐久性を保証する必要がある。
（発明が解決しようとする課題）
垂直記録フレキシブル磁気ディスクには、フレキシブル
フィルム上にＣｏＣｒ合金薄膜を形成しさらに保護膜を
形成した媒体が広く用いられている。
フィルム上にＣｏＣｒ合金薄膜を形成しさらに保護膜を
形成した媒体が広く用いられている。
最近フレキシブル磁気ディスク装置（ＦＤＤ）の大容量
化のために従来の片面型のＦＤＤからディスクの両面を
用いる両面型のＦＤＤの検討がなされている。
化のために従来の片面型のＦＤＤからディスクの両面を
用いる両面型のＦＤＤの検討がなされている。
片面型ＦＤＤのヘッドでは、球面ヘッドと柔らかいパッ
ドを対で用いているが、両面型ＦＤＤでは２つのフラッ
トで硬質なスライダーからなるヘッドで媒体を挾んで使
用している。そのため両面型ＦＤＤでは、実際のヘッド
摺動時に伴うシーク動作に対して硬いスライダー同士が
振動することなどによって、媒体にスクラッチなどが発
生することが観測され、シーク耐久性は片面型ＦＤＤを
用いたときと比べてかなり低かった。
ドを対で用いているが、両面型ＦＤＤでは２つのフラッ
トで硬質なスライダーからなるヘッドで媒体を挾んで使
用している。そのため両面型ＦＤＤでは、実際のヘッド
摺動時に伴うシーク動作に対して硬いスライダー同士が
振動することなどによって、媒体にスクラッチなどが発
生することが観測され、シーク耐久性は片面型ＦＤＤを
用いたときと比べてかなり低かった。
本発明の目的はシーク耐久性の高い磁気記録媒体を提供
することにある。
することにある。
（課題を解決するための手段）
本発明の磁気記録体は、上述の課題を解決するための手
段として以下の特徴を有する。
段として以下の特徴を有する。
基体上に形成された硬質薄膜と該硬質薄膜上に形成され
た強磁性薄膜と該強磁性薄膜上の保護膜とからなる。硬
質薄膜としては、シリコンを主成分とするアモルファス
シリコン薄膜やカーボンを主成分とする薄膜がある。ま
た、アモルファスシリコン薄膜には、カーボンＣなどの
添加元素を含んでもよい。
た強磁性薄膜と該強磁性薄膜上の保護膜とからなる。硬
質薄膜としては、シリコンを主成分とするアモルファス
シリコン薄膜やカーボンを主成分とする薄膜がある。ま
た、アモルファスシリコン薄膜には、カーボンＣなどの
添加元素を含んでもよい。
なお、基体上にカーボンを形成するときのターゲツト材
の比重は１．６５を越えて大きい値が好ましく、パスウ
ェアまた熱の伝導をよくするため鋼を含有してもよい。
の比重は１．６５を越えて大きい値が好ましく、パスウ
ェアまた熱の伝導をよくするため鋼を含有してもよい。
強磁性体は、ＣｏＣｒ膜、ＣｏＣｒＴａ膜、ＣｏＮｉ膜
ＣｏＣｒ／ＦｅＮｉ膜、ＦｅＣｒ膜、Ｃｏ酸化物膜及び
これらに添加元素を含む薄膜などがある。
ＣｏＣｒ／ＦｅＮｉ膜、ＦｅＣｒ膜、Ｃｏ酸化物膜及び
これらに添加元素を含む薄膜などがある。
保護膜としては、ダイヤモンド状カーボン、グラファイ
ト状カーボン、Ｓｉもしくはシリコン酸化膜、シリコン
窒化膜などがある。
ト状カーボン、Ｓｉもしくはシリコン酸化膜、シリコン
窒化膜などがある。
なお、保護膜上には摩擦摩耗特性を向上させるために潤
滑層を形成してもよい。潤滑層としては、液体潤滑剤と
して側鎖パーフロロアルキルエーテル、パーフロロポリ
エーテルまたは極性終端分子を有するそれぞれの側鎖及
び直鎖パーフロロアルキルエーテル及びパーフロロポリ
エーテル、フッ素オイルなどがある。また、固体潤滑剤
としてはフッ素系固体潤滑剤、硫化モリブデンなどがあ
る。塗布法としては、液体潤滑剤だけを、または液体潤
滑剤と固体潤滑剤を混合して適当な溶剤に溶解もしくは
分散させたものを保護膜上に形成する浸漬法、スプレー
法、ローラコート法、またはスピンコード法等がある。
滑層を形成してもよい。潤滑層としては、液体潤滑剤と
して側鎖パーフロロアルキルエーテル、パーフロロポリ
エーテルまたは極性終端分子を有するそれぞれの側鎖及
び直鎖パーフロロアルキルエーテル及びパーフロロポリ
エーテル、フッ素オイルなどがある。また、固体潤滑剤
としてはフッ素系固体潤滑剤、硫化モリブデンなどがあ
る。塗布法としては、液体潤滑剤だけを、または液体潤
滑剤と固体潤滑剤を混合して適当な溶剤に溶解もしくは
分散させたものを保護膜上に形成する浸漬法、スプレー
法、ローラコート法、またはスピンコード法等がある。
（作用）
基体上にアモルファスシリコン薄膜もしくはＣを含むア
モルファスシリコン薄膜を形成することにより、ヘッド
のシークによる摩擦及び衝撃に対して柔らかいベースフ
ィルム上の強磁性膜を保持する作用がありシーク耐久性
を向上させる。
モルファスシリコン薄膜を形成することにより、ヘッド
のシークによる摩擦及び衝撃に対して柔らかいベースフ
ィルム上の強磁性膜を保持する作用がありシーク耐久性
を向上させる。
（実施例）
以下に実施例を示し、本発明の詳細な説明する。本実施
例では、シーク耐久性の評価には全て市販３．５インチ
ＩＭＢ両面型ＦＤＤ（回転数６０Ｏｒｐｍ）を用いた。
例では、シーク耐久性の評価には全て市販３．５インチ
ＩＭＢ両面型ＦＤＤ（回転数６０Ｏｒｐｍ）を用いた。
シーク動作は２０トラツクから５０トラツク間を繰り返
しシークさせモータトルクが異常増大し傷が発生したシ
ーク回数を調べた。なお、シーク耐久性は、基体上にア
モルファスシリコン膜もしくはＣを含むアモルファスシ
リコン膜を形成した磁気記録体の耐久性を、これらの補
強を目的とした下地膜を形成しない磁気記録体のシーク
耐久性で規格化した。
しシークさせモータトルクが異常増大し傷が発生したシ
ーク回数を調べた。なお、シーク耐久性は、基体上にア
モルファスシリコン膜もしくはＣを含むアモルファスシ
リコン膜を形成した磁気記録体の耐久性を、これらの補
強を目的とした下地膜を形成しない磁気記録体のシーク
耐久性で規格化した。
（実施例１．２．３）
第１図に本実施例の部分断面図を示す。図において、基
体１にはポリイミドフィルム（３０ｐｍ厚）を用い、ポ
リイミドフィルム上にＲＦバイアス−１００Ｖを印加し
、ＲＦスパッタ法により２００Ａ、５００Ａ及び１００
０Ａ厚のアモルファスシリコン薄膜２を形成した。該ア
モルファスシリコン薄膜２上には、強磁性薄膜３として
ＣｏＣｒをターゲットとし、ターゲット上にＴａチップ
をのせてＲＦスパッタによりａｏｏｏＡ厚のＣｏＣｒＴ
ａ（１７ａｔ％Ｃｒ、２．５ａｔ％Ｔａ）膜を底膜した
。ＲＦスパッタパワーは一定（３Ｗ／ｃｍ２）とした。
体１にはポリイミドフィルム（３０ｐｍ厚）を用い、ポ
リイミドフィルム上にＲＦバイアス−１００Ｖを印加し
、ＲＦスパッタ法により２００Ａ、５００Ａ及び１００
０Ａ厚のアモルファスシリコン薄膜２を形成した。該ア
モルファスシリコン薄膜２上には、強磁性薄膜３として
ＣｏＣｒをターゲットとし、ターゲット上にＴａチップ
をのせてＲＦスパッタによりａｏｏｏＡ厚のＣｏＣｒＴ
ａ（１７ａｔ％Ｃｒ、２．５ａｔ％Ｔａ）膜を底膜した
。ＲＦスパッタパワーは一定（３Ｗ／ｃｍ２）とした。
比較例として本実施例の条件の中で、ポリイミドフィル
ム上のアモルファスシリコン薄膜を除いたＣｏＣｒＴａ
膜を成膜した。
ム上のアモルファスシリコン薄膜を除いたＣｏＣｒＴａ
膜を成膜した。
保護膜４はＣｏＣｒＴａ膜を成膜後、ＲＦスパッタ方式
によりカーボンをＡｒガスと水素の混合雰囲気中で厚さ
３００Ａ形威した。また、保護膜４上にはフッ素系潤滑
剤５をスピンコードにより塗布した。
によりカーボンをＡｒガスと水素の混合雰囲気中で厚さ
３００Ａ形威した。また、保護膜４上にはフッ素系潤滑
剤５をスピンコードにより塗布した。
表１に本実施例の条件と評価結果を示す。
表１
（実施例４）
基体にはポリイミドフィルム（３０１１ｍ厚）を用い、
ポリイミドフィルム上に■バイアスー５０Ｖを印加し、
水素を含むアルゴン雰囲気中でＳｉＣターゲットを用い
、ＲＦスパッタ法により５００Ａ厚のカーボンを含むア
モルファスシリコン薄膜を形成した。該アモルファスシ
リコン薄膜上には、強磁性薄膜としてＣｏＣｒをターゲ
ットとし、ターゲット上にＴａチップをのせてＲＦスパ
ッタにより３０００Ａ厚のＣｏＣｒＴａ（１７ａｔ％Ｃ
ｒ、２．５ａｔ％Ｔａ）膜を成膜した。
ポリイミドフィルム上に■バイアスー５０Ｖを印加し、
水素を含むアルゴン雰囲気中でＳｉＣターゲットを用い
、ＲＦスパッタ法により５００Ａ厚のカーボンを含むア
モルファスシリコン薄膜を形成した。該アモルファスシ
リコン薄膜上には、強磁性薄膜としてＣｏＣｒをターゲ
ットとし、ターゲット上にＴａチップをのせてＲＦスパ
ッタにより３０００Ａ厚のＣｏＣｒＴａ（１７ａｔ％Ｃ
ｒ、２．５ａｔ％Ｔａ）膜を成膜した。
比較例として本実施例の条件で、ポリイミドフィルム上
のアモルファスシリコン薄膜を除いたＣｏＣｒＴａ膜を
成膜した。
のアモルファスシリコン薄膜を除いたＣｏＣｒＴａ膜を
成膜した。
保護膜は強磁性薄膜を作製後、ＲＦスパッタ方式により
シリコン酸化膜をＡｒガス雰囲気中で形成した。また、
保護膜上にはフッ素系潤滑剤をスピンコードにより塗布
した。
シリコン酸化膜をＡｒガス雰囲気中で形成した。また、
保護膜上にはフッ素系潤滑剤をスピンコードにより塗布
した。
表２に本実施例の条件と評価結果を示す。
表２
（実施例５．６．７）
第２図に本実施例の部分断面図を示す。図において、基
体１にはポリイミドフィルム（３０１１ｍ厚）を用い、
ポリイミドフィルム上にＲＦバイアス−５０Ｖを印加し
、比重１．８１のカーボンターゲットを用い水素を含む
アルゴンガス中でＲＦスパッタ法により２０ＯＡ、５０
０Ａ及びｔｏｏｏＡ厚のカーボン薄膜６を形成した。該
カーボン薄膜６上には、強磁性薄膜３としてＣｏＣｒを
ターゲットとし、ターゲット上にＴａチップをのせてＲ
ＦスパッタによりａｏｏｏＡ厚のＣｏＣｒＴａ（１５ａ
ｔ％Ｃｒ、２゜５ａｔ％Ｔａ）膜を成膜した。
体１にはポリイミドフィルム（３０１１ｍ厚）を用い、
ポリイミドフィルム上にＲＦバイアス−５０Ｖを印加し
、比重１．８１のカーボンターゲットを用い水素を含む
アルゴンガス中でＲＦスパッタ法により２０ＯＡ、５０
０Ａ及びｔｏｏｏＡ厚のカーボン薄膜６を形成した。該
カーボン薄膜６上には、強磁性薄膜３としてＣｏＣｒを
ターゲットとし、ターゲット上にＴａチップをのせてＲ
ＦスパッタによりａｏｏｏＡ厚のＣｏＣｒＴａ（１５ａ
ｔ％Ｃｒ、２゜５ａｔ％Ｔａ）膜を成膜した。
比較例として本実施例の条件で、ポリイミドフィルム上
のカーボン薄膜を除いたＣｏＣｒＴａ膜を成膜した。
のカーボン薄膜を除いたＣｏＣｒＴａ膜を成膜した。
保護膜４は強磁性薄膜３を作製後、ＲＦスパッタ方式に
よりシリコン酸化膜をＡｒガス雰囲気中で形成した。ま
た、保護膜４上にはフッ素系潤滑剤５をスピンコードに
より塗布した。
よりシリコン酸化膜をＡｒガス雰囲気中で形成した。ま
た、保護膜４上にはフッ素系潤滑剤５をスピンコードに
より塗布した。
表３に本実施例の条件と評価結果を示す。
表３
（実施例８．９．１０）
基体にはポリイミドフィルム（３０ｐｍ厚）を用い、ポ
リイミドフィルム上にＲＦバイアス−５０Ｖを印加し、
比重３．０５．１．８１．１．７５のカーボンターゲッ
トを用い水素を含むアルゴンガス中でＲＦスパッタ法に
より２００Ａ厚のカーボン薄膜を形成した。比重３．０
５のターゲットにはカーボンを主成分とする他に銅を含
む。比較例として比重１．６８のカーボンターゲットを
用い水素を含むアルゴンガス中でＲＦスパッタ法により
２０ＯＡ厚のカーボン薄膜を形成した。該カーボン薄膜
上には、強磁性薄膜としてＣｏＣｒをターゲットとし、
ターゲット上にＴａチップをのせてＲＦスパッタにより
３０００人厚のＣｏＣｒＴａ（１５ａｔ％Ｃｒ、２．５
ａｔ％Ｔａ）膜を底膜した。
リイミドフィルム上にＲＦバイアス−５０Ｖを印加し、
比重３．０５．１．８１．１．７５のカーボンターゲッ
トを用い水素を含むアルゴンガス中でＲＦスパッタ法に
より２００Ａ厚のカーボン薄膜を形成した。比重３．０
５のターゲットにはカーボンを主成分とする他に銅を含
む。比較例として比重１．６８のカーボンターゲットを
用い水素を含むアルゴンガス中でＲＦスパッタ法により
２０ＯＡ厚のカーボン薄膜を形成した。該カーボン薄膜
上には、強磁性薄膜としてＣｏＣｒをターゲットとし、
ターゲット上にＴａチップをのせてＲＦスパッタにより
３０００人厚のＣｏＣｒＴａ（１５ａｔ％Ｃｒ、２．５
ａｔ％Ｔａ）膜を底膜した。
比較例として本実施例の条件で、ポリイミドフィルム上
のカーボン薄膜を除いたＣｏＣｒＴａ膜を成膜した。
のカーボン薄膜を除いたＣｏＣｒＴａ膜を成膜した。
保護膜は強磁性薄膜を作製後、ＲＦスパッタ方式により
シリコン酸化膜をＡｒガス雰囲気中で形成した。また、
保護膜上にはフッ素系潤滑剤をスピンコードにより塗布
した。
シリコン酸化膜をＡｒガス雰囲気中で形成した。また、
保護膜上にはフッ素系潤滑剤をスピンコードにより塗布
した。
表４に本実施例の条件と評価結果を示す。
表４
（発明の効果）
実施例１から１０まで及び比較例に示されるように、本
発明のベースフィルムと強磁性薄膜の間に硬質薄膜を設
けることにより、シーク耐久性を増大させることが出来
る。
発明のベースフィルムと強磁性薄膜の間に硬質薄膜を設
けることにより、シーク耐久性を増大させることが出来
る。
第１及び２図は本発明のフレキシブル磁気記録媒体の部
分断面図である。
分断面図である。
Claims (2)
- （１）基体上に形成した硬質薄膜と、該硬質薄膜上に形
成した強磁性薄膜と、該強磁性薄膜上の保護膜とからな
ることを特徴とする磁気記録媒体。 - （２）カーボン材の比重が１．６５より大きい値である
ターゲットを用いてＲＦスパッタ法により基板上にカー
ボンを主成分とする薄膜を形成し、該薄膜上に強磁性薄
膜と保護膜とを順次形成することを特徴とする磁気記録
媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18305589A JPH0346119A (ja) | 1989-07-14 | 1989-07-14 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18305589A JPH0346119A (ja) | 1989-07-14 | 1989-07-14 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0346119A true JPH0346119A (ja) | 1991-02-27 |
Family
ID=16128950
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18305589A Pending JPH0346119A (ja) | 1989-07-14 | 1989-07-14 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0346119A (ja) |
-
1989
- 1989-07-14 JP JP18305589A patent/JPH0346119A/ja active Pending
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